Tema 2-1 Materiales y Parámetros Característicos

MATERIALES Y
PARÁMETROS
Alejandro Paz Parra PhD

CONTENIDO
• Materiales fotoeléctricos
• Comportamiento de una
unión PN
• Parámetros característicos de
un módulo solar FV
Curso de sistemas de energía solar - Profesor Alejandro Paz

MATERIALES
FOTOELÉCTRICOS
Curso de sistemas de generación de energía - Profesor Alejandro Paz

MATERIALES AISLANTES Y
CONDUCTORES
AISLANTES CONDUCTORES
•Dieléctricos •Conductores metálicos

•Plásticos. •Soluciones ionizadas
•Celulosa. •Semiconductores dopados
•Medios no ionizados. •Medios ionizados.

CONDUCTORES

CONDUCTORES
Los electrones que pueden escaparse del átomo son aquellos que se
encuentran en la capa de valencia sin estar apareados

CONDUCTORES
Cuando se aplica la energía necesaria para producir una transición, los
electrones se “liberan” y actúan como carga libre en presencia de un campo
eléctrico.

CONDUCTORES
Los electrones forman una corriente electrónica…

CONDUCTORES
ESTRUCTURA ATÓMICA DEL COBRE

CONDUCTORES
Estructura atómica de la plata comparada con el cobre

Y si la plata es mejor
conductora de la electricidad
que el cobre…
¿Porqué no cambiamos todo

el cableado eléctrico del
mundo por cables hechos de
plata?

CONDUCTORES
TIPOS DE ENLACE QUÍMICO

ESTRUCTURA DE UN
SEMICONDUCTOR
El silicio es un elemento químico

metaloide (No es un conductor metálico
pero tampoco un aislante).
Número atómico N=14

Símbolo Si.
Distribución electrónica 2-8-4

ESTRUCTURA DE UN
SEMICONDUCTOR
Estructura tridimensional
(cristalina)

ESTRUCTURA DE UN
SEMICONDUCTOR
Estructura de bandas en un semiconductor intrínseco

ESTRUCTURA DE UN
SEMICONDUCTOR
El tamaño (Energía) del GAP hace que la probabilidad de que un

electrón “salte” a la banda de conducción sea mayor o menor.

ESTRUCTURA DE UN
SEMICONDUCTOR
De acuerdo con la Ley de Maxwell-Boltzmann la probabilidad de
que un electrón alcance la banda de conducción en un
semiconductor intrínseco depende de la banda de energía y de
la temperatura absoluta.
𝐸𝑔
−
𝑁 𝐸𝑜 > 𝐸𝐹 = 𝑁𝐴 𝑒 𝑘𝑇
𝐸𝑔 : 𝐸𝑛𝑒𝑟𝑔í𝑎 𝑑𝑒 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑝𝑟𝑜ℎ𝑖𝑏𝑖𝑑𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑠𝑒𝑚𝑖𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑜𝑟
𝑇: 𝑇𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 𝑒𝑛 𝑔𝑟𝑎𝑑𝑜𝑠 𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜𝑠
𝐽
𝑘: 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝐵𝑜𝑙𝑡𝑧𝑚𝑎𝑛𝑛 (1,3807 × 10−23 ൗ𝐾 )
𝑁𝐴 : 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝐴𝑣𝑜𝑔𝑎𝑑𝑟𝑜 (6,029 × 1023 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠ൗ𝑚𝑜𝑙 )

ESTRUCTURA DE UN
SEMICONDUCTOR

ESTRUCTURA DE UN
SEMICONDUCTOR
Semiconductor Símbolo Energía de banda
prohibida (eV)
Silicio Si 1.11
Germanio Ge 0.66
Arseniuro de Galio GaAs 1.43
Antimoniuro de Galio GaSb 0.70
Nitruro de Indio InN 0.70
Fosfuro de Indio InP 1.35
Arseniuro de Indio InAs 0.36

ESTRUCTURA DE UN
SEMICONDUCTOR

Y si el Germanio es mejor
semiconductor que el Silicio…
¿Porqué no hacemos todas

las celdas solares de
Germanio?

El silicio es el segundo elemento
más abundante en la corteza
terrestre después del oxígeno.

Si cae China caemos todos…

Pero el mayor exportador de
Silicio del mundo NO es China….
Silicio con un contenido del 99.99% en peso.
https://oec.world/es/profile/hs92/silicon-9999-pure

Capacidad de producción anual (MW)
Ranking Compañía País
2016 2017 2018
1 GCL-Poly Energy 17.755 20.060 20.060 China
2 Xian LONGi Silicon 8.500 13.500 22.500 China
3 Inner Mongolia Zhongwang 4.800 6.800 9.000 China
4 Jinko Solar 5.000 7.500 8.000 China
5 LDK Solar 4.800 4.800 4.800 China
6 Jiangxi Sornid Hi-Tech 3.200 4.200 4.200 China
7 Green Energy Technologies - GET 2.625 2.625 2.625 Australia
8 Yingli Green Energy 2.452 2.452 2.452 China
9 Renesola 2.900 2.900 2.900 USA
10 JA Solar 2.500 3.000 4.500 China
https://elperiodicodelaenergia.com/los-10-mayores-fabricantes-de-obleas-de-
silicio-del-mundo/

Tomado de: “Del petróleo al coltán, las materias primas que pueden hacer tambalear a la geopolítica mundial”.
Artículo disponible en: https://www.elmundo.es/economia/2014/06/06/5390b98222601da77a8b4594.html

La temperatura aumenta la cantidad de portadores libres en los
semiconductores…

Calentemos las
celdas solares para
producir más
energía

ESTRUCTURA DE UN
SEMICONDUCTOR
Si bien es cierto que la densidad de portadores se incrementa
con la temperatura, también aparece un efecto contrario debido
a la excitación térmica y es el estado caótico de la sustancia
debido a la temperatura (Energía cinética)
2
𝐸𝑘 = 𝑘𝑇
3
𝐸𝑘 : 𝐸𝑛𝑒𝑟𝑔í𝑎 𝑐𝑖𝑛é𝑡𝑖𝑐𝑎 𝑝𝑟𝑜𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 𝑑𝑒 𝑙𝑎𝑠 𝑚𝑜𝑙é𝑐𝑢𝑙𝑎𝑠 𝑑𝑒 𝑢𝑛 𝑔𝑎𝑠 𝑖𝑑𝑒𝑎𝑙
𝑇: 𝑇𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 𝑒𝑛 𝑔𝑟𝑎𝑑𝑜𝑠 𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜𝑠
𝐽
𝑘: 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝐵𝑜𝑙𝑡𝑧𝑚𝑎𝑛𝑛 (1,3807 × 10−23 ൗ𝐾 )

ESTRUCTURA DE UN
SEMICONDUCTOR
La temperatura absoluta incrementa la energía interna del material...

Un incremento excesivo de temperatura
lleva a que la matriz semiconductora
alcance estados de excitación térmica que
aumenten la probabilidad de recombinación
entre pares electrón-hueco reduciendo de
forma significativa la conductividad del
semiconductor.

DOPAJE
El dopaje consiste en introducir dentro de la red cristalina un
átomo de estructura similar a los átomos de la matriz pero
que poseen electrones “no apareados”

DOPAJE
Cuando un
electrón se
“libera” deja en
su lugar un
“hueco” de
carga positiva

DOPAJE
Donadoras: Tienen un electrón más en la capa de

valencia que los átomos que constituyen la red
(Pueden donar electrones para que actúen como
carga “libre”).
Aceptoras: Tienen un electrón menos en la capa de

valencia que los átomos que constituyen la red
(Pueden aceptar electrones que hayan sido
“liberados”).

DOPAJE
BORO
ANTIMONIO
Aceptores típicos usados en la construcción de paneles solares: Boro,

Aluminio y Galio
Donadores típicos usados en la construcción de paneles solares:

Antimonio, Arsénico y Fósforo

DOPAJE
Cuando un semiconductor tiene un exceso de impurezas

donadoras (más electrones que huecos) se denomina
semiconductor de tipo N
Cuando un semiconductor tiene un exceso de impurezas

aceptoras (más huecos que electrones) se denomina
semiconductor de tipo P

LA CELDA SOLAR
FOTOVOLTAICA

LA CELDA SOLAR
FOTOVOLTAICA
Una celda solar FV típica de Silicio poli cristalino genera una corriente
de cortocircuito de aproximadamente 35mA/cm^2 y una diferencia
de potencial de circuito abierto de 0.65V

ENERGÍA SOLAR
FOTOVOLTAICA
Cada conjunto de celdas
conectadas en serie recibe
el nombre de cadena o
“STRING” en idioma inglés.
A su vez las cadenas se

conectan en paralelo para
producir la totalidad de la
corriente que puede
entregar el panel.

ENERGÍA SOLAR
FOTOVOLTAICA
Esquema de conexión y de fijación de las celdas individuales

en el marco del panel solar FV

ENERGÍA SOLAR
FOTOVOLTAICA

COMPORTAMIENTO
DE UNA UNIÓN PN

EL PRIMER DIODO
The first diode by John Ambrose Fleming
Imagen obtenida de: Early valve or tube history

Disponible en: http://www.radio-electronics.com/info/radio_history/thermionic-valve-vacuum-tube/history.php

EFECTO TERMO
ELÉCTRICO
Los electrones excitados

por la temperatura se
desprenden del terminal
negativo (Cátodo) y
forman una nube que es
atraída por el terminal
positivo (Ánodo).

SÍMBOLOS DE DIODOS -
IEEE
IEEE STD 315 – 1975 : IEEE Standard for Graphic Symbols for Electrical
and Electronics Diagrams

SÍMBOLOS DE DIODOS -
IEEE
Flujo permitido de corriente
ÁNODO CÁTODO

MODELOS DE DIODO
Figura 2.1 Tomada de: Power Electronics: Converters, Applications, and Design by Ned
Mohan, Tore, M. Undeland and William P. Robbins

ZONAS DE OPERACIÓN
Zona de
conducción.
Forward conduction
zone.
En la zona de conducción directa el diodo funciona de acuerdo

con la curva de Shockley

ZONAS DE OPERACIÓN
En la zona de bloqueo al
principio sigue la ley de
Ohm pero luego
presenta “avalancha
inversa” con una
resistencia muy
pequeña.
IR: Reverse Leakage current.

ZONAS DE OPERACIÓN
La corriente inversa justo
antes de entrar en
avalancha es la corriente
de saturación inversa
que tiene valores muy
pequeños.
𝐼𝑆𝐴𝑇 ≅ 𝜇𝐴 , 𝑛𝐴, 𝑝𝐴
IR: Reverse Leakage current.

EFECTO DE LA
TEMPERATURA
Cualquier cambio en la temperatura afecta
de forma significativa la densidad de
portadores y por tanto afecta todas las
características de comportamiento de
cualquier semiconductor (ley de Maxwell-
Boltzmann).

PARÁMETROS
Voltaje térmico : Representa la diferencia de potencial
generada por el estado de excitación térmica de los electrones
a la temperatura necesaria para iniciar la conducción (300K-
350K)
𝑘𝑇𝑜𝑝
𝑉𝑇 =
𝑞
Donde:
𝑇𝑜𝑝 : Es la temperatura de operación expresada en grados Kelvin

𝐽
𝑘: Es la constante de Boltzmann 1,23 × 10−23 𝐾
𝑞: Es la carga positiva de un electrón 1,602 × 10−19 𝐶𝑜𝑢𝑙

EL VOLTAJE TÉRMICO
Calcule el voltaje térmico de una unión PN que
opera a una temperatura de 65º C
1.3806 × 10 −23 𝑗ൗ × 273 + 65 𝐾

𝑘𝑇 𝐾
𝑉𝑇 = =
𝑞 1.602 × 10−19 𝐶
𝑉𝑇 = 29𝑚𝑉
Para cada temperatura da un valor diferente…

EL VOLTAJE TÉRMICO

LA CURVA DE
SHOCKLEY
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆𝐴𝑇 × 𝑒 𝑛𝑉𝑇 −1
ID: Corriente por el diodo.

ISAT: Corriente de saturación
VD: Caída de voltaje en el diodo.
VT: Voltaje térmico.
n= Coeficiente de emisión.

LA CURVA DE
SHOCKLEY
𝑉𝐷
Corriente en función de la caída de tensión
𝐼𝐷
𝑉𝐷 = 𝑛𝑉𝑇 × 𝐿𝑛 1 +
𝐼𝑆𝐴𝑇
Caída de tensión en función de la corriente

LA CURVA DE
SHOCKLEY
Ejemplo
Dado un diodo con n=1.8 y una corriente
Isat=1uA obtenga la curva de Shockley a 65º C.
Calcule la caída de tensión cuando circula una

corriente de 100A.

LA CURVA DE
SHOCKLEY

LA CURVA DE
SHOCKLEY
−23 𝑗ൗ
𝑘𝑇 1.3806 × 10 𝐾 × 273 + 65 𝐾
𝑉𝑇 = =
𝑞 1.602 × 10−19 𝐶
𝑉𝑇 = 29𝑚𝑉

LA CURVA DE
SHOCKLEY
𝐼𝐷
𝐼𝑆
100𝐴
𝑉𝐷 = 1.8 × 29𝑚𝑉 × 𝐿𝑛 1 +
1𝑢𝐴
𝑉𝐷 = 0.96𝑉

En el cálculo anterior no se toma en
cuenta la resistencia directa del diodo
lo cual puede generar errores
significativos en el cálculo del punto
de operación.
Se debe hacer una corrección…

RESISTENCIA DEL DIODO
𝐹𝑜𝑟𝑤𝑎𝑟𝑑 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑅𝐷
1
Es la resistencia eléctrica del
𝑅𝐷
diodo en conducción.
𝑑𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝑑𝐼
Es una resistencia incremental que cambia de acuerdo
al punto de trabajo, pero se mide en la zona lineal del
diodo.

𝐼𝐷
𝐼𝑆𝐴𝑇
En la zona superior de la curva el 1 se vuelve despreciable…
𝐼𝐷
𝑉𝐷 ≅ 𝑛𝑉𝑇 × 𝐿𝑛
𝐼𝑆𝐴𝑇
Se saca la derivada de la tensión con respecto a la corriente…

𝑑𝑉𝐷 𝑛𝑉𝑇 1
= ×
𝑑𝐼𝐷 𝐼𝐷 𝐼𝑆𝐴𝑇
𝐼𝑆𝐴𝑇
𝑑𝑉𝐷 𝑛𝑉𝑇
=
𝑑𝐼𝐷 𝐼𝐷

La corriente ID depende de la curva de Shockley…
𝑉𝐷
En la zona superior de la curva el 1 se vuelve despreciable…
𝑉𝐷
𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝑆𝐴𝑇 × 𝑒 𝑛𝑉𝑇

𝑉𝐷 𝑑𝑉𝐷 𝑛𝑉𝑇
𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝑆𝐴𝑇 × 𝑒 𝑛𝑉𝑇 =
𝑑𝐼𝐷 𝐼𝐷
Se reemplaza…
𝑑𝑉𝐷 𝑛𝑉𝑇
= 𝑉𝐷
𝑑𝐼𝐷
𝐼𝑆𝐴𝑇 × 𝑒 𝑛𝑉𝑇

𝑑𝑉𝐷 𝑛𝑉𝑇 𝑉
− 𝐷
= × 𝑒 𝑛𝑉𝑇
𝑑𝐼𝐷 𝐼𝑆𝐴𝑇
𝑑𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝑑𝐼
𝑛𝑉𝑇 𝑉𝐷
−
𝑅𝐷 = × 𝑒 𝑛𝑉𝑇
𝐼𝑆𝐴𝑇

CURVA DE SHOCKLEY CON
RESISTENCIA
𝑛𝑉𝑇 𝑉
− 𝐷
𝑅𝐷 = × 𝑒 𝑛𝑉𝑇
𝐼𝑆𝐴𝑇
𝐼𝐷
𝑉𝐷 = 𝑛𝑉𝑇 × 𝐿𝑛 1 + + 𝑅𝑠 𝐼𝐷
𝐼𝑆

CURVA DE SHOCKLEY CON
RESISTENCIA

PARÁMETROS
CARACTERÍSTICOS

PARÁMETROS
CIRCUITALES

PARÁMETROS
CIRCUITALES
Corriente de cortocircuito a una temperatura de operación diferente a la nominal
(IPH)
Cuando la celda se encuentra operando a una temperatura diferente a la nominal o a

un nivel de radiación diferente al nominal se deben hacer las siguientes correcciones:
𝐼𝑃𝐻 = 𝜆 𝐼𝑆𝐶_𝑐𝑒𝑙𝑙 + 𝐾𝑇𝐼 𝑇𝑜𝑝 − 𝑇𝑟𝑒𝑓

Donde:
𝜆: Es la radiación incidente normalizada (Radiación en 𝑘𝑊ൗ𝑚2)

𝐼𝑆𝐶_𝑐𝑒𝑙𝑙 : Es la corriente de cortocircuito nominal de la celda.
𝐾𝑇𝐼 : Es un coeficiente de temperatura de corriente de la celda
𝑇𝑜𝑝 : Es la temperatura de operación de la celda (Típicamente 65ºC).
𝑇𝑟𝑒𝑓 : Es la temperatura de referencia de la celda (Típicamente 25ºC)

PARÁMETROS
CIRCUITALES
La corriente de cortocircuito de una sola celda es
la división de la corriente de cortocircuito del
panel en condiciones STC entre el número de
cadenas en paralelo que tenga el mismo panel.
𝐼𝑆𝐶
𝐼𝑆𝐶_𝑐𝑒𝑙𝑙 =
𝑛𝑝

PARÁMETROS
CIRCUITALES
Corriente de cortocircuito a una temperatura de operación
diferente a la nominal (IPH)
El coeficiente de temperatura también puede venir

expresado en porcentaje, en ese caso la ecuación cambia…
𝐼𝑃𝐻 = 𝜆𝐼𝑆𝐶_𝑐𝑒𝑙𝑙 1 + 𝐾𝑇𝐼 % 𝑇𝑜𝑝 − 𝑇𝑟𝑒𝑓

PARÁMETROS
CIRCUITALES
Tensión de circuito abierto a una temperatura de operación diferente a la nominal
(VCELL)
Cuando la celda se encuentra operando a una temperatura diferente a la nominal se

deben hacer las siguientes correcciones en la tensión generada por la celda:
𝑉𝐶𝐸𝐿𝐿 𝑇 = 𝑉𝑂𝐶_𝑐𝑒𝑙𝑙 + 𝐾𝑇𝑉 𝑇𝑜𝑝 − 𝑇𝑟𝑒𝑓

Donde:
𝑉𝑂𝐶_𝑐𝑒𝑙𝑙 : Es la tensión de circuito abierto nominal de la celda.

𝐾𝑇𝑉 : Es un coeficiente de temperatura de tensión de la celda
𝑇𝑜𝑝 : Es la temperatura de operación de la celda (Típicamente 65ºC).
𝑇𝑟𝑒𝑓 : Es la temperatura de referencia de la celda (Típicamente 25ºC)

PARÁMETROS
CIRCUITALES
La tensión de circuito abierto de una sola celda
es la división de la tensión de circuito abierto del
panel en condiciones STC entre el número de
celdas en serie que tenga el mismo panel.
𝑉𝑂𝐶
𝑉𝑂𝐶_𝑐𝑒𝑙𝑙 =
𝑛𝑠

PARÁMETROS
CIRCUITALES
Tensión de circuito abierto a una temperatura de operación
diferente a la nominal (VCELL)
El coeficiente de temperatura también puede venir

expresado en porcentaje, en ese caso la ecuación cambia…
𝑉𝐶𝐸𝐿𝐿 𝑇 = 𝑉𝑂𝐶_𝑐𝑒𝑙𝑙 × 1 + +𝐾𝑇𝑉 % 𝑇𝑜𝑝 − 𝑇𝑟𝑒𝑓

PARÁMETROS
CIRCUITALES
Corriente de saturación de la celda
𝐼𝑃𝐻
𝐼𝑆𝐴𝑇 = 𝑉𝑐𝑒𝑙𝑙
𝑒 𝑛×𝑉𝑇 −1
𝑛: Es un coeficiente de emisión que depende de la tecnología
(Mono cristalino 1,2 Poli cristalino 1,3)

PARÁMETROS
CIRCUITALES
Resistencia interna de la celda:
Representa la resistencia de los contactos y del
material del sustrato
𝑛𝑉𝑇 𝑉
− 𝑐𝑒𝑙𝑙
𝑅𝑠 = × 𝑒 𝑛𝑉𝑇
𝐼𝑆𝐴𝑇

MODELO CIRCUITAL
𝐼𝑃𝐻 − 𝐼𝑂𝑈𝑇
𝑉𝑜𝑢𝑡_𝑐𝑒𝑙𝑙 = n × 𝑉𝑇 Ln + 1 − 𝑅𝑠 × 𝐼𝑃𝐻 − 𝐼𝑂𝑈𝑇
𝐼𝑆𝐴𝑇
Tensión de salida de una celda solar FV en función de la corriente de salida

(La corriente de salida cambia entre cero e Iph)
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑛𝑠 𝑉𝑜𝑢𝑡_𝑐𝑒𝑙𝑙
Para el panel completo se multiplica la tensión de salida por el número de
celdas en serie.

PARÁMETROS
CIRCUITALES
Potencia de salida de la celda
𝑃𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑜𝑢𝑡 × 𝐼𝑜𝑢𝑡
Potencia de entrada de la celda
𝑃𝑖𝑛 = 𝐴 × 𝜆 × 1 𝑘𝑊ൗ 2
𝑚
Donde:
𝐴: Es el área del panel en metros cuadrados

𝜆: Es la radiación incidente normalizada (Radiación en 𝑘𝑊
ൗ𝑚2)

MODELO CIRCUITAL
Ejemplo: Haga el modelo circuital del panel JA Solar 335W

Curvas IV para el panel JA SOLAR 335W para una irradiación de
1000W/m^2 a diferentes temperaturas

Curvas PV para el panel JA SOLAR 335W para una irradiación de

Temperatura Voc Isc Vmp Imp Pmax EFF
(C) (V) (A) (V) (A) (W) %
10 50.41 9.34 42.47 8.85 376.06 19
25 48.24 9.42 40.21 8.86 356.09 18
40 46.07 9.50 38.11 8.82 336.06 17
55 43.89 9.58 35.56 8.88 315.81 16
70 41.72 9.67 33.29 8.88 295.49 15
Potencia máxima lograda por el panel con una irradiación de


Curvas IV para el panel JA SOLAR 335W para una temperatura de 25º C a
diferentes niveles de irradiación

Curvas PV para el panel JA SOLAR 335W para una temperatura de
25º C a diferentes niveles de irradiación

MODELO CIRCUITAL
Irradiación Isc Imp Pmax EFF
(W/m^2) (A) (A) (W) %
1200 11.30 10.64 427.31 18
1000 9.42 8.87 356.09 18
800 7.54 7.04 284.88 18
600 5.65 5.35 213.66 18
400 3.77 3.49 142.44 18
200 1.88 1.69 71.21 18

RENDIMIENTO POR
TECNOLOGÍA

POTENCIA MÁXIMA Y
EFICIENCIA
𝑃𝑜𝑢𝑡 = 𝑓1 𝑉𝑜𝑢𝑡 , 𝐼𝑜𝑢𝑡 , 𝑊ൗ 2 , 𝑇

𝑚
𝑃𝑚𝑎𝑥 = 𝑓2 𝑊ൗ 2 , 𝑇
𝑚

POTENCIA MÁXIMA Y
EFICIENCIA
𝐸𝐹𝐹 = 𝑓3 𝑉𝑜𝑢𝑡 , 𝐼𝑜𝑢𝑡 , 𝑊ൗ 2 , 𝑇

𝑚
𝐸𝐹𝐹𝑚𝑎𝑥 = 𝑓4 𝑇

POTENCIA MÁXIMA Y
EFICIENCIA
Gráfica de potencia Vs Irradiación

POTENCIA MÁXIMA Y
EFICIENCIA
La pendiente de este gráfico es
𝛾 = −1.34 𝑊ൗ𝐶
Cuando se divide por la
potencia nominal (STC) del
panel se tiene:
𝛾 % = −0.38 %/𝐶
Gráfica de potencia Vs Temperatura

POTENCIA MÁXIMA Y
EFICIENCIA
𝑃𝑚𝑎𝑥 𝑊ൗ 2 , 𝑇 = 𝜆 𝑃𝑚𝑎𝑥 𝑆𝑇𝐶 + 𝛾 𝑇 − 𝑇𝑟𝑒𝑓

𝑚
Potencia máxima en función de la irradiación y la temperatura de operación
cuando el coeficiente está en W/C
𝐼𝑟𝑟𝑎𝑑𝑖𝑎𝑐𝑖ó𝑛(𝑊ൗ 2 )
𝜆= 𝑚
1000 𝑊ൗ 2
𝑚

POTENCIA MÁXIMA Y
EFICIENCIA
𝑃𝑚𝑎𝑥 𝑊ൗ 2 , 𝑇 = 𝜆𝑃𝑚𝑎𝑥 𝑆𝑇𝐶 1 + 𝛾 𝑇 − 𝑇𝑟𝑒𝑓

𝑚
Potencia máxima en función de la irradiación y la temperatura de operación
cuando el coeficiente está en %
𝐼𝑟𝑟𝑎𝑑𝑖𝑎𝑐𝑖ó𝑛(𝑊ൗ 2 )
𝜆= 𝑚
1000 𝑊ൗ 2
𝑚

MUCHAS GRACIAS

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