Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Transistor Es
Transistor Es
JFET
MOSFET
Los transistores MOSFET son dispositivos de efecto de campo al igual que los JFET
utilizan un campo eléctrico para crear un canal de conducción. Son dispositivos más
importantes que los JFET ya que la mayor parte de circuitos integrados digitales se
construyen con tecnologías MOS.
Al igual que los JFET Y MOSFET tienen una estructura física muy diferente, pero sus
ecuaciones analíticas son muy similares, por eso los transistores MOS Tiene las
mismas regiones de operación que los JFET.
El sustrato está formado por una placa de material tipo P de silicio. En algunos casos,
el sustrato está conectado internamente con la fuente y solo presenta tres terminales.
El drenaje y la fuente están formados de material tipo N unidos por un canal también
de material tipo N. La puerta está conectada a una capa muy delgada de óxido de
silicio. El óxido de silicio es aislante, lo que explica la alta impedancia de estos
dispositivos.
Si entre drenaje y fuente se le aplica una tensión, siendo la tensión de puerta VGS = 0
V, el resultado será una ausencia de corriente entre los terminales de drenaje y fuente,
debido a que existe dos regiones P-N con polarización inversa entre las regiones N y
el sustrato P.
Gate o puerta: Es el pin que al proporcionarle un voltaje circula una corriente en los
terminales drenaje y fuente.
ID = kVGS - VGS(Th) )2
El mayor peligro para un MOSFET son las cargas estáticas durante la manipulación
del mismo en un día seco. También causan peligro los cautines para soldar, que por lo
general no están aislados de la línea de corriente alterna (C.A.).
Este zener está diseñado para que conduzca a 50 voltios por lo que VGS (tensión
compuerta - fuente) siempre se mantendrá por debajo o igual al valor de esta tensión,
y por ende por debajo del valor de tensión destructivo. Ver la figura.