TRANSISTORES COOLMOS

El COOLMOS, es una tecnologa nueva de MOSFET de potencia para alto voltaje. Se

implementa mediante una estructura de compensacin en la regin vertical de
desplazamiento de un MOSFET, para mejorar la resistencia en estado activo. Para un
mismo encapsulado, tiene menor resistencia en estado activo en comparacin con la de
otros MOSFET. Las perdidas de conduccin son 5 veces menores, cuando menos en
comparacin con las de la tecnologa MOSFET convencional. El COOLMOS es capaz de
manejar de dos a tres veces mas potencia de salida que la de un MOSFET convencional en
el mismo encapsulado. El rea activa de microcircuito de un COOLMOS es unas 5 veces
menor que la de un MOSFET normal.
La figura muestra el corte transversal del COOLMOS. En el dispositivo se ha aumentado el dopado
de la capa conductora de corriente, sin alterar la capacidad de bloqueo. Un alto voltaje VBR de
bloqueo del transistor requiere una capa epitaxial relativamente gruesa y poco dopado. Existe una ley
que relaciona la resistencia drenaje fuente con VBR.
RD(enc) = VBRKc
Donde Kc es una constante entre 2,4 y 2,6
Esta limitacin se supera agregando columnas de tipo de dopado contrario, que se implementan en
la regin de corrimiento en tal forma que la integral de dopado a lo largo de una perpendicular al flujo
de corriente permanece menor que la carga de ruptura especifica del material. En este concepto se
requiere una compensacin de la carga adicional en la regin n, mediante regiones adyacentes con
dopado p. Esas cargas crean un campo elctrico lateral que no contribuye al perfil vertical del campo.

En otras palabras, la concentracin de dopado se integra a lo largo de una perpendicular a la

interfase entre las regiones p y n.

Los portadores mayoritarios solo proporcionan la conductividad elctrica. Como no hay contribucin
de corriente bipolar, las perdidas de conmutacin son iguales a las de los
MOSFET convencionales. Se aumenta el dopado de la capa que sostiene el voltaje ms o menos, en
un orden de magnitud. Se insertan bandas verticales p adicionales en la estructura para compensar
el exceso de carga n que contiene la corriente. El campo elctrico en el interior de la estructura esta
fijado por la carga neta de las dos columnas con dopados opuestos. De este modo se puede obtener
una distribucin casi horizontal del campo, si ambas regiones se compensan entre si en forma
perfecta. La fabricacin de pares adyacentes dopadas con p y con n con una carga neta
prcticamente de cero requiere una manufactura de presicin. Todo desequilibrio de cargas influye
sobre el voltaje de bloqueo del dispositivo. Para mayores voltajes de bloqueo solo se tiene que
aumentar la profundidad de las columnas sin necesidad de alterar el dopado. Esto conduce a una
relacin lineal entre el voltaje de bloqueo y la resistencia en estado activo

Por ejemplo la resistencia es de 70 m_ para un COOLMOS de 600 V, 70 A. El COOLMOS tiene una

caracterstica v-i lineal con un bajo voltaje umbral. Los dispositivos COOLMOS se pueden usar en
aplicaciones hasta lmites de potencia de 2 KVA, como suministros de corriente para estaciones de
trabajo y servidor, fuentes ininterrumpibles de energa (UPS), convertidores de alto voltaje para
sistemas de microondas, hornos de induccin y equipos de soldadura. Estos dispositivos pueden
reemplazar a los MOSFET convencionales de potencia en todas sus aplicaciones en la mayor parte
de los casos sin adaptacin alguna del circuito. A frecuencias de conmutacin mayores a 100 KHZ,
los dispositivos COOLMOS ofrecen una mejor capacidad de manejo de corriente, como por ejemplo
un rea mnima requerida de microcircuito para determinada corriente. Tienen la ventaja de tener un
diodo inverso intrnseco. Toda oscilacin parasita que pudiera causar disparos negativos del voltaje
entre drenaje y fuente se fija a un valor definido por el diodo.