Resumen del proceso de la fotolitografía
Depósito de la capa a Depósito de la fotoresina
grabar (PR), spin-coating y pre- Alineamiento de la
horneado. máscara
Iluminación
Fotoresina Positiva Fotoresina Negativa
Revelado de la
fotoresina
(development)
Grabado (etching)
de la película de
polisilicio
Eliminación de la
fotoresina
(stripping)
Tamaño típico de partículas
presentes en la atmósfera
Curva de distribución de tamaños de partículas
contaminantes según la clase de la sala limpia
Difracción de la luz
Imagen de un punto formado a
través de un pequeño orificio
circular (disco de Airy)
Difracción de Fresnel (Sistemas de contacto y proximidad)
Difracción de Fraunhofer (Sistemas de proyección)
lm
Eje de θ
la lente
Δz
lente
máscara Plano de mejor
enfoque
Función de transferencia de modulación MTF (modulation transfer function)
Curvas de contraste de fotorresinas positivas y negativas
Evolución
histórica de los
parámetros k1,
longitud de onda
y apertura
numérica
Láseres de excímeros comerciales
http://www.gigaphoton.es
KrF
ArF
La litografía por debajo de la longitud de onda (sub-wavelength)
requiere las técnicas RET (Resolution Enhancement Techniques)
node node
λ= 193 nm node
R. Goldman, Synopsys
RET
Corrección óptica de proximidad OPC (Optical proximity correction)
Máscaras de cambio de fase PSM (Phase shifting masks)
Iluminación fuera del eje (Off-axis Illumination)
RET
Litografía de inmersión
Resolución:
lm = k1 λ/NA, siendo NA = n·senθ
n(aire) =1; n(agua)=1.4
La litografía de inmersión
mejora la profundidad de
foco con respecto a la
litografía convencional (seca)
al menos en un factor igual al
índice de refracción del fluido.
En la figura, λ=193nm, n=1.46
(C.A. Mack, KLA-Tencor,
Austin, TX, USA)
Ver http://www.asml.com/immersion
NA<1: Gain in DoF due to the smaller angles in
water.
NA>1: Only feasible for immersion. Dry lenses
would show total reflection at last surface. With
immersion lenses smaller CDs can be resolved.
Resolution enhancement !
http://www.zeiss.de
Litografía en dos pasos / DOUBLE PATTERNING
DOUBLE EXPOSURE
1 3
2 4
RET
Litografía en dos pasos / DOUBLE PATTERNING
Posibles opciones
RET
Litografía en dos pasos / DOUBLE PATTERNING
Posibles opciones
Refs: - C.A. Mack, IEEE Spectrum, Nov 2008
- Int. Technology Roadmap for Semiconductors 2007
NGLs Litografía de Ultravioleta extremo o Rayos X blandos
EUV (Extreme Ultra-Violet Lithography)
λ=13.5 nm
SCALPEL
SCattering with Angular Limitation Projection Electron beam Lithography
• Litografía de haz de electrones. (1989 Bell Laboratories)
• FUNDAMENTO: La diferente dispersión del haz de electrones por los distintos
componentes de la máscara.
• Las máscaras están compuestas por una membrana de elementos ligeros, que dispersan
poco el haz, y por elementos pesados, que definen el motivo a grabar y que dispersan
mucho el haz.
• La apertura en el plano focal bloquea los haces fuertemente desviados y deja pasar los
de-más, dando lugar a una imagen de alto contraste sobre la resina.
NGLs
NANOIMPRINT LITHOGRAPHY (NIL)
Step and Flash Imprint Lithography (SFIL) - Semicon. Int., 2006
NGLs Litografía de Ultravioleta extremo o Rayos X blandos
EUV (Extreme Ultra-Violet Lithography)
λ=13.5 nm
The initial focus was the development of the technology required
to produce extremely precise mirrors. Neither the figure errors
nor the roughness of mirrors for the imaging system must
exceed a few angstroms (one angstrom corresponds to the
diameter of a hydrogen atom). For the production of mirrors for
the illumination system Carl Zeiss already had the required
know-how from the production of synchrotron optics and various
X-ray satellite projects such as ROSAT and XMM.
http://www.zeiss.de
