SINTESIS DE NANOMATERIALES POR LITOGRAFIA

La nanolitografía o litografía a la escala del nanómetro, se refiere a la

fabricación de microestructuras con un tamaño de escala que ronda los
nanómetros. Esto implica la existencia de patrones litografiados en los
que, al menos, una de sus dimensiones longitudinales es del tamaño
de átomos individuales y aproximadamente del orden de 10 nm. La
nanolitografía se usa durante la fabricación de circuitos
integrados de semiconductores o sistemas nanoelectromecánicos,
conocidos como Nanoelectromechanical Systems o NEMS.

Litografía óptica
La litografía óptica, que ha sido la técnica predominante en el uso de
patrones desde el comienzo de la era de los semiconductores, es capaz
de producir patrones ligeramente por debajo de los 100 nm,
usando longitudes de onda muy cortas (unos 193 nm de manera usual).
Este tipo de litografía requiere el uso de inmersión líquida y una
multitud de mejoras en la tecnología de fotomáscara (tecnología PSM)
además de corrección óptica por proximidad (Optical Proximity
Correction o OPC) para llegar a detalles del orden de 32 nm. Existe un
sentimiento general, entre los expertos, en el que se afirma que bajar a
unos niveles de 30 nm mediante la litografía óptica, no será
comercialmente viable. En este punto, esta técnica deberá ser
reemplazada por una nueva generación de litografía (Next Generation
Lithography o NGL).

Otras técnicas nanolitográficas

 La más corriente de las técnicas nanolitográficas es la litografía

de escritura directa por haces de electrones (Electrón Beam Direct
Write lithography o EBDW). En esta técnica, el uso de un haz de
electrones imprime un patrón, usualmente sobre
una resina de polímero que se opone tal como PMMA.

 Litografía del ultravioleta extremo (Extreme Ultraviolet

lithography o EUV) es una variedad de litografía óptica que usa
longitudes de onda muy corta, del orden de 13,5 nm. Es la que se
denomina normalmente como técnica NGL

 Litografía por partículas cargadas, tales como litografías

por iones o proyecciones de electrones (PREVAIL, SCALPEL, LEEPL).
Estas técnicas son capaces de producir patrones de muy alta
resolución.
 Litografía de nanoimpresión (Nanoimprint Lithography o NIL) y sus
variantes, tales como la litografía de impresión por pasos como LISA
y LADI. Estas técnicas son tecnologías de replicación de patrones
muy prometedoras. Pueden combinares con la impresión por
contacto

 Litografía de escaneo por sonda (Scanning Probe Lithographies o

SPL) parece ser una prometedora herramienta para la producción de
patrones en la escala de los nanómetros. Por ejemplo, los átomos
individuales se pueden manipular usando la punta de
un microscopio de efecto túnel (Scanning Tunneling Microscope o
STM). La nanolitografía de descenso de sonda es la primera
tecnología comercial de tipo SPL disponible basada en el microscopio
de fuerza atómica.

 El desarrollo más evolucionado de la NGL continúa con la

litografía de rayos X, que puede llegar a extenderse a resoluciones de
15 nm por el uso de una reducción de campo cercano.