Resumen del proceso de la fotolitografa

Depsito de la capa a
grabar

Depsito de la fotoresina
(PR), spin-coating y prehorneado.

Alineamiento de la
mscara

Iluminacin

Fotoresina Negativa

Fotoresina Positiva

Revelado de la
fotoresina
(development)

Grabado (etching)
de la pelcula de
polisilicio

Eliminacin de la
fotoresina
(stripping)

Tamao tpico de partculas

presentes en la atmsfera

Curva de distribucin de tamaos de partculas

contaminantes segn la clase de la sala limpia

Difraccin de la luz

Imagen de un punto formado a

travs de un pequeo orificio
circular (disco de Airy)

Difraccin de Fresnel (Sistemas de contacto y proximidad)

Difraccin de Fraunhofer (Sistemas de proyeccin)

lm

Eje de
la lente

z
mscara

lente
Plano de mejor
enfoque

Funcin de transferencia de modulacin MTF (modulation transfer function)

Curvas de contraste de fotorresinas positivas y negativas

Evolucin
histrica de los
parmetros k1,
longitud de onda
y apertura
numrica

Lseres de excmeros comerciales

http://www.gigaphoton.es

KrF
ArF

La litografa por debajo de la longitud de onda (sub-wavelength)

requiere las tcnicas RET (Resolution Enhancement Techniques)

= 193 nm

node

node

node

R. Goldman, Synopsys

RET
Correccin ptica de proximidad OPC (Optical proximity correction)

Mscaras de cambio de fase PSM (Phase shifting masks)

Iluminacin fuera del eje (Off-axis Illumination)

RET

Litografa de inmersin

Resolucin:
lm = k1 /NA, siendo NA = nsen
n(aire) =1; n(agua)=1.4
La litografa de inmersin
mejora la profundidad de
foco con respecto a la
litografa convencional (seca)
al menos en un factor igual al
ndice de refraccin del fluido.
En la figura, =193nm, n=1.46
(C.A. Mack, KLA-Tencor,
Austin, TX, USA)
Ver http://www.asml.com/immersion

NA<1: Gain in DoF due to the smaller angles in

water.
NA>1: Only feasible for immersion. Dry lenses
would show total reflection at last surface. With
immersion lenses smaller CDs can be resolved.
Resolution enhancement !
http://www.zeiss.de

Litografa en dos pasos / DOUBLE PATTERNING

DOUBLEEXPOSURE

RET
Litografa en dos pasos / DOUBLE PATTERNING
Posibles opciones

RET
Litografa en dos pasos / DOUBLE PATTERNING
Posibles opciones

Refs: - C.A. Mack, IEEE Spectrum, Nov 2008

- Int. Technology Roadmap for Semiconductors 2007

NGLs

Litografa de Ultravioleta extremo o Rayos X blandos

EUV (Extreme Ultra-Violet Lithography)

=13.5 nm

SCALPEL
SCattering with Angular Limitation Projection Electron beam Lithography
Litografa de haz de electrones. (1989 Bell Laboratories)
FUNDAMENTO: La diferente dispersin del haz de electrones por los distintos
componentes de la mscara.
Las mscaras estn compuestas por una membrana de elementos ligeros, que dispersan
poco el haz, y por elementos pesados, que definen el motivo a grabar y que dispersan
mucho el haz.
La apertura en el plano focal bloquea los haces fuertemente desviados y deja pasar los
de-ms, dando lugar a una imagen de alto contraste sobre la resina.

NGLs

NANOIMPRINT LITHOGRAPHY (NIL)

Step and Flash Imprint Lithography (SFIL) - Semicon. Int., 2006

NGLs

Litografa de Ultravioleta extremo o Rayos X blandos

EUV (Extreme Ultra-Violet Lithography)

=13.5 nm

The initial focus was the development of the technology required

to produce extremely precise mirrors. Neither the figure errors
nor the roughness of mirrors for the imaging system must
exceed a few angstroms (one angstrom corresponds to the
diameter of a hydrogen atom). For the production of mirrors for
the illumination system Carl Zeiss already had the required
know-how from the production of synchrotron optics and various
X-ray satellite projects such as ROSAT and XMM.
http://www.zeiss.de