ELECTRÓNICA ANALÓGICA

Código: AE3010

LABORATORIO Nº 3

“TRANSISTORES BIPOLARES
BJT y TRANSISTORES FET”

Alumnos :

Grupo : Nota:
Profesor:
Semestre :
Fecha de entrega : Hora:
 ANÁLISIS DE TRABAJO SEGURO
LABORATORIO G5

SESIÓN N° 3 DESCRIPCIÓN Circuito de emisor común, Curva característica de salida, entrada FECHA:
DOCENTE Lizbeth L. Paredes Aguilar GRUPO DE TRABAJO N° AMBIENTE G5
1. 4.
ALUMNOS 2. 5.
3. 6.
Equipos de protección personal: Observaciones de los EPP:

N° PASOS BÁSICOS RIESGO PRESENTE EN CADA PASO CONTROL DEL RIESGO

1. Recepción de materiales. Caída de objetos Caminar adecuadamente y con cuidado, siempre con la ayuda de
los integrantes de grupo.
2. Verificación de materiales. Caída de objetos Con sumo cuidado ordenar los materiales y revisar que no estén
dañados o rotos.
3. Montaje del circuito emisor Caída de objetos Tener cuidado con los materiales a usar, realizando
comun. correctamente los montajes.
4. Alimentación de la fuente. Riesgo eléctrico Verificar que todo este correctamente instalado antes de
encender la fuente de alimentación.
5. Montaje del circuito de la Caída de objetos Tener cuidado con los materiales a usar, realizando
curva característica de salida, correctamente los montajes.
entrada.
6. Alimentación de la fuente. Riesgo eléctrico Verificar que todo este correctamente instalado antes de
encender la fuente de alimentación.
7. Entrega de materiales. Caída de objetos Guardar con sumo cuidado los materiales debido a que son
delicados.
8. Orden y limpieza. Caída de objetos Antes de salir, hacer la verificación en general del área de trabajo,
ver que todo esté limpio y ordenado.
9.
GRUPO: ESPECIALIDAD: ELECTROTECNIA APROBADO POR
INDUSTRIAL (DOCENTE):
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Experimento 1: Circuito de emisor común

En este experimento se explorarán y medirán las propiedades de un transistor
bipolar a partir de diferentes curvas características.

1. Contenidos de aprendizaje

 Funcionamiento básico de un transistor bipolar

 Medición de las características de entrada, salida y de control de corriente

2. Introducción

Los transistores han revolucionado el mundo de la electrónica desde que hicieron su aparición después de la Segunda
Guerra Mundial. Su tamaño, cada vez menor, y su enorme versatilidad los han convertido en los más útiles e
importantes componentes electrónicos existentes. En el presente curso trataremos dos configuraciones posibles de
circuitos transistores básicos.
El primer transistor, conocido como transistor bipolar, está formado por dos capas semiconductoras que encapsulan
una tercera capa. Los materiales semiconductores se caracterizan, entre otros aspectos, por la propiedad de
incrementar y disminuir el número de electrones que conducen electricidad si, simplemente, se integran impurezas.
Este procedimiento se conoce como dopaje. Este método se usa para crear conductores tipo n, es decir, materiales
cargados negativamente con un exceso de electrones, así como los del tipo p, o sea, materiales positivos que
presentan una relativa carencia de electrones. En este último caso aparecen los "huecos", palabra que se emplea
para referirse a los electrones faltantes. Dichos huecos se comportan como si fueran portadores de carga positiva, de
manera similar a los electrones que tienen carga negativa.
Los dos tipos de material se combinan para conformar un componente único. El material tipo b se emplaza hacia un
lado y el tipo n hacia el otro, así se crea una unión en el centro. Esta estructura es un excelente conductor de
electricidad si la tensión que se aplica en el lado de tipo n tiene una carga más positiva que la del lado de tipo p (la
tensión previa circula en el sentido de conducción). Sí, no obstante, el material conductor tipo n del componente se
conecta al terminal positivo del circuito (tensión previa de bloqueo), es muy difícil para los portadores de carga
(electrones y huecos) pasar a través de la unión, por lo tanto, se bloquea el flujo de corriente. Éste es el principio
básico de funcionamiento de los diodos, componentes que conducen corriente en una sola dirección.

Ilustración 1: Transistor

Los transistores bipolares presentan materiales semiconductores del mismo tipo en ambos lados y una fina capa del
tipo opuesto entre ellos. Los dos lados del mismo tipo se denominan zonas colectora y emisora, la capa intermedia
recibe el nombre de base. A primera vista, este ordenamiento tiene el aspecto de dos diodos interrelacionados. Se
podría esperar que la corriente no pueda fluir entre el colector y el emisor puesto que siempre se aplica una tensión
de bloqueo en cada una de las dos "uniones de diodo". El secreto de esta asociación está en la fina capa de la zona
de la base. Los portadores de carga siempre pueden superar una pequeña distancia que les permita atravesar la
unión. Si se aplica una tensión a la zona de la base, con lo que se integran portadores de carga adicionales, en un
momento determinado se contará con suficientes portadores de carga que, por así decirlo, superarán la brecha y la
corriente empezará a fluir. Debido al hecho de que el flujo de corriente entre el colector y el emisor solo se inicia
cuando se presenta suficiente corriente y tensión en la base, este tipo de transistores se pueden usar como
conmutadores electrónicos, los cuales se encienden o apagan en función del suministro de corriente aplicado a la
base.

Ilustración 2: Tipos de transistores

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Hasta qué punto la corriente fluye entre el colector y el emisor, es algo que depende del número de portadores de
carga presentes en la zona base, por lo tanto, las variaciones de tensión y amperaje en esta zona conllevan a un
flujo de corriente más fuerte o más débil entre el colector y el emisor. Incluso un leve cambio en la base produce una
modificación sustancial en la tensión presente entre el colector y el emisor. Esta relación es lineal a lo largo de un
rango amplio: una señal de tensión modificada en la base se reproduce exactamente entre el colector y el emisor,
pero con un cambio considerablemente mayor del valor del voltaje. Por lo tanto, el transistor sirve para amplificar la
señal. Ésta es la segunda área de aplicación convencional de estos componentes.

Funcionamiento del transistor

A simple vista es como si un transistor se formase juntando dos diodos contrapuestos. Esta idea aunque ilustrativa,
no es adecuada para comprender lo más interesante del comportamiento del transistor.
Para que un transistor pueda funcionar correctamente, se tienen que cumplir una serie de condiciones, como que:

 El espesor de la base sea muy pequeño

 El emisor esté mucho más dopado que la base
 Esté bien polarizado, es decir a las tensiones adecuadas.

Cuando un transistor se polariza como aparece en la figura para un transistor PNP, se podría esperar que sólo
circulase corriente entre el emisor y la base que tienen la unión polarizada en directa, mientras que la unión entre la
base y el emisor está polarizada en inversa.

3. Diagrama de circuito

Ilustración 3: Diagrama de emisor común

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4. Equipos

Para el experimento se necesitan los siguientes elementos con sus ajustes correspondientes:

Equipo Ajustes

Canal A Canal B

Sensibilidad 500 V/DIV 500 V/DIV

Acoplamiento AC AC
Polaridad Normal Normal
Posición Y 0 0
Barrido 200 ps/DIV
Modo X/T
Canal de disparo A
Flanco de disparo Positivo

Forma de la curva singular

Amplitud 1 Vpp
Factor de frecuencia 1KHz
Frecuencia 1KHz

Entrada positiva A+
Entrada negativa A-
Selector giratorio RMS
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5. Montaje experimental

Ilustración 4: Montaje experimental emisor común.

6. Realización del experimento y tareas

Active el circuito en modo no controlado con una tensión UB = +15 V. Con el potenciómetro R,
seleccione el punto de operación de manera que 2 aproximadamente la mitad de la tensión de
operación circule por el colector.

a. ¿Cuál es la tensión que circula por el colector?

Tensión del colector = ......................

Aplique una tensión sinusoidal de tensión alterna de 1 Vpp con una frecuencia de 1 kHz en la
entrada Ue
Copie la tensión de entrada Ue y la tensión de salida Ua en el oscilograma que se encuentra a
continuación.
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“Circuito de emisor común, Curva característica de salida, entrada” Página 5 / 13

Ilustración 5: Onda sinodal de emisor común

b. ¿Cuáles es el valor de la tensión de entrada Ua y el de la tensión de salida Ue?

c. Determine la ganancia de tensión del circuito.

OBSERVACIONES:
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CONCLUSIONES:
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Experimento 2: Curva característica de salida, entrada

En este experimento se miden y analizan las propiedades de un transistor de efecto
de campo a partir de varias curvas características.

a. Contenidos de aprendizaje

 Funcionamiento básico de un transistor de efecto de campo

 Registro de las características de salida

b. Introducción

El diseño básico de un transistor bipolar se compone de tres capas de silicio con dopaje tipo n y p, además de dos
uniones p-n. Entretanto, este transistor bipolar ha sido reemplazado en muchas aplicaciones por otro tipo de
transistores más avanzados, los cuales presentan solo una unión p-n. Estos componentes se conocen como
transistores de efecto de campo o transistores FET por sus siglas en inglés.

Por regla general, la fabricación de los transistores de efecto de campo es más barata
y sencilla que la de los bipolares y su estructura es aún más adecuada para una mayor
miniaturización. La mayoría de los transistores construidos para circuitos integrados y
microprocesadores es del tipo aquí estudiado.

Un transistor de efecto de campo sencillo está formado por un fino bloque de silicio dopado.
En la mitad de este bloque se integra una región dopada con el tipo de material
exactamente opuesto. Esto se hace agregando las impurezas adecuadas
en un punto único, que luego se propaga por el silicio. Se crea una conexión
eléctrica con esa región.

Adicionalmente, se implementan dos conexiones en los extremos del bloque. La conexión de

la región media con dopaje contrario se denomina puerta, mientras que las dos conexiones
de ambos extremos reciben el nombre de fuente y drenador. El tamaño de la otra
zona de diferente dopaje de la puerta se determina de manera que permanezca un
delgado puente de silicio con el dopaje original. Si el silicio original tiene un dopaje
tipo n, la puerta recibe un dopaje tipo p y se deja un canal delgado con dopaje n.

Debido a esto, estos componentes se conocen como transistores de efecto de campo de canal n. Si, de la misma
manera, se usa material con dopaje p con una puerta de dopaje n, se tendrá como resultado un transistor de efecto
de campo de canal p. Los transistores de efecto de campo de canal n se emplean con más frecuencia que los
transistores con canal p. La razón de esto radica en que sus portadores de carga más importantes son electrones,
cuya movilidad es mayor que la de los huecos, elementos que asumen el rol de portadores de carga en los
transistores de efecto de campo de canal p. En consecuencia, los transistores de efecto de campo de la variedad
de canal n, usualmente, son más rápidos que aquellos del tipo de canal p.

Los transistores de efecto de campo n presentan normalmente en la puerta una tensión más negativa que en la
fuente. Esto significa que la unión p-n está usualmente polarizada en el sentido de bloqueo. Este efecto del transistor
se debe a la capa de barrera o agotamiento, que se instaura en la unión en el sentido de bloqueo. Una capa de
barrera surge cuando los electrones del material con dopaje tipo n, localizado en la superficie de la unión, se
combinan con los huecos del material con dopaje p. Esto conduce a que, hacia ambos lados de la unión, exista una
relativa falta de los portadores de carga mayoritarios correspondientes. El material con dopaje n, que se encuentra
en la proximidad de la unión, pierde electrones, el material con dopaje tipo p pierde huecos.

Ahora bien, si a través de la unión se aplica una tensión que provoque una polarización en el sentido de bloqueo,
los portadores de carga minoritarios correspondientes, es decir, los electrones del material con dopaje tipo p y los
huecos del material con dopaje n, se verán atraídos hacia la unión y, de esta manera, ocurrirán incluso más
recombinaciones en el entorno de la unión y la capa de barrera se ampliará.
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Ilustración 6: Curva característica de salida, entrada

Una ampliación de la capa de barrera del transistor de efecto de campo conduce a un estrechamiento del canal
conductor. En consecuencia, la capa de barrera también se hace correspondientemente más pequeña si se aplica
más tensión positiva a la puerta. El canal se hace más amplio debido al aumento del flujo de corriente entre el
drenaje y la fuente. Los cambios pequeños en la tensión de la puerta producen variaciones considerables en la
corriente drenaje-fuente y, en consecuencia, en la tensión de drenaje. Por esa razón, los transistores de efecto de
campo, al igual que los transistores bipolares, se usan como amplificadores de corriente y tensión (véase Circuitos
básicos de transistor SO4203-7E).
Al igual que para los transistores bipolares, también hay configuraciones estándar para circuitos amplificadores con
transistores de efecto de campo. Ambas configuraciones se estudiarán en los experimentos siguientes.
La figura que se muestra a continuación, presenta las siguientes características:
i) Tensión de salida y ii) Tensión de entrada de un transistor de efecto de campo típico en un circuito de fuente
común.

Ilustración 7: Tensión de salida, Tensión de entrada de un transistor de

efecto de campo típico en un circuito de fuente común.

a. Diagrama de circuito

Para este experimento se utilizará el siguiente diagrama:

Ilustración 8: Diagrama de tensión de salida y entrada

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b. Equipos
Para el experimento se necesitan los siguientes elementos con sus ajustes correspondientes:

Equipo Ajustes

Canal A Canal B

Sensibilidad 500 V/DIV 500 V/DIV

Acoplamiento AC AC
Polaridad Normal Normal
Posición Y 0 0
Barrido 200 ps/DIV
Modo X/T
Canal de disparo A
Flanco de disparo Positivo

Forma de la curva singular

Amplitud 1 Vpp
Factor de frecuencia 1KHz
Frecuencia 1KHz

Entrada positiva A+
Entrada negativa A-
Selector giratorio RMS
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c. Montaje experimental

d. Realización del experimento y tareas

Seleccione en el osciloscopio y el generador de funciones los valores especificados anteriormente.

Ajuste el potenciómetro de manera que la tensión en la puerta del transistor de efecto de campo
sea, aproximadamente, igual a 230 mV.

Registre la característica de salida con el osciloscopio y copie el oscilograma en el recuadro

siguiente:
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Ilustración 9: Esquema de tensión de entrada

A continuación, repita el procedimiento, pero con

tensiones de 0,6 V, 0,9 V y 1,3 V y observe la
característica.
c. ¿Cuál es el valor de tensión VGS con el que el transistor de efecto de campo empieza a bloquear
la corriente?

OBSERVACIONES:
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CONCLUSIONES:
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PARTE 2: Diagrama de circuito de Tensión de Entrada

Para este experimento se utilizará el siguiente diagrama:

Ilustración 10: diagrama de tensión entrada

e. Equipos

Para el experimento se necesitan los siguientes elementos con sus ajustes correspondientes:

Equipo Ajustes

Canal A Canal B

Sensibilidad 500 V/DIV 500 V/DIV

Acoplamiento AC AC
Polaridad Normal Normal
Posición Y 0 0
Barrido 200 ps/DIV
Modo X/T
Canal de disparo A
Flanco de disparo Positivo

Forma de la curva singular

Amplitud 1 Vpp
Factor de frecuencia 1KHz
Frecuencia 1KHz
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“Circuito de emisor común, Curva característica de salida, entrada” Página 12 / 13

Entrada positiva A+
Entrada negativa A-
Selector giratorio RMS

f. Montaje experimental

g. Realización del experimento y tareas

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“Circuito de emisor común, Curva característica de salida, entrada” Página 13 / 13

Registre la característica del circuito con el osciloscopio y copie el oscilograma en el siguiente

recuadro:

OBSERVACIONES:
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--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
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CONCLUSIONES:
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