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PRCTICA5b

Experimento de Haynes-Shockley

Realizaremos las medidas en una muestra de Ge tipo N de 2 cm de largo. Sobre dicha muestra
acta un lser en un punto determinado que crea pares de portadores. Por otra parte, disponemos de
una unin rectificadora inversamente polarizada (por tanto slo pasarn por ella los portadores
minoritarios). Dado que no disponemos de un generador de pulsos lser, emplearemos una generacin
ptica constante y utilizaremos pulsos de tensin para provocar el arrastre de los portadores.

El lser incidente produce un exceso de portadores que se difunden dando lugar a un perfil de
concentracin que podemos representar por una Gaussiana

p(x,t)=[N/2(Dpt)1/2] exp[-x2/4Dpt] (1)

donde N es el nmero total de portadores minoritarios en exceso generados inicialmente, por unidad
de rea, por el pulso lser. Dp es el coeficiente de difusin de los portadores minoritarios (huecos en la
muestra tipo N). La ecuacin 1 describe la evolucin del perfil de concentracin de los huecos, con
anchura creciente de la Gaussiana con el tiempo, (2Dpt)1/2, sin embargo no describe el movimiento de
deriva de los portadores bajo el campo elctrico aplicado, pues su mximo permanece fijo en x=0,
independientemente del tiempo t.
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Para tener en cuenta el proceso de arrastre de los portadores, hay que tener en cuenta que el
mximo de la Gaussiana se mueve con una velocidad, pE, determinada por el campo elctrico:
p(x,t)=[N/2(Dpt)1/2] exp[-(x-pEt)2/4Dpt] (2)

donde p es la movilidad de los huecos

(minoritarios), E es el campo elctrico dado por el
voltaje aplicado dividido por la distancia (por
ejemplo, para un voltaje de 15 V y una longitud de
la muestra de Ge de 2 cm de largo, E=15 V/2
cm=7.5 V/cm). La ecuacin (2) ha sido
representada en la siguiente figura en las
situaciones de campo nulo y campo aplicado.
Recordemos que como la velocidad de
arrastre es pE, el mximo del perfil de
concentracin mover una distancia x=pEt en un
tiempo t.
Los huecos que forman el paquete se van recombinando a medida que por arrastre se van
alejando del punto en que el lser los genera continuamente. Este proceso de recombinacin est
caracterizado por el tiempo de vida media de los portadores minoritarios, p. Incluyendo la
disminucin del nmero de portadores por recombinacin, la ecuacin 2 se modifica:

p(x,t)=[N/2(Dpt)1/2] exp(-t/p) exp[-(x-pEt)2/4Dpt] (3)

Si integramos p(x,t) sobre todo x, obtendramos Nexp(-t/p). Esto significa que el nmero total de
portadores minoritarios en exceso para un tiempo t se reduce en un factor exp(-t/p) debido a la
recombinacin de los portadores en exceso.

Medida de la movilidad de los portadores minoritarios

Cuando aplicamos un pulso de voltaje entre los extremos de la muestra, la tensin que
detectamos con el osciloscopio en la punta, proporcional a la corriente que pasa por ella, aumenta
tambin. Pero adems, cuando transcurre el tiempo suficiente desde el inicio del pulso para que el
exceso de huecos llegue a la posicin de la punta, podemos observar un aumento de la corriente con la
forma del paquete ya difundido.
En primer lugar, debemos determinar el campo que da lugar al arrastre de los portadores,
asociado a la relacin entre la amplitud de los pulsos cuadrados que estamos aplicando a la muestra y
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su longitud, para lo cual medimos directamente sobre el osciloscopio la seal aplicada entre extremos
de la muestra.
Posteriormente se desplaza la muestra una distancia determinada (cada vuelta del tornillo
corresponde a 0.5 mm) y medimos en el osciloscopio el desplazamiento en tiempos del mximo. De
este modo conocemos el tiempo t que el paquete emplea en recorrer una distancia determinada x (la
que hemos desplazado con el tornillo) para ese campo elctrico. La movilidad de los huecos ser, por
tanto: p=v/E=x/Et