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241$.'/#5
FGVTCPUKUVQTGU('6
(/(&751,&$%6,&$
','4%+%+15FGVTCPUKUVQTGU,('6
3UREOHPD
D Considerar un transistor JFET de canal n cuyo terminal de puerta (G) est unido al
demostrar que:
Y Y
L N 9 S Y Y , '66 , para ( d Yd 9S
9 S 9 SW
L N 9 , para Yt 9S
S '66
,
6ROXFLyQ E R'6 f
3UREOHPD
Se desea utilizar un transistor JFET de canal n como una resistencia controlada por
tensin cuya caracterstica de transferencia sea prcticamente lineal, para lo cual se
aplica al dispositivo una tensin VDS pequea. Demostrar que el valor de la resistencia
9
variable del dispositivo rDS es:
. 9
S
9
U
, 9
'6 S
'6
9
' *6
Hallar el rango de valores de rDS que se obtienen variando VGS desde 0 hasta 0.9Vp,
suponiendo que Vp=-4V e K=1mA/V2.
6ROXFLyQ N: d 5'6 d N:
3UREOHPD
En el circuito de la figura, hallar el valor de RD, RS, RG1 y RG2 de forma que el valor de la
corriente de drenador sea ID=IDSS/2 y que la tensin en RD, RS y entre los terminales
drenador (D) y fuente (S) del dispositivo, sea la misma. Suponer que IDSS=8mA, Vp=-2V
y que la corriente a travs del divisor de tensin es de 1PA.
V DD = 1 5V
R G1 RD
R G2 RS
3UREOHPD
En el circuito de la figura, hallar el valor de RD, R1 y R2, de forma que VDS=6V, VA=1V,
RA=R1 // R2 = 54.5k:, teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del
transistor JFET canal n son IDSS=10mA y Vp=-3.8V, y que en el circuito VDD=15V,
RS=1k: y R3=3.3M:.
V DD
R1 RD
R3
A
R2 RS
3UREOHPD
Se desea polarizar el transistor JFET de la figura, cuyas curvas caractersticas se
D Hallar el valor de RD, RS, RG1 y RG2, sabiendo que RG=RG1 // RG2 = 90k: y que
muestran en la figura F1, en el punto de trabajo VGS=-1.5V, VDS=6V.
,' P$
V D D = 1 5V
R G1 RD
VG S = -2.0V
VG S = -1.5V
VG S = -1.0V
VG S = -0.5V
R G2 RS
9'6 9
fig u ra F 1
3UREOHPD
D En el circuito de la figura se emplea un transistor JFET de canal n cuyos
parmetros caractersticos son Vp=-5V e IDSS=12mA. Hallar el valor de ID y VDS
teniendo en cuenta que VDD=18V, RS=2k:, RD=2k:, RG1=400k:, RG2=90k:.
E Si se cambia la resistencia RG2, cul debe ser el nuevo valor de RG2 si ID=8mA?
F Con los mismos valores dados para al apartado D, pero cambiando el valor de VDD,
hallar el nuevo valor que debe tomar para que ID=8mA. Cul es el nuevo valor de
VDS?
VDD=30V. Hallar el valor de RG1, RG2 y RD teniendo en cuenta que RG=RG1 // RG2 t
ID=2.5mA y una tensin drenador-fuente VDS=17.5V con una fuente de tensin
100k: y RS=1.2k:.
VDD
R G1 RD
R G2 RS
6ROXFLyQ D,' P$9'6 9E 5* N:F VDD=82.116V. VDS=50.116VG 5' N:
5* 0:5* N:
3UREOHPD
En el circuito de la figura, VDD=15V, VSS=-9V, RG=100k:, RD=3.3k: y RS=6.8k:, y los
parmetros caractersticos del transistor JFET de canal n, son IDSS=5mA y Vp=-6V.
D Valor de V0 si VGG=0V.
Hallar:
E Valor de V0 si VGG=5V.
F Valor de VGG para que V0=0V.
V DD
RD
RG
VO
V GG
RS
V SS
3UREOHPD
El transistor de la figura es un JFET canal p con IDSS=1mA y Vp=1V. Determinar el valor
de la tensin de drenador VD, teniendo en cuenta que VDD=-12V, RD=47k:, RS1=5.6K:,
RS2=3.3k: y RG=1M:.
V DD
RD
RG R S1
R S2
3UREOHPD
Demostrar que para que los transistores JFET canal n Q1 y Q2 estn trabajando en
modo activo, es necesario que se cumpla que:
,'56 t_9S_
9'','5' t _9S_
D VDG1=|Vp| y VDG2=2|Vp|.
que:
E VDG1=1.5|Vp| y VDG2=1.5|Vp|.
V DD
RD
Q2
Q1
RS