REDES DE POLARIZACIÓN DEL BJT Y DEL EMOSFET

Gabriel Abella-201621872
Gabriel.abella@uptc.edu.co
Jeisson Stiven Chaparro-201620814
Jeisson.chaparro01@uptc.edu.co
Brayan Gutierrez-201620706
Brayan.gutierrez@uptc.edu.co

1. INTRODUCCIÓN • Comparar el desempeño de las redes de

El transistor de juntura bipolar (en inglés
bipolar junction transistor BJT) se usa
principalmente con el propósito de amplificar
señales o servir como interruptor. En la
mayoría de aplicaciones, este transistor puede
operar en tres regiones: activa directa, corte y
saturación.
El transistor de efecto de campo metal-óxido
semiconductor mejorado (en inglés
Enhancement mode Metal–Oxide–
Semiconductor Field-Effect Transistor o
EMOSFET) de canal N basa su
funcionamiento en la aplicación de un voltaje
VGS mayor que el voltaje umbral VGST > 0
en la compuerta (a diferencia del transistor
JFET de canal N) para controlar la corriente
de drenaje ID. Tiene tres terminales (a veces
cuatro terminales) denominadas compuerta
(G), drenaje (D) y fuente (S). Opera en tres
regiones de trabajo: óhmica, de saturación y
de corte.
2. OBJETIVO GENERAL
polarización entre sí, frente a cambios de
temperatura de operación
4. MATERIALES Y EQUIPOS
• Un computador con Orcad instalado
•Modelos PSpice de los transistores de
pequeña señal 2N7000, BS250P, 2N2222,
2N3904, o similares
5. PROCEDIMIENTO
5.1 Polarización del transistor BJT
5.1.1 Polarización fija
Teniendo en cuenta la red de polarización de
la Figura 1, diseñar el circuito de tal forma
que el punto de operación valga 0,4 + 0.x1 4,
donde x1 el último dígito del código del
segundo integrante del grupo en la lista del
profesor.

• Diseñar y simular redes de polarización para

transistor BJT y para el transistor EMOSFET

3. OBJETIVOS ESPECÍFICOS

• Observar el comportamiento de cada red de

polarización en relación con los cambios de
temperatura

Figura 1. Red de polarización fija.

Utilizando 𝛽 = 265

𝑉𝑐𝑐 = −12𝑣

𝑅𝑐 = 300 Ω Procedemos a simular el circuito con los

4 parámetros establecidos, teniendo en cuenta
𝑄𝐷𝐶 = 0.4 + 0. = 0.5 los signos de los voltajes al tratarse de un
4
transistor PNP:
Cálculos Matemáticos:

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶

Aplicando LVK a la malla 1 tenemos:

−𝑉𝑐𝑐 + 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 = 0

Para este caso decimos que:

𝐼𝐸 = 0

𝑉𝑐𝑐 = 𝑉𝐶𝐸 = −12𝑣

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝑄𝐷𝐶 = −6𝑣

−12𝑣 − (−6𝑣)
𝐼𝐶𝑄 = = −20𝑚𝐴 Figura 2. Diseño de la red de polarización fija de
300Ω
acuerdo a los parámetros establecidos.
𝐼𝐶 −20𝑚𝐴
= 𝐼𝐵 = = −75𝑢𝐴 Utilizando temperaturas: (0, 27, 35, 40,50)
𝛽 265

Aplicando LVK a la malla 2 Tenemos:

−𝑉𝑐𝑐 − 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵 = 0
𝑉𝑐𝑐−𝑉𝐵 −11.3𝑉
𝑅𝐵 = = = 149725Ω Ω
𝐼𝐵 −75𝑢𝐴

Teniendo los valores de las resistencias y las

corrientes, procedemos a simular en ORCAD
el circuito y comparar con los datos obtenidos
matemáticamente.

Diseño en ORCAD:

Utilizamos un BJT 2N3906

Figura 3. Gráfica de los 5 voltajes (colector-emisor)
Modificando el Parámetro 𝛽 en el Pspice con respecto al cambio de temperatura en un tiempo
t=2seg.
Model:
 Utilizando 𝛽 = 265

𝑉𝑐𝑐 = −12𝑣

𝑅𝐸 = 100 Ω

𝑅𝐶 = 300 Ω
1
𝑅2 ≥ 10 ∗ 𝛽 (𝑅𝐸 ) = 2650 Ω

𝑅1 = 3𝑅2 ≈ 8𝑘 Ω

Para hacer el análisis de este circuito,

Figura 4. Gráfica de las 5 corrientes de colector con
podemos hallar 𝑉𝑇𝐻 y 𝑅𝑇𝐻 , ya que se trata de
respecto al cambio de temperatura en un tiempo t=1 un divisor de voltaje.

Tabla 1. Puntos de trabajo para diferentes 𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝑅1 −12 ∗ 2650

𝑉𝑇𝐻 = = = −2.985𝑣
temperaturas de operación del transistor en el circuito 𝑅1 + 𝑅2 2650 + 8000
de la Figura 2. 𝑅2∗𝑅1 2650∗8000
𝑅𝑇𝐻 = = = 1990 Ω
𝑅1 +𝑅2 2650+8000
T1=0 T2=27 T3=35 T4=40 T5=50
VCE (v) -6.3562 -5.7601 -5.5870 -5.4796 -5.2667

IC (mA) 18.813 20.800 21.377 21.735 22.444

QDC 0.529 0.48 0.465 0.4566 0.438
5.1.2 Polarización por divisor de voltaje

Teniendo en cuenta la red de polarización de

la Figura 4, diseñar el circuito de tal forma
que el punto de operación valga 0,4 + 0.x1 4,
donde x1 el último dígito del código del
segundo integrante del grupo en la lista del
profesor.

Figura 6. Circuito equivalente.

Teniendo estos valores podemos aplicar una

LVK para determinar 𝐼𝐵 .

Aplicando LVK tenemos:

Figura 5. Red de polarización por división de voltaje
para BJT. 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸 − 𝑉𝐵 − 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝑇𝐻 − 𝑉𝑇𝐻 = 0
Sabemos que 𝐼𝐸 = (1 + 𝛽) ∗ 𝐼𝐵

Reemplazamos en la ecuación:

𝑅𝐸 ∗ (1 + 𝛽) ∗ 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵 − 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝑇𝐻 − 𝑉𝑇𝐻 = 0 Procedemos a simular el circuito con los

parámetros establecidos:
Reemplazamos las variables por los valores
conocidos:

−100 ∗ (1 + 𝛽) ∗ 𝐼𝐵 − 0.7 − 𝐼𝐵 ∗ (−1990) − (−2.985𝑣) = 0

−26600 ∗ 𝐼𝐵 + 2.285 − 1990Ω𝐼𝐵 = 0

−2.285
𝐼𝐵 = ; 𝐼 = −80𝑢𝐴
−28590Ω 𝐵

Sabemos que:

𝐼𝑐 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝑐 = 21𝑚𝐴

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵

𝐼𝐸 = 21𝑚𝐴 Figura 7. Diseño de la red de polarización por divisor

de voltaje acuerdo a los parámetros establecidos
Hallamos los valores del voltaje en las
resistencias 𝑅𝐸 y 𝑅𝑐 para encontrar el 𝑉𝐶𝐸 : Utilizando temperaturas: (0, 27, 35, 40,50)

𝑉𝑅𝐶 = 300Ω ∗ 21𝑚𝐴 = 6.3𝑉

𝑉𝑅𝑒 = 100Ω ∗ 21𝑚𝐴 = 2.1𝑉

Aplicando LVK:

𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0

−12𝑉 + 6.3𝑉 − 𝑉𝐶𝐸 + 2.1 = 0

Figura 8. Gráfica de los 5 voltajes (colector-emisor)
𝑉𝐶𝐸 = 3.6𝑉
con respecto al cambio de temperatura en un tiempo
Por ultimo hallamos el 𝑉𝐶𝐸(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) : t=2seg.

𝑉𝐶𝐸
𝑄𝐷𝐶 =
𝑉𝐶𝐸(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)

𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = ; 𝑄𝐷𝐶 = 0.5
𝑄𝐷𝐶

3.6𝑉
𝑉𝐶𝐸(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = = 7.2𝑉
0.5

Diseño en ORCAD:
 T1=0 T2=27 T3=35 T4=40 T5=50
Tenemos:
VCE (v) -4.07 -3.86 -3.80 -3.76 -3.69

IC (mA) -88.9 -80.42 -78.2 -76.8 -74.3 𝑉𝐷𝐷 = −15𝑣

QDC 0.621 0.598 0.58 0.57 0.56 Nos dirigimos al Datasheet para determinar
Figura 9. Gráfica de los 5 voltajes (colector-emisor) y los valores en los que queremos que opere
las 5 corrientes de colector con respecto al cambio de nuestro MOSFET BS250P:
temperatura en un tiempo t=1seg.

Tabla 2. Puntos de trabajo para diferentes temperaturas de

operación del transistor en el circuito de la Figura 7.

5.2. Polarización del transistor EMOSFET

5.2.1. Polarización por divisor de voltaje

Para la red de polarización de la Figura 8, diseñar

el circuito asumiendo que VDD = 12V y RD =
(220 + x1x2) Ω, donde x1 y x2 son los dos últimos
dígitos del código del segundo integrante del
grupo en la lista del profesor. Asumir valores para
IDQ, VGSQ y VDSQ, de modo que el transistor
pueda ser polarizado en saturación. Es deseable Figura 11. Curvas de salida de la corriente de drenaje
seleccionar los valores de R1 y R2 tan grandes con respecto al voltaje de drenaje. [6]
como sea posible para reducir las pérdidas de
potencia (y para incrementar la impedancia de
entrada del amplificador). Tomando Valores con respecto a la gráfica
tenemos:

−𝑉𝐺𝑆 = 3; 𝑉𝐺𝑆 = −3

𝐼𝐷 = 20𝑚𝐴

𝑉𝐷𝑆 = −6𝑣

El valor de 𝑅𝐷 la determinamos en base a los

dos últimos dígitos del código del segundo
estudiante, así que:

XXXXXXX14; 𝑅𝐷 = 220 + 14 = 234

𝑉𝐺𝑆 Lo tomamos de un valor estándar para el

MOSFET que estamos usando:

Figura 10. Red de polarización por divisor de tensión 𝑉𝐺𝑆 = −2.3𝑣

para el EMOSFET de canal N.
Expresamos las ecuaciones: Reemplazando valores determinamos el valor
de 𝑅1 :
−𝑉𝐷𝐷 + 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆 = 0
−15 ∗ 120𝑘Ω
𝑅1 = − 120𝑘Ω; 𝑅1 = 125902Ω
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆𝑄 −7.32𝑣
𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 =
𝐼𝐷𝑄
Por ultimo despejamos el valor de 𝐾𝑁 ,
primero despejando el valor de K:
Despejamos 𝑅𝑆 :

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆𝑄 𝐼𝐷𝑄 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝐺𝑆𝑇 )2

𝑅𝑆 = − 𝑅𝐷 𝐼𝐷𝑄
𝐼𝐷𝑄 𝐾=
(𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝐺𝑆𝑇 )2
Reemplazando valores tenemos:
Reemplazando valores tenemos:
−15 − (−6)
𝑅𝑆 = − 234Ω 20𝑚𝐴
−20𝑚𝐴 𝐾=
(−3 − (−2.3))2
𝑅𝑆 = 216 Ω
𝐾 = 40𝑚𝐴
Teniendo el valor de 𝑅𝑆 podemos despejar
𝑉𝐺𝑄 : Despejamos 𝐾𝑁 :

𝑊
𝑉𝐺𝑄 = 𝑉𝐺𝑆𝑄 + 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆 𝐾= ∗𝑘
2𝐿 𝑁
𝑉𝐺𝑄 = −3 + (−20𝑚𝐴 ∗ 216Ω) = −7.32𝑣
Donde W y L los obtenemos del modelo del
MOSFET en ORCAD, así:
Podemos considerar el valor de 𝐼𝑐 como nulo,
o expresarlo como 𝐼𝑐 = 0.

Para hallar 𝑅1 utilizamos el concepto de 𝑊 = 7.6𝑚

divisor de voltaje y asumimos el valor de una
resistencia, que en general suele tener un 𝐿 = 2𝑢
valor alto:
𝐾 ∗ 2𝐿 40𝑚𝐴 ∗ 2(2𝑢)
Asumiendo 𝑅2 = 120𝑘Ω, 𝑘𝑁 = ; 𝑘𝑁 =
𝑊 7.6𝑚

𝑅2 𝑘𝑁 = 21𝑢
𝑉𝐺 = 𝑉𝐷𝐷 ( )
𝑅1 + 𝑅2

Despejando 𝑅1 : Diseño en ORCAD:

𝑉𝐷𝐷 ∗ 𝑅2 Utilizamos un BS250/PLP

𝑅1 = − 𝑅2
𝑉𝐺𝑄
 Figura 14. Gráfica de los 5 voltajes (𝑉𝐷𝑆 ) con respecto
al cambio de temperatura en un tiempo t=1seg.

Figura 12. Diseño de la Red de polarización por

divisor de tensión para el EMOSFET de canal P.

Utilizando temperaturas: (0, 27, 35, 40,50)

Figura 15. Gráfica de las 5 corrientes (𝐼𝐷 ) con

respecto al cambio de temperatura en un tiempo
t=1seg.

Tabla 3. Puntos de trabajo para diferentes temperaturas de

Figura 13. Gráfica de los 5 voltajes (𝑉𝐺𝑆 ) con respecto
operación del EMOSFET de canal p en el circuito de la Figura
al cambio de temperatura en un tiempo t=1seg. 12.

T1=0 T2=27 T3=35 T4=40 T5=50

VGS (v) -3.247 -3.276 -3.2853 -3.2904 -3.3004

VDS (v) -6.6657 -6.7267 -6.7438 -6.7543 -6.7748

ID (mA) -18.856 -18.718 -18.679 -18.656 -18.609

 Reemplazando valores tenemos:
5.2.2. Polarización por realimentación de
drenaje −15 − (−6)
𝑅𝑆 = − 234Ω
−20𝑚𝐴
Para la red de polarización de la Figura 8,
diseñar el circuito asumiendo que VDD = 𝑅𝑆 = 216Ω
12V y RD = 220 + x1x2 Ω, donde x1 y x2 son
los dos últimos dígitos del código del segundo Tenemos que:
integrante del grupo en la lista del profesor.
Por ejemplo, si el código termina en 50, 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∗ (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 )
entonces RD = 270Ω. Asumir los mismos
valores para IDQ, VGSQ y VDSQ de la 𝑉𝐺𝑆 = −15 − (−20𝑚𝐴 ∗ (216Ω + 234Ω))
subsección 4.2.1, de modo que el transistor
pueda ser polarizado en saturación. 𝑉𝐺𝑆 = −6𝑣

Ya que 𝐼𝐺 es prácticamente nulo, podemos

decir que:

𝑉𝐺𝑄 = 𝑉𝐺𝑆𝑄 + 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆

𝑉𝐺𝑄 = −6 + (−20𝑚𝐴 ∗ 216Ω) = −10.32𝑣

Figura 16: Red de polarización por realimentación de
drenaje para el EMOSFET de canal N. Asignamos un valor alto a 𝑅𝐺 :

Para el caso de una Red de polarización por 𝑅𝐺 = 100𝑘 Ω

realimentación de drenaje se cumple que:
Por ultimo despejamos el valor de 𝐾𝑁 ,
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 primero despejando el valor de K:

𝑉𝐷𝐷 = −15𝑣 𝐼𝐷𝑄 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝐺𝑆𝑇 )2

𝐼𝐷𝑄
𝐼𝐷 = 20𝑚𝐴 𝐾=
(𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝐺𝑆𝑇 )2

𝑉𝐷𝑆 = −6𝑣 Reemplazando valores tenemos:

El valor de 𝑅𝐷 la determinamos en base a los 20𝑚𝐴
dos últimos dígitos del código del segundo 𝐾=
(−6 − (−2.3))2
estudiante, así que:
𝐾 = 1.4𝑚𝐴
XXXXXXX14; 𝑅𝐷 = 220Ω + 14Ω = 234Ω
Despejamos 𝐾𝑁 :
Despejamos 𝑅𝑆 :
𝑊
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆𝑄 𝐾= ∗𝑘
𝑅𝑆 = − 𝑅𝐷 2𝐿 𝑁
𝐼𝐷𝑄
Donde W y L los obtenemos del modelo del
MOSFET en ORCAD, así:
𝑊 = 7.6𝑚

𝐿 = 2𝑢

𝐾 ∗ 2𝐿 1.4𝑚𝐴 ∗ 2(2𝑢)
𝑘𝑁 = ; 𝑘𝑁 = Figura 18. Gráfica de los 5 voltajes (𝑉𝐺𝑆 ) con respecto
𝑊 7.6𝑚
al cambio de temperatura en un tiempo t=1seg.
𝑘𝑁 = 0.736𝑢

Diseño en ORCAD:

Utilizamos un BS250/PLP:

Figura 19. Gráfica de los 5 voltajes (𝑉𝐷𝑆 ) con respecto

al cambio de temperatura en un tiempo t=1seg.
Figura 17. Diseño de la Red de polarización por
realimentación de drenaje para el EMOSFET de canal
P.

Utilizando temperaturas: (0, 27, 35, 40,50)

Figura 20. Gráfica de las 5 corrientes (𝐼𝐷 ) con respecto

al cambio de temperatura en un tiempo t=1seg.
Tabla 3. Puntos de trabajo para diferentes temperaturas de
operación del EMOSFET de canal p en el circuito de la Figura
16.
T1=0 T2=27 T3=35 T4=40 T5=50
VGS (v) -5.8808 -6.0679 -6.1214 -6.1544 -6.2194
VDS (v) -5.8808 -6.0679 -6.1214 -6.1544 -6.2194
ID (mA) -20.265 -19.849 -19.730 -19.657 -19.513
¿Qué tipo de polarización del BJT es más
estable con la temperatura y por qué?
Respaldar la respuesta con análisis
matemático.
en retrospectiva podemos evidenciar que
respecto a las distintas configuraciones de
polarizaciones del BJT podemos concluir que
: entrada y de salida siempre están en oposición
1. la polarización tipo divisor de voltaje
cuenta con ciertas ventajas respecto a la
polarización fija como por ejemplo que crea
menor distorsión en la señal de salida, es un
tanto más estable que la configuración fija lo
que a largo plazo desemboca en mayor
duración del dispositivo y que las
temperaturas que pueda llegar a tener este
dispositivo puedan ser más controladas.
¿Qué tipo de polarización del EMOSFET es
más estable con la temperatura y por qué?
Respaldar la respuesta con análisis
matemático
respecto al diseño de polarización del
MOSFET podemos concluir que la
configuración de tipo realimentación de
drenaje tiene un comportamiento bastante
similar respecto a la temperatura con el
diseño de polarización por divisor de voltaje
no obstante su diferencia radica en el
consumo de energía , siendo la primera más
eficiente en este sentido , la estabilidad es
bastante prolija y por ende su fiabilidad es
mayor, haciendo un paréntesis podemos
observar fruto de los resultados de los dos
tipos de componentes con sus diferentes
variantes que el MOSFET tiene una gran
ventaja al trabajar con corrientes más bajas ,
reduciendo estancamientos y daños en el
dispositivo.
5.2.3. Cuestionario
1. Consultar sobre otras redes de polarización del
BJT y del EMOSFET.
a). Montaje en Emisor Común
La señal se inyecta a la base a través de Ci y
se recibe amplificada del colector vía Co. El
emisor, conectado dinámicamente a tierra a
través de ce, actúa como elemento común a
los circuitos de entrada y de salida. Observe
que, en este modo de conexión, las señales de
de fase.
[1]
b) Montaje en Colector Común
La señal se introduce por la base a través de
Ci y se extrae por el emisor vía Co. El
colector, conectado dinámicamente a tierra a
través de Ce, actúa como elemento común a
los circuitos de entrada y de salida. Las
señales de entrada y de salida siempre están
en fase. El montaje se denomina también
seguidor de emisor.
El amplificador colector común se caracteriza
por tener una alta impedancia de entrada y
una baja impedancia de salida. La ganancia
de voltaje es siempre menor que 1 y la de
potencia es normalmente inferior a la que se
obtiene con las configuraciones base común
o emisor común. Este montaje se utiliza
principalmente como adaptador de
impedancias.
[1]
Montaje como Amplificador Diferencial
En este caso, el voltaje de salida es
proporcional a la diferencia, con respecto a
tierra, entre los voltajes aplicados a los
terminales de entrada.
[1]
Redes de polarización del EMOSFET
Configuración de polarización fija
El más simple de los arreglos de polarización
para el FET de canal aparece en la figura ,
Conocida como configuración de
polarización fija, es una de las pocas
configuraciones FET que pueden resolverse
en forma directa utilizando tanto el enfoque
gráfico como el matemático.
[2]
Configuración entrada común
Los circuitos amplificadores de transistores,
como el amplificador de emisor común, se
fabrican con transistores bipolares, pero
también se pueden hacer amplificadores de
señal pequeños con transistores de efecto de
campo. Estos dispositivos tienen la ventaja
sobre los transistores bipolares de tener una
impedancia de entrada extremadamente alta
junto con una salida de bajo nivel de ruido, lo
que los hace ideales para usar en circuitos de
amplificador que tienen señales de entrada
muy pequeñas.

[2]
2. Enuncie otras razones por las cuales es
deseable mantener el transistor BJT en un
punto de trabajo estable.
En primera instancia y como se recalcó en
este informe es importante mantener el punto
de trabajo estable para que se aproveche de la
mejor forma la señal que llegue al transistor,
como se expuso en el informe y lo que se
concluyo es que si existen fluctuaciones muy
grandes en el punto de trabajo con el tiempo
el transistor sufre un desgaste progresivo que
limitara su correcto funcionamiento y en
casos extremos llegaría dañarse el
componente.
El rendimiento del transistor también
depende de la estabilidad del punto de
trabajo.
Asegurar su correcto funcionamiento para un
amplio rango de señales de Entrada.
3. ¿Qué es un factor de estabilidad y qué
muestra en cada red de polarización de BJT
Factor de estabilidad: Los factores de
estabilidad nos dan la variación de una
tensión o una corriente en función de alguno
de los parámetros susceptibles de cambio en
el dispositivo. Por ejemplo, si consideramos
la corriente de colector como elemento a
observar, podemos definir al menos cuatro
factores de estabilidad, que nos indican la
variación de dicha corriente con respecto a
otros cuatro elementos como son la tensión
base-emisor, la corriente inversa colector-
base, la ganancia en continua (β) y la tensión
de alimentación del circuito.
[4]
4. Describir por lo menos tres aplicaciones
del EMOSFET.
La transmisión de información se basa
mediante datos binarios, los datos binarios se
pueden describir como caídas y subidas de
tensión , estas se manejan a altas frecuencias
por lo que es indispensable un dispositivo que
sea capaz de soportar estos cambios casi que
instantáneo de voltajes para de esa forma
brindar al sistema un correcto
funcionamiento este dispositivo se conoce
como MOSFET y es comúnmente utilizado
en dispositivos complejos que normalmente
trabaja con millones de estos transistores en
conjunto para dar soporte al equipo
electrónico
Control de dispositivos físicos como motores.
De un motor de CC está basada en el hecho
de que, si se recorta la CC de alimentación en
forma de una onda cuadrada, la energía que
recibe el motor disminuirá de manera
proporcional a la relación entre la parte alta
(habilita corriente) y baja (cero corrientes) del
ciclo de la onda cuadrada. Controlando esta
relación se logra variar la velocidad del motor
de una manera bastante aceptable
Los amplificadores MOSFET se utilizan en
aplicaciones de radiofrecuencia, en sistemas
de sonido y sistemas analógicos.
Modelado del MOSFET orientado al diseño
analógico.
Las tendencias tecnológicas presentan un
conjunto de escenarios en los cuales el
Modelado de MOSFET avanzados para
aplicaciones de diseño analógico juegan un
Papel primordial. Entre éstas, las más
importantes a resaltar son:
1. La tendencia hacia la integración de
sistemas analógicos y digitales en un solo
Chip, no sólo como interface directa con el
mundo físico, sino como ayuda a
Incrementar las prestaciones de los sistemas
digitales.
2. La tendencia hacia la operación en bajo
voltaje, tanto por razones de compatibilidad
con las tecnologías digitales como por
satisfacer los requerimientos de los
Equipos alimentados con batería.
3. Las tendencias hacia las altas frecuencias
de operación, que continúan en incremento a
medida que se disminuyen las dimensiones
del MOSFET [5]
6. CONCLUSIONES.
1. La polarización tipo divisor de voltaje
cuenta con ciertas ventajas respecto a la
polarización fija como por ejemplo que crea
menor distorsión en la señal de salida, es un
tanto más estable que la configuración fija lo
que a largo plazo desemboca en mayor
duración del dispositivo y que las
temperaturas que pueda llegar a tener este
dispositivo puedan ser más controladas.
2. Respecto al diseño de polarización del
MOSFET podemos concluir que la
configuración de tipo realimentación de
drenaje tiene un comportamiento bastante
similar respecto a la temperatura con el
diseño de polarización por divisor de voltaje
no obstante su diferencia radica en el
consumo de energía , siendo la primera más
eficiente en este sentido , la estabilidad es
bastante prolija y por ende su fiabilidad es
mayor, haciendo un paréntesis podemos
observar fruto de los resultados de los dos
tipos de componentes con sus diferentes
variantes que el MOSFET tiene una gran
ventaja al trabajar con corrientes más bajas ,
reduciendo estancamientos y daños en el
dispositivo.
7. BIBLIOGRAFIA
[1] centro integrado de formación
profesional CIFP// Publicado el 26
septiembre, 2018 por José Francisco//
configuraciones básicas de los transistores
(BJT)
{http://www.cifpn1.com/electronica/?p=415
1}
[2] Bakshi, U.A.; Godse, A.P. (2007) «8.2
The depletion mode MOSFET». Electronic
Circuits
ISBN 978-81-8431-284-3.
[3] Electrónica: teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos
Escrito por Robert L. Boylestad, Louis
Nashelsky.
[4] ESTABILIDAD EN EL PUNTO DE
TRABAJO// Asignatura: Dispositivos
Electrónicos I Dpto. Tecnología
Electrónica//
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/te
ma6.pdf universidad de Valencia.
[5] Arduino, Electrónica, Hardware, Robots
y está etiquetada con Motores en 11 mayo,
2018.// http://robots-
argentina.com.ar/didactica/control-de-
motores-de-cc-por-ancho-de-pulso-pwm/
[6] Alldatasheet.com. n.d. BS250 Datasheet,
PDF - Alldatasheet. [online] Available at:
<https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Sea
rchword=BS250> [Accessed 2 July 2020].