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De la misma manera que los BJT npn y pnp, hay FET de


Amplificador con JFET canal - n y canal p. Sin embargo, es importante
considerar que el BJT es un dispositivo bipolar, el prefijo
bi indica que el nivel de conduccin es una funcin de
Resumen
los portadores de carga, los electrones y los huecos. El
FET es un dispositivo unipolar que depende nicamente
Palabras claves Diodo, Rectificacin, Seal, Filtro, de la conduccin o bien de electrones (canal-n) o de
Condensador, Onda. huecos (canal-p). (Ver Fig.2)

I. INTRODUCCIN

L
os dispositivos electrnicos son ampliamente
utilizados en el desarrollo de diversos equipos
electrnicos. Por ejemplo, los diodos
semiconductores son elementos bsicos que pueden
ser utilizados en la construccin de equipos conversores
de energa, como los rectificadores o bien fuentes de
poder DC. Otros dispositivos como el transistor de unin
bipolar o BJT son implementados como drive o bien Fig.2
como amplificadores, siendo estos controlados por una Canales del transistor JFET.
seal de corriente. En particular, estos ltimos
dispositivos pueden variar en la seal de control o bien La figura muestra una seccin de semiconductor tipo n.
el tipo de entrada que amplificar puede ser modificada El extremo inferior se llama fuente (source) y el superior
a una seal de voltaje, a estos se les denomina drenador (drain). La fuente de alimentacin VDD obliga
Transistores de Efectos de Campo. Por lo cual existen a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el
muchas similitudes e importantes diferencias entre los drenador. Para producir un JFET, el fabricante difunde
distintos tipos de transistores y sus configuraciones. dos reas de semiconductor tipo p en el semiconductor
Las siguientes experiencias permitirn estudiar, analizar tipo n, como se muestra en la figura. Estas dos reas p
y comprender el funcionamiento de los transistores de estn conectadas internamente para tener un solo
efecto de campo en una configuracin que permita terminal de conexin externo llamado puerta (gate).
amplificar una seal alterna.

II. CARACTERISTICAS GENERALES


Transistor JFET
Qu es?
El transistor de efecto de campo (FET) (por sus siglas
en ingls de Field Effect Transistor) es un dispositivo de
3 terminales que se utiliza para aplicaciones diversas
que se asemejan, en una gran proporcin, a las de BJT.
La diferencia bsica entre los dos tipos de transistores
es el hecho de que el BJT es un dispositivo controlado
por corriente, mientras que el JFET es un dispositivo
controlado por voltaje. (Ver Fig.1).

Efecto de Campo
La figura muestra la manera normal de polarizar un
JFET. La tensin de alimentacin del drenador es
positiva y la de la puerta negativa. El trmino efecto de
campo se relaciona con las zonas de deplexin que
rodean a cada zona p. Las uniones entre cada zona p y
las zonas n tienen capas de deplexin debido a que los
electrones libres se difunden desde las zonas n en las
Fig. 1 zonas p. La recombinacin de los electrones libres y los
Transistor BJT y JFET. huecos crea las zonas de deplexin mostradas por las
reas sombreadas.
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En la figura a vemos un transistor JFET y en la


figura b vemos un BJT.

Corriente de Puerta
En la figura, la puerta tipo p y la fuente tipo n forman el
diodo puerta-fuente. En un JFET siempre polarizamos
en inversa el diodo puerta-fuente. Debido a la
polarizacin inversa, la corriente de puerta IG es
aproximadamente cero, o lo que es equivalente, un
JFET tiene una resistencia de entrada casi infinita.
Ecuaciones importantes para BJT y JFET.

Polarizacin del JFET


En el transistor de efecto de campo la relacin entre las
cantidades de entrada y de salida es no lineal, debido al
trmino cuadrtico en la ecuacin de Shockley. Las
relaciones lineales resultan en lneas rectas cuando se
dibujan en una grfica de una variable en funcin de la
otra, mientras que las relaciones no lineales dan por
resultado curvas como las que se obtuvieron para las
caractersticas de transferencia de un JFET.
Las relaciones generales que pueden aplicarse al
anlisis en dc de todos los amplificadores a FET son los
que mostraremos a continuacin. (Ver Fig.1).

Relaciones Importantes
Tanto este captulo como el anterior se presentaron las
caractersticas de operacin y ecuaciones importantes
para los BJT y JFET.

Es particularmente importante observar que todas las


ecuaciones anteriores son solo para el dispositivo.
Estas no cambian con cada configuracin de red,
siempre y cuando el dispositivo se encuentre en la
regin activa.

El JFET puede estar polarizado en la hmica o en la


zona activa. Cuando lo polarizamos en la zona hmica,
el JFET es equivalente a una resistencia. Cuando lo
polarizamos en la zona activa, el JFET es
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equivalente a una fuente de corriente. En esta


seccin expondremos la polarizacin fija, el mtodo ms
comn para polarizar un JFET en la zona hmica.

Configuracin de Polarizacin Fija


El resistor RG est presente para asegurar que VI
aparezca en la entrada del amplificador, para el anlisis
en dc se tiene
En la figura aparece la configuracin ms simple para el
JFET canal-n, esta es llamada polarizacin fija, la cual
es de las pocas configuraciones que se pueden resolver
de manera grfico y tambin mediante mtodo
matemtico.

IG 0[A] y VRG = IG.RG = 0[V]


Y aplicando una LVK se obtiene:
VGG + VGS = 0
Fig.b
VGG = -VGS
El nivel de ID se obtiene aplicando la ecuacin de
Shockley: Configuracin de Autopolarizacin
La corriente a travs de RS es la corriente de la fuente
IS, pero IS=ID
La configuracin de autopolarizacin elimina la
necesidad de dos fuentes DC. El voltaje de control de la
compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a
travs del resistor RS.
La corriente a travs de Rs es la corriente de la fuente
A continuacin mostraremos los circuitos de la red para Is, pero Is=ID.
el anlisis en dc (Ver Fig.a). Y la configuracin de
polarizacin fija (Ver Fig.b): VRs = ID.Rs

Aplicando LVK se obtiene:

VGS + VRs= 0[V]

VGS= -VRs= -ID.Rs

El nivel de ID se obtiene aplicando la ecuacin de


Shockley.
Fig.a

A continuacin veremos en las imgenes la red para el


anlisis en DC (Ver Fig.a) y tambin la configuracin de
autopolarizacin (Ver Fig.b).
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A continuacin mostraremos el circuito de divisor de


voltaje en DC (Ver Fig.a) y en AC (Ver Fig.b).

Fig.a

Fig.a

Fig.b

Configuracin de Divisor de Voltaje


La configuracin mediante divisor de voltaje fue vista en
los transistores BJT y tambin puede aplicarse a los
amplificadores JFET. La construccin bsica es Fig.b
exactamente la misma, pero el anlisis en DC para cada
una es diferente.

Aplicando LVK se obtiene lo siguiente:


Ahora la recta de carga definida por la ecuacin anterior
no pasara por el origen, debido al tipo de polarizacin
utilizada, para obtener los puntos que definen la recta de
carga se hace el siguiente anlisis.

VGS = VG ID.Rs
VGS = VG Cuando la corriente ID=0[A]

Vg
I D= cuando el voltaje VGS=0[V]
La expresin anterior incluye dos variables que Rs
aparecen en la ecuacin de Shockley: VGS e ID.
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transconductancia es igual a la corriente alterna de


drenador divida entre la tensin alterna entre puerta-
fuente. La transconductancia nos dice cun efectiva es
la tensin de puerta-fuente para controlar la corriente de
drenador. A mayor transconductancia, mayor control
ejerce la tensin de puerta sobre la corriente de
drenador.

La unidad mho corresponde a la razn entre la corriente


y la tensin. El equivalente formal y la unidad actual del
mho es el siemens (S). La mayora de las hojas de
caractersticas continan utilizando el mho en lugar del
siemens.
Recta de carga a.
Pendiente de la caracterstica de transferencia

En la siguiente figura (Ver Fig.a) presenta el significado


de gm en trminos de la curva de transferencia. Entre
los puntos A y B, un cambio en VGS produce un cambio
en ID. La relacin entre la variacin de ID y la variacin
de VGS es igual al valor de gm entre A y B. Si
seleccionamos otro par de puntos en una zona ms alta
de la curva, por ejemplo C y D, obtenemos una mayor
variacin en ID para una variacin dada de VGS. Por
tanto, gm es la pendiente de la curva en el punto Q,
mayor ser la transconductancia.

Recta de carga b.

Con el punto de operacin ya obtenido, se puede


analizar de manera usual la configuracin, obteniendo
las siguientes ecuaciones:

Fig.a
En la siguiente figura (Ver Fig.b) muestra un circuito
equivalente simple para pequea seal de un JFET.
Entre la puerta y la fuente hay una resistencia muy
grande RGS. El drenador de un JFET acta como una
fuente de corriente con valor de gm vgs. Si conocemos
gm y vgs podemos calcular la corriente alterna de
drenador.

Transconductancia

Para analizar amplificadores con JFET, necesitamos


estudiar un parmetro para seal que se denomina
transconductancia; se indica por medio de gm.
Simblicamente, la transconductancia est dada por:

Fig.b
Circuito Equivalente para pequea seal JFET.
Este parmetro es similar a la ganancia de corriente
para un BJT. Esta ecuacin indica que la
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Transconductancia y tensin puerta fuente de - 2 Condensadores de 4.7 [F]/50[V].


corte - 1 Condensador de 10[F]/50[V].

VGS (off) es difcil de medir con exactitud, mientras que Lista de instrumentos:
IDSS y gm0 se miden muy fcilmente y con gran
exactitud. Por lo tanto VGS (off) se obtiene normalmente - Multitester Digital.
con la siguiente ecuacin. - Protoboard.
- Generador de funciones.
- Fuente de poder DC.
- Osciloscopio Digital.

Circuitos a implementar:
En esta ecuacin, gm0 es el valor de la
transconductancia cuando VGS = 0 [V] Esto es lo que
hacen los fabricantes en las hojas de caractersticas.
Cuando VGS = 0 [V], gm alcanza su mximo valor. Este
se designa por gm0. Cuando VGS es negativa,
disminuye el valor de gm. La ecuacin de gm para
cualquier valor de VGS es:

Observe que gm disminuye linealmente cuando VGS se


hace ms negativa, como se muestra en la siguiente
figura (Ver.fig.a).
Implementar una red de polarizacin (solo parte DC),
para un amplificador con JFET en configuracin
Source Comn (Fig.1(a)).
Obtenga VDS y ID Utilice un JFET 2N5458.
Considere una tensin de alimentacin VDD
= 15 [V], R1 = 93[k] (Potencimetro de 250
[k]), R2 = 12[k], RD = 2.2[k], RS =
2.2[k].
Al medir con un multitester digital, se obtuvo los
siguientes valores
Fig.a Variable Valor medido
VDS 5,49 Volt
ID 2,12 mA

Realizar anlisis terico, especificando el


III. PROCEDIMIENTO EXPERIENCIA
punto de operacin valor de ID, VDS y VGS
(obtener matemticamente).
En el siguiente laboratorio realizaremos un circuito de
divisor de tensin con un transistor JFET, pero primero Para calcular el punto Q, utilizamos la siguiente formula:
nombraremos los componentes electrnicos y se
mostraran los circuitos que debemos realizar en esta Donde :
experiencia.
Vcc=15[V]
Lista de componentes: R1=93[k]
R2=12[k]
- 1 potencimetro de 250[K]. RS=2.2[k]
- 1 Transistor JFET 2N5458. RD=2.2[k]
- 3 Resistencias de 2.2 [K]/0.5 [W].
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Idss= 9 mA[mA] VP=-7[V], estos ltimos datos son ID 2,12 [mA]


obtenidos segn el datasheet del transistor.
IG 0
VGS -4,18 [V]
VG 1,53 [V]
Luego debemos Calcular ID, la cual lo haremos de la VD 10,9 [V]
siguiente forma:
VS 4,46 [V]
VDS 5,49 [V]
Tabla 1. Datos medidos.

Despejando ID, nos queda la siguiente ecuacin:


Comparacion Teorico VS Medido:

Variable Valor Valor


medido teorico
ID 2,12 [mA] 2,09 [mA]
Reemplazando los valores y despejando, nos queda:
IG 0 0
VGS -4,18 [V] -4,59 [V]
VG 1,53 [V] 1,71 [V]
VD 10,9 [V] 10,4 [V]
VS 4,46 [V] 4,59 [V]
VDS 5,49 [V] 5,8 [V]
Tabla 2. Comparacin experimental versus terico

Calcular gm (transconductancia) del JFET.

Para calcular la transconductancia se requiere la


Se tiene que: siguiente formula
ID1= 6,9 mA ID2= 2,09 mA

Vgs1 = - ID1 x RS = -15,18 V


Vgs2 = - ID2 x RS = -4,59

Por ende: Teniendo:


ID = 2,09 mA VGS= -4,59 [V] ; IDSS= 9[mA]
Vgs = .4,59 V Reemplazando los valores, nos da un resultado de:
Ahora teniendo estos valores podremos seguir
calculando lo pedido por la actividad:

Actividad 2:

Utilizando acoplamiento capacitivo de


entrada y salida (C1 = 4.7[F] /50 [V]), y
adems (C2 = 10[F] /50 [V]) (ver fig. 1b) ,
Medir y tabular voltajes y corrientes DC (ID,
Considere una carga RL = 2.2 [k] y una
IG, VGS, VG, VD, VS, VDS). Obtener el punto seal de entrada sinusoidal de amplitud 100
de operacin real Compare con terico. [mV] con una frecuencia de operacin de 1
Mediciones Figura 1 (A) [kHz].
Repetir para una carga de 1[k].
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Para una carga de 2,2 [k], la seal entregada fue Con una carga de 1 [k]:
la siguiente:
Variable Seal entrada Seal Salida

Vmax 128 mV 188 mV

Tabla 4. Datos medidos con una carga de 1[k]

Como podemos observar existe una amplificacin, pero


al disminuir la carga esta amplificacin disminuye.

Medir la ganancia de voltaje, compruebe con


el valor terico obtenido por la siguiente
frmula:

Tericamente:

Figura 3. Seal de entrada (2) comparada con la Reemplazando en nos da


seal de salida (1), con una carga de 2,2 K a una como resultado:
frecuencia de operacin de 1 KHz y una amplitud de
100 mV Para una AV
Carga de
Para una carga de 1[k], la seal entregada fue la
siguiente: 2,2 K -4,3

1 K -2,69

Tabla 5. Ganancia calculada tericamente

Con los valores practico la ganancia seria la


siguiente:

Primero ocupamos la siguiente formula :

Para una AV
Carga de

2,2 K -2,25

1 K -1,46

Figura 4. Seal de entrada (2) comparada con la Tabla 6. Ganancia calculada con valores prcticos.
seal de salida (1), con una carga de 1K a una
frecuencia de operacin de 1 KHz y una amplitud de
100 mV IV. CONCLUSIN
Los datos entregados por el osciloscopio digital
fueron los siguientes:
REFERENCIAS
Con una Carga de 2.2 [k]:
LIBRO, EQUIPOS ELECTRNICOS DE CONSUMO
Variable Seal entrada Seal Salida
GRADO MEDIO
Vmax 128 mV 288 mV [1] CEO
ELECTRNICA
Tabla 3. Datos medidos con una carga de 2.2 [k] APLICADA .GM