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I. INTRODUCCIN
L
os dispositivos electrnicos son ampliamente
utilizados en el desarrollo de diversos equipos
electrnicos. Por ejemplo, los diodos
semiconductores son elementos bsicos que pueden
ser utilizados en la construccin de equipos conversores
de energa, como los rectificadores o bien fuentes de
poder DC. Otros dispositivos como el transistor de unin
bipolar o BJT son implementados como drive o bien Fig.2
como amplificadores, siendo estos controlados por una Canales del transistor JFET.
seal de corriente. En particular, estos ltimos
dispositivos pueden variar en la seal de control o bien La figura muestra una seccin de semiconductor tipo n.
el tipo de entrada que amplificar puede ser modificada El extremo inferior se llama fuente (source) y el superior
a una seal de voltaje, a estos se les denomina drenador (drain). La fuente de alimentacin VDD obliga
Transistores de Efectos de Campo. Por lo cual existen a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el
muchas similitudes e importantes diferencias entre los drenador. Para producir un JFET, el fabricante difunde
distintos tipos de transistores y sus configuraciones. dos reas de semiconductor tipo p en el semiconductor
Las siguientes experiencias permitirn estudiar, analizar tipo n, como se muestra en la figura. Estas dos reas p
y comprender el funcionamiento de los transistores de estn conectadas internamente para tener un solo
efecto de campo en una configuracin que permita terminal de conexin externo llamado puerta (gate).
amplificar una seal alterna.
Efecto de Campo
La figura muestra la manera normal de polarizar un
JFET. La tensin de alimentacin del drenador es
positiva y la de la puerta negativa. El trmino efecto de
campo se relaciona con las zonas de deplexin que
rodean a cada zona p. Las uniones entre cada zona p y
las zonas n tienen capas de deplexin debido a que los
electrones libres se difunden desde las zonas n en las
Fig. 1 zonas p. La recombinacin de los electrones libres y los
Transistor BJT y JFET. huecos crea las zonas de deplexin mostradas por las
reas sombreadas.
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Corriente de Puerta
En la figura, la puerta tipo p y la fuente tipo n forman el
diodo puerta-fuente. En un JFET siempre polarizamos
en inversa el diodo puerta-fuente. Debido a la
polarizacin inversa, la corriente de puerta IG es
aproximadamente cero, o lo que es equivalente, un
JFET tiene una resistencia de entrada casi infinita.
Ecuaciones importantes para BJT y JFET.
Relaciones Importantes
Tanto este captulo como el anterior se presentaron las
caractersticas de operacin y ecuaciones importantes
para los BJT y JFET.
Fig.a
Fig.a
Fig.b
VGS = VG ID.Rs
VGS = VG Cuando la corriente ID=0[A]
Vg
I D= cuando el voltaje VGS=0[V]
La expresin anterior incluye dos variables que Rs
aparecen en la ecuacin de Shockley: VGS e ID.
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Recta de carga b.
Fig.a
En la siguiente figura (Ver Fig.b) muestra un circuito
equivalente simple para pequea seal de un JFET.
Entre la puerta y la fuente hay una resistencia muy
grande RGS. El drenador de un JFET acta como una
fuente de corriente con valor de gm vgs. Si conocemos
gm y vgs podemos calcular la corriente alterna de
drenador.
Transconductancia
Fig.b
Circuito Equivalente para pequea seal JFET.
Este parmetro es similar a la ganancia de corriente
para un BJT. Esta ecuacin indica que la
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VGS (off) es difcil de medir con exactitud, mientras que Lista de instrumentos:
IDSS y gm0 se miden muy fcilmente y con gran
exactitud. Por lo tanto VGS (off) se obtiene normalmente - Multitester Digital.
con la siguiente ecuacin. - Protoboard.
- Generador de funciones.
- Fuente de poder DC.
- Osciloscopio Digital.
Circuitos a implementar:
En esta ecuacin, gm0 es el valor de la
transconductancia cuando VGS = 0 [V] Esto es lo que
hacen los fabricantes en las hojas de caractersticas.
Cuando VGS = 0 [V], gm alcanza su mximo valor. Este
se designa por gm0. Cuando VGS es negativa,
disminuye el valor de gm. La ecuacin de gm para
cualquier valor de VGS es:
Actividad 2:
Para una carga de 2,2 [k], la seal entregada fue Con una carga de 1 [k]:
la siguiente:
Variable Seal entrada Seal Salida
Tericamente:
1 K -2,69
Para una AV
Carga de
2,2 K -2,25
1 K -1,46
Figura 4. Seal de entrada (2) comparada con la Tabla 6. Ganancia calculada con valores prcticos.
seal de salida (1), con una carga de 1K a una
frecuencia de operacin de 1 KHz y una amplitud de
100 mV IV. CONCLUSIN
Los datos entregados por el osciloscopio digital
fueron los siguientes:
REFERENCIAS
Con una Carga de 2.2 [k]:
LIBRO, EQUIPOS ELECTRNICOS DE CONSUMO
Variable Seal entrada Seal Salida
GRADO MEDIO
Vmax 128 mV 288 mV [1] CEO
ELECTRNICA
Tabla 3. Datos medidos con una carga de 2.2 [k] APLICADA .GM