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Practica 1:
Compuertas lógicas
Los circuitos integrados digitales monolíticos (CIDM) se pueden clasificar de acuerdo con dos
grandes conceptos interrelacionados.
a) según la forma en que se realizan físicamente, que a su vez da lugar a: - según el tipo de
dispositivos utilizado, los CIDM bipolares, MOS y BICMOS. - según el número de dispositivos
colocados en el interior de un único circuito, los CIDM SSI, MSI, LSI, VLSI, ULSI y GLSI.
b) según la forma en que se realiza el diseño desde el punto de vista del ingeniero de
aplicaciones: - los CIDM normalizados o estándar (standard off-the-shelf integrated circuits). -
los CIDM especificados por el usuario.
Familias bipolares: RTL, DTL, TTL, ECL, HTL, IIL y las Familias MOS: PMOS,
NMOS, CMOS.
Ventajas de la familia ECL: Son los circuitos más veloces y pueden alcanzar tiempos de demora
de hasta 1ns, no existen picos de corrientes en los transistores, se dispone de salidas
complementadas lo que le brinda mayor versatilidad, buen factor de carga N= 15
Desventajas de la familia ECL: Pequeños valores de los márgenes de ruidos, Altos valores de
potencia del orden de 40 mW, No son compatibles con los circuitos TTL, Ocupan gran área en
los circuitos integrados.
Familia HTL (High Treshold-Logic, Lógica de alto umbral): es una tecnología desarrollada a
partir de la tecnología DTL (Diode-Transistor Logic, lógica diodo-transistor), pertenece a la
familia de circuitos integrados bipolares, Es una variante de la tecnología DTL llamada "Lógica
de alto umbral" que incorpora diodos zener para crear un gran desplazamiento entre los estados
de voltaje lógicos 1 y 0. Estos dispositivos operan con una fuente de tensión de 15 Voltios y los
encontramos controles industriales en donde la intención el minimizar los efectos del ruido.
Características
Fan Out = 10
Vcc = 14-15 V
VoL min = oV
Tecnología CMOS: Lógica MOS Complementaria. Esta tecnología, hace uso básicamente
de transistores de efecto de campo NMOS Y PMOS. En la familia lógica MOS Complementaria,
CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor), el término complementario se refiere a la
utilización de dos tipos de transistores en el circuito de salida, en una configuración similar a la
tótem-pole de la familia TTL. Se usan conjuntamente MOSFET (MOS Field-Effect transistor,
transistor de efecto campo MOS) de canal n (NMOS) y de canal p (PMOS ) en el mismo circuito,
para obtener varias ventajas sobre las familias P-MOS y N-MOS. La tecnología CMOS es ahora la
dominante debido a que es más rápida y consume aún menos potencia que las otras familias
MOS. Estas ventajas son opacadas un poco por la elevada complejidad del proceso de
fabricación del CI y una menor densidad de integración.
- VOHmax: Tensión de salida máxima para el nivel alto H. Corresponde a la tensión de salida
máxima para el nivel alto garantizada por el fabricante.
– VOHmin: Tensión de salida mínima para el nivel alto H. Corresponde a la tensión de salida
mínima para el nivel alto garantizada por el fabricante. La localización de este punto en la
característica de transferencia corresponde a aquél donde la pendiente es igual a –1 (igual a 1
para un no inversor).
- VOLmax: Tensión de salida máxima para el nivel bajo L. Corresponde a la tensión de salida
máxima para el nivel bajo garantizado por el fabricante. La localización de este punto en la
característica de transferencia corresponde a aquél donde la pendiente es igual a –1 (igual a 1
para un no inversor).
- VOLmin: Tensión de salida mínima para el nivel bajo L. Corresponde a la tensión de salida
mínima para el nivel bajo garantizada por el fabricante.
- VILmax: Tensión de entrada máxima para el nivel bajo. Corresponde a la tensión máxima que
se puede aplicar a la entrada para el nivel lógico “0”. Para tensiones ligeramente superiores a
VILmax no se garantiza que la entrada sea interpretada como un “0”. La localización de este
punto en la característica de transferencia corresponde a aquél donde la pendiente es igual a –
1 (igual a 1 para un no inversor).
- VILmin: Tensión de entrada mínima para el nivel bajo L. Corresponde a la tensión de entrada
mínima permitida para el nivel lógico bajo L.
- VIHmax: Tensión de entrada máxima para el nivel alto H. Corresponde a la tensión de entrada
máxima permitida para el nivel lógico alto H.
- VIHmin: Tensión de entrada mínima para el nivel alto H. Corresponde a la tensión mínima que
se debe aplicar a la entrada para que sea interpretada como el nivel lógico alto H. La localización
de este punto en la característica de transferencia corresponde a aquél donde la pendiente es
igual a –1 (igual a 1 para un no inversor). A partir de esta característica de transferencia, se
definen los siguientes términos: margen del cero, margen del uno, margen de transición y
amplitud lógica.
Fan-in y Fan-out
El Fan-out indica la cantidad de cargas (entradas de otras puertas) que pueden
conectarse a la salida de una puerta manteniendo los niveles de tensión en los límites
especificados. Es decir, si se conecta un número de cargas a la salida de una puerta que
proporciona un nivel bajo, la tensión de salida de dicha puerta no deberá superar la VILmax de
las puertas que actúan como cargas para que no se produzca un error lógico. Del mismo modo,
si se conecta un número de cargas a la salida de una puerta que proporciona un nivel alto, la
tensión de salida de dicha puerta no deberá ser inferior a la VIHmin de las puertas que actúan
como cargas. Al depender de los valores de VILmax y de VIHmin, el Fan-out dependerá
principalmente del margen de ruido que se considere.
De modo similar, el Fan-in indica el número de puertas que se puede conectar a la entrada
respetando los límites de carga. Se utiliza más el término y la definición de Fan-out que del Fan-
in.
Se define un Fan-out para el nivel bajo y otro para el nivel alto que corresponden de forma
general a los siguientes cocientes:
- Fan-out nivel bajo = IOL IIL .
Pull-up no es otra cosa que una resistencia de valor fijo, conectada entre la alimentación
eléctrica (normalmente +5v) y la entrada digital en la deseamos asegurar un valor lógico Alto.
Con ella, eliminamos cualquier posibilidad de indeterminación en su estado eléctrico producida
por las salidas digitales o mecánicas (pulsadores, interruptores, etc.) a las que se conecta.
Las resistencias Pull-down tienen el mismo cometido que las Pull-up, pero en lugar de asegurar
el valor lógico Alto, aseguran el nivel lógico Bajo.
La corriente es RC serán: IC= VCC/RC, provocando con ello una disipación de potencia en dicha
resistencia. Esto causa un calentamiento que hay que disipar y que impide un alto nivel de
integración.
Mediante el transistor T2 se consigue que cuando un transistor conduce (T4) el otro (T3) esté
abierto.
De esta manera se consigue obtener un “1” de salida pero con la ventaja de que aunque pasa
corriente por T4 como su caída de tensión es en teoría 0V su disipación de potencia es 0 mW.
La potencia disipada por R4 es baja, ya que en la otra posición T2 consigue que cuando T3
conduzca, T4 está abierto, causando que la intensidad (corriente) por T4 = 0 mA y por lo tanto
la potencia disipada sea 0 mW. Como T3 conduce su VCE=0 y por lo tanto la potencia disipada
Como se puede apreciar en los dos casos la potencia disipada es muy baja, permitiendo ello altos
niveles de integración.