COLECCIN DE EJERCICIOS

RESUELTOS

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Y
FOTONICOS II
Problema 1
En un MESFET defina, explicando su sentido fsico y obteniendo expresiones que
permitan calcularlos, los siguientes parmetros:
a) Tensin de pinch-off VPO.
b) Tensin de saturacin VDSAT.

VG zce

Vs VD

Solucin:

a) En un MESFET la corriente que circula entre drenador y surtidor viene determinada por el grosor de
la zona neutra del canal.

La anchura de la zona conductora del canal se modula con la zona de carga de espacio de la unin de
puerta.

La tensin de los puntos del canal varan, segn su posicin, entre la tensin de la fuente y la del
drenador.

La tensin de puerta se pone de manera que la unin de puerta est polarizada en inversa.

De esta manera la tensin inversa que soporta la unin vara desde la fuente hasta el drenador, siendo ms
fuerte en las proximidades del drenador.

Como el ancho de la z.c.e. es mayor cuanto mayor es la tensin inversa de la unin, la profundidad de la
zona de carga de espacio es mayor en las proximidades del drenador.

La profundidad de la zona depletada es mayor cuanto mayor polarizacin inversa soporte la unin (en el
lado del drenador la polarizacin es VG + VD

Aumentando suficientemente VD - VG la zona de carga de espacio puede alcanzar toda la profundidad del
canal (estrangulamiento del canal o pinch-off)

Se define la tensin de pinch-off de un MESFET como la diferencia de tensin VD VG necesaria para

estrangular el canal.

El valor de la tensin de pinch-off se puede obtener fcilmente si el grosor del canal del MESFET es A y
dado que en una unin P-N la profundidad de la z.c.e. en una de las regiones viene dada por

2 1
(Vbi + Vr )
q ND
Con Vr igual a la tensin de la unin en el lado del drenador , VD - VG

Entonces, para estrangular el canal:

2 1
A= Vpo
q ND

Y se define Vp0 = Vbi VG + VD

q N D A2
Vpo =
2

b) Una vez se estrangula el canal, la zona depletada es quien limita la corriente entre surtidor y drenador.
Por ello si se aumenta la tensin de drenador aun ms, los incrementos de tensin caen en la zona
depletada.

El ancho del canal depletado cara lentamente con VD y la zona de canal conductora permanece
prcticamente constante, por ello la corriente entre surtidor drenador prcticamente no vara al aumentar
VD

Por lo tanto, para VD por encima del pinch.off, la ID no aumenta ms al aumentar VD (saturacin)

Dado que Vpo = Vbi VG +VDSAT => VDSAT = Vpo Vbi + VG

Problema 3

Sea el transistor bipolar de la figura:

B1 B2

Se pide:
a) Suponga que los terminales B1 y B2 estn cortocircuitados entre si formando
un nico terminal B. La estructura se polariza con VE=0, VB=0.7V, VC=5V. En
estas condiciones, cunto valen las densidades de corriente JB y JC? Para
obtenerlas analice la seccin vertical punteada y desprecie los efectos de dos
dimensiones. Si utiliza alguna aproximacin justifquela.
b) Si el rea efectiva del dispositivo es de 100 m2, calcule el valor de los
parmetros siguientes del modelo hbrido en : gm, r, C.
c) Suponga ahora que los terminales E y C estn cortocircuitados entre s (a este
nodo nico lo llamaremos en adelante G) y conectados a un potencial VG>0.
Suponga asimismo VB1= 0V, VB2> 0. Describa el funcionamiento del dispositivo
en esta nueva configuracin y dibuje de forma cualitativa la evolucin de la
corriente IB2 en funcin de VB2 tomando VG como parmetro.

Datos: NE=1018 cm-3, NB=1017 cm-3, NC=1016 cm-3, We=1m; Wb=0.5 m, Wc=10 m, ni=1.5 1010 cm-3,
VT=0.025V, LPE=0.1m, PE=350 cm2/Vs, LNB=1m, NB=103 cm2/Vs

Solucin:
a) Si B1 y B2 estan cortocircuitados la estructura resultante se comporta como un transistor bipolar.

Si las polarizaciones son:

VE=0; VB=0,7V; VC=5V

Teniendo en cuenta que el transistor es del tipo NPN, se encontrar poalrizado en zona activa.
Clculo de JB :

JB Densidad de corriente inyectada en el emisor + Densidad de corriente recombinada en la base= Jpe +

Jrec

En la figura se muestran aproximadamente las distribuciones de minoritarios en exceso en el emisor y en

la base.

Para dibujarlas hay que tener en cuenta que Wb<LNB y que por tanto la base tender a ser corta y que
WE>>LpE y que por tanto el emisor ser claramente largo.

E B

n(x)
p(x)

0- 0+ Wb

dp
Jpe = q Dp E
dx x =0

Siendo p(x) :

VVtBE
x
n12
p (x ) = e 1 e Lp E

NE
Y por tanto:

n12 1 VtBE
V

Jpe = q Dp E e 1
N E Lp E

Por otra parte la corriente de recombinacin en la base Jrec se puede calcular utilizando la ecuacin de
continuidad (para detalles ver DEF I)

n(x )
Jrec = q +
Wb
dx
0 nB

Y si suponemos la distribucin lineal queda

1 1 n12 VtBE
V

Jrec = q Wb e 1
2 nB N B

nB= LNB2 / DnB ya que nB no aparece como dato

Wb D NB n12 VVtBE
Jrec = q e 1
2 L2NB N B

Por tanto la densidad total de corriente de base

Dp E Wb D BE
V

JB = q + 2 NB n12 e Vt 1
N E Lp E 2 L NB N B

La corriente de colector es la corriente que el emisor introduce en la base menos la que se pierde como
recombinacin en la propia base

Jc=JnB-Jrec

dn
Jn B = q D NB
dx x =0+

n12 1 VtBE
V

= q D NB e 1

N B Wb

Y por tanto la corriente de colector Jc es

D NB n12 WB D NB n12 VVtBE

Jc = q e 1
2
B B
N W 2 L NB N B
Normalmente el trmino de recombinacin es menor que el trmino correspondiente a la inyeccin (en
este caso un orden de magnitud)

b) Este apartado exige conocer el modelo hbrido en y las expresiones de los diferentes parmetros del
mismo

gm=IcQ/Vt ; r F/gm ; C gm F

Por tanto

Aq D NB n12 WB D NB n12 VtBE

V

gm = 2 e 1
Vt N B WB 2 L NB N B
Donde:

Vt=kT/q = 0,025V a 300K

r =F/gm
Siendo

D NB Wb D
2 NB
N Wb 2 LNB N B
= B
Dp E Wb D
+ 2 NB
N E Lp E 2 L NB N B

En este punto sera conveniente relizar los clculos numricos para obtener un valor concreto de r

C la capacidad C =Cde+Cjbe es la suma de la capacidad de difusin emisor-base y de la capacidad

asociada a la zona de carga de espacio de la emisin base-emisor.

En zona activa al estar la unin base-emisor polarizada en directa la carga acumulada en las zonas neutras
es grande y Cde>>Cjbe

Por tanto C Cde = gm f

f es el tiempo de trnsito en directa f=QF/Ic

Si hacemos el clculo y suponemos que la carga almacenada en la base es mayor que la almacenada en el
emisor ya que el dopado de la base es menor que el del emisor:

QF = q n(x )dx A
Wb

0
n12 VtBE
V
1
= q A Wb e 1
2 N B

Si en la corriente de colector despreciamos la corriente de recombinacin en la base nos queda

D NB n12 VVtBE
Ic = q A e 1
N B WB

Y por tanto

Wb n12 N B Wb 1 Wb 2
F = =
N B 2 D NB n12 2 D NB

Evidentemente con dimensiones de tiempo.

Si hacemos la misma simplificacin en gm nos queda:

A q D NB n12 1 Wb 2 Vbe
C = e Vt 1 =
Vt N B Wb 2 D NB

Vbe
= C o e Vt 1

con

A q n12 1
C o = Wb
Vt N B 2

c) En esta configuracin el dispositivo se comporta como un JFET

Entre B1 y B2 fluye corriente a travs de la zona P.

En este caso los huecos irn hacia la izquierda ya que VB2>VB1

La seccin recta til para el paso de corriente depender de VG. Al ser VG>0 las uniones entre emisor y
base y base y colector quedan polarizadas en inversa con lo que la zona de carga de espacio invade la
base estrechando el camino til de los portadores y por tanto dificultando el paso de corriente.

Cuanto mayor sea el valor de VG mayor ser la polarizacin inversa de ambas uniones y por tanto mayor
ser el ancho de la zona de carga de espacio asociada y menor ser el area disponible para conducir.

|IB2|

VG

VB2
Problema 4

Sea el sistema MOS de la figura, donde el semiconductor es Si tipo P (con =1 .cm) y

no hay cargas en el xido:

VG
Metal

P-type Si SiO2

Metal

Se pide:
a) Calcule la tensin umbral.
b) Calcule el potencial de superficie en funcin de VG. En particular especifique
los valores tomados por el potencial de superficie cuando VG=0V y VG=1V.
Datos: ni= 1.5 1010 cm-3, Eg=1.1 eV, VT=0.025V (300K), Si = 4.15 eV, m= 6 eV,
ox= 3.9, o= 8.85 10-14 F/cm, Xox= 1000 , p= 350 cm2/Vs.

Solucin:
Para simplificar comenzaremos suponiendo que el condensador MOS en equilibrio (VG=0) se encuentra
en la condicin de bandas planas:

Diagrama de bandas de la estructura suponiendo bandas planas para

Vg=0 V:

EC

EF EF

EV

Si a esta estructura le aplicamos una tensin VG entre puerta y sustrato, parte de esta tensin caer en el
xido y el resto en el sustrato:

VG = VOX + VSC
Aplicando la ley de Gauss se obtiene la caida de tensin en el oxido:Vox:

E (x ) Q
= E Si = B
x Si Si Q
E ox = E Si = B
ox ox
E Si Si = Eox ox

Como el campo elctrico es constante en el xido debido a la ausencia de cargas en el mismo

V = E (x )dx
x

QB xox
Vox =
ox

Entonces:

QB
VG = + Vsc
Cox
En el margen de tensiones VG entre bandas planas e inversin, la carga en el semiconductor corresponde a
la de la zona de carga de espacio que aparece en la proximidad del interfaz con el xido.

La profundidad de esta zce depende de la cada de tensin en el semiconductor (Vsc) y su densidad de

carga es (-q Na) entonces:

2 Si 1
Q B = q Na Vsc = q Na 2 Si Vsc
q Na
Con lo que

1
Vox = q Na 2Si Vsc
Cox

Para simplificar podemos definir el parmetro A

1
A= q Na 2 Si
Cox
A no depende de Vsc ni VG, entonces

Vox = A Vsc

VG = A Vsc + Vsc
Si ahora definimos una variable s de la siguiente manera:

s = Vsc
La ecuacin queda:

VG = A s + s 2 s 2 + A s VG = 0
 Que es una simple ecuacin cuadrtica que relaciona s con VG cuyas soluciones son:

2
A A
s = + VG
2 2

Qu signo se debe elegir para la raiz?

Como hemos partido de un condensador que en equilibrio tiene bandas planas, si

VG=0 => Vsc ha de ser 0 y por tanto tambin s.

Slo una de las soluciones cumple esta condicin:

2
A A
s = + + VG
2 2
Entonces

A2 A2
Vsc = s 2 = + VG A + VG
2 2

Si para VG=0 en nuestro condensador no hubiera bandas planas la ecuacin anterior es vlida si VG se
sustituye por Vg-Vfb, donde Vfb es la tensin de puerta substrato necesaria para obtener la situacin de
bandas planas.

En general:

Qox Qi
Vfb = ms
Cox Cox

Como en este problema Qox=Qi=0, slo tenemos que calcular ms.

Clculo de ms:

EO EO

Si=4,15eV

m = 6eV EC
Eg/2=1,1/2=0,55eV
EFi
Eg=1,1eV
EF
EV
EFm

Na
B = VT ln
ni
Como la resistividad del substrato es

1
=1=
q p Na

y p=350 cm2/Vs

Entonces:

1
Na = 19
= 1,78 1016 cm 3
1,6 10 35

Con lo que

1,78 1016
B = 0,025 ln = 0,35 eV
1,5 1010

ms = m s = 6 (4,15 + 0,55 + 0,35) = 0,95eV Vfb = 0,95V

Entonces

2
A2 A
Vsc = + (VG 0,95) A + (VG 0,95)
2 2

Esta relacin es vlida mientras estamos en rgimen de vaciamiento.

A partir de la creacin del canal (inversin) Vsc los incrementos de carga en el semiconductor aparecen
en el canal en una capa muy delgada en la superficie en contacto con el xido.

Si aproximamos la distribucin de carga en cada punto del canal por una delta de carga entonces Vsc no
variar y los incrementos de VG caern en el xido.

Clculo de VT

QB
VT = Vfb 2 B
Cox

ox 3,9 8,85 10 14
Cox = = 8
= 34,5 nF / cm 2
xox 1000 10

QB = 2 q Si N A 2 B =
= 2 1,6 10 19 11,7 8,85 10 14 1,78 1016 2 0,35 = 64 nC
 64
VT = 0,95 + 0,7 + = 3,5V
34,5

Para VG<Vfb (acumulacin) las cargas (huecos) se acumulan cerca del xido => la tensin en el s.c. vara
poco.

Nota: En realidad la distribucin de carga en la superficie del semiconductor, en acumulacin y en

inversin, no es una delta, sino ms bien exponencial en una profundidad muy pequea pero no nula y s
que hay cierta variacin de Vsc en estos casos.

La mxima variacin de Vsc que se obtiene en la mayora de casos prcticos es aproximadamente del
orden de |Eg/2 - B|, en el condensador de este problema: 0,2V.

Casos:

a) Para VG=0 <Vfb => acumulacin => Vsc0

b) Para VG=1 => Vfb<VG<VT => vaciamiento

En el caso b:

A2 A2
Vsc = + (1 0,95) A + (1 0,95)
2 2
con

1
A= q Na 2 =
C ox
1
= 9
1,6 10 19 1,78 1016 2 11.7 8,85 10 14 = 2,22
34,5 10

2,22 2
Vsc = + 0,05 2,22 1,112 + 0,05 = 2,97 10 4 V
2
Problema 6

Sea un transistor nMOS que tiene los siguientes parmetros:

Substrato: Na = 1016 cm-3, r =11.9, n =1000 cm2/Vs, ni = 1.45 1010 cm-3.

xido: r=3.9, tox =300 .
Puerta: Polisilicio N+, L= 1m, W = 5m.
Constantes: q=1.6 10-19 C, o =8.85 10-14 F/cm, Eg=1.12 eV, kT/q=0.025V.

Se pide:
a) Calcular la tensin umbral suponiendo que no hay cargas en el xido.
b) Calcular la variacin en la tensin umbral al pasar la temperatura de 300 K a
400 K

Solucin:
a)Para calcular la tensin umbral de un condensador MOS sin cargas en el xido, usamos la relacin.

QB
VT = ms 2 B
Cox

Clculo de ms=
m-
s
Como la puerta es de polisilicio, el diagrama de bandas coincide con el del silicio. Al estar ste
fuertemente dopado tipo N, el nivel de Fermi se encuentra muy cerca de la banda de conduccin.

Dado que no se proporciona el valor del dopado aproximaremos que EF=EC (el nivel de Fermi coincide
con el comienzo de la banda de conduccin)

El diagrama de bandas queda entonces

m s

EC=EF EC

s-m

EV

B
Entonces:

Eg
m s = + B
2

Na
B = VT ln = 0,336 eV
ni

1,1
ms = + 0,336 = 0,886 eV
2

QB = q Na 2S 2 B =

= 1,6 10 19 1016 2 11.9 8,85 10 14 2 0,336 = 1,5 10 7 C / cm

rox O 3,45 10 13
Cox = = = 1,15 10 7 F / cm 2
xox 3 10 6
Con lo que

QB
= 1,3V
Cox
y

QB
VT = ms 2 B = 0,886 + 2 0,336 + 1,3 = 1,09 V
Cox

b) Variacin de VT con la temperatura.

En la frmula de la tensin umbral

QB
VT = m s 2 B
Cox

m:
Como la puerta es de Polisilicio fuertemente dopado tipo N, el nivel de Fermi estar situado muy cerca de
EC. Para temperaturas normales no variar apreciablemente con T. Recordar que cuando el nivel de Fermi
est cerca de las bandas de valencia o conduccin, la distribucin de portadores se debe calcular a travs
de la distribucin de Fermi y no se puede aproximar por la de Boltzman.

s:
Eg
s = s + + B
2

donde s y Eg prcticamente no varan con la temperatura.

Pero:

kT Na
B = ln
q ni
B:

La dependencia con T de B viene dada por la frmula anterior.

QB:

QB = 2S q Na 2 B = 2S q Na B

Donde la primera raz tiene una dependencia despreciable con T

Cox:
ox
Cox =
x ox

Prcticamente no vara con T.

As pues:

dVT
dT
d
dT
d
S 2 B
dT
4S q Na d
Cox dT
( )
B

d S d
B
dT dT

dVT
dT
d
= 3 B
dT
4S q Na d
Cox dT
( ) B

Y por tanto:

VT (400 K ) VT (300 K ) = 3( B (400 K ) B (300 K ))

4S q Na
Cox
( B 400 K B 300 K )

Clculo de B a 400K:

k T Na
B = ln
q ni

ni, es proporcional a T3/2 exp(-Eg/2kT)

Entonces

3
ni (400 K ) 4 2 2 kT
Eg Eg
+

= e
400 K 2 kT 300 K

ni (300 K ) 3

Con Eg=1,1eV

kT(T=300K)=0,025eV
kT(T=400K)=0,033eV

de lo que resulta:

ni (400 K )
= 319
ni (300 K )

y como ni(T=300K)=1,451010 cm-3 => ni(T=400K) = 4,6210 12 cm-3

1016
B = 0,033 ln = 0,253V
400 K
4,62 1012

El incremento de VT entre 300 y 400K es:

VT (400 K ) VT (300 K ) = 3 B (400 K ) B (300 K )

4S q Na
Cox
( B (400 ) )
B (400 K )

4S q Na 4 11,9 8,85 10 14 1,6 10 19 1016

= = 0,714
Cox 1,15 10 7

(
VT (400 K ) VT (300 K ) = 3( 0,253 + 0,336 ) 0,714 0,253 0,336 = 0,194V )
Resultando:

VT (400 K ) = 1,09 0,194 = 0,895V

Problema 8

Sea el sistema MOS de la figura:

VG
Poly N+

P-type Si
SiO2
Na=5 1016 cm-3

Metal

Se pide:
a) Calcular la cada de potencial en el xido y en el semiconductor en la frontera
de fuerte inversin (momento en que se considera formado el canal)
b) Calcule la tensin umbral VTO en ausencia de cargas en el xido.

Sugerencia: al estar el contacto de puerta realizado mediante polisilicio N+ considere que el nivel de
Fermi en el polisilicio coincide con EC. La afinidad electrnica en el polisilicio es la misma que en el
Silicio.
Datos: ni= 1.5 1010 cm-3, Eg=1.1 eV, VT=0.025V (a 300K), Si = 11.2, Si = 4.15 eV,
ox= 3.9 , o= 8.85 10-14 F/cm, q = 1.6 10-19 C, tox = 750 .

Solucin:

a) A partir de la situacin de bandas planas, la tensin que se aplica entre la puerta y el sustrato de un
condensador MOS se reparte entre la tensin que cae en el xido y la que cae en el semiconductor.

La frontera con fuerte inversin (aparicin del canal) se define cuando S, en la superficie del
semiconductor es igual y de signo contrario a B en lo profundo del substrato.

EC

EFI

EF
S EV

Siendo la cada de tensin en el semiconductor en estas condiciones: -2B

Por otro lado, aplicando la ley de Gauss se obtiene (ver problema 1) que la cada de tensin en el xido
es:

QB
Vox =
Cox

En la frontera de fuerte inversin el canal est justamente acabado de formar por lo que toda la carga en el
semiconductor se debe a la carga de la zona de vaciamiento.

+ para substrato tipo N

QB = q N B WZCE
- para substrato tipo P

La anchura de la zona de carga de espacio en el substrato tipo P se puede obtener usando el dopado de esa
zona y la cada de tensin en el semiconductor igual que se calculara en una zona de unin P-N:

La profundidad de la z.c.e. viene dada por la ecuacin:

2Si 1
W ZCEp = caida de tensin en esa zona
q Na

La cada de tensin en el umbral de fuerte inversin es -2B as pues:

Q B = 2Si q Na 2 B
Entonces:

QB
VG = VT = Vox + Vsc = 2 B
Cox

Si para VG=0 la estructura no est en situacin de bandas planas, se puede separar el problema en 2 pasos:

1) Cul es la tensin que se debe aplicar a la puerta para alcanzar el estado de bandas planas (Vfb) 2) el
incremento de VG que se debe aplicar a partir de bandas planas para alcanzar el umbral de fuerte
inversin.

En situacin de Bandas planas no hay campos elctricos en la estructura.

Si Vfb 0, para VG Vfb las frmulas anteriores son vlidas con solo sustituir VG por VG Vfb:

QB
VG Vfb = 2 B
Cox

Siendo Vox Vsc

Qox Qi
Vfb = ms
Cox Cox
En este caso:

Na 5 1016
B = VT ln = 0,025 ln = 0,375V
ni 1,5 1010

Con lo que el umbral de fuerte inversin:

Vsc = 2 B = 0,75V

La cada de tensin en el xido se puede obtener de

QB 2Si q Na 2 B
Vox = =
Cox ox
x ox

2 11,2 8,85 10 14 1,6 10 19 5 1016 0,75

Vox = = 3,16V
3,9 8,85 10 14
10 5
b) VTO:
VTO es la tensin que hay que aplicar a la puerta para alcanzar la fuerte inversin.

QB
VTO Vfb = . 2 B =
Cox
= 0,75 + 3,16 = 3,91V

VTO = Vfb + 3,91

donde Vfb = m-s, dado que Qox=Qi=0

ms:

EO EO

m
S S

EC=EFM EC
EFi
B
EF
EV EV
Dado que la puerta es de polisilicio (con el diagrama de bandas del silicio), fuertemente dopado con
impurezas tipo N, el nivel de Fermi se encuentra muy cerca de la banda de conduccin y en el enunciado
nos indican que debemos usar EFM=EC

Entonces, como se ve en la figura s es la suma de la electroafinidad s ms la distancia entre el nivel de

Fermi intrnseco aproximadamente Eg/2 + la distancia entre EF y EFi s decir, |B|

Entonces:

Eg
ms = S S + + B = 0,55 0,375 = 0,925
2
Resultando:

VTO = Vfb + 3,91 = 0,925 + 3,91 = 2,985V

Problema 14

En un material dopado tipo N coexisten varios mecanismos de recombinacin de forma

simultnea:Recombinacin radiativa caracterizada por una constante de tiempo 1 = 10-
7s. Recombinacin Shockley-Read-Hall caracterizada por una constante de tiempo =
2
10-7s. Recombinacin Auger caracterizada por una constante de tiempo 3=10-6 s.
a) Es posible caracterizar la recombinacin global a travs de una nica
constante de tiempo?. Si es as de que valor?
b) Dar un valor para la eficiencia cuntica de emisin definida como la fraccin
de recombinaciones radiativas sobre el total de recombinaciones.
c) Como influira un incremento del dopado en cada una de las constantes de
tiempo asociadas a los distintos mecanismos de recombinacin?
d) En el material en cuestin y en t=0 se crea un exceso uniforme de minoritarios
n= 1017cm-3. Cunto valdr dicho exceso al cabo de 0.1 s.

Solucin:

a) Todos las recombinaciones son aditivas entre ellas y por tanto

UTOTAL= Ui

La recombinacin total es la suma de las recombinaciones debidas a cada uno de los mecanismos que las
originan.

Por otra parte la recombinacin debida a cada uno de los mecanismos es directamente proporcional al
exceso de portadores minoritarios, as:

Ui n

La constante de proporcionalidad distinta para cada mecanismo tiene unidades de s-1 y por tanto

Ui = n/i

Siendo i el tiempo de vida asociado al mecanismo de recombinacin i-simo.

Por tanto en el caso que nos ocupa:

1 1 1 1
= 7 + 7 + 6 = 2,1 10 7 s 1
10 10 10
 1
= s 0,45 10 7 s
2,1 10 7

b) Si definimos como dice el enunciado la eficiencia cuntica de emisin como la fraccin de

recombinaciones radiativas sobre el total de recombinaciones, podemos escribir

n
R
= =
n n n
+ +
R SRH AUGER
1
R
= =
1 1 1
+ +
R SRH AUGER
1
7
= 10 = 0,45
1
0,45 10 7

c) En las lineas generales un aumento del dopado tiende a aumentar la recombinacin debida a cualquier
mecanismo y por tanto a disminuir los tiempos de vida asociados a cada uno de ellos.

Para ms detalle recomendamos:

http://ece-www.colorado.edu/~bart/book.htm en sus apartados 2.11.1, 2.11.2, 2.11.3, 2.11.4 y

2.11.5

(Direccin web operativa a 23-4-02)

d) Si suponemos que en t=0 se crea instantaneamente un exceso de portadores

n=1017cm-3 podemos pensar que a lo largo del tiempo estos portadores se irn recombinando tendiendo a
desaparecer.

La evolucin temporal de dicho exceso vendr determinada por la ecaucin de continuidad

dn n
=
dt TOTAL

Con la condicin inicial n(t=0) = 1017 cm-3

La solucin de la ecuacin diferencial es:

t

n(t ) = n(0)e TOTAL

Por lo tanto al cabo de 0,1s

10 7

( )

6 3 0 , 4510 7
n 0,1 10 s = 10 cm e 17
= 10,83 1015 cm 3
Problema 16

Se desea disear un fotodiodo P+N-N+ en donde el grosor de las zonas P+ y N+ sea

despreciable frente al de la zona N-. Como objetivo de diseo se pretende que en las
condiciones de operacin la zona de carga de espacio se extienda por toda la zona N-.
a) Justifique en 5 lneas la pertinencia de dicho objetivo.
b) Calcule el grosor de dicha zona N- para que una iluminacin de = 620 nm
(rojo) sea absorbida en un 85% suponiendo nulo el coeficiente de reflexin.
c) Calcule el dopado necesario de la zona N- para que el objetivo perseguido se
cumpla bajo una polarizacin de 10 V.
d) Cuanto vale la capacidad equivalente del fotodiodo en estas condiciones de
polarizacin. Suponiendo que la seal del fotodiodo ataca una carga de 50
discuta las limitaciones frecuenciales del detector.
e) Para qu longitudes de onda la eficiencia cuntica bajar por debajo del 10%.?
Sugerencia: busque en alguna referencia bibliogrfica el coeficiente de absorcin
del Silicio en funcin de la longitud de onda de la luz incidente

Datos: h = 6.62 10-34 J s; c = 3 1010 cm /s, 0 = 8.85 10-14 F/cm ; r =12

q = 1.6 10-19 C

Solucin:

a) En un fotodiodo es conveniente que la generacin se efecte en la zona de carga de espacio. Una

opcin es conseguir que esta zona sea la ms ancha posible esto es as por varios motivos:

1- El campo elctrico existente hace que la coleccin de los portadores generados sea ms
eficiente.
2- La velocidad con que los portadores son arrastrados es mayor debido al arrastre provocado por
el campo elctrico.
3- La capacidad asociada a la zona de transicin y que es dominante en un diodo polarizado en
inversa es inversamente proporcional al ancho de la zona de carga de espacio.

b) Si el objetivo es que la = 620nm sea absorbida en un 85% se tiene que cumplir

(x ) = o e x

Siendo o el flujo de fotones incidentes y el coeficiente de absorcin.

Por tanto

o e W = 0,15 o
Siendo W el grosor de la zona N- (Hemos supuesto que el ancho de N+ y P+ es despreciable).

W = ln 0,15
1
W = ln 0,15

El coeficiente de absorcin depende del semiconductor en cuestin, en este caso Si, y de la longitud de
onda.

Para obtener el valor de (620nm) para el Si consultar:

http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/Figs/145.gif

Como recomendacin sugerimos que naveguen por la web del Ioofe institute de gran inters.

La grfica viene dada en funcin de h y por tanto la energa de un fotn expresada en eV:

1,24
Ef = = 2eV
(m )

(s) para 2eV a 300K 5 103 cm-1

Por tanto:

1
W = ln 0,15 = 3,79 10 4 cm
5 10 3

c) El enunciado se refiere a calcular el valor de la polarizacin necesario para conseguir que la anchura
de la zona de carga de espacio en el lado menos dopado de la unin sea 0,32m.

En una unin asimtrica en ancho de la zona de carga de espacio coincide con el ancho correspondiente al
lado menos dopado de la unin.

2 1
WZCE = (Vbi V )
q N

Como previsiblemente |V|>>Vbi y por otra parte sabemos que la tensin aplicada es negativa.

2 1 2 1
WZCE = V N= 2
V
q N q W ZCE

2 12 8,85 10 14 10 2 12 8,85
N= = = 9 1014 cm 3
1,6 10 19
(3,79 10 )
4 2 1,6 (3,79 )
2

d) Por estar el diodo polarizado en inversa la capacidad dominante es la asociada a la zona de transmisin
y por tanto

12 8,85 10 14
Cj = = 4
= 28 10 10 = 2,8 nF / cm 2
WZCE 3,79 10
Para un clculo preciso de la capacidad es necesario conocer el rea del dispositivo.

IG RL
RL IG Cj

La existencia de esta capacidad introduce un comportamiento paso bajo con frecuencia de corte
determinada por el producto Cj RL (tener en cuenta que para realizar el clculo es necesario conocer el
rea del dispositivo)

e) Si queremos saber para qu longitudes de onda la eficiencia cuntica bajar por debajo del 10%
debemos proceder como en el apartado b)

o e W > 0,9 o
W > ln 0,9

Y por tanto:

1
< ln 0,9
W

Como el valor de W ya ha sido fijado anteriormente a 0,32m nos queda

< 278 cm 1

Volviendo a consultar los valores de (h)

h 1,5eV 0,85m
Problema 18

Sea un fotodiodo P+N-N+. El dopado residual de la zona N- es de 1014 cm-3 . La anchura

de la zona N- es de 50 m . El dopado de la zona P+ es de 1019 cm-3, = 10-12 F/cm
Se pide :
a) A que tensin sera conveniente polarizarlo si deseamos que la zona de carga de
espacio se extienda por toda la zona dbilmente dopada
b) Que capacidad presenta el fotodiodo en estas condiciones si el rea es de 500
m2.

Solucin:

a) Este problema es muy similar al anterior.

En el apartado a) se trata de conseguir que toda la zona N- se convierta en zona de carga de espacio para
ello.

2 1
WZCE = (Vbi V )
q N
Recordando que la polarizacin ser inversa y que |V| >> Vbi tenemos

V=
2
WZCE qN
=
( )2
50 10 4 1,6 10 19 1014
= 200V
2 2 10 12

b) La capacidad que presenta si el area es de 500m2

A 10 12 500 10 8
Cj = = = 1 fF
WZCE 50 10 4
Problema 21

Sea un diodo de heterounin que se quiere utilizar como LED.

Zona N: Dopado 1018cm-3 .Grosor 1 m. Material Ga0.8Al0.2As. Ancho de banda prohibida 1.6 eV

Zona P: Dopado 1017cm-3 .Grosor 5 m. Material GaAs. Ancho de banda prohibida 1.4 eV

a) Donde tendr lugar de forma predominante la recombinacin radiativa

b) Cuanto vale la potencia de luz emitida por unidad de superficie si la tensin
de polarizacin es de 1 V.? Tener en cuenta la existencia de dos contactos
hmicos en los extremos
c) Calcular un valor aproximado del rendimiento definido como Potencia ptica
emitida/Potencia consumida. Justifique las aproximaciones realizadas.
d) Comente el resultado obtenido en el apartado anterior.

Datos: kT/q= 0.025 V (300 K); ni(GaAs) = 10 7 cm-3 ni(GaAlAs x=0.2) = 105 cm-3; Ln=Lp = 10
m; n= 1s; p=2s

Solucin:

a) Los excesos de portadores minoritarios en cada zona son proporcionales a ni2/N. Siendo ni la densidad
intrnseca de portadores del material y N el dopado.

Por un lado, la zona P est menos dopada que la N. Adems el material del lado P tiene una ni muy
superior a la del material del lado N.

En consecuencia los excesos de minoritarios en los lados de la zona de carga de espacio de la unin sern
mucho mayores en el lado P.

Adems, la zona N es ms corta que la P (1 y 5 micras respectivamente) y como la longitud de difucin

en ambas zonas es de 10 micras, por ello la proporcin de portadores inyectados que se recombinan ser
mayor en la zona P que en la zona N.

As pues habr una recombinacin muy superior en la zona P que en la zona N y ser en la zona P donde
se producir la mayor parte de la luz emitida por el dispositivo.

La existencia de los contactos hmicos en los extremos impone una velocidad de recombinacin muy
elevada en esas posiciones. De este modo la condicin de contorno ser que los excesos de portadores
sern nulos en los extremos.
 El diagrama de bandas de la estructura en equilibrio es:

GaAs
Ec
GaAlAs
Eg=1,4eV
-0,025ln(1017/107) = -
0,576(ev)
EF
EV
0,025ln(1018/105)=0,748(eV)
EFI
P N
Eg=1,6eV

ni1=107cm-3 ni2=105cm-3
NA=1017 ND=1018

Las concentraciones de minoritarios en cada zona se pueden calcular como

Zona P: npo=ni12/NA=10-3 (equilibrio)

Zona N: pno=ni22/ND=10-8(equilibrio)

Las concentraciones de minoritarios en los extremos de la zona de carga de espacio son:

n(w1) x
x p(w2)

pno

w1 w2

ZONA P ZONA N

n(w1 ) = n po e (cm )
V 1
Vt
= 10 3 e 0 , 025
= 2,35 1014 3

p(w2 ) = p no e (cm )
V 1
Vt
= 10 8 e 0 , 025
= 2.35 10 9 3

b) Para calcular la potencia de la luz emitida necesitamos conocer los perfiles de minoritarios en exceso.
Las condiciones de contorno son:
 - El exceso de portdores en W1 y W2
- El exceso de portadores en los contactos hmicos = 0 (nos lo imponen los contactos hmicos)

El grosor de la zona N es de 1 micra y la longitud de difusin de los huecos en ella es Lp=10m por lo
tanto podemos tratarla como zona corta.

El grosor de la zona activa P es de 5 micras y la longitud de difusin de los minoritarios (electrones) en

ella es Ln=10m.

El error que se comete si se aproxima la zona P como zona corta es pequeo (ver Nota) y simplifica
fuertemente los clculos.

Con la aproximacin de zonas cortas el perfil de minoritarios en cada zona es lineal.

n(w1) p(w2)

Q1 Q2
npo
pno

w1 w2
ZONA P ZONA N

Recombinacin:
Tomando la ecuacin de continuidad en rgimen permanente (por ejemplo en la zona P)

n = 0 = [Geneacin(x ) Re combinacin] +
1 d
Jn
t q dx

La recombinacin debido al exceso de minoritarios es:

n( p)/minoritarios
Y la generacin neta (descontando la de equilibrio es nula)
As pues la ecuacin de continuidad en la zona P resulta:

n 1 d
0= + Jn
n q dx
o sea:

1 d n
Jn =
q dx n

El significado de n(x)/n es la recombinacin por unidad de volmen en la posicin x. La corriente de

recombinacin en toda la zona P se obtiene integrando la recombinacin en esa zona:

x = w1 d n q
Jrec = extremo Jn dx = J n (w1 ) J n (extremo) = q dx = n dx
n n zona P
zona
(contacto) dx
El significado fsico de la expresin anterior es el siguiente: La diferencia de corrientes entre extremos
(diferencia en el flujo de electrones) es debida a la recombinacin, dicho de otra manera: La corriente de
recombinacin es la diferencia entre la corriente de electrones que entra y la que sale.
Dado que la aproximacin de zona corta implica una distribucin lineal de portadores en exceso con n(x
contacto) = 0

Entonces
n(w1)

zona P
n dx = area triangulo

Grosor Zona P

Entonces la corriente de recombinacin en el lado P es:

V
q n po e Vt w p 1,6 10 19 2,35 1014 5 10 4 A
Jrec p = = = 9,4 10 3 2
n 2 10 6 2 cm

Anlogamente la corriente de recombinacin en el lado N es:

V
q p no e Vt wn 1,6 10 19 2,35 10 9 10 4 A
Jrec N = = = 9,4 10 9 2
p 2 2 10 6 2 cm

A la vista de estos resultados la recombinacin en el lado P es muchos rdenes de magnitud superior a la

del lado N y por tanto la emisin predominante de la luz se producir en el lado P, de acuerdo con nuestro
razonamiento inicial.

Si suponemos que todas las recombinaciones son radiativas, el valor de la potencia ptica producida en el
diodo se puede calcular sencillamente multiplicando el n de fotones generados por unidad de tiempo por
la energa de los fotones: la del bandgap.

n fotones
Potencia Optica unidad de t
= E fotn
Superficie sup

Donde:

n de fotones generados n de pares e h + que se recombinan

=
unidad de t segundo
 n fotones
unidad de t Jrec 9,4 10 3 fotones
= = = 5,875 1016
sup q 1,6 10 19 s

Efotn=Egap=1,4eV=1,4x1,6x10-19 Julios

La densidad de potencia ptica es:

Potencia ptica 1,41,610-195,8751016=13,16mW/cm2

=
sup

La emisin de luz en la zona N es despreciable frente a la de la zona P

c) La potencia elctrica que se suministra al dispositivo es 1.V. Con 1 Voltio de polarizacin podemos
esperar:

d d
J 1Voltio = q Dn n + q Dp p 1Volt
dx dx
Zona P Zona N

donde:

Dn =
Ln 2 (10 m )
= =
10 3 cm
2
( )2

=1
cm 2
n 1s 10 6 s s

Dp =
Lp 2
=
(
10 3 cm
= 0,
)
2

5
cm 2
p 2 10 6 s s

n po (x = w1 ) 2,35 1014
d
dx
n
wp
=
5 10 4
= 4,7 1017 (cm ) 4

p (w ) 2,35 10 9
d
dx
p no 2 =
wn 10 4
= 2,35 1013 (cm ) 4

Con lo que aproximadamente:

d
Potencia elctrica Jn 1Voltio = q Dn n 1Volt = 1,6 10 19 1 4,7 1017 = 75,2 mW
dx Zona P cm 2
Y el rendimiento de conversin de energa:
 Poptica 13,16
= = = 17,5%
Pelectrica 75,2

d) Este valor de rendimiento relativamente bajo se debe a que solo una parte pequea de los portadores
inyectados en la zona activa se recombinan en ella. Esto a su vez se debe a que es una zona corta en
relacin a la longitud de difusin de los minoritarios en la zona activa. La mayor parte de los electrones
inyectados en la zona P llegan al contacto hmico donde se recombinan sin producir emisin de luz.

Nota:
La solucin exacta del perfil de minoritarios en la zona P (siendo x=0 la posicin del contacto y w1 la
posicin del borde de la zona de carga de espacio de la unin) es:

x x Lp
Lp
e
n p (x ) = n p (w1 )
e
w1

w1
(0 x w1 )
e Ln
e Ln

Siendo Ln1 la longitud de difusin de los electrones en esa zona.

Integrando esta expresin en la zona neutra P obtenemos el exceso total de minoritarios en la zona activa.

e w1 Ln e w1 Ln 2
+
f 1 = n p (x ) dx = n p (w1 ) Ln
w1

w1 w
0 1
e Ln e Ln
La aproximacin de zona corta implica suponer una distribucin lineal de minoritarios:
La integral de los minoritarios en exceso en esta aproximacin es:

n p (x ) = n p (w1 )
x
w1
1
n p (w1 )w1
w1
f 2 = n p dx =
0 2

Comparando ambas expresiones para diferentes valores de w1/Ln se tiene:

w1/Ln Error=(f2-f1)/f1

0,1 8,3210-4
0,3 7,4310-3
0,5 210-2
0,7 3,8910-2
1 7,5710-2
1,2 0,1
1,5 0,15
1,8 0,2
De esta tabla se deduce que la aproximacin de zona corta da lugar a errores pequeos al calcular el
exceso de portadores incluso si w1=Lp, donde se comete un error del 7,57%. De hecho en este problema
w1=Lp/2 y el error que se comete es solamente del 2%
Problema 22

Sea la estructura siguiente:

-2 m Al 0.4 Ga 0.6 As tipo P ( 10 18 cm-3).
-0.2 m GaAs tipo P ( 10 18 cm-3)
-2 m Al 0.4 Ga 0.6 As tipo N ( 1018 cm-3)

GaAs ; Afinidad electrnica 4.1 ev.; Gap 1.4 ev. Concentracin intrnseca 210 6 cm-3; Densidad
efectiva de estados en la banda de conduccin 4.71017 cm-3; Densidad efectiva de estados en la
18
banda de valencia 10 cm-3. Tiempo de vida de los minoritarios (electrones): 2ns. Longitud de
difusin de los electrones 1m.
2
Al 0.4 Ga 0.6 As;Afinidad electrnica 3.6 ev.; Gap 1.9 ev. Concentracin intrnseca 2 10 cm-3;
17
Densidad efectiva de estados en la banda de conduccin 4.710 cm-3; Densidad efectiva de
18
estados en la banda de valencia 10 cm-3.

a)-Evale de forma aproximada la tensin que se le debe aplicar para que se

produzca emisin LASER.
b)- Calcule de forma aproximada la densidad de corriente que circula para la
polarizacin calculada en el apartado anterior, suponiendo que para valores de
corriente justo por debajo de la corriente umbral todas las recombinaciones son
espontneas. Suponga una velocidad de recombinacin nula en la interficie de la
heterounin confinante. Razone todas las aproximaciones que haga.

---------------------------------------------------------------------------------------------------

Solucin:

a) Para estimar la polarizacin necesaria para que se produzca la emisin lser debemos representar el
diagrama de bandas de la estructura, ver cual es la zona activa y que condiciones se requieren para la
emisin laser.

Material 1:

1=3,6eV
Na=1018 1018
Ni=2102 B1 =
kT Na
ln = 0,025 ln = 0,9 (V )
q ni 2 10 2
Eg=1,9eV
 Material 2:

2=4,1eV
Na=1018 1018
Ni=2106 B2 =
kT Na
ln = 0,025 ln = 0,673 (V )
q ni 2 10 6
Eg=1,4eV

Material 3:

3=3,6eV
Nd=1018
Ni=2102 B2 =
kT Nd
ln = 0,9 (V )
q ni
Eg=1,4eV

Los diagramas de bandas de los materiales por separado son:

Eo
Eo Eo

3,6(eV)
3,6(eV) 4,1(eV) 3=3,65(eV)
0,05(eV)
1=5,45(eV) 2=5,473(eV)
Ec Ec
Ec EF
1,9(eV)
1,4(eV) 0,9(eV)
EFI EFI EFI
0,9(eV)
0,673(eV) 1,9(eV)
EF EF
EV
EV
EV
1,823(eV)
0,05(eV) 0,9023(eV) 0,027(eV)
Al soldar los diferentes materiales, cuando se alcance el equlibrio trmico, el nivel de Fermi ser
constante en toda la estructura y el diagrama de bandas resultante ser:

Eo

EC
0,5eV

EF
EV

MATERIAL 1 MATERIAL 2 MATERIAL 3

(P) (P) (N)

Como se ve en el diagrama de bandas, la unin P-N se forma entre el material 2 y el 3. Sin embargo, la
barrera que ven los huecos para pasar del material 2 al 3 es netamente mayor que la que ven los electrones
para pasar del material 3 al 2. Esto ser asi incluso cuando apliquemos una polarizacin directa. En este
caso las barreras de potencial en la unin se reducen, pero lo hacen en la misma cantidad y por tanto
siempre ser mayor la barrera vista por los huecos.

Una vez en el material 2, los electrones encuentran una barrera de potencial (creada por el contacto entre
los materiales 1 y 2)

Por tanto en condiciones de polarizacin directa de la unin en la regin 2 tendremos a la vez altas
densidades de huecos y de electrones: ser la zona activa.

El diagrama de bandas en polarizacin directa ser:

Ec

EFN EFP

EV
Sabemos que para que se produzca la emisin Laser hace falta conseguir la inversin de la poblacin, de
forma que los cuasiniveles de Fermi de electrones y huecos estn por encima de EC y por debajo de EV,
respectivamente.

Para ello se ha de polarizar fuertemente en directa haciendo que el exceso de electrones en la zona activa
sea tan grande como haga falta.

Por otro lado, por neutralidad, un exceso de electrones en la zona activa vendr acompaado por un
exceso de huecos igual, que compense su carga elctrica.

De esta manera las concentraciones de huecos en la zona activa tembin aumentarn (haciendo que el
cuasinivel de Fermi de los huecos baje)

Como se ve en el diagrama de bandas, el nivel de Fermi en equilibrio est muy prximo a EV, por lo que
bajarlo anms har que se cumpla la condicin EFP<EV

Ec

EFN

EFP

Del razonamiento anterior se deduce que para poder tener emisin Lser se debe aplicar a la unin P-N
una polarizacin directa superior a (Eg en el material 2/q) para poder separar los cuasiniveles de Fermi lo
suficiente.

E g mat 2
Vdirecta = 1,4 Voltios
q

b) Estimacin de la densidad de corriente

Podemos tratar este diodo como una unin P-N normal encontrando los excesos de portadores a los lados
de la zona de carga de espacio, debidos a la polarizacin.

np(w1) x

npo

w1
x=0
(N)
MAT 1 (P) (Zona Activa)
MAT 1
MAT 2
 n po 2
ni
= 2 =
2 106
2
( )2
= 4 10 6 (cm 3 )
Na 1018

El exceso de electrones en x=w1, debido a la polarizacin ser:

V 1, 4
n p (w1 ) = n po 2 e VT 1 = 4 10 6 e 0, 025 1 = 8,367 1018 (cm )
3

En esta estructura, en x = 0, la condicin de contorno es que la velocidad de recombinacin es 0. Por

tanto, el perfil de la distribucin de electrones en la zona activa vendr determinado por la recombinacin
en esa zona.

Dado que la anchura de la zona activa es de 0,2m y la longitud de difusin de los electrones es de 1m.

Se puede decir que es una zona corta y podemos aproximar que la densidad de electrones en la zona
activa es constante:

np=8,3671018 cm-3

x=0 x = w1

Y la corriente de recombinacin ser igual a la carga total en exceso dividida por el teimpo de vida
medio.

La carga en exceso se calcula fcilmente:

x = w1
q n p dx = q w1 n p
x =0

Si despreciamos la anchura de las zonas de carga de espacio w10,2m entonces:

Q q w1 n p 1,6 10 19 0,2 10 4 8,367 1018

J= = = = 13387 A 2 13,4 kA 2
n n 2 10 9 cm cm
Problema 24

Suponga un LED de doble heterounin

-2 m Al 0.4 Ga 0.6 As tipo P ( 10 18 cm-3).
-0.2 m GaAs tipo P ( 5 1017 cm-3)
-2 m Al 0.4 Ga 0.6 As tipo N ( 10 18 cm-3)
a)Suponiendo una velocidad de recombinacin infinita en la interficie entre la
zona activa y la zona de confinamiento. Calcule el rendimiento definido como
Potencia ptica emitida/ Potencia elctrica consumida. Justifique las
aproximaciones que haga
b) Repita el clculo anterior pero ahora suponiendo velocidad de recombinacin
nula en la misma interficie. Justifique las aproximaciones que haga siendo
cuidadoso con su aplicabilidad. Comente el resultado obtenido.
Datos: GaAs ; Afinidad electrnica 4.1 ev.; Gap 1.4 ev. Concentracin intrnseca 2 106 cm-3; tn=2
ns; Ln= 2 m
Al 0.4 Ga0.6 As;Afinidad electrnica 3.6 ev.; Gap 1.9 ev. Concentracin intrnseca 2.102 cm-3;

Solucin:

a) Primero calculamos el diagrama de bandas de la estructura

Material 1

1=3,6 eV
Na=1018 cm-3
ni=2102 B1 =
kT Na
ln = 0,9 (V )
q ni
Eg=1,9 eV

Material 2

2 = 4,1 eV
Na = 51017 cm-3 kT 51017
ni=2106 B2 = ln = 0,656 (V )
q 2 10 6

Material 3

3=3,6 eV kT 1018
Nd=1018 B3 = ln = 0,9 (V )
ni= 2102
q 210 2
Los diagramas de bandas de los materiales son prcticamente los mismos que los del problema 22.

Eo

EC
0,5eV

EF
EV

MATERIAL 1 MATERIAL 2 MATERIAL 3

(P) (P) (N)

Encontramos de nuevo la estructura del problema 22 con la zona activa P en medio (de material 2) que
forma la unin P-N con la zona N de material 3.

Al otro lado de la zona activa est la zona de confinamiento (de material 1), tambien tipo P.

Para calcular la potencia ptica emitida y la corriente del diodo, comenzamos calculando la concentracin
de minoritarios en la zona activa en equilibrio y los minoritarios en exceso que aparecen debido a la
polarizacin del diodo.

n po =
2
ni mat 2
=
(2 10 )
6 2
= 8 10 6 (cm )
3

Na 5 1017

Al aplicar una tensi V de polarizacin directa de la unin, aparece en el borde de la zona de carga de
espacio un exceso de minoritarios: np(w1)

np(w1) x

V
n p (w1 ) = n po e Vt 1

npo

x=0 x = w1
MAT 2 MAT 3
(P) (N)
Si en x = 0 hay una velocidad de recombinacin infinita significa que el exceso de minoritarios ah es 0.

Dado que la zona activa es corta (0,2 micras, frente a la longitud de difusin de electrones de 2 micras),
podemos aproximar el perfil de minoritarios por una lnea recta:

x np(w1)
np(x)

npo
x

0 w1

El nmero de pares electrn-hueco que se recombinan en toda la zona activa se puede calcular como:

n p (x ) 1 n p (w1 ) w1 w1
n po e Vt 1
w1 V
0 n
dx =
n 2
=
n
Suponiendo que todas las recombinaciones son radiativas cada uno de estos pares que se recombinan
darn lugar a un fotn de energa igual a la del bandgap del material de la zona activa : Eg=1,4 eV

Por lo tanto, la potencia ptica generada por unidad de rea ser:

Eg w1
n po e Vt 1
V
Po =
n

La corriente de electrones de la unin se puede calcular en la zona activa como:

d
Jn = q Dn n
dx
Donde

Ln = Dn n Dn =
Ln 2 (2 m )
= =
2
(
2 10 4 cm )
2

=
20
cm 2

n 2 ns 2 ns s
Y

d n p (w1 )
n=
dx w1

Entonces:
 n po e Vt 1
V

Jn = q Dn
w1

Y la densidad de potencia elctrica consumida ser:

n po e Vt 1
V

Po = Jn V = q Dn V
w1
El rendimiento ser el cociente Po/Pe:

2
Eg w1 1 Ef w1 1
2
Po
= = =
Pe n q Dn V q Ln V

En este caso, como Ef=1,4 eV = > Ef/q=1,4

2
0,2 1
= 1,4
2 V
a) En el caso de velocidad de recombinacin nula en x=0 y dado que la zona activa es corta: w1=0,2 m
y Ln=2m, se puede aproximar que el perfil de portadores es constante en toda la zona activa:

np(x)

npo

x=0 x = w1

Con

2
ni mat 2
npo = = 8 10 6 cm 3
Na
Y

n p (x ) = n po e Vt 1
V (constante)

En este caso el nmero de pares electrn-hueco que se recombinan por unidad de tiempo en toda la zona
activa es:
n p (x ) w1
n po e Vt 1
w1 V
=
n n

Y la potencia ptica generada resulta (por unidad de rea):

n`po e Vt 1
Eg w1 V
Po=
n
La corriente elctrica ser aproximadamente la causada por la recombinacin en la zona activa e igual al
exceso total de minoritarios en la zona activa dividido por su tiempo de vida medio.

w1 n po e 1
V
Vt
w1 n p
J q =q
n n
Y la potencia elctrica consumida es:

w1 n po e Vt 1
V

Pe = J V = q V
n
Con lo que el rendimiento queda:

Po Eg
= =
Pe q V
Comentarios:

Como se puede ver en las expresiones anteriores, para pequeas tensiones de polarizacin V, las
eficiencias de conversin de energa son usperiores al 100%. Esto, desgraciadamente no es posible.

La razn es que si un electrn, en su movimiento por la estructura diera una vuelta completa ...

1) entrase por la banda de conduccin del material 3

2) llegase a la banda de conduccin del material 2 (Z. Activa)
3) se recombinase emitiendo 1 fotn de 1,4 eV y siguiera su camino
4) por la banda de valencia de los materiales 2 y 1 y volviese
5) a la banda de conduccin del Mat 3, a travs del circuito exterior con V = 0

Resultara que haba emitido 1,4 eV de energa.

Para que esto pudiera suceder en rgimen permanente el electrn debe obtener de nuevo esa energa en
cada ciclo.

De donde obtendra la energa? La suma de barreras de potencial del ciclo es 1,4 eV. El
electrn los supera por difusin, tomando energa de la red. La red a su vez, se enfra.

O sea, que para que un electrn realice un ciclo, con emisin de 1 fotn de 1,4 eV y dejemos la estructura
en las condiciones iniciales hemos de aportarle de alguna forma la energa del fotn emitido
(normalmente a travs de calentamiento elctrico o por absorcin de fotones o fonones) de manera que
una ecuacin razonable para la eficiencia sera:

Caso a:

w
E g 1
n
2
Eg w1
= =
(qV + E g ) Dnwn po Eg + qV Ln
1

Caso b:

Eg
=
E g + qV
Problema 25

Sea un diodo P+N. Sea el campo de ruptura Ecrit.

a) Encontrar la expresin de la tensin de ruptura del diodo en funcin del dopado
de la base.
b) Encontrar la resistividad de la zona N en funcin de la tensin de ruptura. Le
sugiere el valor encontrado algn comentario?
c) Intente encontrar una nueva expresin de la tensin de ruptura imponiendo la
condicin de avalancha, es decir que la integral del coeficiente de ionizacin en la
zona de carga de espacio sea igual a la unidad. Utilice para el coeficiente de
ionizacin la expresin, donde E es el campo elctrico expresado en V/cm:

i 1.8 10 35 E 7 / cm

Solucin:

a) En este apartado se hace una revisin de la electrosttica de la unin P+-N

La tensin de ruptura es aquella que provoca que el campo (en el punto donde toma su valor mximo)
alcance el campo crtico.

Sea VBR= tensin de ruptura (breakdown)

1
VBR = WZCE E crit
2

Siendo WZCE el ancho de la zona de carga de espacio.

Como la unin es asimtrica xn>>xp y xn WZCE

Recurdese que por neutralidad Na xp= ND xn

1
VBR = xn Ecrit
2
Por otra parte

ND 1
Ecrit = q xn xn = Ecrit
q ND
La tensin VBR es la tensin total soportada por la unin y por tanto VBR=Vbi-Vaplicada
1 1
VBR = Ecrit 2
2 q ND
 (x)
P+ N

qND
x

-qNa

E
xp xn
x

Recurdese que el origen de potencial es arbitrario.

VBR Vaplicada

En general para valores razonables del dopado |Vaplicada|>>Vbi y por tanto

Quedando como resultado final

1 1
VBR = Ecrit 2
2 q ND

b)

La resistividad

1
=
q n N D

Se trata de un material tipo N y por tanto la contribucin de los huecos es despreciable.

Por otra parte

1 1
VBR = Ecrit 2
2 q ND

Por tanto:

1 Ecrit 2
ND =
2 q VBR

Sustituyendo en la expresin de la resisitividad

1 2 V BR
= =
1 Ecrit 2 n Ecrit 2
q n
2 q VBR

Lo cual indica que la resistividad y |VBR| son directamente proporcionales

c)

El coeficiente de ionizacin depende fuertemente del campo elctrico e indica el nmero de portadores
que en promedio genera un portador por impacto.

Por tanto tendremos avalancha cuando

(x )dx = 1
WZCE
0

es funcin de E y a su vez E es funcin de x por tanto

x
E Emax 1
WZCE
y WZCE=xn
Estamos suponiendo que solo tenemos campo en la zona de carga espacial, lo cual es razonable a la vista
de la distancia.

x
E Emax 1
xn
Y por tanto

7
x
= 1,8 10 Emax 1 =
35 7

xn
35 7
=
1,810 Emax
7
[x 1]7
xn

1,8 10 35 Emax 7
(E )dx =
xn xn
0
7
7
x 1 dx
0 xn
35
1,8 10 Emax xn 7
= 7 (x 1) dx
7

xn 0

Como la tensin soportada

1
V= Emax xn
2
Sustituyendo

2V
Emax =
xn

1,8 10 35 2 7 V 7 xn
0 (E )dx = (x 1) dx
xn 7
14
xn 0

[ ]
35 7
1,8 10 2 VBR
7

= 14
(xn 1)8 1
8 xn

Cuando esta expresin sea igual a la unidad la tensin aplicada sera la tensin de ruptura.

1,8 10 35 2 7 VBR
[(xn 1) 1] = 1
7
8 xn14
VBR = 7
[ ]
8

8 xn14 2 7 1,8 10 35 (xn 1) 1

8
Problema 30

Sea el tiristor de la figura:

50 m 100 m 40 m 10 m

P1 N1 P2 N2
A K

Dopados: P1=1018 cm-3, P2=1017 cm-3, N2=1020 cm-3,.

Otros datos: q =1.6 10-19 C, =10-12 F/cm, Ecrtico=105 V/cm.

Se pide:
a) Calcule el valor de la tensin de ruptura en inversa del tiristor en funcin del
dopado de la zona N1.
b) Suponga en lo sucesivo que el dopado de la zona N1 es 1014 cm-3. Calcule el
valor de en el transistor P1N1P2. Datos: LpN1= 200 m, LnP1= 10 m, DpN1=5
cm2 /s , DnP1=25 cm2/s Tenga en cuenta en el clculo de la la recombinacin en
la zona N1.
c)-Qu es la off del tiristor?. Calclela. Datos: off=2/(1+2-1)), LnP2=80 m,
DpN2= 3 cm2/s, DnP2=20 cm2/s, LpN2=10 m

Solucin:
a) La ruptura en inversa en un tiristor puede venir provocada por dos mecanismos:

1) Ruptura de la unin P2N1 por alcanzarse en la unin el campo crtico de ruptura

2) Solapamiento de las zonas de carga de espacio correspondiente a las uniones P2N1 y
P1N1

En la prctica como la unin que soporta esencialmente la tensin aplicada es la P2N1, esto se traduce a
que el ancho de la zona de carga de espacio supere/iguale las dimensiones de la zona N1.

Recurdese que la polarizacin inversa de un tiristor se produce cuando la tensin en el terminal K es

superior a la existente en el teminal A es decir, VAK<0

Veamos primero la tensin lmite que puede soportar la unin P2N1 sin que el campo alcance el valor
Ecrit.
 1
VBR = Ecrit WZCE 1 Ecrit 2
2 VBR =
2 q N1
N1 Ecrit
q WZCE = Ecrit WZCE =
q N1

Para el clculo anterior se ha realizado la siguiente simplificacin: |N1|<<|P2|.

El dopado de la zona N1 es mucho menor que el de P2 y por tanto la anchura total en la zona de carga de
espacio coincide con la anchura de la zona de carga de espacio en la zona N1.

Por otra parte la tensin aplicada a P2N1 que provocara que la zona de carga de espacio ocupase la
totalidad de la zona N1 puede calcularse de la forma siguiente: (llamremos a esta tensin VPT tensin de
punch-through)

E
WZCE = W N 1 =
q N1 2 VPT
1 2 VPT WN1 =
VPT = E WN 1 E= q N1 WN 1
2 WN 1
y por tanto
q N1 W N 1
VPT =
2

Si analizamos conjuntamente las expresiones de VBR y VPT

1 1 q N1 WN 1
VBR = Ecrit 2 ; VPT =
2 q N1 2

Observamos que para valores altos de N1 VBR>>VPT

Esto quiere decir que dependiendo de un valor concreto de dopado de la zona N1 tendremos un
mecanismo distinto como causante de la ruptura.

Esto se puede representar grficamente de la siguiente manera

Vruptura VPT

VBR

N1

( coordenadas log-log )
 Si sustituimos los datos numricos del problema tenemos:

VBR =
1 1
Ecrit 2 =
1012 105 ( ) 3
2
1016
(V )
2 q N1 2 1,6 1019 N1 N1

q N1 WN 1 1,6 10 19 100 10 4 N 1
VPT = = 12
= 0,8 10 9 N1 (V )
2 2 10
b)

Suponiendo N1=1014 Calcular del transistor P1N1P2.

Restringimos ahora el anlisi al transistor P1N1P2 donde la zona P1 actua de emisor y P2 de colector.

Corriente de huecos inyectados por emisor en base- Corriente de recombinacion en base

Jc
= =
JB
Corriente de electrones inyectados por la base en el emisor + Corriente de recombinacion en base

1) Corriente de huecos inyectados por el emisor en la base

d
Jpb = q Dpb p x =0+
dx
Siendo 0+ el borde de la zona de carga de espacio en el lado base.

1 12 V Vt
Jpb = q Dp N1 e 1
WN 1 N N 1
2) Corriente de recombinacin en la base

V
2
1 1
Jrec
q 1 e Vt 1 WN 1
2 N N1 PN 1
Aqu hemos hecho la simplificacin de suponer la distribucin de huecos en la base recta y calcular la
recombinacin como

WB p
Jrec = q 0
dx

3) Corriente de electrones inyectados por la vase en el emisor.

Con los datos del enunciado, el emisor es una zona larga y por tanto la distribucin de minoritarios es
aproximadamente exponencial.

d
Jne = q DnP1 n x = 0
dx

Siendo 0- el borde de la zona de carga de espacio en el lado base.

1 12 V Vt
Jne = q DnP1 e 1
LnP1 N P1
Por tanto,

1 1 V Vt
2 2
1 V 1
q DPN 1 e 1 q 1 WN 1 e Vt 1
WN 1 N N 1 2 N N1 PN 1
= =
1 1 Vt 1
2 2
V 1 Vt
V 1
q DNP1 e 1 + q W N1 e 1
LNP1 N P1 2 N N1 PN 1
DPN 1 1 WN 1

W N 2 N N 1 PN 1
= N1 N1
DPN 1 1 WN 1

LNP1 N P1 2 N N 1 PN 1

c)

Es dificil conmutar de ON a OFF un tiristor accionando nicamente sobre el disparador (G). Para
conseguirlo es necesario extraer por el terminal G una corriente superior a IAK/OFF.

Siendo IAK la corriente principal que circula por el dispositivo que puede ser elevada. Por ello algunos
dispositivos son especialmente diseados para conseguir OFF grandes y de esta forma disminuir el valor
de la corriente necesaria para cortar el tiristor. Estos dispositivos son los GTOs (Gate Turn-Off)

Para calcularla sabiendo que

2
OFF =
1 + 2 1
Siendo 2 el coeficiente de transporte del transistor N2 P2 N1 donde N2 acta de emisor y 1 el
coeficiente de transporte del transistor P1 N1 P2 donde P1 es el emisor.

Sabiendo que

=
+1

Y conociendo del transistor 1 calculada en el apartado a) habra que repetir el clculo para calcular la
del otro transistor.