Estado Solido I

Tarea Corta 4
Entrega: Viernes 1 de Octubre

1. En la unión p-n, se encontró que el potencial eléctrico satisface que

 ( − ) si x  −d p

 − +  2 eN a  x + d 2 si − d  x  0
 ( )    ( p) p

 ( x) = 
 (  ) −  2 eN d  ( x − d )2 si 0  x  d
  
  
n n


 (  ) si d n  x
(a) Usando la condición de continuidad para  ( 0 ) y   ( 0 ) , muestre que
1

dn
( )
 Na 1   2
=
Nd 0

p  ( N d + N a ) 2 e 
 
Donde 0 =  (  ) −  ( − ) .
(b) Cuando se incrementa el potencial eléctrico del semiconductor tipo p por un
voltaje V , se vio en clase que en lugar de 0 , debemos escribir  = 0 − V .
Muestre que en este caso
1
 V 2
d n (V ) = d n ( 0 ) 1 − 
p p
 0 

2. Las densidades de corriente de electrones y huecos pueden escribirse como

dn dp
J e = − n nc E − Dn c y J h =  p pv E − Dp v
dx dx
Usando que en equilibrio J e = J h = 0 y que
 c −e ( x )−   − v +e ( x )
−
nc = N c (T ) e k BT
y pv = Pv (T ) e kBT

Muestre que las movilidades (  ) y los coeficientes de difusion ( D ) se relacionan

por
eDn eDp
n = y p = .
k BT kBT

3. Analicé si en un semiconductor dopado es posible tener al potencial químico por

encima del mínimo de la banda de conducción, o por debajo de la banda de valencia.
Si esto fuera posible, determine de que orden tendría que ser el dopaje.
Se recomienda discutir la tarea en grupo. Sin embargo, se esperan respuestas que
muestren la individualidad de cada alumno.