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Experiencia N°3
Multiplicador de frecuencia con FET
“Característica cuadrática”

Informe Previo
Bryan Lavalle Guzman - bryanlg27@gmail.com
Universidad Nacional de Ingeniería – Ingeniería de Telecomunicaciones

I. INTRODUCCIÓN Y la f o=1 MHz

El tiempo de carga del condensado:
Los transistores efecto de campo, (FET) son componentes RB*CR=1/f
unipolares debido a que su acción solo depende de un tipo RB*CR=10-6s
de portador de carga. Los FET pueden ser del tipo unión Rb gran valor para virtual:
(JFET) y el tipo de óxido metálico semiconductor Rb=1MΩ
(MOSFET). Podemos citar entre las características del FET,
Cb=100pF
las mas saltantes que la corriente de drenaje I D esta
controlada por el voltaje de compuerta de fuente V GS,
2. Determinar una expresión general de Vo(t); asumir
mientras que el transistor bipolar la corriente de colector
datos de la bobina y del FET.
esta controlada por la corriente base.
 V1<VP/2 (trabajando en la zona cuadrática)
II. DESARROLLO DEL INFORME

1. Diseñar la red de polarización del circuito que se V GS=V 1(t) −V DC =V 1 cos ( wo t )−¿ V DC =V 1 cos ( w o t ) −¿ V 1 ¿ ¿
muestra en la figura, determinando los valores de RB V GS=V 1 ¿
y CB, tal que CB se cargue al valor pico de V1(t),
considerar la frecuencia del generador igual a 1MHz.
V GS 2
I D =I DSS ( 1+
VP ) =I DSS ¿ ¿

I DSS
I D= ¿¿
V P2
I DSS
I D= ¿
V P2
I DSS
I D= ¿
V P2
I DSS
I D= ¿
V P2
I D =I o+ I 1 cos w o t + I 2 cos 2 w o t
Debido a la selectividad del tanque, basta la componente fundamental:
2 I DSS
I D= (V P −V 1) V 1
V P2
I´ I I
= 1 → I ´ =N 1 1
N 1 N3 N3
N1
V 0 (t )=I 1 R cos wo t
Para la fuente: V 1cos ⁡(wot ) N3 L
 2

N 1 2 I DSS
V 0 (t )=
( )
(V P −V 1)V 1 R L cos w o t N 1 2 I DSS
( )

{
N 3 V P2 (V P−V 1 )V 1 R L cos wo t , V 1<V P/2
N 3 V P2
N 1 I DSS
 V1=VP/2 (trabajando en el límite de la zona
cuadrática) V 0 (t ) ( )
N3 2
R L cos wo t , V 1=V P /2
Según el análisis de la parte I: V P−V 1=V 1
3 sin 3 φ
I D=
I DSS
2
N1
( [
N 1 2 I DSS 4
N3 π
sin φ+
12
(1−cos φ)
−φ cos φ
])
R L cos w o t ,V 1>

V 0 (t )=I 1 R cos wo t
N3 L
3. Explicar en forma clara y especifica dos (02) métodos
N I
( )
V 0 (t )= 1 DSS R L cos wo t
N3 2
para determinar los parámetros del FET; uno para
determinar experimentalmente la tensión de
estrangulamiento Vp y el otro para determinar la
 V1>VP/2 (trabajando fuera de la zona cuadrática) corriente de drenador en la región de saturación
para VGS=0, IDSS
−V p +V 1
φ=sin
−1
( V1 )
∞
In
I D =I P ∑ cos w o t=I o + I 1 cos w o t + I 2 cos 2 w o t +…
n=0 IP
Donde:
3 φ
Io 1
=
IP π
4
[
φ− sin 2 φ+ cos 2 φ
2
(1−cos φ)2 ]
φ sin 2 φ cos 4 φ
I2 2 4
=
IP π
−
6
[ +

(1−cos φ)2
48
] Para VGS=0
I 1 2 ( 4−n2 ) sin n φ+(n−1)(n−2)sin n φ cos nφ+3 n sin(n−2)φ
=
IP π [ n(n 2−1)(n2−4 )(1−cos φ)2 saturación, esto es IDSS.
]
Se aumenta VDD hasta que ID alcance su nivel de

V meter ¿VGS=0
El tanque es selectivo (pasa solo la componente I DSS =
RD
fundamental)
Para el cálculo de IDSS es un valor que esta entre 1 a
I P =I DSS 20mA entonces definimos la resistencia y el voltaje 1 de
N1 tal manera de que sea mayor a 20mA, ejemplo si
V 0 (t )=I 1 R cos wo t
N3 L tenemos una fuente de 9V se pone una resistencia de
50ohm. Ahora ponemos el valor de la fuente 2 en 0 y
3 sin 3 φ
V 0 (t )=
N3 π ( [
N 1 2 I DSS 4
sin φ+
12
(1−cos φ)
−φ cos φ
])
R L cos w o t
medimos el voltaje en la resistencia de esa manera
dividiendo el voltaje entre la resistencia calculamos el
valor de IDSS.

En VDD=15V
Entonces
Variar Vgg_var hasta IDSS=0.
V P=V GS ¿ ID=0
Para calcular Vp variamos el valor de V2 hasta que el
valor del voltaje en R1 sea 0