ANALIZANDO SU FUNCIONAMIENTO

LA ESTRUCTURA

Esta figura muestra la

estructura de un IGBT de canal N.
Toda explicacin aqu tendr relacin
con el tipo N aunque acta de modo
similar el canal P.

La estructura es muy similar a la de

un MOSFET verticalmente construido.
Note en este corte, que una tensin positiva
en gate, genera cargas negativas en la
zona roja que es el corte del canal N
entre fuente (source) y drenaje, logrando
de ese modo, una circulacin de
corriente hacia el drenaje.

Si logramos conduccin entre las zonas

verde (drenaje fuente), estamos inyectando
portadores en la base del transistor PNP
que puede observar en la figura de abajo, en el que el
colector est abajo ( P+), con
base verde, que corresponda al
drain agregado en el corte
aparte (material N).
Observe en el circuito
equivalente, que al conducir el
mos canal N, conduce el diodo
base emisor del PNP, de modo
que el transistor bipolar satura.

Este es el circuito equivalente

del igbt que analizamos
C

EL FUNCIONAMIENTO
E

El Funcionamiento bloqueando

El estado on/off del dispositivo se controla, como en un MOSFET, por el voltaje de

la compuerta VG.
 Si el voltaje aplicado al contacto de la compuerta, con respecto al emisor, est por
abajo del voltaje de umbral Vth entonces se crea una polarizacin inversa del diodo base
emisor (juntura J2), el MOSFET no conduce y el dispositivo est apagado. Tenemos la
mxima tensin colector emisor, sin corriente de colector.

La tensin de ruptura, est determinada por la tensin de ruptura de esta juntura

(J2).
Este es un factor muy importante, en un dispositivo al que se le exige trabajos en
muy alta tensin (600V) y corrientes importantes
La alta tensin de ruptura del dispositivo, se logra gracias a la amplia zona n- (zona
N de bajo dopado) que corresponde a la base del transistor bipolar y que gracias a su gran
tamao, admite campos elctricos altos antes del efecto avalancha.

Funcionamiento conmutado (on)

El encendiendo del dispositivo se logra aumentando el voltaje de la compuerta VG

para que sea mayor que el voltaje del umbral Vth. Esto produce una cargas negativas bajo
la placa de compuerta, que permiten la circulacin de corriente entre fuente (n+) y drenaje (
n-) que pasa a ser la corriente de polarizacin directa del transistor bipolar, lo que logra la
conduccin del mismo.