482 ◆ A MPLIFIC ADORES BASADOS EN FET Y CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN

10. La hoja de datos del transistor utilizado en un amplificador en drenaje común especifica IGSS
5 nA
con VGS
10 V. Si el resistor de la compuerta a tierra, RG, es de 50 mÆ, la resistencia de entrada total
es aproximadamente
(a) 50 MÆ (b) 200 MÆ (c) 40 MÆ (d) 20.5 MÆ
Sección 9–3 11. El amplificador en compuerta común difiere tanto de la configuración en fuente común como de la
configuración en drenaje común en que
(a) su ganancia de voltaje es mucho más alta (b) su ganancia de voltaje es mucho más baja
(c) su resistencia de entrada es mucho más alta (d) su resistencia de entrada es mucho más baja
12. Si se busca tanto una buena ganancia de voltaje como una alta resistencia de entrada, se debe utilizar un
(a) amplificador en fuente común
(b) amplificador en drenaje común
(c) amplificador en compuerta común
13. Un amplificador cascodo consta de
(a) un amplificador en drenaje común y un amplificador en fuente común
(b) un amplificador en fuente común y un amplificador en compuerta común
(c) un amplificador en compuerta común y un amplificador en drenaje común
(d) dos amplificadores en compuerta común
Sección 9–4 14. El amplificador clase D es similar a la
(a) clase C (b) clase B (c) clase A (d) a ninguna de las anteriores
15. El amplificador clase D utiliza
(a) modulación por frecuencia (b) modulación por amplitud
(c) modulación por ancho de pulso (d) modulación por ciclo de trabajo
Sección 9–5 16. Los E-MOSFET en general se utilizan en aplicaciones de conmutación debido a su
(a) característica de umbral (b) Alta resistencia de entrada
(c) Linealidad (d) Alta ganancia
17. Un circuito de muestreo debe muestrear una señal a un mínimo de
(a) Una vez por ciclo (b) La frecuencia de la señal
(c) Dos veces la frecuencia de la señal (d) Ciclos alternos
18. El valor de resistencia emulada por un circuito de capacitor conmutado es una función
(a) Del voltaje y la capacitancia (b) La frecuencia y la capacitancia
(c) La ganancia y la transconductancia (d) La frecuencia y la transconductancia
Sección 9–6 19. Un circuito CMOS básico utiliza una combinación de
(a) MOSFET de canal n (b) MOSFET de canal p
(c) BJTs pnp y npn (d) Un MOSFET de canal n y uno de canal p
20. Comúnmente se utilizan CMOS en
(a) circuitos digitales (b) circuitos lineales (c) circuitos de frecuencia de radio (d) Circuitos de potencia
Sección 9–7 21. Si se presenta una abertura interna entre el drenaje y la fuente en un amplificador en fuente común, el
voltaje en el drenaje es igual a
(a) 0 V (b) VDD (c) VGS (d) VGD

PROBLEMAS Las respuestas a problemas impares se encuentran al final del libro

PROBLEMAS BÁSICOS
Sección 9–1 Amplificador en fuente común
1. Un FET tiene una gm
6000 mS. Determine la corriente de drenaje rms con cada uno de los valores rms
de Vgs.
(a) 10 mV (b) 150 mV (c) 0.6 V (d) 1 V
2. La ganancia de un cierto amplificador basado en JFET con resistencia en la fuente de cero es 20. Deter-
mine la resistencia en el drenaje si la gm es de 3500 mS.
3. Un cierto amplificador con FET tiene una gm de 4.2 mS, r¿ds = 12 kÆ y RD = 4.7 kÆ. ¿Cuál es la ga-
nancia de voltaje? Asuma que la resistencia en la fuente es de 0 Æ.
4. ¿Cuál es la ganancia del amplificador del problema 3 si la resistencia en la fuente es de 1.0 kÆ?
5. Identifique el tipo de FET y su configuración de polarización en la figura 9-54. Idealmente, ¿cuál es VGS?
6. Calcule los voltajes de cd de cada terminal a tierra para los FET de la figura 9-54.
 P ROBLEMAS ◆ 483

 FIGURA 9–54 +15 V –10 V +12 V

8 mA 6 mA
RD RD RD
1.0 k⍀ 3 mA 1.5 k⍀ R1 1.0 k⍀
10 k⍀

RG RG RS R2
10 M⍀ 10 M⍀ 330 ⍀ 4.7 k⍀

(a) (b) (c)

7. Identifique cada curva de característica en la figura 9-55 por el tipo de FET que representa.

 FIGURA 9–55 ID ID ID

–VGS +VGS –VGS 0 –VGS 0

(a) (b) (c)

8. Consulte la curva de la característica de transferencia del JFET mostrado en la figura 9-16(a) y deter-
mine el valor pico a pico de Id cuando Vgs varía 1.5 V en torno a su valor de punto Q.
9. Repita el problema 8 con las curvas de la figura 9-16(b) y la figura 9-16(c).
10. Dado que ID
2.83 mA en la figura 9-56, determine VDS y VGS. VGS(corte)
7 V e IDSS
8 mA.

 FIGURA 9–56 VDD

Los circuitos de archivo +12 V
Multisim se identifican con un
RD
logo de CD y se encuentran en
1.5 k⍀ C3
la carpeta “Examples” del Vsal
CD-ROM. Los nombres de los C1
archivos corresponden a los 10 µ F
Vent
números de figura 0.1 µ F RL
(p. ej., F09-56).
10 k⍀
RG RS C2
10 M⍀ 1.0 k⍀ 1 µF

11. Si se aplica una señal de entrada de 50 mV rms al amplificador de la figura 9-56, ¿cuál es el voltaje de
salida pico a pico? gm
5000 mS.
12. Si una carga de 1500 Æ se acopla por ca a la salida en la figura 9-56, ¿cuál es el voltaje de salida resul-
tante (rms) cuando se aplica una entrada de 50 mV rms? gm
5000 mS.
484 ◆ A MPLIFIC ADORES BASADOS EN FET Y CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN

13. Determine la ganancia de voltaje de cada amplificador en fuente común en la figura 9-57.

 FIGURA 9–57 VDD VDD

+9 V +5 V

RD RD
1.2 k⍀ 2.2 k⍀
C3 C2
Vsal Vsal

C1 0.1 µ F RL
C1 1 µF
Vent gm = 3.8 mS 22 k⍀ Vent
gm = 5.5 mS
0.1 µ F 0.1 µ F
RG RL
RG 4.7 M⍀ 10 k⍀
10 M⍀ RS C2
560 ⍀ 0.1 µ F

(a) (b)

14. Trace los circuitos equivalentes en cd y en ca del amplificador de la figura 9-58.

 FIGURA 9–58 VDD

+15 V

RD
820 ⍀
C3
Vsal
C1
Vent 1 µF
RL
0.1 µ F 3.3 k⍀

RG RS C2
10 M⍀ 220 ⍀ 1 µF

15. Determine la corriente en el drenaje en la figura 9-58 dado que IDSS
15 mA y VGS(corte)
4 V. El
punto Q se encuentra en el centro.
16. ¿Cuál es la ganancia del amplificador de la figura 9-58 si C2 se quita?
17. Se conecta un resistor de 4.7 kÆ en paralelo con RL en la figura 9-58. ¿Cuál es la ganancia de voltaje?
18. Para el amplificador en fuente común en la figura 9-59, determine ID, VGS y VDS con el punto Q en el
centro. IDSS
9 mA y VGS(corte)
3 V.

 FIGURA 9–59 VDD

+9 V

RD
1.0 k⍀ C3
Vsal
C1
Vent 10 µ F
gm = 3700 µ S
0.1 µ F RL
10 k⍀
RG RS C2
10 M⍀ 330 ⍀ 100 µ F
 P ROBLEMAS ◆ 485

19. Si se aplica una señal de 10 mV rms a la entrada del amplificador en la figura 9-59, ¿cuál es el valor
rms de la señal de salida?
20. Determine VGS, ID y VDS para el amplificador de la figura 9-60, ID(encendido)
18 mA con VGS
10 V,
VGS(umbral)
2.5 V y gm
3000 mS.

VDD
+20 V

RD
1.0 k⍀ C2 Vsal
R1
18 k⍀
C1 10 µ F
Vent
RL
10 µ F R2 10 k⍀
6.8 k⍀

 FIGURA 9–60

21. Determine Rent vista por la fuente de señal en la figura 9-61. IGSS
25 nA con VGS
15 V.

+9 V

RD
3.3 k⍀ C2
Vsal
C1
0.1 µ F
RL
0.1 µ F RG 18 k⍀
Vent
10 M⍀

 FIGURA 9–61

22. Determine la forma de onda del voltaje total en el drenaje (cd y ca) y la forma de onda Vsal en la figu-
ra 9-62. gm
4.8 mS e IDSS
15 mA. Observe que VGS
0.

+24 V

RD
1.0 k⍀ C2
Vsal
C1
10 µ F
RL
Vent 0.1 µ F RG 10 M⍀
10 mV rms 10 M⍀

 FIGURA 9–62
486 ◆ A MPLIFIC ADORES BASADOS EN FET Y CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN

23. Para el amplificador sin carga de la figura 9-64, encuentre VGS, ID, VDS y el voltaje rms de salida Vds.
ID(enc)
8 mA a VGS
12 V, VGS(umbral)
4 V y gm
4500 S.

 FIGURA 9–63 VDD

+18 V

RD
R1 1.5 k⍀
47 k⍀ C2

C1
10 µ F
Vds
10 µ F R2
Vent
47 k⍀
100 mV rms

Sección 9–2 Amplificador en drenaje común

24. Para el seguidor de fuente de la figura 9-64, determine la ganancia de voltaje y la resistencia de entra-
da. IGSS
50 pA a VGS
15 V y gm
5500 µS.

 FIGURA 9–64 +9 V

C1
Vent
C2
Vsal
0.1 µ F

RG RS 10 µ F RL
10 M⍀ 1.2 k⍀ 1.0 k⍀

25. Si el JFET de la figura 9-64 se sustituye con uno que tenga una gm de 3000 µS, ¿cuál es la ganancia y
la resistencia de entrada si el resto de las condiciones permanece igual?
26. Calcule la ganancia de cada uno de los amplificadores de la figura 9-65
27. Determine la ganancia de voltaje de cada uno de los amplificadores de la figura 9-65 cuando la carga
acoplada capacitivamente se cambia a 10 kÆ.

+12 V –9 V

C1 C1
Vent gm = 3000 µ S Vent gm = 4300 µ S
C Vsal C Vsal
0.1 µ F 2 0.1 µ F 2

10 µ F 10 µ F
RG RS RL RG RS RL
4.7 M⍀ 4.7 k⍀ 47 k⍀ 10 M⍀ 100 ⍀ 1.0 k⍀

(a) (b)

 FIGURA 9–65
 P ROBLEMAS ◆ 487

Sección 9–3 Amplificador en compuerta común

28. Un amplificador en compuerta común tiene una gm
4000 mS y Rd
1.5 kÆ. ¿Cuál es su ganancia?
29. ¿Cuál es la resistencia de entrada del amplificador del problema 28?
30. Determine la ganancia de voltaje y la resistencia de entrada del amplificador en compuerta común de
la figura 9-66.
31. Para un amplificador cascodo como el mostrado en la figura 9-24, gm
2800 mS, IGSS
2 nA con
VGS
15 V. Si R3
15 MÆ y L
1.5 mH, determine la ganancia de voltaje y la impedancia de en-
trada. con f
100 MHz.

 FIGURA 9–66 +8 V

RD
10 k⍀
C1 gm = 3500 µ S C2
Vent Vsal
10 µ F 10 µ F

RS
2.2 k⍀

Sección 9–4 Amplificador clase D

32. La salida de un amplificador clase D es de 9 V. Si la señal de entrada es de 5 mV, ¿cuál es la ganan-
cia de voltaje?
33. Un cierto amplificador clase D disipa una potencia interna de 140 mW en el comparador y el genera-
dor de onda triangular. Cada MOSFET complementario tiene una caída de 0.25 V en el estado encen-
dido. El amplificador opera con fuentes de 12 V de cd y entrega 0.35 A a una carga. Determine la
eficiencia.

Sección 9–5 Conmutación analógica mediante un MOSFET

34. Un interruptor analógico utiliza un MOSFET de canal n con VGS(umbral)
4 V. Se aplica un voltaje de
8 V a la compuerta. Determine la señal de entrada máxima pico a pico que puede ser aplicada si se
ignora la caída de voltaje entre el drenaje y la fuente.
35. Se utiliza un interruptor analógico para muestrear una señal con una frecuencia máxima de 15 kHz. De-
termine la frecuencia mínima de los pulsos aplicados a la compuerta del MOSFET.
36. Un circuito de capacitor conmutado utiliza un capacitor de 10 pF. Determine la frecuencia requerida
para emular un resistor de 10 kÆ.
37. Para una frecuencia de 25 kHz, ¿cuál es la resistencia emulada en un circuito de capacitor conmutado
si C
0.001 mF?

Sección 9–6 Conmutación digital por medio de un MOSFET

38. ¿Cuál es el voltaje de salida de un inversor CMOS que opera con VDD
5 V, cuando la entrada es
de 0 V? ¿Y cuando la entrada es de 5 V?
39. Para cada una de las combinaciones siguientes, determine la salida de una compuerta NAND CMOS
que opera con VDD
3.3 V.
(a) VA
0 V, VB
0 V
(b) VA
3.3 V, VB
0 V
(c) VA
0 V, VB
3.3 V
(d) VA
3.3 V, VB
3.3 V
40. Repita el problema 39 para una compuerta NOR CMOS.
41. Mencione dos ventajas del MOSFET sobre el BJT en conmutación de potencia.