Principio del modulador PIN

Arancibia Sanabria, Jonathan Jean Paul

Ingeniera de Telecomunicaciones UNI
jjp.arancibia@gmail.com
20121161J

I.

Abanto Guerrero, Ayrton Nicolas

Ingeniera de Telecomunicaciones UNI
ayrton.abanto.fieet@gmail.com
20121104F

OBJETIVOS

Este laboratorio tiene como objetivos:

o
o

Determinar la curva del modulador PIN:

frecuencia y periodo de modulacin.
Hallar las frecuencias de corte y resonancia.

II.

TEORA

A. Historia
En 1971 C.A. Burrus desarrolla un nuevo tipo de
emisor de luz, el LED, de pequea superficie radiante,
idnea para el acoplamiento en Fibras pticas. Por lo que
se refiere a los fotodetectores, los diodos PIN y los de
avalancha a base de Silicio, fueron desarrollados sin
dificultades y ofrecan buenas caractersticas. Sin embargo,
no podan aplicarse en longitud de onda > 1100 nm. El
Germanio era un buen candidato a ser utilizado para
trabajar entre 1100 y 1600 nm, y ya en 1966 se dispona de
ellos con elevadas prestaciones elctricas. Sin embargo, la
corriente de oscuridad (ruido) del Ge es elevada y da
motivo a ensayos con fotodiodos con materiales como
InGaAsP (arseniuro fosfuro de indio y galio). El primer
PIN de InGaAs (arseniuro de indio y galio) se realiza en
1977.

B. Principios de operacin

El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P

fuertemente dopada y otra regin N tambin fuertemente
dopada, separadas por una regin de material que es casi
intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de
microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz,
puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una
impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado
y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo.
Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el
margen de 100 a 1000 V.
En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le
puede utilizar como interruptor o como modulador de

Medina Alzamora, Bryan Alfredo

Ingeniera de Telecomunicaciones UNI
medinabryan1292@gmail.com
20122650D

amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos

los propsitos se le puede presentar como un cortocircuito
en sentido directo y como un circuito abierto en sentido
inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar
corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes.
El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta
resistividad. La capa P de baja resistividad representada,
est formada por difusin de tomos de boro en un bloque
de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada
difundiendo grandes cantidades de fsforo. La regin
intrnseca i es realmente una regin P de alta resistividad y
se suele denominar regin p. Cuando el circuito est
abierto, los electrones fluyen desde la regin i(p) hasta la
regin P para recombinarse con los huecos en exceso, y los
huecos fluyen desde la regin i para recombinarse con los
electrones de la regin N. Si el material i(p) fuese
verdaderamente intrnseco, la cada de tensin en la regin
i sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera igual
a la emigracin de electrones. Sin embargo, como el
material es en verdad tipo p (P de alta resistividad), hay
ms huecos disponibles que electrones.
Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los
electrones y los huecos del material p son barridos (swept
free). Un posterior aumento de la tensin inversa
simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I
e I-N. En el diodo PIN la longitud de la regin de
transicin L es aproximadamente igual a la regin i y
aproximadamente independiente de la tensin inversa. Por
lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo
PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente
constante, independiente de la polarizacin. Una variacin
tpica de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF
en una variacin de la polarizacin inversa de, por ejemplo,
100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regin i,
la longitud de la regin de transicin es aproximadamente
constante y considerablemente mayor que la de otros
diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es
proporcional a 1/L es significativamente menor que la de
otros diodos, por lo que el diodo PIN es apropiado para
aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR

varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN,

comercialmente asequibles.
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los
huecos del material P se difunden en la regin p, creando
una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al
flujo de los electrones y de los huecos cuyas
concentraciones son aproximadamente iguales en la regin
i. En la condicin de polarizacin directa la cada de
tensin en la regin i es muy pequea. Adems, al igual
que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, tambin
disminuye la resistencia. En consecuencia el diodo PIN es
un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada.
En una primera aproximacin, la resistencia rd en pequea
seal es inversamente proporcional a la corriente IDQ con
polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN.
En frecuencias de microondas se representa de
maneras ms sencillas por una capacidad CR en serie con
la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es
aproximadamente infinita, mientras que en polarizacin
inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS es
la capacidad parsita paralelo que se produce soldando el
diodo a la cpsula y LS es la inductancia serie debida a los
hilos de conexin desde el diodo hasta la cpsula.

Figura 2.1.- Estructura del diodo PIN, p: semiconductor

tipo P, n: semiconductor tipo N, i: semiconductor intrnseco
tipo P.

III.

1 BNC-T-adaptador
2 soportes para los componentes de la guia de onda
2 soportes para bases MF
1 dig. Storage osciloscopio 205

Figura 3.1.- Oscilador Gunn

Figura 3.2.- Aislador

EQUIPO A UTILIZAR

Equipos requeridos:
1 oscilador Gunn
1 Aislador
1 PIN-modulador
1 Transicin gua de onda/coaxial
1 Detector coaxial
1 Fuente de poder Gunn con medidor de SWR
Accesorios requeridos:
4 cables BNC, 2m

Figura 3.4.- Transicin Gua de onda/Coaxial

Figura 3.5.- Detector

IV.

utilizando un disco metlico mostrado en la Fig. 1.6. La

capacitancia en paralelo puede elegirse de tal forma que
junto con la inductancia forme un circuito resonante
paralelo a la frecuencia de operacin (Fig. 1.6 centro
inferior). Finalmente, el alto valor de la resistencia lateral,
sigue siendo tal que R' >> Zo, lo cual es una excelente
condicin para el estado "ON" (baja reflexin y absorcin).
El hecho de que la capacitancia se encuentre ahora en
paralelo con la resistencia hmica en el estado "OFF" (Fig.
1.6 superior derecha) no tiene efecto en la funcin, debido
a que X >> RS.

CIRCUITO A IMPLEMENTAR

El circuito de radiofrecuencia de un modulador PIN:

El modulador PIN se realiza con tecnologa de guas de
onda. Esto se puede realizar en una forma sencilla
instalando una impedancia en paralelo, electrnicamente
conmutable, en la lnea de transmisin. La magnitud de
esta impedancia en paralelo debe ser muy pequea en el
intervalo "OFF" de modo que la lnea est prcticamente en
cortocircuito (reflexin de la seal de microondas), y muy
grande en el intervalo "ON", de modo que la reflexin y la
absorcin sean tan despreciables como sea posible.
El diodo PIN puede ser acoplado a la gua de onda
mediante un poste metlico (vea el lado izquierdo de la
Fig. 1.5). El centro de la fig. 1.5 muestra el circuito
equivalente para esta estructura. Los recuadros punteados
simbolizan la seccin de la lnea (impedancia de onda
caracterstica Zo). El poste metlico acta como una
inductancia (reactancia XL) colocada en serie con el diodo
PIN. Cuando el diodo se polariza en inversa (Uo 0) se
representa por la conexin en serie de un capacitor con una
resistencia hmica pequea, la cual, en conjunto con el
poste metlico, produce un circuito resonante (Fig. 1.5,
centro superior). Si las dimensiones del poste son tales que
el circuito resonante serie se encuentra en resonancia a la
frecuencia de operacin, luego, a esta frecuencia resulta
una "pequea" impedancia en paralelo. Esto se aproxima al
cortocircuito deseado debido a que RS << Zo (vea Fig. 1.5,
superior derecha). En consecuencia se realiza la funcin en
el intervalo "OFF".
Si se aplica al diodo una polarizacin positiva
suficientemente grande, ste acta como un pequeo
resistor R << Zo y R << XL. La conexin en serie de XL y
R puede ser transformada (para la frecuencia de operacin)
en un circuito en paralelo (Fig. 1.5 inferior derecha), con lo
cual es vlida la aproximacin X'L = XL debido a que XL
>> R. Debido al hecho de que la impedancia en paralelo
debe ser mucho ms grande que Zo para el intervalo "ON",
XL debera ser mucho mayor que Zo. Pero, como ste no
es el caso, an debe modificarse el circuito. Esto se
consigue conectando una capacitancia en paralelo, la cual
se puede realizar en tecnologa para frecuencias altas,

Figura 4.1.- Funcin del modulador PIN

Arriba: El tiempo caracterstico de la seal de microondas
entre el modulador (la relacin del largo de pulso para el
punto de la seal de microondas no est representada en su
verdadera escala).
Abajo Izquierdo: "ON"-intervalo con transmisin ideal (no
hay reflexin ni absorcin)
Abajo derecho: "OFF"-intervalo con reflexin total (con
nada de disipacin Pabs=0) o con total absorcin
(disipativo)
(1) en modulador "incidente" la seal de microondas
(2) transmitir la seal de microondas
(3) reflejar la seal de microondas

Figura 4.2.- Gua de onda rectangular con un diodo PIN

acoplado va un poste metlico.

Figura 4.3.- Estructura con capacidad adicional de disco

de metal.

Izquierda: Diseo de la estructura (sin fuente de

alimentacin LF)
(6) de disco capacitivo.

Izquierda: Diseo de la estructura (sin fuente de

alimentacin LF)

Centro: Circuito equivalente RF para Uo0 (arriba) and

Uo>0 (abajo)

(1) Diodo PIN con cubierta coaxial.

(7) impedancia suplente (capacitancia) para disco

capacitivo:

(2) Poste metlico con dos partes.

Reactancia = Xc.

Centro: Diagrama de circuito equivalente RF para Uo 0

(arriba) y Uo > 0 (abajo).

Derecho: Circuito equivalente

(resonancia paralela).

RF

con

Xc=XL=X

(3) Diagrama de circuito equivalente para el diodo PIN.

(4) Inductancia equivalente para poste metlico.
(5) Diagrama del circuito equivalente para la gua de onda

Derecha: Circuito equivalente para XL=XS=X (resonancia

en serie).

Figura 4.4.- Montaje experimental. Configuracin del

oscilador Gunn con placa de corto circuito en el lado
izquierdo (cerca del elemento Gunn) y diafragma con
hueco en el lado derecho.