REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

UNIVERSIDAD PRIVADA DR. RAFAEL BELLOSO CHACN

FACULTAD DE INGENIERA
ESCUELA DE ELECTRNICA
MENCIN: TELECOMUNICACIONES
CATEDRA: MICROONDAS







Diodo PIN y Materiales Semiconductores
en Estado Slido.




PARTICIPANTE:
Br. ARREAZA JOS

MARACAIBO, Noviembre de 2013


Diodo PIN


Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrnseco, y las
externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la
prctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad () o bien por una
capa n de alta resistividad ().
El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:
Conmutador de RF
Resistencia variable
Protector de sobretensiones
Fotodetector

Fotodiodo PIN
El fotodiodo PIN es uno de los fotodetectores ms comunes, debido a que la capa intrnseca se puede
modificar para optimizar su eficiencia cuntica y margen de frecuencia.siendo as un material intrnseco
semiconductor
Conmutador
El diodo PIN se puede utilizar como conmutador de microondas. Tiene capacidad para manejar alta
potencia.

Operacin
Un diodo PIN opera bajo lo que se conoce como la inyeccin de alto nivel. En otras palabras, la
regin intrnseca "i" se inunda con los portadores de carga de las regiones de "n", "p" y. Su funcin
se puede comparar a llenar un cubo de agua con un agujero en el lado. Una vez que el agua
alcanza el nivel del agujero en el que comenzar a derramar. Del mismo modo, el diodo conducir
la corriente una vez que los electrones y los huecos inundados llegan a un punto de equilibrio,
donde el nmero de electrones es igual al nmero de agujeros en la regin intrnseca. Cuando el
diodo est polarizado hacia adelante, la concentracin de portadores inyectada es tpicamente
varios rdenes de magnitud ms alta que la concentracin de portadores nivel intrnseco. Debido


a esta inyeccin de alto nivel, que a su vez se debe al proceso de agotamiento, el campo elctrico
se extiende profundamente en la regin. Este campo elctrico ayuda en la aceleracin del
transporte de portadores de carga desde la P a la regin N, que se traduce en un funcionamiento
ms rpido del diodo, por lo que es un dispositivo adecuado para operaciones de alta frecuencia.
Caractersticas
Un di odo PIN obedece a l a ecuaci n del di odo estndar para seal es de baja frecuenci a. A
frecuenci as ms al tas, el di odo se parece a una resi stenci a casi perfecta. Hay una gran
canti dad de carga al macenada en l a regi n i ntrnseca. A bajas frecuenci as, l a carga se
puede qui tar y el di odo se apaga. A frecuenci as ms al tas, no hay ti empo sufi ci ente para
reti rar l a acusaci n, por l o que el di odo no se apaga nunca. El di odo PIN ti ene un mal
ti empo de recuperaci n i nverso.
La resi stenci a de al t a frecuenci a es i nversamente proporci onal a l a corriente conti nua de
pol ari zaci n a travs del di odo. Un di odo PIN, adecuadamente sesgada, por l o tanto, acta
como una resi stenci a vari abl e. Esta resi stenci a de al ta frecuenci a puede vari ar en un
ampl i o i nterval o.
La regi n i ntrnseca ampl i a tambi n si gni fi ca que el di odo tendr una capaci tanci a baja
cuando pol ari zado i nversamente.
En un di odo PIN, l a regi n de agotami ento exi ste casi por compl eto dentro de l a regi n
i ntrnseca. Esta regi n de agotami ento es mucho ms grande que en un di odo PN, y casi
constante de tamao, i ndependi ente de l a polari zaci n i nversa apl i cada al di odo. Esto
aumenta el vol umen en el que l os pares el ectrn-hueco pueden ser generados por un fotn
i nci dente. Al gunos disposi ti vos fotodetectores, tal es como fotodi odos PIN y fototransistores,
uti l i zan una uni n pi n en su construcci n.
El di seo de di odo ti ene al gunas ventajas y desventajas de di seo. El aumento de l as
di mensi ones de l a regi n i ntrnseca permi te que el di odo se vea como una resi stenci a a
frecuenci as ms bajas. Se afecta negati vamente el ti empo necesari o para apagar el di odo y
su capaci tanci a en deri vaci n. Di odos PIN se adaptarn para un uso parti cul ar.
Aplicaciones
Di odos PIN son til es como conmutadores de RF, atenuadores, y fotodetectores.

INTERRUPTORES DE RF Y MICROONDAS


Bajo el sesgo cero o i nversa, un di odo PIN ti ene una capaci dad baja. La baja capaci dad no
va a pasar mucho de una seal de RF. En vi rtud de un sesgo haci a adel ante de 1 mA, un
di odo PIN tpi co tendr una resi stenci a de RF de aproxi madamente 1 ohmi o, por l o que es
un buen conductor de RF. En consecuenci a, el di odo PIN hace que un i nterruptor de RF
buena.
Aunque l os rel s de RF se pueden uti l i zar como i nterruptores, cambi an muy l entamente. Un
i nterruptor de di odo PIN puede cambi ar mucho ms rpi damente.
La capaci tanci a de un diodo PIN fuera di screta podra ser 1 pF. A 320 MHz, l a reactanci a
de 1 pF trata-J500 ohms. Como un el emento de l a seri e en un si stema de 50 ohmi os, la
atenuaci n de estado desacti vado sera -20 veces l a base 10 de registro de l a rel aci n de
l a i mpedanci a de carga a l a suma de l a carga, el di odo y l a fuente de i mpedanci as, o ms o
menos 20 dB, l o que no puede ser adecuada. En apl i caci ones donde se necesi ta un mayor
ai sl ami ento, tanto l a derivaci n y el ementos de l as seri es se pueden util i zar, con l os di odos
de deri vaci n sesgadas de manera compl ementari a a l os el ementos de l a seri e. Adi ci n de
el ementos de deri vaci n reduce de manera efecti va l a fuente y i mpedanci as de carga, la
reducci n de l a rel aci n de i mpedanci a y el aumento de l a atenuaci n del estado de
desacti vaci n. Si n embargo, adems de l a compl eji dad aadi da, l a atenuaci n en estado de
encendi do se i ncrementa debi do a l a resi stencia en seri e del el emento de bl oqueo en
estado de encendi do y l a capaci tanci a de l os el ementos de deri vaci n en estado
desacti vado.
Interruptores de di odos PIN se uti l i zan no sl o para l a sel ecci n de l a seal , pero tambi n
se uti l i zan para l a sel ecci n de componentes. Por ejempl o, al gunos oscil adores de bajo
rui do de fase uti l i zan di odos PIN de i nductores gama de i nterruptores.
RF Y MICROONDAS ATENUADORES VARIABLES
Al cambi ar l a corri ente de pol ari zaci n a travs de un di odo PIN, es posi bl e cambi ar
rpi damente l a resi stencia RF.
A al tas frecuenci as, el diodo PIN aparece como un resi stor cuya resi stencia es una funci n
i nversa de l a corri ente di recta. En consecuenci a, el di odo PIN se puede uti l i zar en al gunos
di seos atenuador vari abl e como modul adores de ampl i tud o ci rcui tos de ni vel aci n de
sal i da.
Di odos PIN pueden ser uti li zados, por ejempl o, como el puente y l as resi stenci as en
deri vaci n en un puente-T atenuador. Otro enfoque comn es util i zar di odos PIN como
termi naci ones conectadas a l a 0 grados y -90 grados puertos de un hbri do en cuadratura.
La seal a ser atenuada se apl i ca al puerto de entrada, y el resul tado se toma atenuada
desde el puerto ai sl ami ento. Las ventajas de este enfoque ms de l os enfoques puente-T y


PI son no se necesi tan uni dades de pol ari zaci n del di odo PIN compl ementari as l a mi sma
pol ari zaci n se apl ica a l os dos di odos y l a prdi da en el atenuador es i gual a l a prdi da de
retorno de l as termi naci ones, que se puede vari ar en un gama muy ampl i a.
LIMITADORES

Di odos PIN veces se utili zan como di sposi ti vos de protecci n de entrada para sondas de
prueba de al ta frecuencia. Si l a seal de entrada est dentro del rango, el di odo PIN ti ene
poco i mpacto como una pequea capaci dad. Si la seal es grande, entonces el di odo PIN
se i nici a para l l evar a cabo y se convi erte en una resi stenci a que desva la mayor parte de
l a seal a ti erra.

CLULA FOTOELCTRICA Y FOTOVOLTAICA
El fotodi odo PIN fue i nventado por Jun-i chi Ni shi zawa y sus col egas en 1950.
Fotodi odos PIN se uti li zan en l as tarjetas de red de fi bra ptica y l os i nterruptores. Como
un fotodetector, el di odo PIN est pol ari zado i nversamente. En pol ari zaci n i nversa, el
di odo normal mente no real i za. Un fotn entrar en l a regi n i ntrnseca l i bera un portador. El
campo de pol ari zaci n i nversa barre el portador fuera de l a regi n y crea una corri ente.
Al gunos detectores pueden usar l a mul ti pl i caci n de aval ancha.
La cl ul a fotovol taica PIN funci ona en el mi smo mecani smo. En este caso, l a ventaja de
uti l i zar una estructura PIN por uni n semi conductora convenci onal es l a respuesta de
l ongi tud de onda ms l arga de l a pri mera. En caso de i rradi aci n de l ongi tud de onda l arga,
l os fotones penetran profundamente en l a cl ul a. Pero sl o l os pares el ectrn-hueco
generados en y cerca de l a regi n de agotami ento contri buyen a l a generaci n actual . La
regi n de agotami ento de una estructura PIN exti ende a travs de l a regi n i ntrnseca,
profundamente en el di sposi ti vo. Esta anchura agotami ento general permi te l a generaci n
de par el ectrn-hueco profundo en el di sposi ti vo. Esto aumenta l a efi ci encia cuntica de la
cl ul a.
Normal mente, l as cl ul as de si l i ci o de pel cul a delgada amorfa uti l i zan estructuras PIN. Por
otro l ado, l as cl ul as de CdTe uti l i zan estructura NIP, una vari aci n de la estructura PIN.
En una estructura de NIP, una capa i ntrnseca CdTe se i ntercal a por n-dopado CdS y p-
dopado CnTe. Los fotones i nci den sobre l a capa de n-dopado a di ferenci a de un di odo PIN.
Un fotodi odo PIN tambi n puede detectar l os rayos X y gamma, fotones de rayos .


Ejemplo diodos
SFH203 o BPW43 son di odos PIN fi nes general es baratos en 5 mm caja de pl sti co
transparente, con ancho de banda de 100 MHz. Se uti li zan en los si stemas de
tel ecomuni caci ones RONJA y otras apl i caci ones de ci rcui tos