Vcsel

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL
Facultad Regional Bahía Blanca
LÁSER EMISORES de
SUPERFICIE de
CAVIDAD VERTICAL
(VCSEL’s)
Ing. Néstor Hugo Mata

Profesor Titular
Cátedra de Fibras Ópticas para Comunicaciones
2004
Láser de Cavidad Vertical Unipolar 1
LÁSER EMISORES de SUPERFICIE de

CAVIDAD VERTICAL
(VCSEL’s)
Introducción
Si bien se atribuye a Soda, Iga y otros, del Instituto Tecnológico de Tokio en 1979,
la publicación del desarrollo del primer láser VCSEL, recién se puede establecer en 1984,
la operación de un VCSEL, con una longitud de onda de emisión de onda en forma
continua. Este elemento usó un dispositivo de doble heteroestructura con capa activa de
InGaAsP con emisión de luz de 1,3 µm. Sin embargo presentó problemas con los espejos
metálicos que utilizaba por poseer una reflectividad relativamente baja, y debido a ello, el
dispositivo requería de una corriente umbral elevada.
En la actualidad los avances tecnológicos, principalmente con el desarrollo de las
técnicas de Bombardeo por Haces Epitaxiales Moleculares y Haces Epitaxiales Químicos,
se ha logrado producir en masa VCSEL de tamaño reducido, que emergen como la fuente
de luz de preferencia para los nuevos sistemas de comunicaciones de alta velocidad y de
longitudes de onda corta, lo mismo que para Láseres de longitudes de onda larga, con
longitudes que fluctúan ente los 3.5µm y los 19 µm, y con potencia considerables
manejando corrientes del orden de 1 a 5 Amp. Por otro lado el bajo costo de fabricación,
el aumento en confiabilidad, no-astigmatismo y su salida óptica circularmente simétrica,
son algunas de las ventajas de los VCSEL sobre los láseres tradicionales emisores de
borde.
Los láser de borde, se usan típicamente en las aplicaciones de telecomunicaciones
con longitudes de onda corta, para poder asegurar la emisión en modo transversal simple
en forma estable, en modo de operación longitudinal simple. La operación en modo
transversal simple incrementa la eficiencia del acoplamiento de la luz dentro de la fibra
óptica, mientras que una baja cantidad del modo longitudinal reduce significativamente la
dispersión cromática en la fibra.
La emisión de salida VCSEL es, básicamente, en modo multi-transversal y modo
longitudinal simple. El ancho espectral total de la emisión es por lo general menor a 3
Ángstrom, asegurando de esta forma una fuente coherente relativamente baja. Por otra
parte presenta simetría circular y emisión sin astigmatismo, aún en modos
multitransversales, y ofrecen ángulos de divergencia del haz menor a 10° (FWHM)
(NA=0.12). Esto permite el fácil acoplamiento con las fibras ópticas de índice gradual que
se usan por lo generalmente en redes LAN.
Por otra parte, la estructura de los emisores de superficie y su pequeño tamaño
permiten la producción de láseres altamente uniformes en cuanto a la longitud de onda
de emisión y permiten encapsulados densamente poblados con mínimo acoplamiento
(crosstalk) para su uso en enlaces ópticos múltiples paralelo. Asimismo los anchos de
banda que pueden manejar ya superan los 10 GBits.
Cátedra de Opto-electrónica para Comunicaciones

Dpto Electrónica - Facultad Regional Bahía Blanca - Universidad Tecnológica Nacional
Otra particularidad de estos tipos de Láseres es su fácil sintonizado por corriente,

lo cual lo hace muy útil en Multiplexado por División de Longitud de Onda (WDM).
Desde sus comienzos los VCSEL han ido evolucionando desde simple cavidades
Fabri-Perot a los de Multiple Quantum Well con reflectores Bragg, dentro de los láseres
bipolares, pero en los últimos años han evolucionado para dar paso a los láseres
unipolares. Esto hace que el rango de trabajo de los láseres actualmente se extienda desde
el ultravioleta hasta longitudes tan largas como las del infrarrojo lejano, que se están
usando en comunicaciones en espacio abierto.
Estructura y funcionamiento básico de un VCSEL
En los láseres bipolares con altos dopados, que poseen niveles Cuasi Fermi por
arriba y por debajo de los niveles de las bandas de conducción y de valencia
respectivamente, y en los cuales con la polarización adecuada, se establecen la inversión
de población que produce la posibilidad de que los electrones de la banda de conducción
salten a la banda de valencia, con la emisión de fotones de frecuencia particular por medio
de una recombinación electrón-hueco. En el caso de los láseres unipolares la inversión de
población usa la misma técnica de inyección de electrones por polarización directa, pero la
emisión de fotones no está determinada por el salto de banda de energía, sino por saltos
de energía de la corriente de electrones según se mueven dentro de la estructura sin que se
produzca una recombinación electrón-hueco y cuya diferencia comparativa la podemos
apreciar en la figura 1
Bipolar Unipolar
Figura: 1 Salto de energías bipolar y unipolar
Para lograr el funcionamiento de estos láseres unipolares se utilizan una estructura

de pozos quánticos en cascada (QC Lasers), que pueden operar hasta longitudes de 19 µm
a temperatura ambiente. En estos láseres los electrones son inyectados dentro de un
estado superior (o minibanda Superior en el caso de láser QC de súper-enrejado) para
caer a un estado inferior (o minibanda Inferior) produciendo una radiación. La ganancia
G es proporcional a la inversión de población ∆n, entre el estado superior ( n = 3 ) y el
inferior ( n = 2 ). Si asumimos, como se aprecia en la figura 2, que una fracción η3 de la
corriente de inyección se encuentra en el estado superior y una fracción η2 se encuentra en
el estado inferior, la ganancia la podemos expresar por
J   τ2  
G = σ∆n = σ  τ 3 η3  1 −  − η2 τ 2  1-1
q 0   τ 32  

Inyector Zona
Activa
Efecto Tunel
Zona Zona de
Activa relajación
e inyección
Figura 2: Cambio de estados en niveles η3 a η2
donde τ3 , τ2 , son los tiempos de vida medios, y τ32 es el tiempo de vida medio interbanda
entre los estados n =3 y n =2, y σ es la sección cruzada de transición donde ele electrón es
transferido por efecto túnel a una nueva región de nivel 3, con una demora de tiempo τesc.
Láser de Pozo Láser de pozo
cuántico cuántico en cascada
Banda de
conducción
Banda de
Valencia
Transición inter banda Transición inter sub-banda
Figura 3: Comparación de láseres y esquema de saltos de energía unipolar

Para poder ilustrar un poco mejor el comportamiento de estas estructuras
podemos ejemplarizar comparando un láser Pozo Quántico Múltiple (Multiple Quantum
Well, MQW) con un láser de Pozos en Cascada Unipolar (QCL Cuantum Cascade Laser)
como se puede apreciar en la figura 3.

En un VCSEL la luz se propaga verticalmente en vez de hacerlo lateralmente a

través de la estructura como se puede apreciar en la figura 4. Con esta orientación, la
cavidad del láser puede aumentarse para confinar la longitud de onda de la luz láser. Con
esta pequeña cavidad, el ancho de banda de ganancia del dispositivo puede soportar
solamente un modo longitudinal simple. En este VCSEL particular mostrado a
continuación, una capa de óxido fue creada directamente por encima y debajo de la
cavidad del láser para proveer ganancia y guiado por índice al dispositivo.
Existen muchos diseños de estructuras VCSEL, sin embargo todos ellos tienen
aspectos en común (ver figura 5). La longitud de la cavidad de los VCSEL es muy corta,
son típicamente de 1 a 3 longitudes de onda (λ ) de la luz emitida. Como resultado de esta
distancia pequeña, en una simple pasada por la cavidad un fotón tiene una pequeña
chance de provocar una emisión estimulada debido a la baja densidad de portadores. Por
lo tanto, los VCSEL’s requieren espejos altamente reflectivos para ser eficientes. En los
laceres de borde, la reflectividad es del 30% aproximadamente.
Haz
circular
Corriente
Arreglo de Laminas de
espejos superior óxido aislante
Cavidad Laser Región de

Arreglo de ganancia
espejos inferior
Reflectividad
99%
Figura 4: Extructura Básica de un Láser VCSELs
En los VCSEL la reflectividad requerida para obtener una baja corriente de

umbral, ésta debe ser mayor al 99,9%. Tan alta reflectividad no puede lograrse
utilizando espejos metálicos. Entonces los VCSEL se fabrican utilizando reflectores Bragg
distribuidos (DBRs). Estos se forman superponiendo alternativamente capas de material
semiconductor y dieléctrico con una diferencia en el índice de refracción.
Para lograr una dispersión mínima en las fibras ópticas, los materiales
semiconductores utilizados en los DBR`s tienen una pequeña diferencia en el índice de
refracción, por lo tanto se requieren muchos períodos.
Ya que las capas de DBR`s también transportan corriente en el dispositivo, la gran
cantidad de capas incrementan la resistencia interna del dispositivo, por lo que la
disipación y el aumento del calor pueden llegar a ser un problema si el dispositivo está mal
diseñado.
A continuación se presentan en los siguientes gráficos algunos diseños mostrando la
evolución de los dispositivos VCSEL que usan Reflectores de Bragg Distribuidos (DBR):

Salida de Luz
Espejo
Contacto dieléctrico
Substracto Región
n-InP Activa
Región Substracto
Espejo n
Activa dieléctrico
SiO2
VCSEL de reflector metálico VCSEL ‘Etched Well’
Electrodo y espejo
Circular de AuZn Salida de Luz
VCSEL Tipo “Reflector Metálico” VCSEL Tipo “Etched Well”
Contacto Au/Ti Contacto Au/Ti
Región Región
Región activa Recreada Recreada Región
activa
Substracto Substracto
Contacto Au/Ti Contacto Au/Ti
Salida de Luz Salida de Luz
VCSEL Tipo “Air Post ” VCSEL Tipo “Burried Regrowth”
Figura 5: Diferentes tipos de dispositivos VCSEL
Características de VCSEL de cavidad
En muchos VCSEL emplean pozos cuánticos de salto de energía bipolar dentro de

la cavidad. Al depositar una delgada capa de semiconductor con un salto de banda muy
pequeño, uno puede no sólo definir la región donde ocurra la recombinación, sino también
tener un control sobre las propiedades ópticas del dispositivo. Los niveles discretos de
energía están formados en las bandas de conducción y de valencia en los láseres bipolares.
La transición de los niveles de energía de la banda de conducción a la banda de valencia
ocurre desde estados que tienen el mismo valor de n (índice de refracción). La potencia
obtenida de un pozo cuántico simple es baja. Dentro de la cavidad pueden crearse
múltiples pozos cuánticos para obtener un incremento de potencia. La posición de los

pozos cuánticos es crucial si se busca maximizar la ganancia del dispositivo y su

disposición es la indicada en la figura 6.
Efc
Eg
Efv
(a) (b)
Figura 6 : Dispositivo de pozo quántico múltiple
También en estos tipos de dispositivos se trata de hacer las diferencias de niveles de

Cuasi Fermi prácticamente iguales a las del salto de energía Eg, para lograr una emisión
con ancho de banda espectrales muy angostos.
Considerando una onda estacionaria ubicada en una cavidad, con una amplitud
máxima 2Pav para los antinodos y una ganancia variando en el espacio g(z), la ganancia
efectiva está dada por:
L
P(z)
G = ∫ g(z) dz 1-2
0
Pav
Si consideramos el caso de una estructura de pozo cuántico, donde el medio de ganancia es

puesto en una onda estacionaria ubicada en antinodo:
N
 λ
g(z) = ∑ j g δ  z −  1-3
j= 1  2
Reflectores de Distribución de Bragg
La longitud reducida de la cavidad en los VCSEL y la suma de pozos cuánticos

reduce significativamente la probabilidad de emisión estimulada en un cruce simple por la
cavidad. La luz dentro de la cavidad debe ser reflejada en su parte trasera mucho más
veces que con un láser de cavidad tipo Fabry Perot. El tiempo medio en que los fotones
pasan dentro de la cavidad se conoce como tiempo de vida del fotón. La reflectividad de
los espejos debe ser muy alta para incrementar el tiempo de vida del fotón y de esta
manera el tiempo de interacción con el estado excitado del electrón. A manera de
ejemplo, obteniendo una estimación de la reflectividad que se requiere para estos espejos,
se puede aplicar algunos valores optimistas a la condición de ganancia umbral para un
dispositivo de pozo cuántico simple. La ganancia umbral ocurre donde la ganancia óptica
iguala a la pérdida óptica, entonces:
r1r2e


( )
 2 g thLQW −α i Lcav 

=1 1-4

Expresado en términos de ganancia:
1  1 
g th =  ln + αLcav  1-5
2LQW  r1r2 
Donde α es el coeficiente de absorción, LQW y Lcav son las longitudes de las regiones
de ganancia y del pozo cuántico respectivamente. r1 y r2 son las reflectividades de los
espejos. Aquí se asume un dispositivo ideal sin absorción. Se dará un grado de libertad
cuando se deje r1 = r2 = r. Utilizando en el mejor de los casos una ganancia de 1000 cm-1
dará una reflectividad del 99,95%. En los espejos metálicos la reflectividad está limitada
al 98% aproximadamente y por lo tanto, son inútiles para regiones activas pequeñas. Los
materiales dieléctricos y semiconductores tienen un muy bajo coeficiente de absorción
para los fotones con energías menores a la energía de salto de banda del material. Si dos
materiales dieléctricos con distintos índices de refracción son ubicados juntos para formar
una juntura, la luz reflejada será discontinua. La cantidad de luz reflejada fuera de sus
límites es pequeña. Sin embargo, si las capas alternadas de material semiconductor o
dieléctrico son apiladas, cada capa con un espesor óptico de λ/4n, la reflexión desde cada
uno de los límites se sumará en fase para producir un coeficiente de reflexión grande. El
número de capas requerido para producir un espejo altamente reflectivo a una longitud
de onda λ particular está determinado por la diferencia de los índices de refracción n de
los materiales contrastantes. También debe considerarse la constante estructural de los
materiales, la cual debe encontrarse aproximadamente dentro del 1% de los límites en los
cuales estos están depositados, para evitar fallas debido a efectos de tensión.
Dado un índice de refracción ns de un sustrato y un n0 del material envolvente
(comúnmente aire) como también los índices de refracción n1 n2 de los semiconductores
contrastantes para un número m de períodos, la reflectividad está dada por:
2
 n s  n1  
2m
1 −   
 n0  n 2  
r= 2m
1-6
n s  n1 
1+  
n0  n 2 
Los espejos de los dispositivos para longitudes de onda largas deben ser
cuidadosamente diseñados, disponiendo de un cierto número de parámetros. La
consideración más importante es la elección de los materiales utilizados para fabricar las
capas de Bragg. Estas deben crearse utilizando materiales que combinen su estructura
con el material de la cavidad.
El material elegido tradicionalmente para dispositivos de largas longitudes de onda
es GaAsInP/InP. Sin embargo la relación de contraste entre estos dos materiales es muy
bajo. Por lo tanto, para lograr la alta reflectividad demandada en los VCSEL se requiere
un gran número de capas alternadas. El crecimiento de los reflectores de Bragg lleva a
una demanda considerable de confiabilidad en su creación y desarrollo. Los espejos
altamente reflectivos pueden ser fabricados también con materiales dieléctricos. Los
materiales comúnmente usados son ZnSe/MgF y Si/SiO2 . Aunque los dieléctricos tienen
un alto índice de refracción y pueden depositarse usando técnicas a baja temperatura

estos no conducen corriente eléctrica. Además, estos en general son pobres conductores
de calor, lo cual es una muy importante consideración. El tipo de reflectores de Bragg
utilizado se puede observar en la figura 7.
Figura 7: Macrofotografía de una estructura de reflectores de Bragg
Potencia Óptica y Eficiencia Diferencial Cuántica
Para completar el panorama de funcionamiento de los dispositivos haremos

algunas consideraciones en cuanto a la potencia óptica y a la eficiencia cuántica.
La Potencia Óptica de salida es:
h.ω 
Pout =
q 
( )
η I − I th I, Tjct  1-7
donde η depende de dos factores: (1) la eficiencia de la corriente inyectada considerada

por la fracción de portadores inyectados contribuyendo al proceso de emisión (algunos de
los portadores pueden recombinarse en la región de confinamiento sin dopar, donde los
portadores no interactúan con el campo óptico), y (2), la eficiencia óptica considerada por
la fracción de fotones generados que son transmitidos fuera de la cavidad. Nótese que la
corriente umbral depende de la corriente inyectada como también de la temperatura de la
juntura Tjct.
La Eficiencia Cuántica Diferencial es, por lo tanto, dependiente de la corriente:
q dPout  dI 
ηext (I) = = η  1 − th  1-8
h.ω dI  dI 
Nótese que ηext(I) puede ser negativo si dIth/dI >1. La Pout de luz respecto a la
corriente de inyección tendrá una pendiente negativa.

Características de alta velocidad en un modelo comercial

La estructura típica de un dispositivo se vuelve a mostrar en la figura 8, lo único
que éste es proyectado para uso comercial. La pila de espejos tipo P consiste en 20,5
períodos de capas alternadas de AlAs/Al0.15 Ga0.85As. La región activa contiene tres pozos
cuánticos de GaAs envueltos por Al0.25Ga0.75As espaciados, y la cavidad es espaciada para
formar una cavidad de una longitud de onda simple con Al0.6Ga0.4As. El espejo tipo n
consiste de 22,5 pares de períodos de AlAs/Al.0.15Ga0.85 en un substrato tipo GaAs. El
confinamiento se logra por implantación de protones. Este VCSEL es proyectado para uso
comercial y tiene un diámetro interno de 20 µm y una apertura de 15µm
p-Contacto
p-Espejos
Implante con protones
Región Activa
n-conjunto de espejos
Diodo P-I-N
Substracto de GaAs
Figura 8: Esquemático de un VCSEL comercial
Estos valores dados proveen el mejor balance de corriente de umbral, ancho de

banda de modulación, resistencia en serie y ancho espectral. El voltaje directo típico y luz
de salida versus la corriente para temperaturas ambiente de 10, 40 y 70°C se muestran en
la figura 9. La corriente umbral del láser es estable dentro de 1mA sobre
aproximadamente 80°C de variación de la temperatura. Esto permite a los VCSEL a
usarse en controladores a circuito abierto reduciendo así el costo. El voltaje de operación
directo es de 1.80V con una resistencia en serie de 20Ω, permitiendo a los VCSEL a ser
manejados con fuentes de baja tensión y lógicas del tipo PECL/ECL.
Tensión de polarización directa (V)
Potencia (mW)
Corriente ( mA)
Figura 9: Voltaje directo típico y luz de salida versus

corriente, para temperaturas ambiente de 10, 40 y 70°C

Confinamiento de Corriente
Además de reducir las dimensiones de la cavidad uno puede reducir la corriente

umbral de un VCSEL, limitando la sección del área en la cual ocurre la ganancia.
Un método simple para esto es grabar una columna debajo de la capa activa. La
gran diferencia entre los índices de refracción del aire y del material del dispositivo actúa
como guía para la luz emitida. El problema con este tipo de estructura es la pérdida de
portadores debido a la recombinación en los bordes y la pobre disipación de calor en la
cavidad láser.
Otra técnica para el confinamiento de corriente es la implantación de iones.

Mediante una implantación de iones selectiva dentro de un semiconductor puede
transformarse a éste en un material aislante. Los protones son los que se usan más
comúnmente, sin embargo se han probados otra especie de iones como F+, O+, N+ y H+. El
bombardeo con iones a un semiconductor tiende a dañar la estructura del cristal del
material implantado y por lo tanto, se debe utilizar con precaución en las proximidades de
la capa activa.
Puede formarse una apertura aislante de óxido de aluminio entre la capa de la

cavidad y uno de los reflectores de Bragg. Esto comienza como una capa de AlGaAs. En
un ambiente con vapor de 350 a 500ºC el AlGaAs se convierte en una capa de óxido. La
relación de formación de la capa de óxido es proporcional al contenido de aluminio en el
material; por eso el primer óxido formado es aquella capa con alto contenido de aluminio.
La capa de óxido tiene un bajo índice de refracción comparado con el semiconductor y
por eso también actúa como una guía para la luz emitida. Muchas de las investigaciones
están concentradas en utilizar la oxidación con dispositivos cercanos al infrarrojo. Un
VCSEL CW de 1,5 µm, consiste en una región activa de InGaAsP/InP y espejos de
AlGaAs/GaAs y GaAs/AlAs unidos por fusión del basamento.
Circuito equivalente
El circuito equivalente de un VCSEL es de gran importancia práctica en el diseño de

circuitos interfaces para la modulación de alta velocidad.
El modelo de circuito para corriente de polarización por debajo del umbral se muestra en
la figura 10.
Lb RS
T
Cb RJ CJ
Figura 10: Circuito equivalente de un VCSEL
Los componentes que lo forman son una inductancia Lb debida a la unión de los
terminales, una capacitancia Cb debida al chip VCSEL y una resistencia Rs originada del
contacto metálico y la resistencia de la pila de espejos Bragg. La juntura p-n se modela

por una capacitancia Cj y una resistencia Rj en paralelo. El tiempo de vida de los

portadores está dado por td = Rj.Cj . En cuanto a la magnitud y fase de la impedancia para
una corriente de polarización de 1mA se muestra en la figura 11 en línea sólida.
Angulo de fase de Z (Grados)

Magnitud de Z (Ohms)
Frecuencia (MHz)
Figura 11: Medida y cálculo de la impedancia VCSEL
El resultado para Lb= 0,25 nH, Cp= 0,8 pF, Rs= 35 Ω y td=1,75 nSeg también se
ilustra en la figura en líneas cortadas.
Para bajas frecuencias la impedancia del VCSEL es real y está dada por la suma
de Rs y Rj. Cuando la frecuencia aumenta, la capacidad de la juntura comienza a
dominar y la parte real de la impedancia se reduce a Rs. Excelentes resultados se han
obtenido entre VCSEL y su circuito equivalente sobre un largo rango de operación de
temperatura y corriente.
Control de frecuencia de emisión de los VCSEL

El requerimiento de un láser, de tener la capacidad de sintonizar la frecuencia de
emisión, proviene de su utilización en la redes de comunicaciones ópticas, las que por la
necesidad de aumentar su capacidad y velocidad de transmisión se ha volcado al uso de
Modulación por División de Longitud de Onda (WDM), con lo cual en la actualidad se ha
llevado la capacidad de comunicación a más de 40 Gbps, donde los arreglos de láseres
DFB forman parte de la solución del problema.
Los láseres de longitud de onda sintonizables se están expandiendo enormemente
ya que tienen la capacidad de remplazar a varios láseres de frecuencia fija, al poseer la
capacidad de cubrir un rango de longitudes de onda muy amplias.
En el caso de los VCSEL se ha introducido un nuevo concepto en la sintonía de los
láseres, donde el cambio de longitud de onda se obtiene por efecto plasma donde la
estructura básica de funcionamiento es la indicada en la figura 12, donde el dispositivo
consiste en dos guías de doble heteroestructura, una heteroestructura que conforma la

región activa, la cual amplifica la propagación de luz láser, mientras que la otra
heteroestructura, que conforma un diodo, es la que controla la sintonía del láser.
Sintonía
Zona Activa
Figura 12: Esquema básico de un láser sintonizado utilizando efecto plasma
La luz de salida del dispositivo se controla principalmente por medio de la

corriente Ia que fluye por la zona activa controlando la densidad de portadores dentro de
esta región, mientras que la corriente de sintonía también afecta al índice n dentro de esta
sección y afecta a toda la heteroestructura, por lo tanto el control es ejercido por la
corriente Ia. Un cambio en el índice de refracción efectivo en combinación con el elemento
de filtro, dentro del resonador producirá una modificación del paso Λ alterando la
longitud de onda de salida. Como este comportamiento, dependiendo del tipo de
estructura utilizada, para cada tipo de láser se tendrá una forma de control diferente.
Empleando como filtro un reticulado de Bragg, se consigue un rango de sintonía
continua de algunos manómetros y es el láser denominado de Guía Doble Sintonizable
(TTG Laser o Tunable Twin-Duide Laser) cuya estructura básica de funcionamiento se
observa en la figura 13(a) . En la figura 13(b) se observa la respuesta de longitud de onda
de emisión en función de la corriente It. Este tipo de láser es el adecuado para aplicaciones
en espectrografía debido a su velocidad de sintonizado.
Figura 13: Láser de Guía Doble Sintonizable

(Tunable Twin-Duide Laser)

Si se usan dos superestructuras de reticulado con diferentes períodos en lugar de

una sola superestructura homogénea simple con reticulado de Bragg, se encuentra que el
rango de trabajo de los láseres de estructura TTG se pueden extender a varias decenas de
manómetros, pero este tipo de láser solo ofrece un rango de sintonía cuasi continuo como
se aprecia en la figura 14.
Longitud de Onda λ
Corriente I1, I2
Figura 14: Láser de sintonía Cuasi Continua
Existen otros láseres que utilizan un interferómetro Mach-Zehnder, construidos

verticalmente, para usarlos como elemento de filtro, con lo que se consigue implementar
láseres de sintonía discreta. Su respuesta se observa en la figura 15.
Longitud de Onda λ
Corriente I
Figura 15: Láser de Sintonía Discreta
Como es de conocimiento, el rango de longitudes de onda centrado en 1.55 µm es el

mas buscado por su baja atenuación, por lo tanto el desarrollo para esta frecuencia de
diodos láser con agilidad de frecuencia y de una sola frecuencia de emisión, es el que más
ha avanzado en estos últimos años, debido principalmente a los requerimientos de los
sistemas de comunicaciones, para su uso en multiplexado de división de longitud de onda
(WDM)
En la actualidad se ha desarrollado un tipo de estructura láser, denominada Doble
Guía Sintonizable Amplia, (widely tunable twin-guide (TTG) láser) que permite obtener
una potencia de salida relativamente grande. En la figura 16 se observa el corte de sección
longitudinal de un láser de Doble-Guía de sintonía amplia que emplea una estructura de
reticulado Bragg espaciado de pasos diferentes en la fig. (a), y en la (b) se observa el
espectro simulado de los diferentes pasos de reticulado

It1 It2
Ia
Figura 16: Láser de Doble-Guía de sintonía amplia que emplea una estructura de
reticulado Bragg espaciado de pasos.
El dispositivo consiste de tres partes, una región activa, una región de sintonía, y
una sección de reticulados, como se puede observar en la figura 16(a), en una porción de
un corte transversal de este tipo de láser. También se puede apreciar que el tamaño que se
puede lograr es muy compacto. Con esto se puede lograr una operación de modo simple
por medio del uso del reticulado, el cual provee de un filtrado por realimentación
distribuida selectiva. Si bien el mecanismo es similar al de un láser DFB, se puede esperar
que se produzca una buena supresión de modos laterales.
Como cada sección activa y de sintonía están constituidas por junturas P-I-N que
pueden ser polarizadas independientemente una de otra, con la aplicación de una
polarización directa del diodo de sintonía, los portadores serán inyectados en la región de
sintonía produciendo un plasma electrón-hueco. Este efecto de plasma de portadores
libres produce una variación del índice refractivo n disminuyéndolo, por lo tanto esto
produce una modificación de la longitud de onda Λ de Bragg modificando la longitud de
onda de emisión, es decir la variación de sintonía. Como cada sección se puede sintonizar
independientemente, se obtendrá un espectro de picos de emisión con diferente
espaciamiento como se aprecia en el gráfico de la figura 16 donde la emisión láser ocurre
para cada valor en los cuales se superpongan las frecuencias Λ de los reticulados. Por lo
tanto se puede obtener un efecto Vernier de sintonía manteniendo una sección con
polarización fija mientras se varía la polarización de la otra. El reticulado por pasos
consiste de un arreglo de áreas de corrugadas y no corrugadas distribuidas en forma
periódica con un 10% del área total corrugada. Estos tipos de corrugados se denominan
SG (Sampled Gratting) ver figura 17.
Existen también las denominadas SSG ( Super Structure Gratting) que consisten
en arreglos de varios superperíodos, donde cada uno de estos superperiodos están
construidos con un paso variable de Λ con variación continua o bien con saltos discretos
de Λ. La ventaja de estos últimos es que al no haber regiones sin reticulado la
reflectividad en mayor, y por ende la eficiencia de estos también será mayor.

Reticulado por pasos Reticulado continuo de paso variable
Un periodo de corrugado Un periodo de super estructura

Reflectividad de potencia
Reflectividad de potencia
Longitud de onda Longitud de onda
Figura 17: Reticulados por pasos y reticulado continuo de paso variable
Un ejemplo es el de la figura 18 donde se ilustra un reticulado de GaInAsP que ha

sido construido sobre una base de InP por medio de litografía de haz de electrones para la
definición del reticulado, utilizando un película PMMA para el grabado, transfiriendo el
formato en el GaInAsP por medio de un barrido iónico, luego con un crecido de InP por
medio de un haz químico epitaxial.
Figura 18: Macrofotografía de Reticulado de GaInAsP
Láser sintonizable con interferometría Mach-Zehnder
Para mejorar las características de funcionamiento en transmisión de datos en forma

óptica se debe optimizar la interfase óptica-eléctrica. Como sabemos la WDM permite
aumentar la relación de velocidad de transmisión al utilizar distintas longitudes de onda
simultáneamente. Por lo tanto se han desarrollado láseres con interferómetros Mach-
Zehnder integrados verticalmente tal que permita sintonizar la longitud de onda en forma
discreta por medio del cambio de corriente de polarización tal como se esquematiza en la
figura 19.

Polarización de
sintonía
Onda desde Emisión de Salida

Zona de Emisión
Polarización de
ganancia
Figura 19: Principio de interferometría Mach-Zehnder para sintonía láser
El mecanismo de sintonía está basado en la variación del índice de refracción n por

medio de la variación de densidad de portadores dentro de la región de sintonizado. Este
tipo de láser está implementado por medio de dos guías de onda que soportan dos modos
de campo. La oscilación láser ocurrirá cuando los dos modos que se propagan se
interfieran constructivamente en el extremo de las guías tal como ocurre en un
interferómetro de Mach-Zehnder. La distancia entre dos longitudes de onda
interferidoras, en estos tipos de dispositivos, es de aproximadamente una longitud de
onda, con lo que se consiguen cerca de 50 canales con distancias de 0,5nm de distancia
entre ellos, con un rango total sintonizable de 30nm. En la figura 20 se observa la
estructura constructiva de este tipo de láser
Figura 20: Esquema constructivo de un láser con interferometría Mach-Zehnder
En el esquema de la figura 20 se muestra la disposición del interferómetro pero no

de muestra la cavidad activa.

Análisis de difracción y dispersión de los VCSEL

El análisis de difracción y dispersión de los VCSEL para distintos modos y
tamaños de apertura se puede dividir en los siguientes aspectos.
Dependencia del modo espacial:
En la figura 21 se muestran los perfiles de intensidad logarítmicos del modo

fundamental (0,0) (izquierda) y el modo espacial (transversal o lateral) (1,2) (derecha) de
un VCSEL con una apertura de óxido cuadrada de 8 x 8µm2 . Como se puede observar
cualitativamente, los modos de alto orden difractan una gran fracción de la potencia
comparados con el modo fundamental. En este caso el porcentaje de difracción de
potencia es del 0.37% para el modo fundamental y del 0.85% para los modos de alto
orden. La técnica de exploración empleada para adquirir estos perfiles puede proveer
más de cinco órdenes de magnitud en el rango dinámico y utiliza resolución de frecuencias
para discriminar los modos de sus solapamientos espaciales. La simetría del patrón de
radiación propone difracción para una apertura del tipo cuadrada.
Figura 21: Perfiles de intensidad logarítmicos del modo fundamental (0,0) (izquierda) y el
modo espacial (transversal o lateral) (1,2) (derecha)
Dependencia del Tamaño de Apertura:
En la figura 22 se muestran los perfiles de difracción del modo fundamental de un

dispositivo con aperturas de 5 x 5µm2 (izquierda) y 8 x 8µm2 (derecha). Ambos son
trazados sobre la misma escala. El manejo de corriente para estos datos fueron elegidos
de manera tal que la potencia total detectada en el modo, es aproximadamente igual para
los dos tamaños de apertura. La comparación de los dos gráficos propone que la fracción
de potencia difractada al igual que las posiciones máximas de difracción, son función de
las dimensiones de apertura. Para estos gráficos, la apertura mas pequeña difracta el
0.44% de esta potencia contra el 0.37% para la apertura grande.

Figura 22: perfiles de difracción del modo fundamental de un dispositivo con aperturas de
5 x 5µm2 (izquierda) y 8 x 8µm2 (derecha)
Dependencia del Modo de Potencia:
En la figura 23 se muestran los patrones de difracción del modo fundamental de un

dispositivo con 5 x 5µm2 de apertura manejado para una relación de bombeo de 0.82
(izquierda) y 14.3 (derecha). La misma escala es utilizada para ambos gráficos. Aunque
la potencia absoluta difractada se incrementa con la potencia del modo, la potencia
difractada fraccional permanece prácticamente constante. La potencia difractada
fraccional para estos gráficos fue medida alrededor de 0.37 para ambas relaciones de
bombeo.
Figura 23: patrones de difracción del modo fundamental de un dispositivo con 5 x 5µm2
de apertura manejado para una relación de bombeo de 0.82 (izquierda) y 14.3 (derecha).

Estudio de la Intensidad de Ruido en los VCSEL

En las figuras siguientes, se muestra la influencia del ruido para los dispositivos
VCSEL en cuanto a los modos y a variaciones de la apertura.
Luz pasante de un VCSEL
Potencia de Ruido (dBm) Límite de

Ruido de Impacto
Ruido Láser
Ruido térmico
Frecuencia (MHz)
Figura 24: Intensidad de ruido o “Potencia de Ruido” para un VCSEL operando a
2.78mA
En la figura 24 se muestra la intensidad de ruido o “Potencia de Ruido” para un

VCSEL operando a 2.78mA. Nótese que la curva de Ruido Láser cae por debajo del
Límite de Ruido de Impacto para un gran rango de frecuencias. Este fenómeno es
inherente a la mecánica cuántica es directamente relacionado como el número de fotones
pasantes.
Anti-correlaciones cuánticas entre los Modos Espaciales de un VCSEL:
En la figura 25, puede verse que la intensidad de ruido o “Potencia de Ruido” de cada
modo transversal individual es sustancialmente (>10dB para un gran rango de corrientes de
conducción) mayor que la potencia de ruido total o de campos “combinados”.
Modo (0,0)
Potencia de Ruido (dBm)
Modo (0,1)
Ruido Combinado
Ruido de Impacto
Corriente de polarización (mA)
Figura 25: la intensidad de ruido o “Potencia de Ruido” de cada modo transversal

individual

Esto indica una fuerte anti-correlación entre los dos modos. En otras palabras, la
fluctuación de intensidad de un modo es sencillamente cancelada por fluctuaciones de los
otros modos, resultando en bajo ruido cuando se visualizan juntos. Entre 1.5mA y 3.5mA
esta anti-correlación permite que la Potencia de Ruido Combinada caiga por debajo del
límite de Ruido de Disparo indicando un mecanismo de correlación cuántico.
Intensidad de Ruido VCSEL para variaciones en la Apertura Numérica (NA):
En la figura 26 se muestra el comportamiento de la intensidad de ruido o “Potencia

de Ruido” de un VCSEL no-colimado como una función de la Apertura Numérica (NA)
detectada para dos corrientes de conducción. Estos resultados muestran que el ruido
láser detectado puede aumentar sustancialmente para aplicaciones que involucren el
acoplamiento con fibras.
? Dato Medido
? ? Teórico
Potencia de Ruido dBm
Corriente de
Polarización 0,6 mA
Corriente de
Polarización 2,0 mA
Apertura Numérica
Figura 26: Intensidad de ruido o “Potencia de Ruido” de un VCSEL no-colimado como

una función de la Apertura Numérica (NA)
Para las corrientes de conducción mostradas, la salida de los laseres está dominada
por dos modos transversales: el modo fundamental (0,0) y el modo (0,1). Estos dos modos
son anti-correlativos, lo cual explica el incremento de ruido. El modelo teórico mostrado
en rojo incluye la interacción entre estos dos modos además de la contribución del campo
de vacío (ruido de disparo). El modelo reproduce todas las mejores características
presentes en el comportamiento de ruido.
Modelización de la dependencia Térmica

La mayoría de la alta perfomance característica de un dispositivo optoelectrónico
se verá afecta por la temperatura como ya se han visto con anterioridad. En la mayor
parte de los VCSEL que se usan en 1.55 µm están constituidos por componentes de
InGaAsP/InP, por lo tanto tendrán una gran dependencia de la temperatura, por lo tanto
veremos este tipo particular de componente. En el caso de la evaluación se hará sobre un
VCSEL que tiene la estructura indicada en la figura 27, estudiando la dependencia

térmica de la fotoluminiscencia a la salida de este láser, que esta constituido con un DBR
en su base, pero no en su parte superior.
Salida de
Luz
Espejos dieléctricos
p- InGaAsP Anillo metálico de contacto

InP capa de aislamiento
Capa n-InP de base
Cavidad Zona activa de GaInAsP
de 3 λ Capa n-InP de base
45 períodos
de n-DBR de
GaInAsP/InP
Sustracto
Contacto metálico
Figura 27: Estructura del VCSEL de InGaAsP/InP usado para las mediciones
Este VCSEL fue excitado por pulsos eléctricos de 100 nseg. a una frecuencia de 5
KHz para lograr calentamiento Joule adecuado del elemento. La luz de salida fue medida
en un rango de temperaturas que varió entre los 125ºK y los 240ºK dentro del cual se
puede apreciar el efecto sobre la corriente umbral. Como se puede apreciar en la figura 28
el umbral mínimo se logra a 180ºK y una corriente de 26.5 mA, que corresponde a una
densidad de corriente de 13,2 kA cm-2.
Potencia de salida en mW
Corriente en mA
Figura 28: Comportamiento con la temperatura de la corriente umbral
Evidentemente, como se puede apreciar en la figura 29, las curvas de luz de salida
versus la corriente de polarización para cada valor paramétrico de temperatura, tenderán
a saturarse para mayores incrementos de corriente. Este efecto no se observa en láseres de
emisión de borde, debido a que la cavidad Fabry-Perot tienen dimensiones acotadas en
alto y ancho, pero aquí no es así, si bien la longitud de la cavidad es de 3 λ, lo que permite

una gran cantidad de modos. Todos estos modos de orden superior se pierden en el DBR y
por lo tanto se pierde energía lumínica. Esto produce un calentamiento adicional y un
incremento en las pérdidas.
Potencia de salida normalizada en mW
Corriente en mA
Figura 29 : Saturación de emisión por incremento de la corriente de polarización
Otro aspecto importante es la característica de variación de la corriente de umbral

Ith con la temperatura, que como se puede observar en la figura 30 tiene un compor-
tamiento de respuesta parabólica, que presenta un mínimo dentro de un rango de 170 a
190 ºK
Corriente umbral en mA
Temperatura en º K
Figura 30: Comportamiento de la corriente umbral con la temperatura
Este aspecto particular puede ser debido a la dependencia del pico de ganancia del
material y de la resonancia de la cavidad. Este efecto produciría un corrimiento hacia el
rojo, del pico de ganancia del material, en mayor proporción que se reduce la ganancia de
pico de la cavidad de Fabry-Perot, a medida que la temperatura crece. Por debajo de los
180ºK, el comportamiento es a la inversa a medida que le temperatura decrece.

El pico espectral de la salida de un VCSEL fue medida dentro de un rango de

temperaturas de 125 a 235 ºK, comprobándose que la longitud de onda del pico de
resosnancia de la cavidad varia con la temperatura con una relación
λ = λ 0 + mT 1-9
con m = 0,095 K-1 para el VCSEL bajo medición, dentro de un rango 1.501µm y 1.512µm
dentro de una variación de 100ºK, como se aprecia en la figuras 31 y 32
Longitud de onda en µm
Temperatura en ºK
Figura 31: Variación de la Longitud de onda del pico de emisión vs. Temperatura
Intensidad normalizada
Longitud de onda en µm
Figura 32 : Variación de la longitud de onda del pico de emisión

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burning, and thermal effects” - C. Degen, I. Fischer and W. Elsäβer - OPTICS EXPRESS 2
August 1999 / Vol. 5, No. 3
“Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSELs)” - Applied Physics Group at the
University of Essex in England). Dr. J. Wah , Mr. C. J. Hepburn and Mr. A. Boland-Thoms -
2001
“VCSELs Tunable Lasers” - Walter Schottky Institute – Munchen University – 2003.
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Hepburn - Thesis submitted for the degree of Master of Science (by Dissertation) in Physics.
University of Essex, October, 2001.


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