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UNIDAD I
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET
1. TTULO
Prctica 1: Curva caracterstica del Transistor JFET y niveles de
Operacin.
2. OBJETIVO GENERAL
Construir la curva caracterstica de un transistor FET, a travs de
la aplicacin de las leyes, teoras y modelos matemticos que
rigen a stos, para comprender el funcionamiento y
comportamiento del mismo.
3. RESULTADOS DE APRENDIZAJE
4. MARCO TERICO
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO JFET
3.1 Introduccin
El transistor de efecto de campo FET es un dispositivo de 3
terminales que se utiliza para diversas aplicaciones, en gran parte,
similares a las del transistor BJT aunque la principal diferencia
entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor
BJT es un dispositivo controlado por corriente como se describe en
la figura 5.1.a, mientras que el transistor JFET es un dispositivo
controlado por voltaje como se muestra en la figura 5.1.b. En
IC
otras palabras, la corriente
de la figura 5.1.a es una funcin
directa del nivel de
funcin del voltaje
IB
V GS
ID
ser una
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100.
Tres (3) Transistores FET canal N: 2N5951. Reemplazo el
6. PROCEDIMIENTO
Preparatorio:
1. Simule el circuito que se ilustra en la Figura 1, en el software de
simulacin Qucs. Para la simulacin cambie las caractersticas
del transistor como se muestra en la ltima hoja de Anexos.
2. Establezca VGG de modo que VGS est en 0V.
3. Ajuste VDD por cada valor de VDS que incluye en la Tabla 1. Con
la sonda de corriente mida el valor de I D para cada valor de VDS
y regstrelo en la Tabla 1.
4. Ajuste VGG para que VGS = -0,5V. Repita el paso 3 manteniendo
VGG constante.
5. Repita los pasos 3 y 4 para todos los valores de V GS en la Tabla
1.
6. Con los datos de la Tabla 1, grafique las curvas caractersticas
de drenaje para la configuracin en fuente comn del transistor;
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8. TABULACIONES Y RESULTADOS
Tabla 1 Simulacin: Tabla correspondiente a los valores medidos de la Figura 1.
ID
V DS
(V)
V GS
(V)
-0.5
-1
-1.5
0.5
0.0008
33
0.0008
33
0.0008
33
0.0008
31
1
0.0016
7
0.0016
7
0.0016
6
0.0016
5
1.5
0.0025
0.0025
0.0024
9
0.0018
5
2
0.0033
3
0.0033
3
0.0033
2
0.0018
7
2.5
0.0041
6
0.0041
6
0.0037
8
0.0018
9
4.5
0.0047
5
0.0057
9
0.0038
6
0.0019
2
-2
Tabla 1 Prctica: Tabla correspondiente a los valores medidos de la Figura 1.
ID
V DS
(V)
V GS
(V)
0.5
1.5
2.5
4.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
9. SIMULACIONES
Adjuntar el grfico de la simulacin correspondiente a la Figura 1
que se detalla en el informe, debe observarse la lectura en los dos
multmetros.
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Figura 2. Con
V GS=0 V y V DS =0 V
Figura 3. Con
V GS=0 V y V DS =0.5 V
Figura 4. Con
V GS=0 V y V DS =1.5V
Figura 5. Con
V GS=0 V y V DS =2V
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Figura 6. Con
Figura 7. Con
Figura 8. Con
Figura 9. Con
V GS=0 V y V DS =2.5V
V GS=0 V y V DS =1V
V GS=0 V y V DS =4.5 V
V GS=0.5 V y V DS =0.5V
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V GS=0.5 V y V DS =1V
V GS=0.5 V y V DS =1.5V
V GS=0.5 V y V DS =2V
V GS=0.5 V y V DS =2.5V
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V GS=0.5 V y V DS =4.5 V
V GS=1 V y V DS=1 V
V GS=1 V y V DS=1 .5 V
V GS=1 V y V DS=2 V
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V GS=1 V y V DS=2.5 V
V GS=1 V y V DS=4.5V
V GS=1 .5 V y V DS=0 V
V GS=1.5 V y V DS=1 V
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V GS=1.5 V y V DS=0.5 V
V GS=1.5 V y V DS=1.5 V
V GS=1.5 V y V DS=2 V
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V GS=1.5 V y V DS=2.5 V
V GS=1.5 V y V DS=4.5 V
V GS=2 V y V DS=0 V
V GS=2 V y V DS=1 V
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V GS=2 V y V DS=1.5 V
V GS=2 V y V DS=2 V
V GS=2 V y V DS=2.5 V
V GS=2 V y V DS=4.5 V
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10. CLCULOS
No se necesitan para la presente prctica.
11.
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
..
2. Exponga sus recomendaciones respecto a la presente prctica.
..
12.
13.
BIBLIOGRAFA
Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.
Boylestad Nashelsky. Octava Edicin. Pearson Educacin.
Captulo 5
PREGUNTAS (Acabada la prctica en el Laboratorio)
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14.
15.
ANEXOS
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