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PROYECTO DE INVESTIGACION:
Desarrollo de micro-generadores de potencia basados en cosechadores
de energa MEMS y materiales piezoelctricos: una fuente de energa
alternativa para dispositivos porttiles

Universidad Autnoma de Ciudad Jurez
Instituto de Ingeniera y Tecnologa
Centro de Investigacin en Ciencia y Tecnologa Aplicada (CICTA)

Responsable: Dr. Roberto Carlos Ambrosio Lzaro
Modalidad: Joven investigador (J2)

a) Consideraciones sobre la originalidad de la propuesta
La forma en que obtenemos la energa que actualmente utilizamos cada vez es ms
costosa, econmicamente y ambientalmente. Se sabe que la reserva de los combustibles
fsiles como el carbn, gas natural y petrleo, es finita y no renovable. De acuerdo a las
predicciones, en los prximos 10-20 aos, comenzar el decline en la produccin de petrleo
[1,2]. Tambin de suma importancia es el cuidado del medio ambiente y principalmente el
uso de combustibles fsiles, que ha tenido efectos nocivos en el balance natural del planeta.
Actualmente se producen alrededor de 20x10
12
kg de dixido de carbono que son emitidos
directamente a la atmsfera cada ao resultando en un incremento en la concentracin de
CO
2
en la atmsfera.
Sin embargo la sociedad de consumo actual, demanda energa diaria para sus
actividades. Una parte importante de estas se centra en el uso de las tecnologas de
informacin y las actividades que exigimos de los dispositivos electrnicos, como su
duracin, no se requiere perder tiempo al estar esperando recargar un equipo electrnico,
tampoco estar reemplazando bateras primarias que afecten la economa de los usuarios y
que contaminen. Por otro lado la tendencia es hacer a los equipos electrnicos porttiles
ms pequeos, que ocupen menos espacio, que sean ligeros y que tengan un tiempo de uso
prolongado. Hoy en da existen dispositivos comercialmente pequeos, multifuncionales y
muy poderosos tales como computadoras porttiles, reproductores de msica, telfonos
celulares, etc. Su funcionalidad se ha extendido y el tamao ha llegado a ser tan pequeo
que algunos se encuentran en la fase de ser integrados en objetos tales como lentes, relojes,
y ropa [3,4]. Estas unidades estn basadas en la tecnologa microelectrnica y
necesariamente requieren de una fuente externa de poder, la cual tradicionalmente es una
batera recargable.
Las bateras son una fuente significante del tamao, peso y tienen la inconveniencia
para la portabilidad y manejo, tiempo de vida, costo y contaminacin. Por ejemplo, en el caso
del desarrollo en las computadoras porttiles (tecnologa mvil madura), su rea en las
fuentes de poder ha mostrado la tendencia mas baja de desarrollo [5]. Aunque nuevos
materiales estn revolucionando el campo de las bateras basados en pelculas delgadas de
iones de litio o polmeros de litio, el factor de densidad de energa no ha aumentado. De ah
que se esta requiriendo investigar hacia otras fuentes de energa las cuales han resultado en
micro-celdas de combustible y generadores de potencia que usan combustibles qumicos
(hidrogeno o metanol). La energa especfica para una celda de combustible se ha reportado
de 3 a 5 veces mejor que bateras de NiCd o NiMH, mientras que la densidad de energa es
de seis a siete veces ms grandes que las de Li-ion [6]. Pero estas celdas necesitan ser

2
rellenadas o tienen que ser manufacturadas para llevar el suficiente combustible y mantener
la operacin de la batera durante todo su tiempo de vida. Una de las opciones para recargar
las bateras secundarias de los sistemas es usar el cosechamiento de potencia del cuerpo
humano [7,8].
El proceso de adquisicin de energa del medio ambiente que envuelve a un sistema y
que la convierte en energa elctrica usable es llamado cosechamiento de energa. En los
ltimos aos ha surgido un gran inters en la bsqueda de energa. Este aumento de
investigaciones ha sido atrado para los avances ms modernos tanto en tecnologa
inalmbrica, electrnica de baja potencia, ingeniera de materiales como en el rea de los
sistemas micro-electro-mecnicos (MEMS).
Los investigadores e industriales estn considerando el cosechamiento de energa
como una forma de contribuir al dficit de energa. Ya que aun con los diseos eficientes de
potencia, los largos ciclos de operacin, arquitectura inteligentes, y bateras con una mejora
en la densidad de potencia, la energa almacenada simplemente no es suficiente para
sostener largos tiempos de vida. Otro hecho es que para los dispositivos electrnicos
porttiles, reemplazar las bateras es problemtico debido a la vigencia que tiene la
electrnica en los modelos de los equipos.
Cosechar la energa del medioambiente es actualmente investigada usando diversos
mtodos tales como: la utilizacin de la potencia solar, los campos electromagnticos, los
gradientes trmicos y la energa producida por el cuerpo humano o por los movimientos de
los seres vivos. En este ltimo punto es donde se enfoca este proyecto de investigacin, ya
que la mayora de todas las vibraciones mecnicas es una potencial fuente de energa, la
cual puede ser accesible a travs de la tecnologa de los microsistemas (MEMS)
desarrollando dispositivos para su conversin de energa mecnica a energa elctrica.
Los materiales piezoelctricos son utilizados para obtener energa utilizando las
vibraciones del medio ambiente o del objeto en estudio, debido a que pueden convertir
eficientemente la tensin mecnica a una carga elctrica sin adicin de alguna fuente de
poder [5-6]. Varios generadores piezoelctricos de gran tamao (en el orden de los
centmetros) han sido desarrollados usando el modo piezoelctrico d
31
[5,7,8]. Pero existen
muy pocos trabajos sobre generadores piezoelctricos de pelcula delgada en la escala de
los MEMS.
El proyect esta enfocado en el desarrollo sistemas micro-electromecnicos (MEMS)
para la generacin de potencia; mediante el concepto de convertir lo que se percibe como
energa vibracional del medio ambiente en una forma valiosa y eficiente de energa elctrica.
Materiales piezoelctricos de pelcula delgada actuaran como elementos transductores.
Tcnicas de micro-maquinado en substratos de silicio sern llevadas a cabo para la
obtencin del generador y se desarrollaran procesos avanzados de micro y nano-fabricacin,
que sin duda permitirn realizar trabajos de investigacin de calidad, que puedan impactar en
la formacin de recursos humanos altamente capacitados y especializados que empujen el
desarrollo de la industria micro y nano-electrnica y que contribuyan en la solucin de los
problemas nacionales.
Con este proyecto tambin se demostrara la factibilidad de integrar materiales
piezoelctricos con la tecnologa estndar de silicio para la fabricacin de microsistemas
capaces de cosechar la energa mecnica del medio que los rodea y entregarla en potencia
elctrica, se propone el uso de dos materiales: el Titanato de Bismuto (Bi
4
Ti
3
O
12
) que ya ha
sido obtenido por el grupo de materiales de la UACJ y el titanato Zirconato de Plomo (PZT)

3
que es el que usan los pocos trabajos reportados; puesto que a la fecha no existen estudios
de sensores realizados con el material mencionado primeramente, aunado que el material
PZT necesita de plomo extra para compensar la volatilidad del plomo y del oxido de plomo en
las pelculas durante su proceso de obtencin, por lo que tambin se pretende realizar un
anlisis comparativo y determinar la mejor eficiencia de conversin de energa usando
ambos tipos de materiales piezoelctricos en los microgeneradores.
Se consideraran las formas de controlar la energa cosechada por el microgenerador
para almacenarla y despus entregarla a los dispositivos electrnicos con la mayor eficiencia
posible, ya que un componente crtico son los circuitos de acondicionamiento de la seal.
Finalmente se hace nfasis que cuando las fuentes de energa basadas en petrleo
empiecen a agotarse, las diferentes formas del cosechamiento de energa se incrementaran
y la propuesta hecha en este proyecto no solo esta direccionada al campo de la tecnologa
MEMS y de materiales si no que tambin esta dirigida hacia el problema de proporcionar
potencia a los dispositivos para los cuales las bateras no son una opcin deseable.
Contribuyendo a la emergencia de fuentes de potencia sustentables localmente en
dispositivos electrnicos, y extendiendo la funcionalidad de los dispositivos MEMS, con lo
que se agregara un valor inestimable a esta tecnologa. Aunado a que no solo se abre la
posibilidad de continuar investigando en el rea de punta de hoy en da que es la nano-
tecnologa, si no que tambin se estar generando conocimiento, desarrollando tecnologa e
impactando de una forma indirecta en la conservacin del medio ambiente.

b) Antecedentes
1. Consideraciones sobre los materiales piezoelctricos
Aplicando una tensin mecnica a un material piezoelctrico se crea un momentneo
reagrupamiento en sus iones, apareciendo de este modo dipolos y por lo tanto cargas de
signo opuesto en las superficies enfrentadas, lo que resulta en la generacin de un campo
elctrico. Para que los materiales presenten esta propiedad no deben tener centro de
simetra. Si se ejerce una presin en los extremos del eje polar, se produce polarizacin: los
electrones se liberan de su orbital energtico y van hacia un extremo del material
produciendo en l una carga negativa, mientras que en el extremo opuesto se induce una
carga positiva, como se muestra en la figura 1.





. Cuando la fuerza es removida, el material se descomprime e inmediatamente causa
una fuerza elctrica en la direccin contraria. La capacidad de potencia de estos materiales
es pequea, sin embargo estn siendo muy usados por su extrema sensibilidad a los
cambios de una fuerza mecnica.

Fig. 1. Tensin aplicada a un material piezoelctrico produciendo una carga elctrica.

4
1.1 Polarizacin
En los materiales piezoelctricos, la relacin entre la tensin (stress) aplicada y la
respuesta resultante, depende de: las propiedades piezoelctricas del material, el tamao y
la forma del elemento y la direccin de las cantidades vectoriales elctricas y mecnicas.
Para identificar las direcciones en un elemento piezoelctrico, se denominan tres ejes
como 1,2 y 3; que son anlogos al conjunto de los ejes ortogonales en tres dimensiones X,
Y y Z, figura 2.
Las propiedades del material a lo largo de los ejes 1 y 2 son idnticas una de la otra
pero diferentes a los largo del eje 3. Para mantener la simplicidad, las referencias son hechas
solamente a las direcciones 3 y 1. El punto fijo de referencia (o el eje-3) es invariablemente
tomado como paralelo a la direccin de polarizacin dentro, como se muestra en la figura 2a.
El eje polar es inducido durante el proceso de obtencin mediante un alto voltaje DC
aplicado entre las caras de los electrodos pares para alinear el dominio del material en la
direccin del campo.












El vector de polarizacin (P) esta representado por una flecha apuntando desde el punto
positivo hacia el electrodo negativo. En el modo de operacin de deformacin, los electrodos
de referencia son removidos y reemplazados por un conjunto de electrodos, el segundo par
de las caras. El eje 3 no es alterado, pero este llega a ser paralelo a las caras del nuevo
electrodo, como se ve en la figura 2b.
1.2 Generacin de potencia Electrica

Como se ha mencionado anteriormente cuando un material piezoelctrico esta bajo la accin
de una deformacin mecnica estos materiales se polarizan y el grado de polarizacin es
proporcional a la fuerza aplicada. El efecto inverso tambin es posible: cuando estn sujetos
a un campo elctrico externo se deforman. Este comportamiento es modelado en las
ecuaciones constitutivas, las cuales definen como la tensin (T), la deformacin (S), el
desplazamiento de la densidad de carga (D), y el campo elctrico (E) interactan con el
material

E dT D
T
+ =

a D tambin se le conoce como el desplazamiento elctrico y es la permitividad. La
constante piezoelctrica del material es d y se describe en los siguientes prrafos, y el
superndice E indica que la magnitud est medida bajo campo elctrico constante o cero, y el
superndice t seala que se trata de una forma transpuesta de matriz [4].
} ]{ [ } ]{ [ } { E d T s S
t E
+ =
(1.1a)
(1.1b)

Fig. 2. Identificacin de los ejes de referencia y planos en un material piezoelctrico

(a) (b)

5
La ecuacin (1.1a) relaciona el desplazamiento elctrico D con la tensin mecnica T
aplicada y el campo elctrico E generado. Las constantes de proporcionalidad son el
coeficiente d y la medida de la constante dielctrica en la tensin
T
.
Por otro lado, la ecuacin (1.1b) relaciona la deformacin mecnica desarrollada
cuando el campo elctrico E es aplicado y cuando la tensin mecnica T es desarrollada. Las
constantes de proporcionalidad son el coeficiente d y la medida de elasticidad a un campo
elctrico constante s
E
.

1.2 Constante d o Coeficiente de carga
La constante piezoelctrica d es una relacin de la densidad de carga por unidad de tensin
(stress) o deformacin por unidad de campo, y muestra la habilidad del material
piezoelctrico para generar energa.

T
D
d
E
ij
= (1.2)
las unidades para la constante d son comnmente expresadas como Coulombs/Newtons o
metros/ volts
Los coeficientes piezoelctricos con doble subndice estn relacionados a las
cantidades elctricas y mecnicas. El primer subndice indica la direccin del campo elctrico
asociado con el voltaje aplicado o la carga o el voltaje producido. El segundo subndice
proporciona la direccin de la tensin mecnica o la deformacin.
El coeficiente de carga piezoelctrico d
33
aplica cuando la fuerza esta en la direccin-3
(a lo largo del eje de polarizacin) y es producida en la misma superficie en la cual la carga
es colectada, ver figura 3a , mientras que d
31
aplica cuando la carga es colectada en la
misma superficie como se menciono antes, pero la fuerza es aplicada en ngulos a la
derecha del eje de referencia, como se muestra en la figura 3b.















1.3 Coeficiente de voltaje piezoelctrico (constante g)

El coeficiente g es una medida del campo elctrico por unidad de tensin o deformacin por
unidad de densidad de carga (parmetro relacionado con un campo elctrico a circuito
abierto) y esta dado por


T
E
g
ij
= (1.3)

(a)(b)
Fig. 3. Modos de operacin para generadores piezoelctricos: a) Generador de compresin paralelo-
modo 33; b) Generador de tensin transversal modo 31

6
Las unidades para el coeficiente g
ij
son comnmente expresadas como:
g
ij
= Volts metro/Newton o g
ij
= metro
2
/ Coulomb.

el voltaje de salida a circuito abierto es calculado por medio de multiplicar el campo elctrico
por el espesor del material entre los electrodos. El primer subndice indica la direccin del
voltaje generado y el segundo indica la direccin de la fuerza. El subndice 33 significa que
el campo elctrico generado y la tensin mecnica estn ambos a lo largo de la polarizacin,
figura 3a. El subndice 31 significa que la presin esta aplicada a la derecha del eje de
polarizacin pero el voltaje aparece en los mismos electrodos que en el caso 33, figura 3b.

1.4 Constante de acoplamiento electromecnica (K)
Un tercer parmetro importante es la constante de acoplamiento electromecnica (k
ij
),
y es la habilidad del material para convertir energa mecnica en elctrica o viceversa,
puede estar dada como porcentaje, donde k
ij
es igual a la raz cuadrada de la energa
elctrica (We) dividido por la energa mecnica (Wm).
% 100 = =
Wm
We
k
ij
(1.4)

Finalmente se tiene otro parmetro que es la Constante dielctrica relativa K
T
3
, y
expresa la constante dielctrica relativa del material en la direccin 3. Multiplicando esta por
la constante dielctrica del espacio libre

se obtiene la constante dielctrica absoluta.

1.5 Generador de tensin transversal
En este tipo de generador la fuerza es aplicada en diferentes ejes que la de los
electrodos. Por lo tanto la superficie de donde la carga es almacenada y la superficie de
donde la fuerza es aplicada son independientes, siendo as un generador con una dimensin
mas conveniente para ser adaptado entre la ropa y zapatos. Para este tipo de generador la
ecuacin (1.1) es transformada en la siguiente expresin para operacin en modo de corto
circuito y a circuito abierto, respectivamente:
Carga generada en corto circuito:
tW
F
d
LW
Q
1
31
3
= (1.5a)

Campo elctrico generado a circuito abierto:
W
g
t
F
t
V
31 1 3
= (1.5b)

Donde:
Q = Carga en la superficie del piezo generador. L = Largo sobre el eje 1.
W = Ancho sobre el eje 2. F = Fuerza aplicada en la superficie.
V = Voltaje a circuito abierto a travs del eje 3. t = espesor del material.

En la expresin 1.5 los coeficientes piezoelctricos indican que la fuerza mecnica se aplica
a travs del eje 1 y de las magnitudes obtenidas a travs del eje 3. De la ecuacin 1.5
tambin se puede obtener una expresin para la obtencin de energa elctrica considerando
el generador como un capacitor

7
(1.6)
t
WL
C
T
0 31
3

=


2
1 31 31
2
3 3 3
2
1
2
1
F
Wt
L
d g V C W
e
= = (1.7)

Extendiendo el largo del generador se maximiza la energa elctrica. Esto nos lleva a que la
figura del generador tenga una pelcula ms delgada, con una superficie ms larga para
colectar suficiente carga, sin embargo la eficiencia mecnica a elctrica del modo
transversal, expresada a travs del coeficiente de acoplamiento K
31,
es dos veces mas
pequea que la eficiencia del modo paralelo. A pesar de estas limitaciones los generadores
de pelcula delgada que operan en modo transversal son ms usados en estos trabajos por
que acoplan la energa mecnica de movimientos humanos en ellos.

2. Materiales piezoelctricos

Los materiales piezoelctricos se han utilizado ampliamente para la recoleccin de
energa, basndose esencialmente en las vibraciones mecnicas de las estructuras a las que
se adjuntan [9].
Existen dos tipos comunes de materiales empleados como generadores, y son los
piezo-cermicos tales como titanato circonato de plomo (PZT) o Titanato de Bario (BaTiO
3
) y
piezo-polmeros tales como Fluoruro de Polivinilideno (PVDF). La tabla 1 compara las
ventajas y desventajas de estos materiales.
Tabla 1. Comparacin de las propiedades de materiales piezoelctricos [7]
Propiedad Unidades pelcula
PVDF
PZT BaTiO
3

Densidad 10 kg/m
3
1.78 7.5 5.7
Permitividad relativa /
0
12 1200 1700
Constante d
31
(10
-12
)C/N 23 -171 78
Constanteg
31
(10
-3
)Vm/N 216 -11.4 5
Constantek
31
10
-2
12 34.4 21
Constante d
33
(10
-12
)C/N -33 374 149
Constanteg
33
(10
-3
)Vm/N -330 24.8 14.1
Constantek
33
10
-2
15 70.5 48

En la tabla 1, se comparan los materiales de acuerdo al factor de acoplamiento
electromecnico (k
31
). El PZT puede convertir aproximadamente 2.5 veces mas energa
mecnica a energa elctrica que las pelculas de PVDF. PZT tambin puede convertir
alrededor de 5 veces mas fuerza para cargar que PVDF. PVDF sin embargo es 21 veces
ms susceptible a responder al voltaje generado por una fuerza aplicada.
De acuerdo a su coeficiente de acoplamiento electromecnico PZT es mejor material. La
mxima eficiencia electromecnica disponible en un generador piezoelctrico es
aproximadamente el 50% y que corresponde al modo paralelo y al material PZT. Sin
embargo, el material ms flexible PVDF es ms usable en los generadores fijos, en objetos
de hoy en da, pero su eficiencia electromecnica es de un orden de magnitud ms pequea.
En la mayora de los desarrollos experimentales de aplicaciones de cosechamiento a travs
de zapatos se usa el generador transversal (modo 3-1) teniendo una eficiencia del 11.2%.

8
2.1 Mtodos de obtencin

Existen diversas posibilidades de usos de los materiales piezoelctricos en la
microelectrnica de hoy en da, que es causada por la estabilidad de los parmetros en estos
materiales. La optimizacin podra hacerse de muchas maneras, por ejemplo la eleccin de
una composicin qumica apropiada o por el cambio de mtodo de obtencin.

Los mtodos de obtencin del PZT del tipo cermico se basa en la modificacin de las
propiedades bsicas de las cermicas; dos mtodos son principalmente utilizados: el de
cermica convencional y el de presin caliente [10]. Tambin existen otros mtodos como: el
de sol-gel y el depsito por magnetron sputtering. El material que se obtiene con el mtodo
de cermica convencional, produce cermicas de grano grande y gran porosidad. El segundo
mtodo genera granos pequeos con poca porosidad y alta densidad.
Para dispositivos MEMS como microespejos y microvigas, se necesita una alta calidad de
las pelculas de PZT y espesores de alrededor de 3um para obtener grandes
desplazamientos. Algunas de las tcnicas son: el mtodo de sol-gel, deposicin por lser
pulsado (PLD) y deposicin por chorro de impresin para fabricar pelculas de PZT para
microactuadores. Sin embargo, no ha sido fcil obtener espesores gruesos con buenas
propiedades elctricas debido a la formacin de fracturas y la volatilidad del plomo y del
oxido de plomo en las pelculas.

Herdier et al [11] ha reportado el deposito de pelculas delgadas piezoelectricas por medio
de la tcnica de magnetron sputtering por r.f en substratos de silicio. En este trabajo las
propiedades piezoelctricas de los pelculas delgadas comprenden las familias de los
materiales (1-x) PMNxPT (titanato oxido de plomo) los cuales son investigados para dos
valores diferentes de composicin x, x = 0.3 (0.7PMN0.3PT) y x = 0.1 (0.9PMN0.1PT), que
fueron crecidos sobre un sustrato de Silicio. De acuerdo a las propiedades del substrato del
material, las pelculas delgadas con x=0.3 exhibieron el comportamiento piezoelctrico, y
para x=0.1 las pelculas delgadas resultaron electroestticas. As mismo el autor comparo el
comportamiento de las pelculas delgadas con respecto al PZT tambin crecidas en Silicio.
Las propiedades piezoelctricas fueron medidas y la mxima respuesta para el d
33
fue
encontrada para el PZT. Los resultados muestran que los materiales 0.7PMN0.3PT y PZT
son los mejores candidatos para actuadores MEMS, pero el PZT es superior y una ventaja
importante es que es ms simple el crecimiento comparado con el de PMNPT. Otra ventaja
para el material de PZT es la posibilidad de introducir dopantes, que pueden agregarse para
mejorar las propiedades piezoelctricas del PZT.

En otro mtodo, Sibei Xiong et al [12] ha usado pelculas de PZT preparadas mediante
sol-gel (deposito de solucin qumica) para actuadores MEMS. En la solucin precursora fue
adicionado un 15% de exceso de plomo para balancear la perdida de plomo durante el
tratamiento trmico rpido (RTA). Las pelculas de PZT fueron recubiertas con contactos de
Pt/Ti y una estructura de oxido de silicio (SiO
2
) en obleas de silicio; por medio de mltiples
depsitos (spin-coating) y tratamientos trmicos, la solucin fue tratada a 350C y despus
recalentada trmicamente a 650C. Se obtuvieron espesores de pelculas en el rango de 0.7
- 2.2um. Los resultados de la caracterizacin como el coeficiente transversal efectivo
piezoelctrico e
31
de las pelculas delgadas fue de 12.50.3 C/m
2
. As estas pelculas de PZT
preparadas por sol-gel demostraron excelentes propiedades piezoelctricas y han sido
aplicadas en sensores ultrasnicos del tipo MEMS. En la tabla 2, se resumen algunos
trabajos para materiales piezoelctricos que estn desarrollndose para el rea de los MEMS.

9
Tabla 2. Mtodos de obtencin y aplicacin de los materiales piezoelctricos

Material Mtodo de obtencin
Temperatura
Sinterizacin
Aplicacin Referencia
PbTiO3
EL mtodo de cermica
convencional y el mtodo de
presin caliente
1149C
Actuadores y
piezomotores
[10]
0.96Pb (ZrxTi(1-x))O3
0.04Pb(Sb1/2Nb1/2)O3
PZT-PSN
Metodo de Resonancia 1100 C
Sensores y
actuadores, micro-
transformadores, y
MEMS
[13]
0.7PMNPT
Crecimiento por magnetron
sputtering
700 C Actuadores [11]
PZT Metodo Sol-Gel 650 C
Sensores
Ultrasnicos
[12]
[11]
PZT
Crecimiento por magnetron
sputtering
700 C Actuadores [11]
0.9PMN0.1PT
Crecimiento por magnetron
sputtering
700 C Transductores


3. Aplicaciones: Generadores piezoelctricos

La actividad humada puede ir desde el descanso a un rpido caminar o correr, en estas
acciones el cuerpo humano puede gastar aproximadamente 0.1-1.5kW [7]. Sin embargo los
dispositivos generadores cosechan menos que un mili-Watt de la actividad humana. Una de
los caminos ms prometedores de extraer ms energa de las personas ha sido mediante el
caminar. Los seres humanos suelen ejercer hasta 130 por ciento de su peso a travs de sus
zapatos. Para una persona de 77 kilos esto indica que alrededor de 7W de potencia podran
estar disponibles por el pie en un 1-Hz de paso[8]. En el Instituto Tecnolgico de
Massachussets (MIT) se han desarrollado transductores en forma de placas delgadas
incorporadas en la suela de un zapato, en su primer prototipo el dispositivo fue sujetado con
una correa, y se obtuvo un promedio de 250 mW durante una caminata. Sin embargo
resultaron complicados cuando se montan en la suela, pesados y voluminosos como se
muestra en la figura 4. Paradiso et al [5,8] construyo el zapato en 1998 y fue mejorado en
1999. Una parte de la estructura fue colocada en el rea cercana a los dedos del pie, y se
realizo con dos placas de material conectadas espalda con espalda: PZT/resorte-acero, esta
estructura es llamada unimorph porque consiste de una capa activa y otra inactiva, en el
caso de la capa activa es un material piezoelctrico, adems uso una estructura adicional de
dos capas activas (bimorph) de material PVDF colocada en el rea del taln. Debido a la
limitada eficiencia de conversin electromecnica, el promedio de potencia cosechada fue
pequeo (8.3mW en el taln y 1.3mW en los dedos del pie durante una caminata normal). El
prototipo no fue estorboso mientras se caminaba, y los elementos piezoelctricos fueron
efectivamente escondidos en el zapato, se produjo suficiente energa para transmitir un
cdigo de 12 bits de identificacin la figura 5 muestra una integracin simple de elementos
piezoelctricos en un zapato.









Fig. 4. Generador piezoelctrico
localizado en un zapato [5].

Fig 5. Prototipo para el cosechamiento de energa, con sus circuitos de

acondicionamiento de seal. Realizado con una placa flexible de PZT y
una de PVDF en un zapato deportivo [8]
PZT
unimorph
PVDF

Metal

10
El anlisis de la literatura sobre generadores montados en zapatos y su potencia
obtenida se muestra en la tabla 3. Se puede observar que los rangos de potencia varan
desde pocos miliwats hasta 1W. Es importante enfatizar que debido al diseo del generador,
la potencia elctrica de conversin ha tenido un incremento significante desde los trabajos
reportados en [5,8] para el mismo tipo de generador. Esto muestra que aun existe una
apertura para mejoras en la eficiencia de este tipo de convertidores.

Tabla 3. Potencia elctrica de salida para generadores
montados en un zapato








Otro estudio que se ha desarrollado para cosechamiento de energa en cuestin de
vestimenta es la generacin de energa a travs de una mochila. En este diseo la mochila
puede generar energa elctrica de las diferentes fuerzas que existen entre la persona y la
mochila misma. En esta aplicacin se diseo un sostenedor lineal y se le agrego una
preparacin en forma de un cuadro que fuera hasta los arneses de los hombros, de esta
manera el cuadro permitir que la carga se mueva verticalmente, ver figura 6. Este sistema
demostr una generacin de potencia de aproximadamente 7.37 W [14]. El trabajo de este
sistema demuestra que puede ser usado para dispositivos de bajo voltaje.
3.1 Generadores de energa MEMS
En la actualidad, se han diseado y fabricado algunas fuentes de energa que
permiten lograr sistemas pequeos en su totalidad. Se trata en su mayora de elementos o
convertidores piezoelctricos fabricados por tecnologas de micromaquinado que permiten
aprovechar la energa que antes era desperdiciada, pero a la fecha no existe un diseo
ptimo, y se contina investigando y desarrollando nuevos prototipos, en esta seccin se
presenta y se describen las principales caractersticas, procesos de recoleccin y
transduccin de energa de las fuentes diseadas y fabricadas del estado del arte
Transductores MEMS piezoelctricos de vibraciones.-consisten en convertidores
piezoelctricos diseados para transformar la energa generada por vibraciones mecnicas
en energa elctrica til. En el campo de la transduccin de energa mecnica, existen tres
modelos 1) Electrosttico, 2) Electromagntico, 3) Piezoelctrico.
La transduccin electrosttica y electromagntica requiere de un diseo de dos partes
considerando las dos placas del capacitor variable en la configuracin electrosttica y la
bobina aunada con imn para el caso electromagntico, lo cual requiere un diseo mas
complejo que la transduccin piezoelctrica.
Fig. 6. Esquema de la mochila que cosecha
energa desarrollada por [14]
Tipo de generador Potencia mecnica Potencia elctrica Referencia
de entrada de salida
Generador de rotacin 500mW 250mW [5]
piezoelctrico PZT
unimorph (modo 3-1)
120mW 1.8mW [8]
Piezoelctrico PVDF
(modo 3-1)
220mW 1.1mW [8]
Piezoelctrico PZT
bimporph (modo 3-1)
71.8mW 8.4mW [5]
Piezoelctrico PZT
manejado por un martillo
micro-hidrulico
(no disponible) 1W [15]
Electro-imn deformado
(strictor) de bajo del taln
(no disponible) 1W [15]

11
Estructuras piezoelctricas. M. Renaud et al [16] desarrollo en IMEC (Interuniversity
Microelectronics Center de Belgica) MEMS generadores basados en estructuras
piezoelctricas que consisten en un cantiliver elstico que soporta una o varias capas
piezoelctricas insertadas entre electrodos metlicos que actan como capacitores. Los
materiales piezoelctricos usados fueron: Titanato Circonato de Plomo PZT y nitruro de
aluminio AlN. Para el dispositivo de PZT, se ha obtenido una potencia de salida mxima de
40W con una vibracin de entrada con frecuencia de 1.8 kHz y una amplitud de 180nm.
Para el material de AIN, se ha logrado una potencia mxima de 50nW con una entrada de
320kHz y amplitud de 45nm, la estructura final es mostrada en las figuras 7 y 8











La estructura mostrada en la figura 8, esta fabricada en una oblea de silicio que contiene los
siguientes materiales apilados, Si/Pt/PZT/Pt. Un capacitor piezoelctrico formado por una
capa piezoelctrica que esta entre dos electrodos metlicos y soporta una masa adjunta a su
punta
Generadores termoelctricos (TEGs). Estos dispositivos trabajan a partir de la absorcin
del calor de la piel. Leonov et al [17] han propuesto el diseo un TEG con tecnologa MEMS
que consiste en tres capas apiladas de termopilas de BiTe junto con un radiador.
Aproximadamente el 80 por ciento de la energa liberada por el cuerpo es desperdiciada pero
aprovechada por el TEG, el cual esta formado por poly-SiGe que soporta los termopares e
Indio que se encuentra en la placa superior. Clculos muestran que a 22C, el BiTe puede
ofrecer mas de 30W por centmetro cuadrado de piel.
La figura 8 muestra el diseo, con las bolas de indio formadas en la parte de arriba de
la placa fra del circuito. Dos circuitos forman una estructura de emparedado con una
termopila entre estas. Hasta su reporte el dispositivo esta siendo optimizado debido a la
necesidad de reducir el intercambio de calor parsito entre las placas fra y caliente.







Fig. 7. Esquemtico de un MEMS piezoelctrico
unimorph [16].

Fig. 8. Esquemtico del dispositivo fabricado.

Fig 8. Diseo de una termopila de Poli-SiGe. [17]

Fig. 9. Concepto del generador de potencia integrado: b) con los

dispositivos termo-elctricos y c) vibracionales con las placas
mviles [18].

12
Generador MEMS Piezoelctrico-Termoelctrico. Este generador toma ventaja de tanto de
la energa termoelctrica como la proveniente de vibraciones para formar un sistema
transductor. Norio Sato et al [18] de los laboratorios NNT en Japn desarrollo este
dispositivo, el cual no usa materiales piezoelctricos como transductores, en su lugar usa oro
Au/Si, El dispositivo se encuentra completamente micromaquinado sobre una oblea de silicio
que produce la estructura de la figura 9.
Generador MEMS con pelcula delgada de PZT transversal. Y.B. Jeon [19] desarrollo este
dispositivo MEMS generador de energa, tambin conocido como MicroGenerador de
Potencia (PMPG), este dispositivo esta diseado para resonar a determinadas frecuencias a
partir de una fuente externa de energa vibracional, con lo cual se crea energa elctrica
debido al efecto piezoelctrico. Se trata de un cantiliver diseado para tener una estructura
plana con una masa de prueba al final como se muestra en la figura 10, el modo de
operacin del PZT es d
33
.













La estructura es una viga cantiliver que consiste de una membrana de SiO
2
o SiN
x
,
una barrera de difusin de ZrO
2
para prevenir la difusin de cargas elctricas desde la capa
piezoelctrica, una pelcula delgada de PZT y electrodos nter-digitados de Pt/Ti en la parte
de arriba. El proceso de fabricacin se desarrollo en una oblea de silicio (100), sobre la cual
se deposito la membrana. En el paso final un grabado hmedo por medio de KOH es
realizado para liberar la estructura. El dispositivo completamente fabricado es mostrado en la
figura 11. En la tabla 4 se muestra el anlisis comparativo de las tecnologas MEMS en le
estado del arte en cuanto al desempeo de la potencia generada en cada diseo.

Tabla 4. Anlisis de los Generadores de energa.
Tipo de Generador
Potencia
Generada (W)
Tipo de
micromaquinado
Material
transduccion Ref
Piezoelctrico 40 Grabado en el subs. PZT [16],
Piezoelctrico 50nW Grabado en el subs. AIN [16]
Termoelctrico 30
DRIE, Electro-
platinado BiTe [17]
Piezoelctrico-
termoelctrico No disponible
DRIE, Electro-
platinado Au, Si [18]
Piezoelctrico (d33) 1 No disponible PZT [19]
Piezoelctrico 2
DRIE,
Electroplatinado PZT [20]

La evidente necesidad de la tendencia a la miniaturizacin ha llevado a la

investigacin y, en algunos casos, fabricacin de los diferentes modelos de generadores
MEMS de energa. Como se puede apreciar en la tabla que contiene el resumen de las
caractersticas mas relevantes de estos dispositivos, por facilidad de implementacin el tipo

Fig. 10.Esquemtico del generador piezoelctrico PZT operando en modo d

33
[19].

Fig. 11. Imagen del cantilivier visto

13
de generador mas empleado es el piezoelctrico, sin embargo el termoelctrico tambin es
opcin en esta rea.
Con los datos de las investigaciones y experimentos de los artculos descritos, se
puede apreciar que el generador MEMS piezoelctrico con transductor de PZT es el que
hasta el da de hoy presenta mayor potencia generada debido a su diseo y al material.
A pesar de los avances ya antes descritos, se contina en la bsqueda de nuevos
procesos que permitan la consolidacin de microsistemas en su totalidad. De ah surge la
necesidad que este proyecto pueda contribuir en este campo.
Aunque diferentes tcnicas estn disponibles para la cosecha de energa desde varios
ambientes para proporcionar potencia a los dispositivos electrnicos, con la excepcin del
cosechamiento de los zapatos electrnicos, las potencias disponibles generalmente estn en
niveles de mW o uW, sin embargo las investigaciones estn apuntando para el manejo de
tcnicas de dispositivos electrnicos que consuman menos energa, habilitando dispositivos
embebidos para conducir operaciones mas usadas con limitada potencia. En este contexto el
cosechamiento de energa es un rea de rpido desarrollo, y los alcances diarios podran
estar enfocados a hacer ms durable la vida del componente ms que cargar la batera que
limita a los sistemas con bajos ciclos de duracin.

4. Referencias
[1] Hatfield C., Oil back on the global agenda. Permanent decline in global oil is virtually certain to begin within
20 years, Nature, Vol. 387, 121, (1997)
[2] Campbell C. y Laherrere J., The end of cheap oil, Scientific American, March, 60,(1998)
[3] Billinghurst, M., Starner, T., Wearable Devices: New Ways to Manage Information, IEEE Computer, pp. 57-
64, (1999)
[4] Urban, E. C., Wearable Computing: An Overview of Progress, Proc. of the 3rd International Symposium on
Wearable Computers, (1999)
[5] Paradiso, J., Starner T., Energy Scavenging for Mobile and Wireless Electronics, IEEE Pervasive
Computing, Vol. 4, No. 1, pp. 18-27, (2005).
[6] Jansen, A., Leeuwen, S., Stevels, A., Design of a Fuel Cell Powered Radio, A Feasibility Study into
Alternative Power Sources for Portable Products, Proc. of the IEEE Intl. Symp. on Electronics and the
Environment, pp. 155-160, (2000).
[7] Starner, T., Human Powered Wearable Computing, IBM Systems Journal, Vol. 35, pp. 618-629, (1996).
[8] Kymissis, J., Kendall, C., Paradiso, J., Gershenfeld, N.,Parasitic Power Harvesting in Shoes, Proc. of 2nd
IEEE Int. Conference on Wearable Computers, pp. 52-55, (1997)
[9] C. D. Richards, M. J. Anderson, D. F. Bahr and R. F. Richards, Efficiency of energy conversion for devices
containing a piezoelectric component, J. Micromech. Microeng. 14, pp. 717-721 (2004).
[10] Beata B, Relation between obtaining methods and piezoelectric properties of the PZT type ceramic,
Molecular and Quantum Acoustics vol. 27, pp. 63-70 (2006).
[11] Herdier R., Detalle M. ,Jenkinsc D, Soyer C., Remiensa R., Piezoelectric thin films for MEMS applications-A
comparative study of PZT, 0.7MN-0.3PT and 0.9MN-0.1PT thin films grown on SI by RF magnetron
sputtering, Sensors and Actuators A ,148, pp. 122128, (2008)
[12] Kim S.K.; Kim C.-S.; Lee K.W.; Lee S.Y Piezoelectric and electrical properties of PZT-PSN thin film
ceramics for MEMS applications, Materials Science in Semi Process., Vol. 5, pp. 115-121, (2002).
[13] Sibei X, Piezoelectric properties of PZT films prepared by the solgel method and their application in
MEMS, Thin Solid Films, 516, pp. 53095312. (2008)
[14] Feenstra J, Granstrom J, Sodano H, Energy harvesting through a backpack employing a mechanically
amplified piezoelectric stack, Mechanical Systems and Signal Processing, Vol. 22, pp. 721734, (2008)
[15] Paradiso, J., Renewable Energy Sources for the Future of Mobile & Embedded Computing: A whirlwind
tour, Invited Lecture, Computing Continuum Conference, San Francisco, USA, March (2000).
[16] Renaud M., Karakaya K, T. Sterken, P. Fiorini, C. Van Hoof, R. Puers. Fabrication, modeling and
characterization of MEMS piezoelectric vibration harvesters, Interuniversity Microelectronics Center
(IMEC),11. (2007).

14
[17] Leonov V., Fiorini P., S. Sedky, T. Torfs, C. Van Hoof. Thermoelectric MEMS Generators as a power supl
for a body area network. In proceedings of the 13th International Conference on Solid-State Sensors,
Actuators and Microsystems, 6, (2005)
[18] Sato N, H. Ishii, Masami Urano, Tomomi Sakata, Jun Terada, H. Morimura, S. Shigematsu, K. Kudou, T.
Kamei, K. Machida. Novel MEMS Power Generator with Integrated Thermoelectric and Vibrational
Devices. In proceedings of the 13th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and
Microsystems, 6, (2005)
[19] Y. B. Jeon, R. Sood, J.h. Jeong, S.-G. Kim. MEMS Power generator with transverse mode thin film PZT.
Thin Film Materials Research Center, 2005.
[20] Marzencki M, Ammar Y., S. Basrour. Integrated Power Harvesting system Including a MEMS generator
and a power management circuit. In proceedings of the 14th International Conference on Solid-State
Sensors, Actuators and Microsystems, 6.2007.

c) Hiptesis
La hiptesis de este proyecto esta dirigida a desarrollar un microsistema que sea
capaz de cosechar la energa. Los materiales piezoelctricos propuestos de titanato de
bismuto y circonato titanato de plomo debern proveer la suficiente eficiencia de conversin
para ser integrados en los MEMS, probar que es posible integrarlos con la tecnologa
estndar de fabricacin de circuitos integrados sin pasos adicionales que hagan ms
complejo y costoso el proceso de micro-fabricacin y que puedan alterar el funcionamiento y
desempeo del microsistema. Para el microgenerador de potencia surgen las siguientes
preguntas: Cunta de la energa que desprenden las diferentes acciones que realiza el
movimiento humano puede ser aprovechada con el diseo del microsistema?, en que
medida es posible usar nuestra propia energa, como fuente de alimentacin para
dispositivos porttiles?. En este contexto tambin se deber investigar, si el desarrollo
propuesto podr ser capaz de proveer potencia en el rango de micro-watts ya que estar
vinculado para aplicaciones de bajo consumo de potencia de dispositivos electrnicos.

d) Objetivos

Objetivo general
Desarrollar microsistemas generadores de potencia basados en dispositivos MEMS y
materiales piezoelctricos, que tengan la capacidad de cosechar la cantidad de energa
disipada de nuestra propia movilidad y que sean integrables en tecnologa de silicio, para
que contribuyan como una fuente de poder a los dispositivos porttiles. As, como
estudiar y analizar las propiedades de los materiales piezoelectricos de pelcula delgada;
y generar conocimiento en las reas de micro y nano-fabricacin de transductores de
energa mecnica a elctrica.

Objetivos Particulares

Depositar y caracterizar materiales piezoelctricos de pelcula delgada.
Obtener las propiedades morfolgicas y piezoelctricas de los materiales, para
seleccionar el que presente las mejores caractersticas como elemento transductor.
Disear el microgenerador de potencia usando los procesos de la tecnologa MEMS.
Estudiar mediante la simulacin los factores que permitan predecir el desempeo del
dispositivo generador de potencia ante las variables fsicas como lo son los esfuerzos
mecnicos y campos elctricos.

15
Desarrollar el proceso de fabricacin para los microgeneradores.
Realizar los circuitos de acondicionamiento de la seal
Caracterizar y estudiar el desempeo del microgenerador.
Desarrollar mtodos para extraer parmetros, estructurales y elctricos de los
materiales dentro de la misma estructura.
e) Metas
Metas cientficas
Generar conocimiento en el rea de los microsistemas MEMS y en el campo de la
ingeniera de materiales mediante el desarrollo de dispositivos cosechadores de
energa.
Estudiar y caracterizar sistemticamente las propiedades piezoelctricas, y
estructurales de los materiales usados en la transduccin de energa mecnica a
elctrica y su integracin en los microsistemas.
Determinar mediante la simulacion el comportamiento que pueda predecir el
funcionamiento del dispositivo, analizando los variables fisicas y de diseo.
Realizar el diseo y la fabricacin del microgenerador basado en tecnologa MEMS
Caracterizar los parmetros elctricos y mecnicos de la estructura con el fin de
presentar el microsistema como una fuente de energa alternativa para dispositivos
porttiles.
Publicar artculos cientficos en revistas de circulacin nacional e internacional y
participacin en congresos donde se den a conocer los resultados de la investigacin.

Metas de formacin de doctores y maestros en ciencias

Con el objetivo de cumplir con la formacin de recursos humanos y el fortalecimiento a las
lneas de generacin del conocimiento del cuerpo acadmico de microelectrnica del Instituto
de Ingeniera de la UACJ se formarn:
3 Maestros en ciencias de ingeniera elctrica y un trabajo de Doctorado en co-
asesoria que podra ser iniciado de acuerdo al plan de abrir el programa doctoral en el
departamento de ingeniera de la UACJ.
Movilidad de dos de los estudiantes de maestria para que realizen estancias cortas de
trabajo interdisciplinario en los laboratorios del INAOE, y para que realizen pruebas
de caracterizacion en los laboratorios de materiales de la UACJ
Titular a 3 estudiantes de Ingeniera en el departamento de elctrica y computacin de
las carreras de ingeniera en sistemas digitales, mecatrnica o elctrica.

f) Metodologa cientfica
Para concluir de manera exitosa este proyecto se requiere la realizacin de una serie
de actividades tanto de anlisis como, experimentales las cuales forman parte de cada una
de las etapas del proyecto.
En cuanto a la elaboracin del anlisis:
Estudiar y analizar el estado del arte de los materiales piezoelctricos que son usados en
microgeneradores, obtener las figuras de merito y parmetros, para posteriormente saber
la posibilidad de integrarlos en los procesos de fabricacin del microsistemas

16
Investigar y estudiar la cantidad de energa generada por el movimiento humano en un
momento especfico, la cual proveer las seales a los dispositivos.
.Investigar las arquitecturas y diseos de los microgeneradores de potencia con el
propsito de definir ventajas y desventajas y los posibles problemas de solucionar.
Disear la estructura del MEMS y realizar la simulacin, para identificar los parmetros
geomtricos y del material que influyan determinantemente en su desempeo, con el fin
de determinar una relacin de los aspectos fsicos y mecnicos que definan la respuesta
del microgenerador.
Estudio de los factores de tensin mecnica en los materiales mediante la simulacin.

En cuanto al proceso de caracterizacin:
Estudio sistemtico de materiales de pelculas delgadas piezoelctricos, se planea depositar
estos materiales mediante la tcnica de sol-gel y otro grupo mediante la tcnica de
magnetron sputtering, en un post-proceso para poder ser integrados en tecnologas de
fabricacin de circuitos integrados de Silicio. Los datos disponibles en literatura, la
experiencia de participantes del proyecto, y experimentos previos del depsito de estos
materiales en la UACJ se usar como fuente de informacin acerca de la influencia de las
condiciones del depsito sobre las propiedades de las pelculas obtenidas.

Las propiedades estructurales de las pelculas se caracterizarn por medio de las tcnicas:
Espectroscopia Infrarroja (FT-IR) en la regin 400-5000 cm
-1
, que permite determinar los
enlaces qumicos.
SEM, TEM, EDS Y AFM para evaluar la composicin, la interaccin con los elementos, la
morfologa y porosidad.
XRD para determinar las propiedades estructurales y el tipo de orientacin preferencial.

Caracterizacin de las propiedades elctricas y piezoelctricas:
Se medirn los lazos de histresis (P-E) polarizacin- campo elctrico, mediante un
sistema RT 66B; para este punto se necesita realizar la compra de este equipo ya que
ser necesario determinar la respuesta de las propiedades dielctricas y el remanente de
polarizacin del material.
Las propiedades dielctricas sern medidas usando un analizador de impedancias y la
densidad de corriente de fuga con el analizador HP4145A
Las mediciones de la dependencia de la conductividad con temperatura determinaran las
caractersticas de conductividad y resistividad. Se planea adquirir un electrmetro 6517
para de medir en el rango de 10
-12
a 10
2
Ohm
-1
cm
-1
con una cmara de vaco y que pueda
manejar atmsfera de nitrgeno y un sistema de micropuntas. Las variaciones de
temperatura estarn entre 100 a 500 K, con un incremento tpico de temperatura a 5
grados/min.

Con la informacin previamente obtenida de los materiales y una vez realizado el anlisis,
se fabricarn el microsistema que sern en base al estudio de las propiedades estructurales
y electrnicas de los materiales que resulten ptimos.
Previo a la fabricacin se realizara una caracterizacin del grabado de los materiales a
ser usados con el propsito de estudiar su selectividad respecto al silicio y al material
piezoelctrico.

17
Fabricacin del microsistema, el cual se realizara en el laboratorio de microelectrnica del
INAOE, en esta actividad ser necesario enviar a fabricar las mascarillas del layout.
Realizar los circuitos de acondicionamiento de la seal y control
Determinar parmetros mecnicos y elctricos del microsistema y conocer su
desempeo. En esta etapa se pretenden hacer mediciones con un sistema de laser
vibratorio, para lo cual se enviaran las muestras con un proveedor externo, ya que
resultan muy costoso adquirir uno de estos equipos.

Verificacin del anlisis de simulacin con datos experimentales
Comparacin de las simulaciones contra datos experimentales obtenido en la etapa de
caracterizacin.
Comparacin del cosechador de energa con los existentes en el estado del arte lo que
permitir evidenciar sus ventajas y desventajas.
Pruebas funcionales de campo utilizando el microgenerador y determinacin de la
cantidad de potencia entregada.


g). Grupo de trabajo

Con el apoyo de este proyecto tambin se pretende fortalecer el desarrollo de
procesos de fabricacin de microsistemas de la Red MEMS en Mxico y beneficiara el
fortalecimiento de redes inter-institucionales UACJ, INAOE y UPAEP a travs de una
investigacin multidisciplinaria. Adems que se propicia la vinculacin con otros cuerpos
acadmicos, entre los que estn el de ciencia de materiales ya consolidado de la UACJ y
favoreciendo al cuerpo acadmico de potencia en proceso de consolidacin

Instituciones participantes
1. Universidad Autnoma de Ciudad Jurez (UACJ)
2. Instituto Nacional de Astrofsica ptica y Electrnica (INAOE)
3. Universidad Popular Autnoma del Estado de Puebla (UPAEP)

Integrantes
1. Dr. Andrey Kosarev ( INAOE) Colaboracin: Establecer condiciones necesarias para el
deposito de materiales de pelcula delgada por PECVD que sern utilizados como
membranas para la fabricacin del microgenerador.
2. Dr. Carlos Alberto Martnez - (UACJ). Colaboracin: Deposito y obtencin de materiales.
3. Dra. Perla E. Casillas (UACJ). Colaboracin: Experta en el rea de caracterizacin de
materiales cermicos y piezoelctricos. Colaborara en los anlisis estructurales de los
materiales
4. Dr. Aurelio Heredia Jimnez (UPAEP). Colaboracin: Obtencion de materiales
piezoelctricos por el mtodo de sol-gel y aplicaciones en sensores. Contribuir en los
micromaquinados por su amplia experiencia en este tipo de estructuras.
5. Dr. Jose Mireles Jr (UACJ). Colaboracin: Amplia experiencia en el diseo de prototipos
MEMS, colaborara en el anlisis y simulacin del microsistema.

18
6. Dr. Wilfrido Calleja Arriaga (INAOE). Colaboracin: Facilitara tiempo de laboratorio de
microelectrnica del INAOE para caracterizacin de procesos de fabricacin en tecnologa
MEMS.
7. Dr. Miguel ngel Garca Andrade (UACJ) Colaboracin: Diseo de circuitos electrnicos
para el acondicionamiento de la seal una vez que se le vayan a realizar las pruebas al
microgenerador.
8. Dr. Ivan Castellanos Garcia (UACJ). Colaboracin: Apoyara en la realizacin de la etapa
de control e instrumentacin del microsistema.

h). Infraestructura disponible
En el laboratorio de MEMS del CICTA, equipos especiales para el encapsulado y
caracterizacin de Microsistemas
Estacin Micro-posicionador.-Para implementar los ensambles y pruebas mecnicas y
elctricas de los dispositivos MEMS y para encapsular los MEMS.
Estacin de alambrado (Wire-bonder).-Se utiliza para desarrollar las interconexiones
elctricas de dispositivos MEMS.
Estacin de Pruebas.- Caracterizacin electrnica de sistemas MEMS
Cortadora de obleas.- Las cortadoras de obleas son indispensables para la separacin de
dispositivos y/o microsistemas individuales construidos en las obleas de silicio.
Alineadora y exposicin, Suss MicroTec MA6/8 y equipo de soldado de uniones de
dispositivos MEMS, Suss MicroTec FC150.- Los dispositivos (device bonders) son la
herramienta ms utilizada en los procesos de encapsulado a nivel dispositivos MEMS.
Software de Diseo MEMS.- 7 estaciones de trabajo, con 5 licencias de software
COVENTOR, y 5 licencias de software MEMSPro, por las cuales se paga una cuota de
mantenimiento de 5000 USD por ao.
Equipo de laboratorio de propsito general.- Este equipo se encuentra instalado en los
laboratorios de la universidad: osciloscopios, Generadores de Seales, etc.

Infraestructura disponible en el laboratorio de materiales de la UACJ
Espectrofotmetro UV-V, XRD-Equipo de Rayos-X Siemens acoplado con gonimetro para
trabajar en modo reflectividad. Equipo de deposicin de pelculas delgadas Magnetron
sputtering. Equipo de Keithley I-V, espectrofotmetro FT-IR, Nicolet Magna 500,
microscopio de barrido electrnico (SEM) JEOL JSM 7000F equipado con detector de
electrones secundarios retrodispersados, transmitidos y de rayos X (EDS-EBDS).

Infraestructura disponible en el INAOE
El laboratorio de Microelectrnica del INAOE, cuenta con un cuarto limpio para la fabricacin
de dispositivos:
Sistemas de depsito qumico en fase vapor (CVD) a baja presin (LPCVD) y por
plasma (PECVD) para la deposicin de oxidos, nitruros, polisicilio y otros materiales.
Evaporadoras de metales e Implantador de iones
Horno de oxidacin trmica y Hornos de difusin
rea de litografa
Perfilmetro Alpha Step para determinar la velocidad de grabado
El laboratorio cuenta con tcnicos que pueden dar apoyo al trabajo experimental.

19
i). Programa de actividades anual
Primer Ao
1. Investigacin y estudio del estado del arte de los materiales piezoelctricos, y de los
microgeneradores de potencia. Tambin se analizaran las arquitecturas de los
mismos.
2. Preparacin y depsito de los materiales piezoelctricos. Se iniciara a co-dirigir a un
alumno en conjunto con el postgrado de la UACJ
3. Adquisicin del medidor de parmetros piezoelctricos RT66B, para realizar la
caracterizacin piezoelctrica de los materiales.
4. Caracterizacin estructural, morfolgica y piezoelctrica de los materiales para
seleccionar los que presenten mejor eficiencia de conversin.
5. Realizacin del layout del microsistema generador y de circuitos de prueba dentro de
la misma estructura.
6. Elaboracin de un artculo con los resultados de caracterizacin de los materiales
obtenidos en la etapa.
7. Simulacin y modelado del comportamiento mecnico y elctrico de la estructura del
microgenerador usando el software CoventorWare y ANSYS
8. Incorporacin de dos estudiantes de licenciatura y la direccin del primer trabajo de
tesis de un estudiante de maestra.

Segundo Ao
1. Adquisicin de la cmara de vaci con controlador de temperatura para las
mediciones de conductividad de los materiales de pelcula delgada, asi como compra
de gases, montaje y puesta en operacin del sistema.
2. Realizacin de las mascarillas y caracterizacin de los procesos de grabado.
3. Desarrollo del diagrama de flujo de proceso y la fabricacin del MEMS
4. Elaboracin de artculo con los resultados de la fabricacin del sistema.
5. Examen de grado de dos estudiantes de licenciatura y uno de maestra e
incorporacin de dos nuevos estudiantes de maestra.

Tercer Ao
1. Caracterizacin experimental del microsistema fabricado. En esta actividad ser
necesario el envo de las muestras para mediciones de vibracin.
2. Realizacin de los circuitos de acondicionamiento de la seal y extraccin de los
parmetros mecnicos y elctricos del microsistema.
3. Analizar los resultados finales, comparar el modelado y simulacin con resultados
experimentales y preparar el informe final.
4. Publicar los resultados de la investigacin en artculos y revistas de riguroso
arbitraje internacional as como la divulgacin de resultados en congresos
nacionales e internacionales.
5. Graduar a dos estudiantes de licenciatura y dos estudiantes de maestra.

20
j) Presupuesto

Gasto Corriente (Cuatrimestres)
Rubro 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Total
Acervos bibliogrficos 10,000
10000
20,000
Cuotas de Inscripcin 10,000 10,000 10,000 30,000
Pasajes 15,000 15,000 15000 45,000
Viaticos 10,000 10,000 10,000 30,000
Materiales de uso
di t
10,000 50000 10000 70,000
Apoyo formacin de
recursos humanos
24,000 24,000 24,000 24,000 96,000
Mantenimiento de
equipo mayor
25,000 5000 30,000
total 10,000 45,000 85,000 24,000 59,000 29,000 34,000 35,000 321,000


Gasto de Inversin
Equipo
Cotizacin
(USD Dolares)
Pesos (14
pesos x dolar)
Nmero de
unidades
Total
Sistema de prueba piezoelectrico RT
66B con fuente externa y accesorios
20,975 293,650 1 293,650
Sistema microprobador con camara
de vacio y control de temperatura
variable (MMR Technologies)
25,800 361,200 1 361,200
Electrometro 6517A 7,800 109,200 1 109,200
Equipo de computo
16,000 1 16,000
Total 780,050


k). Resultados entregables
4 Artculos en revistas cientficas de circulacin internacional de riguroso arbitraje:
Journal of Material Research, Thin Solid Films, Journal of Non Crystalline Solids,
Journal of MicroElectroMechanical Systems y Journal of the Electrochemical Society.
6. Presentaciones en congresos cientficos de reconocido prestigio y del rea de
estudio: Material Research fall and spring meeting, Advanced Packaging - MEMS
Congress, International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and
Microsystems, entre otros.
Formacin de 3 maestros en ciencias y titulacin de 3 estudiantes de ingeniera del
departamento de elctrica y computacin.
Formacin de un doctor dentro del programa de doctorado en materiales de la UACJ,
co-asesoria entre dos diferentes cuerpos acadmicos de microelectrnica y materiales.
Se tendr fabricado un micro-generador de potencia con tecnologia MEMS con
caracteristicas deseables como fuente de poder para dispositivos portatiles de baja
potencia.
Proceso de fabricacion documentado y transferido el conocimiento a las instituciones
participantes.