Difusinenslidos

Difusin Difusin
if i Difusin Fenmeno detransporte demasa por movimiento
atmico
Mecanismos
Gases y Liquidos movimiento aleatorio (Browniano) GasesyLiquidos movimiento aleatorio (Browniano)
Slidos difusin por vacancias odifusin intersticial.
2
Difusin enslidos
Interdifusin o difusin de impurezas: Los tomos de un metal difunden en el otro.
Los tomos migran de las regiones de alta concentracin a la de baja concentracin. g g j
Inicial Despus de un tiempo
Perfiles de concentracin Perfiles de concentracin
3
Perfilesdeconcentracin Perfilesdeconcentracin
Autodifusin
Autodifusin: En metales puros, los tomos del mismo tipo puede intercambiar
Posiciones. No puede observarse por cambios de composicin.
tomos etiquetados Despus de un tiempo
C
C
A
D
A
D
B
D
B
Anivelatmico,ladifusinconsisteenlamigracindelostomosdeunsitiodelaredaotro.
Enlosmaterialesslidos,lotomosestnencontinuomovimiento.
La movilidad atmica requiere 2 condiciones: Lamovilidadatmicarequiere2condiciones:
1)unlugarvecinovaco
2)eltomodebetenersuficienteenrga comopararompere losenlacesconlos
tomosvecinosydistorsionarlaredduranteeldesplazamiento.
4
y p
Aunatemperaturadeterminadaunapequeafraccindelnmerototaldetomosescapaz
Dedifundirdebidoalamagnituddesuenergavibratoria.
Mecanismos dedifusin
Difusin por vacancias
Difusin intersticial
intercambio de un tomo de una posicin reticular normal a una vacancia
o lugar reticular vecino vaco
Difusinporvacancias
o lugar reticular vecino vaco.
applies to substitutional impurities atoms
la tasa depende de:
--nmero de vacancias nmero de vacancias
--la energa de activacin para el intercambio.
5
Aumento del tiempo transcurrido
Simulacin de la difusin
Interdifusin a travs
Simulacin deladifusin
De una interfaz
La tasa de difusin substitucional
depende de:
t i d i --concentracin de vacancias
--frecuencia de saltos.
Elmovimientodelostomosenladifusinvaensentidoopuestoaldelasvacancias.
6
Difusin intersticial tomos que vandesde una posicin
intersticial aotra vecina desocupada.
Tiene lugar por interdifusin desolutos que tiene tomos
( H C N O) pequeos (como H,C,N,O).
7
Es ms rpida que la difusin por vacancias
Procesos que usan difusin
E d i i t
Procesos que usan difusin
Endurecimiento:
-tomos de carbono se
difunden a la superficie
--Ejemplo: engranes de acero
C Resultado: la presencia de tomos de C
hacen que el hierro (acero) sea ms duro.
8
Procesos que usan difusin
Dopar silicio con fsforo para tener semiconductores tipo n
0 5mm
Procesosqueusandifusin
0.5mm
1. Se depositan capas ricas
en P sobre la superficie
magnified image of a computer chip
en P sobre la superficie.
silicon
2. Se calienta
silicon
3. Resultado: Regiones del
Semiconductor dopadas
light regions: Si atoms
silicon
light regions: Al atoms
9
silicon
g g
Cuantificacin
Cmo cuantificamos latasa dedifusin?
kg mol diffusing mass) (or moles
M di i i
( )( )
s m
kg
or
s cm
mol
time area surface
diffusing mass) (or moles
Flux
2 2
= J
Mediciones empricas
Hacer una pelcula delgada (membrana)conrea superficialconocida
Imponer ungradiente deconcentracin
Medir qu tanrpido lostomos omolculas sedufunden atravs de
lamembrana.
dM l M
M=
mass
J slope
l
dt
dM
A
l
At
M
J = =
mass
diffused
time
J slope
Flujo
10
Difusin enestado estacionario
Flujo proporcional al gradiente de concentracin =
dC
Condicindeestadoestacionario:elflujodedifusinnocambiaconeltiempo
Flujo proporcional al gradiente de concentracin
dx
dC
Primera ley de Fick:
C
1
C
1
dx
dC
D J =
C
2 C
2
x
x
1
x
2
D coeficiente de difusin [m
2
/s]
1 2
1 2
lineal es si
x x
C C
x
C
dx
dC

=
A
A
~
Ladireccindedifusinescontraria
Al di t d t i
11
Algradientedeconcentracin:
Vadealtaabajaconcentracin
Ejemplo:Guantes protectores contra
qumicos
El l d il i di Elcloruro demetileno es uningrediente comn para remover
pintura.Adems deserirritante,puede absorberse por lapiel.
Cuando seutiliza este removedor depintura sedeben usar p
guantes protecores.
Siseutilizan guantes decaucho butlico (0.04cmdeespesor),
l l fl j d dif i d l l d il d l cul es elflujo dedifusin delcloruro demetileno atravs del
guante?
Datos: Datos:
Coeficiente dedifusin encaucho butlico:
D =110x10
8
cm
2
/s
Concentraciones ensuperficies:
C
2
= 0.02 g/cm
3
C
1
= 0.44 g/cm
3
12
Ejemplo (cont). j p ( )
Solucin asumiendo un gradiente de concentracin lineal
1 2
1 2
-
x x
C C
D
dx
dC
D J

~ =
D
t
b
6
2

=
guante
C
1
Removedor
1 2
x x dx
D 6
C
2
piel
Removedor
de pintura
D= 110x10
-8
cm
2
/s
Datos:
x
1
x
2
C
2
= 0.02 g/cm
3
C
1
= 0.44 g/cm
3
x x =0 04 cm
g
10 16 1
) g/cm 44 . 0 g/cm 02 . 0 (
/ ) 10 110 (
5 -
3 3
2 8 -

J
x
2
x
1
= 0.04 cm
s cm
g
10 x 16 . 1
cm) 04 . 0 (
) g g (
/s) cm 10 x 110 (
2
5 2 8
= = J
13
Difusin ytemperatura
El coeficiente de difusin aumenta con la temperatura.
| | Q
D
=
D
o
exp
|
\

|
.
|

Q
d
RT
=pre-exponencial [m
2
/s]
= coeficiente de difusin [m
2
/s] D
D
o
p p [ ]
= energa de activacin [J /mol or eV/atom]
= constante de los gases [8.314 J /mol-K]
o
Q
d
R
= temperatura absoluta [K] T
14
Difusinytemperatura
D depende exponencialmente de T
10
-8
T(C)
1
5
0
0
1
0
0
0
6
0
0
3
0
0
D
intersticial
>> D
substitucional
D(m
2
/s)
0
C en o-Fe
C en -Fe
Al en Al
Fe en o-Fe
Fe en -Fe
10
-14
1000K/T
0 5 1 0 1 5
10
-20
1000K/T
0.5 1.0 1.5
15
Example: At 300C the diffusion coefficient and activation energy for Cu in
Si are Si are
D(300C) = 7.8 x 10
-11
m
2
/s
Q
d
= 41.5 kJ /mol
What is the diffusion coefficient at 350C?
transform data
D
ln D
Temp T
|
|
|

|
=
|
|
|

|
=
1
ln ln and
1
ln ln
Q
D D
Q
D D
d d
Temp = T
1/T
|
|
.

\
=
|
|
.

\
=
1
0 1
2
0 2
ln ln and ln ln
T R
D D
T R
D D
|
|
|

|
= =
2
1 1
ln ln ln
Q D
D D
d
16
|
|
.

\
= =
1 2 1
1 2
ln ln ln
T T R D
D D
Example (cont ) Example(cont.)
(
(

|
|
|

|
=
1 1
exp
Q
D D
d
(

|
|
.

\
=
1 2
1 2
exp
T T R
D D
T
1
= 273 + 300 = 573K
T
2
= 273 + 350 = 623K
(
(

|
|

=

1 1 J /mol 500 , 41
exp /s) m 10 x 8 7 (
2 11
D
(

|
.

\
=
K 573 K 623 K - J /mol 314 . 8
exp /s) m 10 x 8 . 7 (
2
D
D
2
= 15.7 x 10
-11
m
2
/s
17
Difusin en estado no estacionario Difusin enestado noestacionario
Laconcentracin delas especies que sedifunden es funcin a co ce t ac de as espec es que se d u de es u c
tanto delaposicin como deltiempo C=C(x,t)
Encondicionesnoestacionariasutilizamoslaecuacinconderivadasparciales:
Sielcoeficientededifusinesindependientedelacomposicin,laec.anterior
i lifi
2
C
D
C c c
Segunda ley de Fick
sesimplificaa:
2
x
D
t c
=
c
Segunda ley de Fick
18
Lassolucionesaestaecuacinseconsiguenespecificandocondicioneslmites
Fsicamentesignificativas.
Consideracionesparalasolucin p
Enlaprctica,unasolucinimportanteesladeunslidosemiinfinito cuya
concentracinsuperficialsemantieneconstante.
Frecuentementelasubstanciaquedifundeesungas,cuyapresinparcial
semantieneconstante.
Seplanteanlassiguienteshiptesis:
1. Antesdeladifusin,todoslostomosdesolutoestnuniformemente
distribuidosenelslidoaconcentracinC
0
.
2. Elvalordexenlasuperficieesceroyaumentaconladistanciadentrodel
slido. slido.
3. Eltiemposetomaigualaceroenelintante inmediatamenteantesde
empezarladifusin.
Estascondicioneslmiteson:
Parat=0,C=C
0
a0 s xs
parat>0,C=C
s
(laconcentracinsuperficialconstante)x=0
C= C
0
a x= C C
0
ax
Aplicandolascondicionesiniciales,seobtienelasolucin:
( )
|
|

| x C t , x C
o
f 1
( )
|
.
|

\
|
=

Dt
C C
,
o s
o
2
erf 1
Solucin: Solucin:
( )
|
.
|

\
|
=
x
C C
C t , x C
o
erf 1
C(x t) = Conc En el punto x al
|
.

Dt
C C
o s
2
C(x,t)=Conc.Enelpunto x al
tiempo t
C
S
erf (z)=funcin error
C(x,t)
dy e
y
z
2
0
2

}
=
C
o
y
0
}
t
20
Cobre difundindose hacia una barra de aluminio.
Conc. pre-existente C
o
de tomos de cobre
Conc. superficial
C de tomos de
Cu
bar
s
p
o
Cu.
CC
s
21
( ) | | x C t x C
d d d d d l
( )
|
.
|

\
|
=

Dt
x
C C
C t , x C
o s
o
2
erf 1
CuandosedeseaconseguirunaconcentracindeterminadadesolutoC
1
,
elprimermiembrodelaec.seconvierteen:
Enestacondicin,elsegundomiembrodelaec esunaconstante:
o
Perfildeconcentracin
Paradifusinenestadono
Estacionario Estacionario.
Valores de la funcin error Valoresdelafuncinerror
Ejemplo j p
Paraalgunasaplicacionestecnolgicasesmsconveniente
endurecerlasuperficiedelaceroqueelinterior.Uncamino
paraconseguirestefinesincrementarlaconcentracinde
carbonodelasuperficieenunprocesollamado
carburacin.Lamuestradeaceroseexponeaelevada p
temperatura,enunaatmsferaricaenunhidrocarburo
gaseoso,talcomoelmetano(CH4).
Se trata a 450C un aleacin con una concentracin inicial Setrataa450Cunaleacinconunaconcentracininicial
uniformede0.25%enpesodecarbono.Silaconcentracin
delcarbonodelasuperficiesellevaysemantienea1.2%,
t ti it i t id cuntotiemposenecesitaparaconseguiruncontenido
del0.80%a0.5mmdeprofundidad?Elcoeficientede
difusindelcarbonoenelhierroaestatemperaturaesde
11 2
/ 1.6x10
11
m
2
/s.Sesuponequelamuestraessemiinfinita.
Solucin Solucin
Problemadedifusinenestadonoestacionario.
Co=0.25%C
Cs=1.2%C
C 0 80% Cx=0.80%
X=0.5mm=5x104m
D=1 6x10 11 m2/s D=1.6x1011m2/s
As: As:
Debemosencontrarelvalordezparaelcuallafuncinerroresde0.4210.Paraellohacemos
unainterpolacinusandolosdatosdelatabla:
Entonces
Despejandot:
Ejemplo2 j p
Loscoeficientesdedifusindelcobreydelaluminioa500y600Cson
4 8 10
14
5 3 10
13 2
/ ti t D t i l ti 4.8x10
14
y5.3x10
13
m
2
/s,respectivamente.Determineeltiempo
aproximadonecesarioparaconseguira500ClamismadifusindelCuen
Alenunpuntodeterminado,queuntratamientode10ha600C.
Usamoslaec.
Lacomposicindeambasdifusionesesigualenlamismaposicin(x)
Entonces
Dt =constanteaambastemperaturas
(Dt)
500
=(Dt)
600

Ejemplo 3 Ejemplo3
Losdispositivoscomotransistoressefabricandopando
semiconductores con diversos dopantes para generar regiones que semiconductorescondiversosdopantesparagenerarregionesque
tengansemiconductividad tipopotipon.Elcoeficientededifusin
delfsforo(P)enelSiesD=6.5x10
13
cm
2
/sa1100C.Supongaque
la fuente proporciona una concentracin superficial de 10
20
tomos lafuenteproporcionaunaconcentracinsuperficialde10 tomos
/cm
3
yqueeltiempodedifusinesunahora.Supongaquepara
empezar,laobleadesilicionocontieneP.
A) Calcule la profundidad a la cual la concentracin de P ser 10
18
A)CalculelaprofundidadalacuallaconcentracindePser10
tomos/cm
3
.
B)Qusucederconelperfildeconcentracinalenfriarlaoblea
de Si con contenido de P? deSiconcontenidodeP?
C)Qusucedersiahorasedeberecalentarlaobleapara
difundirleboroycrearunaregintipop?
Factores involucrados en la difusin Factoresinvolucradosenladifusin
i dif d Especiesquesedifunden
Lamagnituddelcoef.DedifusinDesindicativo
delatasaalacuallostomossedifunden.
Lasespeciesquesedifundenaligualqueel
materialbaseinfluencianelcoef.Dedifusin.
Temperatura p
Influenciaprofundaenelcoeficientededifusiny
latasadedifusin(Dpuedeaumentar6rdenes ( p
demagnitudalaumetar laTde500a900Cenla
difusindeFeenoFe)
Resumen
Difusin MS RPIDA para...
Difusin MS LENTApara...
Resumen
estructuras cristalinas abiertas
estructuras con
empaquetamiento compacto
materiales con enlaces
secundarios
empaquetamiento compacto
materiales con enlace
tomos pequeos
covalente
tomos grandes
materiales con baja densidad
tomos grandes
materiales con alta densidad
31