Difusión en sólidos

Difusión
Difusión ‐ Fenómeno de transporte de masa por movimiento
atómico

Mecanismos
• Gases y Líiquidos – movimiento aleatorio (Browniano)
• Sólidos – difusión por vacancias o difusión intersticial.

Difusión en sólidos
• Interdifusión o difusión de impurezas: Los átomos de un metal difunden en el otro.
Los átomos migran de las regiones de alta concentración a la de baja concentración.
Inicial Después de un tiempo
2
3
 Autodifusión
• Autodifusión: En metales puros, los átomos del mismo tipo puede intercambiar
Posiciones. No puede observarse por cambios de composición.
Átomosetiquetados Despuésde un tiempo
C
C
A D
A
D
B
B

A nivel atómico, la difusión consiste en la migración de los átomos de un sitio de la red a

otro. En los materiales sólidos, lo átomos están en continuo movimiento. La movilidad
atómica requiere 2 condiciones:
1) un lugar vecino vacío
2) el átomo debe tener suficiente enrgía como para rompere los enlaces con los
átomos vecinos y distorsionar la red durante el desplazamiento.
A una temperatura determinada una pequeña fracción del número total de átomos es capaz
De difundir debido a la magnitud de su energía vibratoria.
4
 Mecanismos de difusión
•Difusiónintersticial

•Difusión por vacancias

Difusión por vacancias
• intercambio de un átomo de una posición
reticular normal a una vacancia o lugar
reticular vecino vacío.
• applies to substitutional impurities atoms
• la tasa depende de:
--número de vacancias
--la energía de activación para el intercambio.

5
 Aumento del tiempo transcurrido

Simulación de la difusión
• Interdifusión a travésDe una interfaz

• La tasa de difusión
substitucionaldepende de:
--concentración de vacancias --
frecuencia de saltos.

6
 El movimiento de los átomos en la difusión va en sentido opuesto al de las vacancias.

• Difusión intersticial –átomos que van desde una

posición intersticial a otra vecina desocupada.
• Tiene lugar por interdifusión de solutos que tiene
átomos pequeños (como H, C, N, O) .

Es más rápida que la difusión por vacancias

7
Procesos que usan
difusión
• Endurecimiento:
-Átomos de carbono se
difunden a la superficie

--Ejemplo: engranes de acero

• Resultado: la presencia de átomos de C hacen que el hierro

(acero) sea más duro.

Procesos que usan difusión

8
• Dopar silicio con fósforo para tener semiconductores tipo n
0.5mm

1. Se depositancapasricas
en P sobre la superficie.
magnified image of a computer chip
silicon

2. Se calienta
3. Resultado: Regionesdel light regions: Si atoms
Semiconductor dopadas

light regions: Al atoms

silicon

9
 Cuantificación
• Cómo cuantificamos la tasa de difusión?

moles (or mass) diffusing mol kg

J Flux or
surface area time cm2s m2s
• Mediciones empíricas
– Hacer una película delgada (membrana) con área superficial conocida
– Imponer un gradiente de concentración
– Medir qué tan rápido los átomos o moléculas se dufunden a través de
la membrana.

M=
Flujo J M l dM mass J slope
At A dt diffused
time

10
 Difusión en estado estacionario
Condición de estado estacionario: el flujo de difusión no cambia con el tiempo

Flujo proporcional al gradiente de concentración = dC

11
 dx

C1 C1 Primeraleyde Fick:

dC
C2 C2 J D
dx
x1 x2
x D coeficientede difusión[m 2/s]

dC C C2 C1
si es lineal
dx x x2 x1 La dirección de difusión es contraria
Al gradiente de concentración:
Va de alta a baja concentración

12
Ejemplo: Guantes protectores contra
químicos
• El cloruro de metileno es un ingrediente común para remover
pintura. Además de ser irritante, puede absorberse por la piel.
Cuando se utiliza este removedor de pintura se deben usar
guantes protecores.
• Si se utilizan guantes de caucho butílico (0.04 cm de espesor),
cuál es el flujo de difusión del cloruro de metileno a través del
guante?
• Datos:
– Coeficiente de difusión en caucho butílico:
D = 110x10‐8 cm2/s
– Concentraciones en superficies:= C1 0.44 g/cm3
 C2 = 0.02 g/cm3

12

Ejemplo (cont).
• Solución – asumiendo un gradiente de concentración lineal
 guante
C1 dC C2 C1
tb
2
 J -D D
Removedor 6D dx x2 x1
piel
de pintura
C2 Datos: D= 110x10 -8 cm2/s
x1 x2 C1 = 0.44 g/cm3
C2 = 0.02 g/cm3
x2 – x1 = 0.04 cm

-8 (0.02 g/cm3 0.44 g/cm3 )

2 -5 g
J (110 x 10 cm /s) 1.16 x 10
(0.04 cm) cm2s

13
 Difusión y temperatura
• El coeficiente de difusión aumenta con la temperatura.

Qd

D Doexp RT

D = coeficiente de difusión [m2/s]

Do = pre-exponencial [m2/s]
Qd = energía de activación [J/mol or eV/atom]
R = constante de los gases [8.314 J/mol-K]
T = temperatura absoluta [K]
 14

Difusión y temperatura
D dependeexponencialmentede T

T( C)
10-8

D(m 2/s) Dintersticial >> Dsubstitucional

C en -Fe Al en Al
10-14 C en -Fe Fe en -Fe
Fe en -Fe

10-20
0 .5 1 .0 1.5 1000 K/T
 15

Example: At 300ºC the diffusion coefficient and activation energy for Cu in

Si are
D(300ºC) = 7.8 x 10-11 m2/s
Qd = 41.5 kJ/mol

What is the diffusion coefficient at 350ºC?

D transform data ln D

Temp = T 1/T
 Qd 1 Qd 1
lnD2 lnD0 and lnD1 lnD0
R T R T
2 1
D Qd 1 1
lnD l nD l n 2
2 1 D R T T1
1 2
16
 Example (cont.)
Qd 1 1
D2 D1 exp
R T T
2 1

T1 = 273 + 300 = 573K

T2 = 273 + 350 = 623K

11 2 41,500 J/mol 1 1
D2 (7.8 x 10 m /s) exp
8.314 J/mol - K 623 K 573 K
 D = 15.7 x 10-11 m2/s
2

17

Difusión en estado no estacionario

• La co ce t ac ón n r i n de las espec esi que se d u deif n n es fu c ón
i n tanto de la posición como del tiempo C=C(x,t)

En condiciones no estacionarias utilizamos la ecuación con derivadas parciales:

Si el coeficiente de difusión es independiente de la composición, la ec. anterior

se simplifica a:
 2
C C
D 2 Segunda ley de Fick
t x

Las soluciones a esta ecuación se consiguen especificando condiciones límites

Físicamente significativas. 18

Consideraciones para la solución

• En la práctica, una solución importante es la de un sólido semiinfinito cuya
concentración superficial se mantiene constante.
• Frecuentemente la substancia que difunde es un gas, cuya presión parcial
se mantiene constante.
• Se plantean las siguientes hipótesis:
1. Antes de la difusión, todos los átomos de soluto están uniformemente
distribuidos en el sólido a concentración C0.
2. El valor de x en la superficie es cero y aumenta con la distancia dentro del
sólido.
 3. El tiempo se toma igual a cero en el intante inmediatamente antes de
empezar la difusión.
Estas condiciones límite son:
Para t=0, C= C0 a 0 x
para t>0, C= Cs (la concentración superficial constante) x=0
C= C0 a x=
Aplicando las condiciones iniciales, se obtiene la solución:

C x,t Co 1 erf x
Cs Co 2 Dt

Solución:
 C x ,t Co x
1 erf
s o 2 Dt

C(x,t) = Conc. En el punto x al CS

tiempot

erf (z) = funciónerror

2 z
y2
C(x,t)
e dy
0
Co

C C

20
• Cobre difundiéndose hacia una barra de aluminio.

Conc. superficial
bar
Cs de átomos de
Cu . Conc. pre-existente Co de átomos de cobre

Cs

21
 C x,t Co 1 erf x
Cs Co 2 Dt
• Cuando se desea conseguir una concentración determinada de soluto C1,
el primer miembro de la ec. se convierte en:

• En esta condición, el segundo miembro de la ec es una constante:

 o

Perfil de concentración
Para difusión en estado no
Estacionario.
Valores de la función error
 Ejemplo
• Para algunas aplicaciones tecnológicas es más conveniente
endurecer la superficie del acero que el interior. Un camino
para conseguir este fin es incrementar la concentración de
carbono de la superficie en un proceso llamado
carburación. La muestra de acero se expone a elevada
temperatura, en una atmósfera rica en un hidrocarburo
gaseoso, tal como el metano (CH4).
• Se trata a 450ºC un aleación con una concentración inicial
uniforme de 0.25% en peso de carbono. Si la concentración
del carbono de la superficie se lleva y se mantiene a 1.2% ,
¿cuánto tiempo se necesita para conseguir un contenido
del 0.80% a 0.5 mm de profundidad? El coeficiente de
difusión del carbono en el hierro a esta temperatura es de
1.6x10‐11 m2/s. Se supone que la muestra es semiinfinita.
 Solución
• Problema de difusión en estado no estacionario.
• Co=0.25% C
• Cs=1.2% C
• Cx=0.80%
• X=0.5 mm= 5x10‐4 m
• D=1.6x10‐11 m2/s

• Así:
Debemos encontrar el valor de z para el cual la función error es de 0.4210. Para ello hacemos
una interpolación usando los datos de la tabla:
• Entonces • Despejando t:

Ejemplo 2
• Los coeficientes de difusión del cobre y del aluminio a 500 y 600ºC son
4.8x10‐14 y 5.3x10‐13 m2/s, respectivamente. Determine el tiempo
aproximado necesario para conseguir a 500ºC la misma difusión del Cu en
Al en un punto determinado, que un tratamiento de 10 h a 600ºC.

Usamos la ec.
 La composición de ambas difusiones es igual en la misma posición (x)
Entonces
Dt = constante a ambas temperaturas

(Dt)500=(Dt)600

Ejemplo 3
• Los dispositivos como transistores se fabrican dopando
semiconductores con diversos dopantes para generar regiones que
tengan semiconductividad tipo p o tipo n. El coeficiente de difusión
del fósforo (P) en el Si es D=6.5x10‐13 cm2/s a 1100ºC. Suponga que
la fuente proporciona una concentración superficial de 1020 átomos
/cm3 y que el tiempo de difusión es una hora. Suponga que para
empezar, la oblea de silicio no contiene P.
• A) Calcule la profundidad a la cual la concentración de P será 1018
átomos/cm3.
• B)¿Qué sucederá con el perfil de concentración al enfriar la oblea
de Si con contenido de P?
• C) ¿Qué sucederá si ahora se debe recalentar la oblea para
difundirle boro y crear una región tipo p?

Factores involucrados en la difusión

• Especies que se difunden
– La magnitud del coef. De difusión D es indicativo
de la tasa a la cual los átomos se difunden.
– Las especies que se difunden al igual que el
material base influencian el coef. De difusión.
• Temperatura
– Influencia profunda en el coeficiente de difusión y
la tasa de difusión (D puede aumentar 6 órdenes
de magnitud al aumetar la T de 500 a 900ºC en la
difusión de Fe en ‐Fe)
Resumen
Difusión MÁS RÁPIDA para...Difusión MÁS LENTA para...

• estructuras cristalinas abiertas• estructuras con

empaquetamiento compacto
• materiales con enlaces
secundarios• materiales con enlace
covalente
• átomos pequeños
• materiales con baja densidad
• átomos grandes

• materiales con alta densidad

31