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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR

SAN MARCOS DE
Universidad del Perú, Decana de América

FACULTAD DE
ELECTRÓNICA
INGENIERÍA Y
ELÉCTRICA
E.A.P. INGENIERÍA
ELÉCTRICA
.
TEMA:
INFORME PREVIO

LABORATORIO Nº 2: CONFIGURACION DARLINGTON

CURSO:

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELÉCTRONICOS 2

ALUMNOS:

 LIMAHUAYA LOAYZA, EULER………….17190203

 MEZA CUEVA BRAYAN KENYDY……..18190057
 PIZARRO NONALAYA, JANPIER……… 17190232
 PEÑA BELDY, JHONATAN……………….17190209
 TORRES VILLANUEVA SILVER………….17190219
 SALDIVAR SIFUENTES FABRIZIO……..17190217
Ciudad Universitaria, Lima 2020
Laboratorio de Circuitos Electró nicos II Experiencia N 2

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA

INFORME PREVIO
EXPERIENCIA N°2 CONFIGURACION DARLINGTON
1. OBJETIVOS

 Determinar las características de operación de un amplificador de

corriente transistorizado, es decir hallar su V ce, Ic e Ib usando un arreglo
de 2 etapas con transistores BJT que forman la configuración
Darlington.
 Entender por qué es importante esta configuración y por qué es usada
para la amplificación de corriente.

2. MARCO TEÓRICO

Mencionar aplicaciones de la configuración Darlington y algunos códigos de

su versión de circuito integrado.
La configuración Darlington es una conexión de dos transistores BJT que
opera como un único transistor llamado “Transistor Darlington”, esta conexión
fue inventada por el ingeniero Sidney Darlington de los Laboratorios Bell; la
característica principal es que el transistor compuesto actúa como una sola
etapa con una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de
corriente de los transistores individuales.
Esta conexión permite que la corriente amplificada por el primer transistor
ingrese a la base del segundo transistor y sea nuevamente amplificada.
Entonces una conexión de este tipo proporciona un transistor con una
ganancia de corriente muy elevada, por lo general de unos miles.

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Laboratorio de Circuitos Electró nicos II Experiencia N 2

Un transistor Darlington se comporta como un transistor ordinario, es decir,

posee base, colector y emisor y puede ser considerado como un único
transistor con una ganancia de corriente equivalente βDarlington. Generalmente
suele considerarse que la ganancia de un transistor Darlington es
aproximadamente el producto de las ganancias de los transistores que lo
componen.
Cálculo de ganancia de corriente
Las corrientes del transistor Darlington pueden expresarse en función de las
corrientes de los transistores que lo componen de la siguiente manera:

Según las relaciones entre las corrientes de un transistor individual, es posible

obtener la corriente de colector del par de transistores en conexión Darlington.

Se puede expresar esta última ecuación para obtener la ganancia βD del

transistor Darlington

Si se asume que β1 y β2 son suficientemente grandes, se puede despreciar la

suma de β1+β2, entonces la ganancia de la configuración Darlington queda así:

Ventajas

 Esta configuración permite obtener un dispositivo que proporciona una gran

ganancia de corriente, generalmente del orden de los miles. Esto permite
controlar corrientes de gran magnitud con corrientes de base muy pequeñas.
 Es posible implementar esta configuración con transistores discretos o
individuales, al igual que existen pares Darlington integrados en un solo
encapsulado.
 Cuando se usa en su forma encapsulada permite utilizar menos espacio al
incluir un solo elemento en vez de dos por separado.
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Desventajas

 A altas frecuencias se observa que un transistor Darlington presenta un

desplazamiento de fase mucho mayor que el de un único transistor. Por lo
cual utilizar configuraciones de este tipo en circuitos con realimentación
negativa resulta en una mayor inestabilidad de los mismos.
 Otro inconveniente es la mayor caída de tensión entre la base y el emisor.
Debido a que existen dos junturas entre estos dos terminales. Por ello el
voltaje base-emisor resultante es igual a la suma de las caídas de ambas
junturas. Es decir, que para el valor típico de 0,7 V atribuido a los transistores
de silicio, se produce una caída de 1,4 V en la configuración Darlington.
 También el aumento de su tensión de saturación representa una limitación. La
tensión colector-emisor del Darlington no llega a ser tan baja en saturación
como la de un simple transistor bipolar, debido a la tensión de la unión base
colector del primer transistor, entonces el Darlington queda con un VCE entre
0,7 y 2 volts. En términos prácticos, este inconveniente implica una mayor de
la potencia disipada por el transistor Darlington respecto a un transistor
individual, para iguales corrientes de colector.
 Al tener que activar las dos uniones B-E, el transistor Darlington es más lento
que uno normal, y también es más lento en dejar de conducir. Para paliar esto
en parte, se conectan un par de resistencias en paralelo con las uniones B-E
de los dos transistores; esto también hace que baje la β del Darlington.
Aplicaciones
En estos dispositivos podemos obtener ganancias que corresponden al
producto de las ganancias individuales de los transistores asociados y una
impedancia de entrada, en la configuración de emisor común, que equivale al
producto de la ganancia- por la resistencia de carga.
 Esto significa que estos componentes pueden excitar cargas de corrientes
relativamente elevadas a partir de señales tenues como las obtenidas de
integrados TTL y CMOS y hasta de algunos transductores como por ejemplo
LDRs, termistores, células de Efecto Hall y otros.
 En la interfaz para conectar la EVM con cualquier equipo de radio, la interface
consta de dos integrados Darlington ULN2803 que sirven para incrementar la
intensidad de las señales TTL que les llegan, y otros elementos más.

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Laboratorio de Circuitos Electró nicos II Experiencia N 2

 En las aplicaciones domésticas y recreativas podemos usar tales transistores

en sustitución de etapas enteras de amplificación, em circuitos de alarmas,
llaves electrónicas, sistemas de aviso, intercomunicadores, accionamiento de
relés para abertura y cierre de puertas de garajes, etc.
 En las aplicaciones industriales podemos usar estos transistores en la
excitación directa de solenoides, contatores, relés y otros dispositivos
electromecánicos directamente a partir de sensores o interfaces usando
lógica TTL o CMOS.
 Para alimentar una carga, como un pequeño motor de corriente continua.
 Son ampliamente utilizados para accionar las aletas solenoide impulsado y
luces intermitentes en las máquinas de pinball electromecánico. Una señal de
la lógica de unos pocos miliamperios de un microprocesador, amplificada por
un transistor de Darlington, fácilmente cambia un amperio o más a 50 V en
una escala de tiempo medido en milisegundos, según sea necesario para el
accionamiento de un solenoide o una lámpara de tungsteno.
 También se utiliza en los sensores de Efecto Hall, sensibles a campos
magnéticos como por ejemplo los producidos por el pasaje de un imán,
utilizados en electrónica industrial para el control de velocidad de máquinas,
en los sistemas de alarma de parada o posición de mecanismos, y hasta
incluso como sensor de vibraciones.
 En resumen se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario
controlar cargas grandes con corrientes muy pequeñas.
 Algunos códigos de circuitos integrados con configuración Darlington son:
NTE2077, NTE2078, NTE2084, NTE2079, NTE2082, NTE2083, NTE2087 y
NTE2088.

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 El TIP120 es un ejemplo de par Darlington, tiene un encapsulado del tipo

TO220 como el de la figura.

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En el circuito de la figura 2.2 calcular los puntos de reposo.

Como nos pide los puntos de reposo, es necesario analizar en DC.

 Realizamos la equivalencia de circuito abierto para los capacitores en D.C.

tenemos (figura 1).
 Hallamos el circuito equivalente en Thevenin (figura 2).

Figura 1: CIRCUITO EN DC Figura 2: CIRCUITO EQUIVALENTE THEVENIN

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CALCULANDO LOS VALORES DEL CIRCUITO

 FDF

Del circuito tenemos:

Con:

Y despejando I B 1 tenemos:

Hallamos I CQ1e I CQ2

 {


Hallamos V CQ 1y V CQ 2
 s

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Calcular la ganancia de corriente, ganancia de voltaje, impedancia de entrada

e impedancia de salida.

ANALISIS DEL CIRCUITO EN AC

Tenemos los parámetros hie 1 y hie 2 cuyos valores son:

 I

 0777

Hallaremos primero la ganancia de voltaje

Tenemos del circuito:

Y sabemos que:

Despejando llegamos a tener:

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Luego:
 SD

Despejando vi y reemplazando los valores de parámetros encontrados tenemos:

 gss

Finalmente:

Hallaremos la ganancia de corriente:

De este modo:

 ssdsds

Reemplazando tenemos:

Hallaremos ahora la impedancia de entrada Zi :

Hallando la impedancia de salida Z o:

Realizando los mismos

procedimientos anteriores,
hallaremos una relación entre v e
0

i 0 , entonces la impedancia de salida

estará dado por:

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Indique el objetivo de utilizar la red constituida por R1, R2, R3 Y C2 en el

circuito de la figura.
El uso de resistencias R1, R2 y R3, al igual que el capacitor C2 se usa para
amortiguar la reducción de la velocidad de conmutación, ya que el primer
transistor no puede inhibir la corriente de base de la segunda, haciendo al
dispositivo lento para apagarse. Para paliar esto, el segundo transistor suele
tener una resistencia de cientos de ohmios conectada entre su base y emisor.
Esta resistencia permite una vía de descarga de baja impedancia para la
carga acumulada en la unión base-emisor, permitiendo un rápido apagado.
También para poder polarizar los transistores y de esta manera poder trabajar
en pequeñas señales para hacer el amplificador.
La función del condensador es de retroalimentar al amplificador Darlington
además el objetivo de implementar en el circuito Darlington el R1, R2, R3 es
para aumentar la impedancia de entrada y obtener mayor ganancia de
corriente

3. RESULTADOS
VCE1 VCE2 IC1 IC2 AV AI ZI ZO
TEORICO 6.53V 7.23V 50.8uA 5.13mA 0.995 578.57 6.97M 0.7Ω
Ω

4. BIBLIOGRAFIA
https://unicrom.com/transistor-darlington/

http://platea.pntic.mec.es/~lmarti2/circuitos/celsolar/transistodarlington.htm

https://www.academia.edu/42717686/TEOR%C3%8DA_DE_CIRCUITOS_Y_DISPOSITIVOS_ELECTR
%C3%93NICOS_BOYLESTAD_D%C3%89CIMA_EDICI%C3%93N

https://www.ecured.cu/Transistor_Darlington#Comportamiento

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