Universidad Nacional del Callao

Amplificador Darlington y Cascodo

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica
Circuitos Electrnicos 1

Transistor Darlington
El transistor Darlington es una pareja de
transistores que estn configurados para que
proporcionen una gran ganancia de corriente y, al
integrarlos en una misma capsula, requiere menos
espacio que dos transistores normales en la misma
configuracin. La ganancia total del Darlington es el
producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo
tpico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. La tensin
base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones
base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta
de un transistor o par Darlington se halla multiplicando las de los
transistores individuales. la intensidad del colector se halla
multiplicando la intensidad de la base por la beta total
La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es:
IE= x IB (Corriente de colector es igual a beta por
la corriente de base).
Entonces
analizando
el
grfico:
- Ecuacin del primer transistor es: IE1 = 1 x IB1
(1),
- Ecuacin del segundo transistor es: IE2 = 2 x
IB2 (2)
Observando
el
grfico,
la
corriente
de emisor del transistor (T1) es la misma que la
corriente de base del transistor T2.
Entonces IE1 = IB2 (3)
Entonces utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene: IE2 =
2 x IB2 = 2 x IE1
Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin
(1) se obtiene la ecuacin final de ganancia del transistor Darlington.
IE2 = 2 x 1 x IB1

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Desventajas del Transistor Darlington:

Un inconveniente es aproximadamente el doble de la tensin de
base/emisor. Puesto que hay dos uniones entre la base y el emisor
del transistor Darlington, la base equivalente/tensin de emisor es la
suma de ambas tensiones de base/emisor:
Para que la tecnologa basada en silicio, donde cada VBEi es de
aproximadamente 0,65 V cuando el dispositivo est funcionando en la
regin activa o saturada, la base/emisor tensin necesaria del par es
1,3 V.
Otro inconveniente del par Darlington es su aumento de tensin
"saturacin". El transistor de salida no est permitido para saturar
porque el primer transistor, cuando est saturado, establece
retroalimentacin negativa paralelo completo entre el colector y la
base del segundo transistor. Desde colector/emisor de tensin es
igual a la suma de su propia tensin de base/emisor y la tensin de
colector-emisor del primer transistor, ambas cantidades positivas en el
funcionamiento normal, que siempre excede la tensin de baseemisor. Por lo tanto el voltaje de "saturacin" de un transistor
Darlington VBE es uno ms alto que una sola tensin de saturacin
del transistor, que es tpicamente 0.1 - 0.2 V en el silicio. Para
corrientes de colector iguales, este inconveniente se traduce en un
aumento en la potencia disipada por el transistor Darlington ms de un
solo transistor. El aumento del nivel de salida baja puede causar
problemas cuando se accionan los circuitos lgicos TTL.
Otro problema es una reduccin en la velocidad o la respuesta de
conmutacin, debido a que el primer transistor no puede inhibir
activamente la corriente de la segunda una base, haciendo que el
dispositivo lento para apagar. Para aliviar esto, el segundo transistor a
menudo tiene una resistencia de unos pocos cientos de ohmios
conectados entre su base y terminales del emisor. Esta resistencia
proporciona un camino de descarga de baja impedancia para la carga
acumulada en la unin base-emisor, lo que permite un transistor ms
rpido apagado.
El par de Darlington tiene ms desplazamiento de fase en las
frecuencias altas de un solo transistor y por lo tanto puede llegar a ser
ms fcilmente inestable con la regeneracin negativa.

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Configuracin Cascodo
El cascodo es un amplificador de
dos etapas compuesto por un
amplificador de
transconductancia seguido de un
bfer en uso. En comparacin
con una sola etapa de
amplificacin, esta combinacin
puede tener una o ms de las
siguientes caractersticas: mayor
aislamiento de entrada-salida,
ms alta impedancia de entrada,
de alta impedancia de salida, la
ganancia ms alta o mayor ancho
de banda. En los circuitos
modernos, la cascodo a menudo
se construye a partir de dos
transistores, con uno que
funciona como un emisor comn o fuente comn y el otro como una
base comn o puerta comn. El cascodo mejora el aislamiento de
entrada-salida ya que no hay acoplamiento directo de la salida a la
entrada. Esto elimina el efecto Miller y por lo tanto contribuye a un
ancho de banda mucho mayor.

Ventajas de la Configuracin Cascodo:

La disposicin cascodo ofrece alta ganancia, de alto ancho de banda,
de alta velocidad de respuesta, alta estabilidad, y la alta impedancia
de entrada. El nmero de componentes es muy baja para un circuito
de dos transistores.

Desventajas de la Configuracin Cascodo:

El circuito de cascodo requiere dos transistores y requiere una tensin
relativamente alta de suministro. Para la cascodo de dos FET, ambos
transistores deben estar sesgado con amplia VDS en funcionamiento,
la imposicin de un lmite inferior a la tensin de alimentacin.

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Parte B Amplificador Cascodo

+20V

R5
1.8k

R4

C3

6.8k

10000nF

C4

Q2
2N3904

10000nF

R3
5.6k

C2

Q1
2N3904

10000nF

C1
10000nF

Vb1
Vc1
Ve1
Vb2
Vc2
Ve2
Ie1
Ie2
Re1
Re2
Av

R2

R1

4.7k

1k

Calculado Medido %
Diferencia
5.347
11.17
4.643
11.87
11.75
11.17
-4.643m
-4.615m
5.5998
5.6338
330

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R5
1.8k

R4
6.8k
+88.8
AC A

F2
160

+88.8
AC Volts

R3
5.6k

R6
5.414
+88.8
AC mA

F1
160
+88.8
AC mV

R2

R1

4.7k

5.384

Parte C Fuente de Corriente JFET

+10V

R1
150

Q1
2N3823

+88.8
Volts

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RL()

Calculado

20

13 mA

50

13,2 mA

80
100

13,13mA
13,1mA

150

13,06

Medido

Parte D Fuente de Corriente BJT

D-1)
(+)

RL
5.1k

R1
1.2k

R2

RE

1.2k

4.3k

RE(2)

D-2)

RL = 5.1k

VE (V)
7.17

VC (V)
11.9

IL (mA)
2.33

IE (mA)
1.66

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D-3)
RL(1)

RL

R1
1.2k

R2

RE

1.2k

4.3k

RE(2)

RL (k)

3.6

4.3

7.5

VE (V)

8.31

7.15

7.17

7.21

VC (V)
IE (mA)

11.6
1.93

12.8
1.66

12.86
1.66

12.95
1.67

IE-med (mA)

1.87

1.75

1.70

1.68

IE-calc (mA)

1.93

1.66

1.66

1.67

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Parte E Espejo de Corriente

E-1)
RX(1)

RL(1)

RX

RL

10k

E-2)
RL (k)

10

3.6

VB1 (V)

9.33

9.33

9.33

VC2(V)

9.85

4.05

1.18

Ix-calc (mA)

0.9

0.9

0.9

Ix-med (mA)

0.878

0.893

0.912

IL (mA)

0.985

1.125

1.18

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Parte F Espejo de Corriente Mltiple

+10V

R1

R2

R3

9.1k

4.3k

10k

Q1

Q2

Q3

2N3904

2N3904

2N3904

R1(K)

10

3.6

R2(K)
VB1 (V)

3.6
0.665

10
0.665

VC2 (V)

0.153

5.426

VC3 (V)

5.426

0.153

Ix (mA)
IL1 (mA)

1.026
0.984

1.026
1.064

IL2 (mA)

1.064

0.984

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IV). Preguntas:
A- Comparado con un seguidor de emisor con un transistor BJT
comn, Cunto mejora el circuito con el uso del Darlington?
Refirase en particular a las impedancias de entrada, salida y
ganancia de voltaje Av.
- Se tiene una mayor ganancia, la impedancia de entrada es
menor y la impedancia de salida es igual.
B- Analice la ganancia de voltaje compuesta para el amplificador
Cascode. Cmo influye cada etapa en la composicin de Av
global?
- La etapa inferior es el amplificador principal mientras que el
superior es el amplificador secundario.
C- Cmo influye la variacin de la resistencia de carga RL en la
fuente de corriente JFET? A partir de los resultados
experimentales determine: Cul es el valor mnimo de RL que
garantiza un valor constante de IL?
- Se tiene que la resistencia Rl incrementa la intensidad
mientras ms cercana es a 50 ohm.
D- Compare las fuentes de corriente JFET y BJT Cul resulta ms
estable en mantener un valor constante de IL? Justifique
- El JFET es ms estable que el BJT. Debido a que el JFet
tiende a generar menos ruido que el BJT y adems posee
mayor impedancia de entrada, asegurando que variaciones
no cambien mucho la medida.
E- Cmo influye la variacin de RL en los espejos de corriente?
Se afecta de alguna manera a IX? Justifique
- No afect al Ix debido a que en los espejos de corriente el
intercambio de resistencias entre los transistores paralelos
genera un circuito idntico.