Universidad

Nacional Mayor de
San Marcos
Facultad de ing. Elctrica y electrnica

Tema: Respuesta en alta

y baja frecuencia de un
Amplificador con BJT y
FET

INTEGRANTES:
Cusihuaman Quispe Arturo
Garca Alfaro Sergio
Ordaya Quispe Luis
Quispe Perez Wilder

Introduccin

La amplificacin es el proceso de aumentar el nivel o fuerza de

una seal. sta se puede definir como la relacin entre la seal de
entrada y la seal de salida expresada en tensin, corriente o
potencia.

El amplificador es un dispositivo o circuito diseado para

amplificar una determinada seal de entrada hasta que alcance
un nivel de salida predeterminado.

SMBOLO DE UN CIRCUITO AMPLIFICADOR

Es obvio que el amplificador de seales es una red de dos puertos;

su funcin est representada por el smbolo de la figura 1.0.2 (a),
una situacin ms comn se ilustra en la figura 1.0.2 (b).

Figura 1.0.2 (a) Smbolo de circuito para amplificador. (b) Un

amplificador con terminal comn(tierra) entre los puertos de
entrada y salida.

RESPUESTA EN ALTA Y BAJA

FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR

La respuesta en baja frecuencia de los circuitos amplificadores depende

de los capacitores o condensadores externos utilizados para acoplar y
desacoplar. La respuesta en alta frecuencia depende de las capacitancias
internas del transistor, y de las capacitancias del alambrado y dems.

En la figura se observa el comportamiento para una red RC en alta

frecuencia y en baja frecuencia, donde en baja dicha frecuencia se
considera como nula.

Figura 1.0.3 a) Red RC , b) Circuito equivalente a altas frecuencias, c)

Circuito equivalente del circuito anterior a bajas frecuencias (f=0)

RESPUESTA A BAJA FRECUENCIA, AMPLIFICADOR

BJT

Para el anlisis de respuesta a baja frecuencia se emplear la

configuracin del BJT a divisor de voltaje, pero los resultados
pueden aplicarse a cualquier configuracin BJT: solo ser
necesario encontrar la resistencia equivalente adecuada para
la combinacin R-C. Para el circuito de la figura los capacitores
Ce, Cc y Cs determinaran la respuesta a baja frecuencia.

Vcc: Voltaje de
alimentacin
Vs: Voltaje de fuente de
seal a baja frecuencia
C1=Cs: Capacitor de la
fuente
Rs: Resistencia de la
fuente
Zi: Impedancia de entrada
R1 y R2: Resistencias del
divisor de voltaje
Rc: Resistencia de
colector
Figura 1.1.1 Amplificadores BJT con capacitores
que
C2=Cc: Capacitor de
afectan la respuesta a baja frecuencia.
colector
Re: Resistencia de emisor
C3=Ce: Capacitor de

CAPACITOR DE LA FUENTE Cs

Debido a que Cs esta conectado casi siempre entre la fuente Aplicada y el

dispositivo activo, la forma general de la configuracin R-C se establece
por el circuito de la figura 1.1.2.

Figura 1.1.2 Determinacin del efecto de Cs en la respuesta en baja

frecuencia.
La resistencia total es ahora Rs+Ri y la frecuencia de corte es:

[1.1.14]

Donde Ri es la impedancia de entrada y

la fuente

es la frecuencia de corte de

A frecuencias medias o altas, la reactancia del capacitor ser lo

suficientemente pequea para permitir una aproximacin de corto
circuito para el elemento. El voltaje Vi estar relacionado a Vs por:

A
el voltaje Vi ser el 70.7% del valor determinado por la
ecuacin anterior, suponiendo que Cs es el nico elemento
capacitivo que controla la respuesta a baja frecuencia.

Para el circuito de la figura 1.1.1, cuando analizamos los efectos

de Cs debemos suponer que
y
estn realizando su funcin
de diseo o el anlisis ser muy difcil de controlar; es decir, que
la magnitud de las reactancias de
y
permite emplear un
equivalente de corto circuito, para la seal, en comparacin con la
magnitud de las otras impedancias en serie.

Usando esta hiptesis, el circuito equivalente de AC para la

seccin de entrada de la figura 1.1.1 aparecer como se muestra
en la figura 1.1.3.

Figura 1.1.3. Equivalente en AC para Cs.

El valor de Ri para la ecuacin 1.5 se determina mediante:
[1.1.6]
El voltaje Vi aplicado a la entrada del dispositivo activo puede
calcularse si se usa la regla de divisor de voltaje:
[1.1.7]

Capacitor de colector Cc

Ya que el capacitor de acoplamiento esta conectado con frecuencia

entre la salida del dispositivo activo y la carga aplicada, la
configuracin R-C que determina la frecuencia de corte debida a Cc
aparece en la figura 1.1.4. A partir de la figura 1.1.4 la resistencia
en serie total es ahora Ro + RL, y la frecuencia de corte debida a
Cc se determina por:
[1.1.8]

Donde Ro es la resistencia o
impedancia de salida.
Si se ignora los efectos de Cs y CE,
el voltaje de salida Vo ser el 70.7%
de su valor de banda media a .
Para el circuito de la figura 1.1.1, el
circuito equivalente de AC para la
seccin de salida con Vi=0 V
aparece en la figura 1.1.5. El valor
resultante para Ro en la ecuacin 5
es simplemente:
Figura 1.1.4.Determinacin del efecto de
Cc en la respuesta en baja frecuencia.

[1.1.8]

Figura 1.1.5. Equivalente en AC

para Cc con Vi=0
V.

Capacitor de emisor CE

Para determinar
debe obtenerse el circuito visto por C E como se
muestra en la figura 1.1.6. Una vez que se establece el nivel de Re, la
frecuencia de corte debida a CE puede determinarse con la siguiente ecuacin:

[1.1.10]

del efecto de

Figura 1.1.6. Determinacin

CE en la respuesta en baja frecuencia.

Para el circuito de la figura 1.1.1 el equivalente de AC que se observa

CE aparece en la figura 1.1.7. El valor Re se determina por tanto.

Donde

[1.1.11]

[1.1.12]

: Ganancia
re: resistencia de la
red equivalente d
entrada
Figura 1.1.7. Equivalente en AC para C E

El efecto de Ce en la ganancia se describe mejor de una manera

cuantitativa recordando que a ganancia para la configuracin de la
figura:

Av=-Rc/(re + Re)

 EJERCICIO
1.A:
Determine la frecuencia de corte para el circuito de la figura A,
usando los siguientes parmetros:

Figura A. Amplificador BJT

Solucin:
Determinar
de dc:
El resultado es:

Con
Por tanto,

para las condiciones

Cs:

La frecuencia de corte
es:

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE

AMPLIFICADOR CON BJT
En la regin de alta frecuencia, la red RC de inters tiene la
configuracin que aparece en la figura. A medida que la
frecuencia se incrementa, la magnitud de la reactancia XC se
reduce, con el resultado de un efecto de cortocircuito a travs de
la salida y una reduccin de la ganancia. La derivacin que
conduce a la frecuencia de corte de esta configuracin RC sigue
lneas semejantes a las encontradas para la regin de baja
frecuencia.

La diferencia ms significativa radica en la siguiente forma

general de Av:

Lo cual resultar en una grfica de magnitud y que tiene una cada

de 6 dB/octava con la frecuencia en aumento. Obsrvese que est en
el denominador de la relacin de frecuencia, en lugar que en el
numerador como sucede con en la siguiente ecuacin:

Las diversas capacitancias parasitas del transistor se incluyeron

con las capacitancias del alambrado introducidas durante la
construccin. En la figura aparece el modelo equivalente de alta
frecuencia para el circuito. Ntese la ausencia de los capacitores
que se suponen, que estn en estado de corto circuito en estas
frecuencias.

La capacitancia
incluye la capacitancia del alambrado de
entrada,
la capacitancia de transicin
y la
capacitancia Miller
. La capacitancia
incluye la
capacitancia del alambrado de salida
, la capacitancia
parsita
y la capacitancia Miller de Salida.
La determinacin del circuito equivalente Thvenin para los
circuitos de entrada y resultaran las configuraciones de la figura
Para el circuito de entrada de la frecuencia de -3dB se define por:

Con:

Y:

A muy altas frecuencias, el efecto de

reduce la impedancia total de la combinacin en paralelo de
en la figura el resultado es un nivel reducido de voltaje a travs de
, una reduccin en
y una
ganancia para el sistema.
Para la red de salida :

Con:

Y:

A muy altas frecuencias, la reactancia capacitiva de

disminuir y, por
consecuencia, se reducir la impedancia total de las ramas en paralelo de
salida de. El resultado neto es de
tambin declinar hacia cero conforme
la reactancia
sea cada vez ms pequea. Cada una de las frecuencias
definen una asntota de -6dB/octava, como se muestra . Si los capacitores
parsitos fueran los nicos elementos que determinara la alta frecuencia de
corte, la frecuencia ms baja podra ser el factor determinante. Sin embargo,
la disminucin de
con la frecuencia tambin debe considerarse
para ver si su frecuencia de corte es menor que la de
.
.

Las resistencias
son las que se encuentras entre las
terminales indicadas cuando el dispositivo est en la regin activa. Lo
mismo se aplica par alas capacitancias
aunque la
primera es una capacitancia de transicin y la ltima es de difusin.
Una explicacin ms detallada de la dependencia de la frecuencia
sobre cada uno puede encontrarse en varios textos fcilmente
disponible.
En trminos de estos parmetros:
(que aparece a veces como

)=

EJERCICIO
Para la red de la figura mediante el uso de los siguientes parmetros

Determine
Encuentre
Considere que:

SOLUCION
a) Entonces

y
y

=
b)

RESPUESTA EN ALTA
FRECUENCIA
AMPLIFICADOR CON FET

ESPECIFICACIONES
Su anlisis en alta frecuencia es muy
parecido al del amplificador con BJT.
Existen capacitancias interelectrodicas y
de alambrado que deteminan las
caracteristicas de alta frecuencia del
amplificador.
Los capacitores Cgs y Cgd varian de 1pF a
10pF mientras que Cds es mas
pequeo(de 0.1pF a 1pF)

ELEMENTIOS CAPACITIVOS QUE

AFECTAN LA ALTA FRECUENCIA DE UN
AMPLIFICADOR FET

FIGURA 1

Abreviaciones:

 La red de la fig. 1 es un amplificador

inversor, donde aparece una capacitancia
de efecto Miller en el circuito equivalente
de A.C.

Circuito equivalente en A.C de la fig. 1

FIGURA 2

Observaciones
A altas frecuencias Ci es equivalente
a un corto circuito y el valor de Vgs
se reducir; asi como la ganacia
total.
A frecuencias en que Co tiende a su
equivalente de corto circuito, el
voltaje de salida en paralelo Vo se
reducira.

Las frecuencias de corte definidas por lo

circuitos de entrada y salida pueden
obtenerse encontrando primero los circuitos
Thvenin equivalentes para cada seccin,
como se muestra en la figura 3.

FIGURA 3

Para el circuito de
entrada

Para el circuito de
salida

RESPUESTA A BAJA
FRECUENCIA ,
FET
El anlisis delAMPLIFICADOR
amplificador FET en la regin de baja
frecuencia
ser muy parecido al del amplificador BJT

Figura 1.1 elementos capacitivos que afectan la baja

frecuencia de un amplificador JFET

Figura 1.2 Determinacin del efecto de

CG sobre la respuesta a baja frecuencia.

Figura 1.3 Determinacin del efecto de CC en la respuesta a baja frecuencia.

 EJERCICIO 1.C
Determine la frecuencia de corte inferior para el circuito de la figura C
con los siguientes parmetros:

Solucin

Figura C. Amplificador
FET

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA , AMPLIFICADOR FET

Figura 1.1.17. Elementos capacitivos que afectan la alta

frecuencia de un amplificador FET.

Figura 1.1.18. Circuito equivalente de ac en alta frecuencia de

la figura 1.1.17

Las frecuencias de corte definidas por lo circuitos de entrada y salida

pueden obtenerse encontrando primero los circuitos Thvenin
equivalentes para cada seccin, como se muestra en la figura 1.1.19.

Figura 1.1.19. Los circuitos Thvenin equivalentes para a) el circuito de entrada, b) el circ
de salida.

 EJERCICIO 1.D
Determine las frecuencias superiores de corte para cada red de la
figura D mediante el empleo de los mismos parmetros que en el
ejemplo 1.C:

Figura D.
Amplificador FET