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Circuito de Manejo de Compuerta de Bajo Costo para MOSFET e IGBT
Circuito de Manejo de Compuerta de Bajo Costo para MOSFET e IGBT
Resumen-- Este trabajo presenta el diseo y construccin de
un circuito de manejo de compuerta de bajo costo y de propsitos
generales para dispositivos electrnicos de potencia de
compuerta aislada, tales como MOSFET e IGBT. Se ilustra en
detalle la construccin de dicho circuito de manejo de compuerta
y se presentan los resultados y formas de onda de las pruebas
realizadas con un circuito troceador con IGBT controlado
mediante el circuito de manejo de compuerta prototipo.
333
1- Bajo costo.
2- Proteccin contra corto circuito en la carga del dispositivo controlado con conmutacin suave.
3- Capacidad de aislamiento para alto dv/dt.
4- Utilidad para propsitos generales (componentes discretos o integrados en mdulos de 2 dispositivos).
5- Fcil operacin y modificacin.
6- Facilidad de prueba para verificacin de
funcionamiento.
7- Fcilmente adaptable a operar en un sistema con microprocesadores.
VG(th)
t0
t1
VDD
+VDD
IC
t2
Voltaje
Colector
t3
t4
Corriente
Colector
IC
c
Fig. 2. Curvas bsicas de carga de compuerta.
CCG
RG
VIN
G
CGE
334
dVCE
dt
dVCE
dt
IG
CCG (1)
( primera _ pendiente)
IG
CCG ( 2 )
( segunda _ pendiente)
(2a)
C. Descripcin general.
La Fig. 3 muestra el diagrama en bloques del circuito de
control de compuerta propuesto, compuesto por:
1- Reloj maestro (Astable).
2- Puente H y diodos de limitacin de tensin (BR1).
3- Transformador de aislamiento.
4- Rectificador BR2.
5- Filtro.
6- Circuito de control de disparo y proteccin.
7- Activacin de las resistencias de encendido y apagado.
8- Proteccin contra sobretensin en compuerta.
9- Dispositivo controlado (externo al circuito)
10- Carga.
+Va -Va
VDC
BR1
(2b)
VCC
Astable
(1)
OUT RB
B. Filosofa de diseo.
Para reducir la complejidad de un circuito de manejo de
compuerta para IGBTs / MOSFETs, sin sacrificar precisin en
la seal de control de la compuerta, es conveniente utilizar al
mximo las funciones proporcionadas por circuitos integrados
existentes en el mercado, convenientemente modificadas con
circuitos externos.
Dado que el circuito debe ser capaz de manejar dos
dispositivos de potencia conectados en configuracin puente,
las dos seales de manejo de compuerta a generar deben ser
Circuito
de
manejo
comercial
OUT
(3)
+Vbar
Q1
RG(on)
Q2
RG(off)
(2)
+V
.
Vin Fault
BR2
Puente H
dI C g m I G
#
dt
C ISS
-V
(7)
(8)
(9)
(10)
335
VDC=31.4V
+31.4V
Q
1
Q
3
-31.4V
31.4V
V1
Q
2
Q
4
-31.4V
VDC=31.4V
VCC=5V
1
PWM
1
2
Astable
BR1
2 2
+ 4
. =+15V
+V
A
C
1
BR2
T
1
C
2
. =-15V
-V
A
2.5A
15V
15V
VGE
IG
Fig. 5. Forma de onda aproximada de la corriente de compuerta de un
dispositivo conmutador de potencia de compuerta aislada.
2.5A
15V
VGE
IG
T=1/200Khz
Fig. 6. Forma de onda aproximada de la corriente de compuerta de un
dispositivo conmutador de potencia de compuerta aislada (peor caso).
PSalida
1
2S
2S
Sal
I Sal
21.6W
(4)
I RMS
I RMS
2
2.5
( Zt ) 2 dZt
2S 0 S
6.25
3
1.44 A
(3a)
(3b)
336
21 . 6W ( 30 V 30 mA ) # 22 . 5W
PEntrada
(6)
N2
V2 2.5 106 s
2 BmaxAe
N2
31.4 2.5 10 6 10 6
2 0.41 14.8834
1.44 A 2(0.7V )
PRe cf
2W
(7)
PSal _ Transformador
21.6W 2W # 23.6W
(8)
(13a)
7vueltas
(13b)
N2
31.4 5 10 6 10 6
2 0.2 14.8834
26vueltas
(14)
VCC=31.4V
Forma aproximada
Peor caso
1
V 2 i 2 dZ t
2S
0
23.6W
V2 I 2 Pr om
23.6W
0.75 A
31.4V
# 2 I prom 1.5 Apico
I 2 Pr om
I pico
I RMS
0.55 I pico
(9a)
(9b)
(10a)
0.75 ARMS
(10b)
En base a esto se selecciona un alambre AWG 21 (segn
manual) = 1.6 A / 155 Vueltas / cm2 , Area del conductor =
5.094x10-3cm2 = Sr2.
Por consiguiente el dimetro del conductor es:
d
2r
conduct
# 0 . 8 mm
V1
(11)
V2
dO2
dt
N2
N 2 2 I max
2 . 5 (10 6 s )
dI
dt
dI
dt
2 d I max
T
2
(12)
N 2 2 B max
2 . 5 (10 6 s )
337
VCE
IC
VGE
VGE
Fig. 12. Detalle de las formas de onda onda del voltaje de compuerta, VGE, la
tensin colector-emisor, VCE y la corriente de colector, IC, en el encendido del
IGBT.
(escalas: vertical, VGE: 10 V/div., VCE: 50 V/div., IC: 5 A/div.; horizontal: 5
s/div.)
V. CONCLUSIONES
IC
VGE
VGE
Fig. 11. Formas de onda del voltaje de compuerta, VGE, la tensin colectoremisor, VCE y la corriente de colector, IC, en el IGBT durante un ciclo
completo de operacin.
(escalas: vertical, VGE: 10 V/div., VCE: 50 V/div., IC: 5 A/div.; horizontal:
5 s/div.)
338
mercado.
Mediante la retroalimentacin de la seal de falla (fault)
del HP316J, el circuito de manejo de compuerta propuesto
posee un sistema de proteccin capaz de suspender cualquier
pulso de conmutacin en la compuerta del dispositivo de
potencia controlado si se presenta una condicin de
cortocircuito, lo que hace la implementacin de este circuito
de manejo de compuerta ms confiable a la hora de alguna
falla.
El circuito de manejo de compuerta de bajo costo
propuesto puede ser utilizado tanto para transistores MOSFET
como para IGBT manteniendo las mismas caractersticas de
funcionamiento.
VI. REFERENCIAS
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
VII. BIOGRAFIAS
Gerardo Ceglia obtuvo el ttulo de
Ingeniero de Sistemas (UNEXPO, 1996),
MSc
en
Ingeniera
Electrnica
(Universidad Simn Bolvar, 1994) y
actualmente es candidato a Doctor en
Ingeniera Electrnica (Universidad Simn
Bolvar). Su experiencia profesional abarca
el diseo, montaje y optimizacin de circuitos amortiguadores
para inversores de potencia, convertidores multi-nivel y
sistemas de control e instrumentacin industrial. Desde 2001
se desempea como Profesor en la Universidad Simn
Bolvar, donde se desempea la categora de Profesor
Asistente y sus principales reas de inters son: Fuentes No
Convencionales de Energa, Electrnica de Potencia y
Sistemas Industriales.