Tema 5. Amplificadores con BJT.

Tema 5

AMPLIFICADORES CON BJT.

1.- Introduccin.
1.1.- Principio de Superposicin.
1.2.- Nomenclatura.
1.3.- Recta de Carga Esttica.
1.4.- Recta de Carga Dinmica.
2.- Modelo de pequea seal del BJT.
2.1.- El cuadripolo y el modelo hbrido.
2.2.- Modelo hbrido de un transistor.
2.3.- Anlisis de un circuito amplificador a transistores empleando
el modelo de parmetros h.
2.4.- Determinacin grfica de los parmetros h.
2.5.- Modelo de parmetros hbrido simplificado.
2.6.- Comparacin de las distintas configuraciones.
2.6.1.- Amplificador en Emisor Comn.
2.6.2.- Amplificador en Emisor Comn con resistencia de
emisor.
2.6.3.- Amplificador en Base Comn.
2.6.4.- Amplificador en Colector Comn.

124

Tema 5. Amplificadores con BJT.

1.- INTRODUCCIN.
En el circuito de figura 5.1 se muestra un circuito tpico de un amplificador de
tensin con un transistor BJT en emisor comn polarizado en la zona activa.
Con l se trata de amplificar una tensin cualquiera vi y aplicarla, una vez
amplificada, a una carga que simbolizamos por la resistencia RL. La zona sombreada
resalta el amplificador, que en este caso, lo constituye un transistor BJT en la
configuracin emisor comn. El cual, convenientemente polarizado en la zona activa, es
capaz de comportarse como un amplificador de tensin como ya se mencion en el
captulo anterior.

Figura 5.1.-

Circuito amplificador de tensin con BJT en E-C

Los condensadores C1 y C2 que aparecen se denominan condensadores de acoplo

y sirven para bloquear la componente continua. En concreto C1 sirve para acoplar la
tensin que queremos amplificar al amplificador propiamente dicho, eliminando la
posible componente continua que esta tensin pudiera tener. Si no bloquesemos esta
continua se sumara a las corrientes de polarizacin del transistor modificando el punto
de funcionamiento del mismo. Por otra parte, el condensador C2 nos permite acoplar la
seal amplificada a la carga, eliminando la componente continua (la correspondiente al
punto de polarizacin del transistor) de forma que a la carga llegue nicamente la
componente alterna.
El condensador C3 es un condensador de desacoplo, su misin es la de
proporcionar un camino a tierra a la componente alterna. En el captulo anterior se
analiz el efecto de la resistencia RE desde el punto de vista de su efecto en la
125

Tema 5. Amplificadores con BJT.

estabilizacin del punto de polarizacin. Sin embargo, en este captulo veremos como
desde el punto de vista de la amplificacin, esta resistencia hace disminuir la ganancia
del amplificador. Al aadir el condensador de desacoplo conseguimos que la continua
pase por RE mientras que la alterna pasara por el condensador C3 consiguiendo que no
afecte a la amplificacin.

1.1.- Principio de Superposicin.

En este captulo vamos a abordar el anlisis de este tipo de circuitos
amplificadores. Para ello aplicaremos el principio de superposicin. En cada punto o
rama calcularemos las tensiones y corrientes de continua y de alterna por separado, de
forma que al final las tensiones y corrientes finales sern la suma de las calculadas en
cada parte.
Para ello vamos a suponer que el valor de la capacidad de los condensadores, as
como la frecuencia de las seales que tenemos es tal que la impedancia que presentan
los condensadores es lo suficientemente pequea para considerarla nula. Mientras que
en continua, estos condensadores presentarn una impedancia infinita. Es decir,
consideraremos que en continua los condensadores se comportan como circuitos
abiertos (impedancia ) mientras que en alterna equivaldrn a cortocircuitos
(impedancia 0).
XC

Figura 5.2.-

1
1

C 2 f C

Consideraciones para aplicar el principio de superposicin.

Aplicando estas consideraciones obtendremos los circuitos equivalentes en DC y

en AC que tendremos que resolver separadamente.

126

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Si en el circuito amplificador de la figura 5.1 aplicamos la condicin de que los

condensadores se comportan como circuitos abiertos, obtenemos el circuito equivalente
en continua (figura 5.3). Podemos ver como este circuito es, precisamente, el circuito de
polarizacin del transistor cuyo estudio ya se abord en el tema anterior y de cuya
resolucin obtendramos las tensiones y corrientes de continua presentes en el circuito.

Figura 5.3.-

Circuito equivalente en DC.

Si por el contrario, al circuito de la figura 5.1 le aplicamos las condiciones para

obtener el circuito equivalente de alterna, es decir, suponemos que los condensadores se
comportan como cortocircuitos e, igualmente, cortocircuitamos las fuentes de tensin de
continua, el circuito que obtendramos es el mostrado en la figura 5.4.

Figura 5.4.-

Circuito equivalente en AC.

En este captulo abordaremos el estudio y la resolucin de este circuito

abordando un modelo para el transistor que nos permita el clculo de las tensiones y
corrientes en el circuito.

1.2.- Nomenclatura.

127

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Al aplicar el principio de superposicin, es conveniente ser cuidadoso con la

nomenclatura de las distintas variables elctricas para no confundir ni mezclar las
variables de alterna con las de continua. En la figura 5.5 se muestra la nomenclatura que
vamos a seguir

Figura 5.5.-

Nomenclatura.

Antes de pasar al estudio propiamente dicho del circuito de alterna vamos a

definir un par de conceptos muy importantes a la hora de analizar el funcionamiento de
un circuito amplificador con un BJT, estamos hablando de las rectas de carga esttica y
dinmica.

1.3.- Recta de Carga Esttica.

La Recta de Carga Esttica representa la sucesin de los infinitos puntos de
funcionamiento que puede tener el transistor. Su ecuacin se obtiene al analizar la malla
de salida del circuito equivalente en continua.
La Recta de Carga Esttica est formada por los pares de
valores (VCE, IC) que podra tener el transistor con esa malla de
salida. Para obtener su ecuacin matemtica f(VCE,IC) = 0,
planteamos las tensiones en la malla de salida del circuito
equivalente en DC.
VCC R E I E VCE R C IC

128

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Si tenemos en cuenta que I E

1
IC

1
Nos queda VCC R C R E
IC VCE si suponemos que >> 1

obtendramos la ecuacin que relaciona la VCE y la IC del transistor, dicha ecuacin

representa una recta en el plano de las caractersticas de salida, y se conoce con Recta
de Carga Esttica
VCC R C R E IC VCE

Figura 5.6.-

Recta de Carga Esttica.

Como ya se ha mencionado anteriormente, esta recta representa todos los

posibles puntos de funcionamiento que podr tener el transistor con esa malla de salida.
El punto de funcionamiento Q se fijar mediante el circuito de polarizacin de entrada
fijando la IB correspondiente.

1.4.- Recta de Carga Dinmica.

La Recta de Carga Dinmica se obtiene al analizar la malla de salida del circuito
equivalente de AC. Est formada por la sucesin de los pares de valores (vCE, iC). Notar
que a diferencia del caso anterior, en este caso nos referimos a los valores totales
(alterna ms continua) tanto de tensin como de corriente. Para obtener la ecuacin

129

Tema 5. Amplificadores con BJT.

matemtica de esta recta f(vCE,iC) = 0, analizamos la malla de salida del circuito

equivalente en alterna

ic

vce
R L || R C
Si tenemos en cuenta que la componente incremental (o de alterna) de una seal

se puede obtener restando el valor de continua al valor total.

iC IC ic

i c iC IC

v CE VCE vce

vce v CE VCE

Haciendo este cambio de variable en la expresin anterior obtenemos la

ecuacin de la Recta de Carga Dinmica

i C IC

1
vCE VCE
R C || R L

Tenemos la ecuacin de una recta que pasa por el punto de funcionamiento

(punto Q) y cuya pendiente es el inverso del paralelo de RC y RL.

Figura 5.7.-

Rectas de carga Esttica y dinmica.

130

Tema 5. Amplificadores con BJT.

La Recta de Carga Dinmica siempre tiene ms pendiente que la Recta de Carga

Esttica. nicamente en el caso de un circuito en el que RE = 0 y la salida est en
circuito abierto (RL = ) ambas rectas coincidirn.
La Recta de Carga Dinmica representa los pares de valores iC y vCE en cada
instante como se puede ver grficamente en la figura 5.8

Figura 5.8.-

Significado de la Recta de Carga Dinmica.

2.- MODELO DE PEQUEA SEAL DEL BJT.

2.1.- El Cuadripolo y el Modelo Hbrido.

Un cuadripolo es un circuito, sistema o red en general con dos terminales de

entrada, tambin denominado puerto de entrada, y dos terminales de salida o puerto de
salida, por ello a veces, a los cuadripolos se les denomina redes de doble puerto.

Figura 5.9.-

Cuadripolo o red de doble puerto.

131

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Vamos a estudiar los cuadripolos como si de cajas negras se tratasen, sin

importarnos lo que hay en el interior, slo nos van a interesar las tensiones y corrientes
a la entrada y salida del mismo.
Supongamos ahora que dichas variables de entrada y salida estn relacionadas a
travs de las siguientes ecuaciones:
v1 h11 i1 h12 v 2
o en forma matricial
i 2 h 21 i1 h 22 v 2

v1
i1
h ij
i 2
v2

Los parmetros h11, h12, h21 y h22 se denominan parmetros h o parmetros

hbridos debido a que tienen dimensiones heterogneas. Podramos definirlos de la
siguiente manera:
h11

h12

h 21
h 22

v1
i1
v1
v2
i2
i1
i2
v2

v2 0

Impedancia de entrada con la salida en cortocircuito. Dimensiones de

resistencia ()

i1 0

Ganancia inversa de tensin con la entrada en circuito abierto.

Adimensional
Ganancia de corriente con la salida en cortocircuito. Adimensional

v2 0

i1 0

Admitancia de salida con la entrada en circuito abierto. Dimensiones

de conductancia (-1)

Segn las normas de IEEE, se recomienda usar los siguientes subndices:

i = 11

entrada

r = 12

transferencia directa

f = 21

transferencia directa

o = 22

transferencia inversa

En el caso particular de que se trate de un transistor, se aadir un segundo

subndice (e, b, c) indicativo del tipo de configuracin segn sea emisor, base o colector
comn respectivamente. As, por ejemplo
hie = impedancia de entrada en emisor comn
hfb = ganancia de corriente en base comn

132

Tema 5. Amplificadores con BJT.

El modelo circuital que cumple con las ecuaciones del cuadripolo en parmetros
hbridos es el que aparece representado en la figura 5.10
v1 h11 i1 h12 v 2

i 2 h 21 i1 h 22 v 2

(5.1)

Figura 5.10.- Modelo circuital parmetros hbridos.

Es decir, las corrientes y tensiones del circuito de la figura 5.10 estn

relacionadas a travs de las ecuaciones (5.1), o lo que es lo mismo, siempre que
tengamos un cuadripolo cuyas variables de entrada y salida estn relacionadas a travs
de las ecuaciones (5.1), podremos modelizar el mismo con el circuito de la figura 5.10.
Dado que nosotros, en nuestra asignatura, no estudiamos el comportamiento en
frecuencia de los dispositivos ni de los circuitos, consideraremos que en el cuadripolo
no existen elementos reactivos, por lo que los parmetros h son nmeros reales. La
impedancia de entrada ser, por tanto, una resistencia. La admitancia de salida ser una
conductancia y las corrientes y tensiones en el circuito sern funciones del tiempo, pero
no dependern de la frecuencia.

2.2.- Modelo hbrido de un transistor.

Si partimos de la suposicin las variaciones de la seal en torno al punto de

polarizacin son pequeas, podremos suponer que los parmetros del transistor van a
ser constantes. Si consideramos un transistor en la configuracin emisor comn, las
tensiones y corrientes del mismo estarn relacionadas con ecuaciones de la forma:
v BE f1 i B , vCE

correspondiente a las curvas caractersticas de entrada

133

Tema 5. Amplificadores con BJT.

iC f 2 i B , vCE

correspondiente a las curvas caractersticas de salida

Si hacemos un desarrollo en serie de Taylor en el entorno del punto Q (VCE, IC) y

despreciamos los trminos de orden superior del desarrollo, obtenemos:
v BE

i C

f1
i B

f 2
i B

i B
VCE

i B
VCE

f1
vCE

f 2
vCE

vCE

(5.2)

IB

vCE

(5.3)

IB

En las expresiones (5.2) y (5.3) los valores vBE, vCE, iB y iC representan los
valores incrementales, o de alterna de las correspondientes tensiones o corrientes, es
decir:
v BE v b

i B i b

vCE vce

iC ic

Por otra parte, las derivadas parciales son nmeros reales y definen los
parmetros h en este caso en emisor comn:
h ie

h fe

f1
i B

f 2
i B

VCE

VCE

v BE
i B

i C
i B

VCE
vce 0

VCE
vce 0

h re

h oe

f1
vCE

f 2
vCE

v BE
vCE

iC
vCE

IB

IB

IB
ib 0

IB
ib 0

(5.4)

(5.5)

Con lo que tendremos que las ecuaciones (5.2) y (5.3) se convierten en

v be h ie i b h re vce

ic h fe i b h oe v ce

(5.6)

Es decir, vemos como en el transistor, en el entorno del punto Q de

funcionamiento se cumplen las ecuaciones (5.6), por lo que podremos modelizar su
comportamiento con un circuito como el de la figura 5.11.

134

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Por tanto, en la resolucin de circuitos amplificadores con transistores,

obtendremos el circuito equivalente de AC como se ha visto en el apartado de la
introduccin, sustituiremos el transistor por su modelo en parmetros hbridos y
resolveremos el circuito resultante.

Figura 5.11.- Modelo circuital de parmetros hbridos para un transistor en emisor comn.

Podramos hacer un razonamiento anlogo para las configuraciones base y

colector comn, obteniendo las expresiones y circuitos que se representan en la figura
5.12.

Figura 5.12.- Modelo circuital de parmetros hbridos para un transistor en base comn y en colector

comn..

2.3.- Anlisis de un circuito amplificador con parmetros hbridos.

Podemos amplificar una seal sin ms que acoplarla a un transistor debidamente

polarizado y la seal resultante aplicarla a una carga (en este caso modelizada por una

135

Tema 5. Amplificadores con BJT.

resistencia ZL. Aqu analizamos un caso genrico sin importar la configuracin del
transistor. As que sustituiremos el transistor por su modelo en parmetros hbridos.
Supondremos que la seal de entrada es sinusoidal, con lo cual podremos
trabajar con los valores mximos o con los eficaces.

Figura 5.13.- Circuito amplificador con parmetros hbridos

NOTA: Se ha llamado a la corriente por la carga iL (con el subndice en maysculas) en

contra de lo mencionado anteriormente respecto a la nomenclatura, esto es as para no
confundir la letra l (ele) minscula con el nmero 1 (uno). Quede claro, por tanto, que
aunque denotemos con subndice en maysculas nos estamos refiriendo al valor
incremental o de alterna de la mencionada corriente.

Ganancia o amplificacin de corriente AI.

AI

iL
i
2
i1
i1
De la malla de salida del circuito

i 2 h f i1 h o v 2 ,
136

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Por otra parte

v 2 i L ZL i 2 ZL
Con lo que nos queda

i 2 h f i1 i 2 ZL h o

i2

hf
i1
1 ZL h o

Por tanto la ganancia de corriente ser:

AI

iL
i
hf
2
i1
i1
1 ZL h o

Impedancia de entrada Zi.

Zi

v1
i1
De la malla de entrada

v1 h i i1 h r v 2
Por otra parte
v 2 i 2 ZL A I i L ZL

h f ZL
i1
1 ZL h o

Sustituyendo v2 en la expresin de v1
v1 h i i1 h r

h f ZL
i1
1 ZL h o

Por lo que la impedancia de entrada ser

Zi

v1
h Z
hi h r f L
i1
1 ZL h o

Ganancia o amplificacin de tensin AV.

AV

v2
v1
Como se ha visto anteriormente

v 2 A I i L ZL
v1 Zi i1
137

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Por tanto
AV

v 2 ZL

AI
v1 Zi

Ganancia o amplificacin de tensin AVS.

A VS

v2
vS

A VS

v 2 v 2 v1
v

AV 1
vS v1 vS
vS
De la malla de entrada

vS v1 R S i1 v1 R S

R
R Zi
v1
v1 1 S v1 S
Zi
Zi
Zi

Por tanto
v1
Zi

vS R S Zi
Sustituyendo en la expresin de AVS
A VS

v2
Zi
ZL
AV
AI
vS
R S Zi
R S Zi

Si RS = 0, AVS = AV, es decir, AV es la ganancia de tensin para una fuente de

tensin ideal.

Admitancia de salidaY0.

Por definicin la impedancia de salida (inverso de la admitancia) se obtiene

cortocircuitando la fuente de tensin vS, haciendo la impedancia de carga infinita
(circuito abierto) y poniendo en los terminales de salida in generador de tensin v2.

138

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Figura 5.14.- Circuito para el clculo de la impedancia de salida.

Una vez hecho esto, obtendremos la impedancia de salida como

Zo

v2
i
1
o bien Yo
2
i2
Zo v 2
Analizando la malla de entrada

R S i1 h i i1 h r v 2 0 i1

hr
v2
hi RS

De la malla de salida
i 2 h f i1 h o v 2 h o v 2

hf hr
v2
hi RS

h h
i2 h o f r v2
hi RS

Por tanto
Zo

v2
h h
ho f r
i2
hi RS

2.4.- Determinacin grfica de los parmetros h.

Vamos a calcular de forma aproximada el valor de los parmetros h de un

transistor en la configuracin en emisor comn a partir de sus curvas caractersticas. Los
parmetros hfe y hoe se determinarn a partir de las curvas caractersticas de salida,
mientras que hie y hre los obtendremos a partir de las curvas caractersticas de entrada.
En cualquier caso, aproximaremos las derivadas parciales de las ecuaciones (5.4) y (5.5)
por cocientes de incrementos.

139

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Figura 5.15.- Determinacin grfica de hfe.

A la vista de la grfica y teniendo en cuenta la definicin del parmetro hfe

tendremos:
h fe

f 2
i B

VCE

iC
i B

VCE

vce 0

iC
i B

VCE

vce 0

2,3 1,3 mA 100

20 10 A

De forma anloga para hoe

Figura 5.16.- Determinacin grfica de hoe.

Tomando incrementos de tensin y corriente en el entorno del punto Q de

polarizacin.
140

Tema 5. Amplificadores con BJT.

h oe

f 2
vCE

IB

iC
vCE

IB

i b 0

iC
vCE

IB

i b 0

1,9 1,8 mA 31106 1

10 6,8 V

Los dos parmetros restantes los obtendremos a partir de las curvas

caractersticas de entrada del transistor en emisor comn

Figura 5.17.- Determinacin grfica de hie.

h ie

f1
i B

VCE

v BE
i B

VCE

vce 0

v BE
i B

VCE

vce 0

0 ,015 V
1,5 k
10 A

Figura 5.18.- Determinacin grfica de hre.

141

Tema 5. Amplificadores con BJT.

h re

f1
vCE

IB

v BE
vCE

IB

i b 0

v BE
vCE

IB

ib 0

0,008 V
4 104
20 V

Estos valores son para un caso concreto, sin embargo, son muy similares a los
valores tpicos que se pueden considerar para los transistores BJT en general. As, en la
siguiente tabla se muestran los valores tpicos de los parmetros segn la configuracin
Parmetro
hi
hr
hf
ho
1/ho

Emisor
Comn
1 k
2,5 10-4
50
25 A/V
40 k

Colector
Comn
1 k
~1
-50
25 A/V
40 k

Base
Comn
20 k
3,5 10-4
-0,98
0,5 A/V
2 M

2.5.- Modelo de parmetros hbrido simplificado.

Podemos observar como el valor del parmetro hre es muy pequeo (2,510-4) y
de forma similar el parmetro hoe, (25 A/V ) por lo que en muchas ocasiones,
podremos despreciarlos, obteniendo el denominado modelo de parmetros hbrido
simplificado

Figura 5.18.- Determinacin grfica de hre.

Con lo que las ecuaciones que controlan el comportamiento del transistor se

simplifican:
v be h ie i b

ic h fe i b

142

Tema 5. Amplificadores con BJT.

En esta asignatura, independientemente de la configuracin en la que se

encuentre el transistor, ya sea base, emisor o colector comn, utilizaremos siempre el
modelo de parmetros hbridos en la configuracin emisor comn.

2.6.- Comparacin de las distintas configuraciones.

A continuacin procederemos analizar distintos circuitos amplificadores con el

fin de compara los valores obtenidos en cada uno de ellos. La resolucin la realizaremos
utilizando el modelo simplificado que acabamos de plantear. En cada caso calcularemos
la ganancia de tensin (AV), la ganancia de corriente (AI) y las impedancias de entrada
(Zi) y de salida (Zo), dado que los nicos componentes que tenemos en el circuito sern
resistencias, ya que no analizamos el comportamiento en frecuencia de los circuitos, las
impedancias de entrada y salida tendrn nicamente una componente real, es decir,
sern resistencias, por lo que podremos hablar igualmente de resistencias de entrada (Ri)
y de salida (Ro)

2.6.1.- Amplificador en Emisor Comn.

Figura 5.19.- Circuito amplificador de tensin con BJT en Emisor Comn.

Para obtener el circuito equivalente de alterna, cortocircuitamos las fuentes de

tensin de continua y los condensadores. En el circuito resultante, sustituiremos el
transistor por su modelo en parmetros hbridos (recordar que siempre utilizaremos el
143

Tema 5. Amplificadores con BJT.

modelo en parmetros de emisor comn con independencia de la configuracin del

transistor.

Figura 5.20.- Circuito equivalente en AC del circuito de la fig 5.19.

El circuito resultante (figura 5.21) es el que tendremos que analizar y resolver

para obtener las tensiones y corrientes incrementales (o de alterna). Valores, que
sumados a los de polarizacin (segn el principio de superposicin) nos darn los
valores totales de las corrientes y tensiones en los distintos puntos y ramas del circuito.

Figura 5.21.- Circuito equivalente de pequea seal con el modelo simplificado.

Ganancia de Corriente

AI

i2
i1
En la malla de salida i 2 i c h fe i b y, en la de entrada i1 i b
Por lo tanto

AI

i 2 ic h fe i b

h fe
i1
ib
ib
144

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Impedancia de entrada

Zi

v1
i1
En la malla de entrada v1 v be h ie i b y la corriente i1 i b
Con lo que nos queda

Zi

v1 v be h ie i b

h ie
i1
ib
ib

Ganancia de tensin

AV

v2
v1
De la malla de salida v 2 vce R L || R C i c R L || R C h fe i b y como ya

hemos visto anteriormente v1 v be h ie i b .

Por tanto
AV

R || R C h
v 2 vce R L || R C i c R L || R C h fe i b

L
fe
v1 v be
h ie i b
h ie i b
h ie

Impedancia de salida

Para el clculo de la impedancia de salida eliminamos todo lo que quede a la

derecha del punto donde nos pidan calcular la impedancia de salida Zo y lo sustituimos
por una fuente de tensin v2. Adems cortocircuitamos las fuentes de tensin del
circuito (cuidado!, las fuentes correspondientes al modelo del transistor no hay que
tocarlas).

Figura 5.21.- Clculo de la impedancia de salida.

145

Tema 5. Amplificadores con BJT.

As, el circuito que debemos analizar

Con este circuito, calcularemos la impedancia de salida Zo como el cociente

entre la tensin v2 y la corriente i2;
Zo

v2
i2
En la malla de entrada podemos ver como ib = 0 al no haber ninguna tensin.
En la malla de salida tenemos como i 2 h fe i b 0
As, la impedancia de salida ser

Zo

v2 v2

i2
0

2.6.2.- Amplificador en Emisor Comn con resistencia de emisor.

Vamos analizar ahora el caso en que tengamos un amplificador en emisor comn

con la resistencia de emisor sin desacoplar, es decir, sin colocar el condensador C3 en
paralelo con RE. De esta forma comprobaremos como esta resistencia aparece en el
circuito de pequea seal haciendo que la ganancia del amplificador disminuya, lo que
justificara la conveniencia de colocar el condensador C3.

Procedemos de forma anloga al caso anterior, obteniendo el circuito

equivalente en parmetros hbridos para el circuito de la figura 5.22. Ahora
modificamos ligeramente el dibujo del circuito equivalente del transistor tal y como se
muestra en la figura 5.23.

146

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Figura 5.22.- Amplificador en emisor comn con resistencia de emisor.

Figura 5.23.- Circuito equivalente en AC del circuito de la fig 5.22.

Con lo que, sustituyendo el transistor por su modelo simplificado el circuito que

nos queda es el de la figura 5.24

Figura 5.24.- Circuito de pequea seal para amplificador en E-C con RE sin desacoplar.

147

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Ganancia de Corriente

AI

i2
i1
En la malla de salida i 2 i c h fe i b y, en la de entrada i1 i b
Por lo tanto

AI

i 2 ic h fe i b

h fe
i1
ib
ib

Impedancia de entrada

Zi

v1
i1
En la malla de entrada v1 v b h ie i b R E ie y la corriente

ie i b i c i b h fe i b h fe 1 i b

De la malla de entrada i1 i b
Con lo que nos queda
Zi

v1 v b h ie i b R E i b h fe 1

h ie R E h fe 1
i1 i b
ib

Ganancia de tensin

AV

v2
v1
De la malla de salida v 2 vce R L || R C i c R L || R C h fe i b y como ya

hemos visto anteriormente v1 v b h ie i b R E ie h ie i b R E i b h fe 1 .

Por tanto
AV

R L || R C ic
R L || R C h fe i b
R L || R C h fe
v 2 vc

v1 v b h ie i b R E i b h fe 1 h ie i b R E i b h fe 1 h ie R E h fe 1
Si comparamos con la que tenamos cuando la resistencia de emisor estaba

desacoplada ( A V

R L || R C h fe
h ie

) podemos comprobar claramente como la

resistencia de emisor hace que la ganancia de tensin disminuya.

148

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Impedancia de salida
Para el clculo de la impedancia de salida procedemos exactamente igual a como
se ha explicado en el caso anterior, obteniendo el siguiente circuito.

Con este circuito, calcularemos la impedancia de salida Zo como el cociente

entre la tensin v2 y la corriente i2;
Zo

v2
i2
En la malla de entrada podemos ver como ib = 0 al no haber ninguna tensin.
En la malla de salida tenemos como i 2 h fe i b 0
As, la impedancia de salida ser

Zo

v2 v2

i2
0

6.2.3.- Amplificador en Base Comn.

Figura 5.25.- Circuito amplificador con BJT en Base Comn.

Para obtener el circuito equivalente de alterna, al igual que en los casos

anteriores, cortocircuitamos las fuentes de tensin de continua y los condensadores. En
el circuito resultante, sustituiremos el transistor por su modelo en parmetros hbridos
(recordar que siempre utilizaremos el modelo en parmetros de emisor comn con
149

Tema 5. Amplificadores con BJT.

independencia de la configuracin del transistor. Para ello, vamos a redibujar el circuito

en parmetros h del transistor para que quede con el emisor a la izquierda, el colector a
la derecha y la base abajo

Figura 5.26.- Circuito equivalente en AC del circuito de la fig 5.25.

El circuito resultante (figura 5.27) es el que tendremos que analizar y resolver

para obtener las tensiones y corrientes incrementales (o de alterna).

Figura 5.27.- Circuito equivalente de pequea seal con el modelo simplificado.

Ganancia de Corriente
AI

i2
i1
En la malla de salida i 2 i c h fe i b
En la de entrada i1 ie h fe 1 i b
Por lo tanto

AI

h fe
h fe i b
i 2 i c

i1
ie
h fe 1 i b h fe 1
150

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Impedancia de entrada
Zi

v1
i1
En la malla de entrada v1 veb h ie i b y la corriente i1 ie h fe 1 i b
Con lo que nos queda

Zi

h ie i b
h
v1 veb

ie
i1 i e h fe 1 i b h fe 1

Ganancia de tensin
AV

v2
v1
De la malla de salida v 2 vec R L ic R L h fe i b y como ya hemos visto

anteriormente v1 veb h ie i b .
Por tanto
AV

vcb R L ic R L h fe i b R L

h fe
veb h ie i b
h ie i b
h ie

Impedancia de salida
Segn el procedimiento ya descrito en los apartados anteriores, el circuito para el
clculo de la impedancia de salida ser:

Con este circuito, calcularemos la impedancia de salida Zo como el cociente

entre la tensin v2 y la corriente i2;
Zo

v2
i2

151

Tema 5. Amplificadores con BJT.

En la malla de entrada podemos ver como R S ie h ie i b , por tanto,

. R S h fe 1 i b h ie i b , por lo que R S h fe 1 h ie i b 0 , es decir, i b 0

En la malla de salida tenemos como i 2 h fe i b 0

As, la impedancia de salida ser
Zo

v2 v2

i2
0

6.2.4.- Amplificador en Colector Comn.

Figura 5.28.- Circuito amplificador con BJT en Colector Comn.

Para obtener el circuito equivalente de alterna, al igual que en los casos

anteriores, cortocircuitamos las fuentes de tensin de continua y los condensadores. En
el circuito resultante, sustituiremos el transistor por su modelo en parmetros hbridos
(recordar que siempre utilizaremos el modelo en parmetros de emisor comn con
independencia de la configuracin del transistor. Para ello, vamos a redibujar el circuito
en parmetros h del transistor para que quede con la base a la izquierda, el emisor a la
derecha y el colector abajo.

Figura 5.29.- Circuito equivalente en AC del circuito de la figura 5.28.

152

Tema 5. Amplificadores con BJT.

El circuito resultante es el que tendremos que analizar y resolver para obtener las
tensiones y corrientes incrementales (o de alterna).

Figura 5.30.- Circuito equivalente de pequea seal con el modelo simplificado.

Ganancia de Corriente

AI

i2
i1
En la malla de salida i 2 i e h fe 1 i b
En la de entrada i1 i b
Por lo tanto

AI

i 2 ie h fe 1 i b

h fe 1
i1 i b
ib

Impedancia de entrada

Zi

v1
i1
En la malla de entrada v1 v bc h ie i b vec donde v ec R L || R E ie
En la de entrada i1 i b

Zi

v1 v bc h ie i b R L || R E i e

h ie R L || R E h fe 1
i1
ib
ib

153

Tema 5. Amplificadores con BJT.

Ganancia de tensin

AV

v2
v1
De la malla de salida v 2 vec R L R E i e R L R E h fe 1 i b y como

ya hemos visto anteriormente v1 v bc h ie i b vec .

Por tanto
AV

R L || R E h fe 1
vec
R L || R E ie

v bc h ie i b R L || R E i e h ie R L || R E h fe 1

Podemos expresarlo de la forma A V 1

h ie
donde podemos ver
h ie R L || R E h fe 1

como la ganancia de tensin es menor de la unidad (tensin de salida menor que a la

entrada), pero muy prxima a la unidad, ya que el trmino que est restando suele ser
muy pequeo. Es por ello que, en la prctica, la ganancia podamos considerarla 1, por lo
que a esta configuracin se la denomina seguidor de emisor ya que el colector tiene la
misma tensin que el emisor.
Impedancia de salida

Segn el procedimiento ya descrito en los apartados anteriores, el circuito para el

clculo de la impedancia de salida ser:

Con este circuito, calcularemos la impedancia de salida Zo como el cociente

entre la tensin v2 y la corriente i2;
Zo

v2
i2

154

Tema 5. Amplificadores con BJT.

En la malla de entrada podemos ver como tenemos tres resistencias en paralelo

que se pueden sustituir por una nica equivalente R eq R S R1 R 2 , como adems,
normalmente RS suele ser mucho ms pequeo que R1 y R2, tenemos que R eq R S .

Adems, i b

v2
, por tanto, v 2 R eq h ie i b
R eq h ie

En la malla de salida tenemos como i 2 h fe i b i b h fe 1 i b

As, la impedancia de salida ser
Zo

v 2 R eq h ie i b R eq h ie R S h ie

i2
h fe 1 i b
h fe 1
h fe 1

En la siguiente tabla aparece un resumen de los valores calculados par alas

distintas configuraciones

EmisorComn

EmisorComn
conRE

BaseComn

ColectorComn

AI

-hfe

-hfe

h fe
h fe 1

hfe+1

Zi

hie

h ie R E h fe 1

h ie
h fe 1

h ie R L || R E h fe 1

AV
Zo

R L || R C
h ie

h fe

R L || R C h fe

RL
h fe
h ie

h ie R E h fe 1

155

h ie
1
h ie R L || R E h fe 1

R S h ie
h fe 1