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Curva de Caracteristicas
Curva de Caracteristicas
Tema 4
Introduccin.
2.
Estructura bsica.
3.
4.
Zonas de funcionamiento.
5.
6.
Ecuacin de Ebbers-Mll.
7.
8.
9.
10.
11.
Punto de funcionamiento
12.
13.
14.
78
1.- INTRODUCCIN.
Aunque existen otros tipos de transistores (en este mismo curso veremos otros
en el tema 7) en este captulo vamos a abordar el estudio del transistor de unin bipolar,
tambin conocido por la iniciales de su denominacin en ingles BJT (Bipolar Junction
Transistor). El trmino bipolar hace referencia al hecho de que en la conduccin de la
corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El termino
junction (unin) hace referencia a la estructura del dispositivo, ya que como veremos a
continuacin tenemos dos uniones pn en el transistor y mediante la polarizacin de estas
uniones conseguiremos controlar el funcionamiento del dispositivo.
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npn
Figura 4.1.-
pnp
La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de
las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se
representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C
(colector).
La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada
de emitir o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un
transistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp.
La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se
trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misin es la
de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el
colector.
La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o
colectar los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la
base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.
80
Figura 4.2.-
JE
Directa
Directa
Inversa
Inversa
Figura 4.3.-
JC
Inversa
Directa
Inversa
Directa
Zona de trabajo
Activa
Saturacin
Corte
Activa inversa
emisor es mucho ms ancho que la base y adems su nivel de dopado es muy superior,
la cantidad de huecos en el emisor ser muy superior a la de los electrones en la base,
con lo que el trmino de corriente predominante ser el debido a los huecos. Es decir, la
corriente tendr dos trminos, uno debido a los electrones y otro debido a los huecos,
siendo predominante el segundo sobre el primero.
a)
Figura 4.4.-
b)
huecos inyectados por el emisor conseguirn alcanzar el colector, ya que tienen que
atravesar la base (material tipo n) por lo que algunos se recombinarn en la zona de base
dando lugar a la corriente IpE IpC). Por otra parte, seguiremos teniendo la corriente InE
debida a los electrones que van de la base al emisor por efecto de la polarizacin directa
de la unin de emisor. Y en la zona de colector tendremos la corriente ICO por estar la
unin de colector polarizada en inversa.
Figura 4.5.-
Por tanto desde el punto de vista de las corrientes en los terminales del transistor,
y teniendo en cuenta que estamos en la zona activa, tendremos:
I E I pE I nE
I C I pC I CO
I B I nE I pE I pC I CO
Si tenemos en cuenta que I pE I nE , tendremos que I E I pE .
Por otra parte, podemos expresar I pC I pE , donde representa la fraccin de
portadores que inyectados por el emisor alcanzan el colector.
Con lo que podemos expresar la corriente de colector en la forma
I C I E I CO
De la expresin anterior podemos deducir
84
(4,1)
I C I CO
IE
V
I E I ES exp EB 1
VT
V
I C I CS exp CB 1
VT
Figura 4.6.-
85
V
V
I C I ES exp EB 1 I CS exp CB 1
VT
VT
En el tema 2, al estudiar la unin pn, veamos como para poder fijar el punto de
funcionamiento del diodo (VD e ID) necesitbamos un circuito de polarizacin. En el
caso que nos ocupa, tenemos dos uniones, lo que implica dos circuitos de polarizacin.
Dado que el transistor nicamente tiene tres terminales, estos dos circuitos de
polarizacin debern compartir un terminal, esto dar lugar a las configuraciones de
base comn, emisor comn y colector comn, en funcin de quien sea el terminal que
comparten ambos circuitos de polarizacin.
Base Comn
Figura 4.7.-
Emisor Comn
Colector Comn
Por otra parte, en el estudio de la unin pn slo tenamos dos variables (VD e ID)
relacionadas con la ecuacin de Shockley, es decir, tenamos una nica curva. En el
caso del transistor tenemos hasta 6 variables involucradas (3 tensiones y 3 corrientes)
siendo la representacin grfica de las mismas no tan evidente como en el caso del
diodo. As, para representarlas grficamente, las variables se agrupan para formar lo que
se denomina curvas caractersticas de entrada y curvas caractersticas de salida.
Adems, estas curvas dependern del tipo de configuracin del transistor (base, emisor
o colector comn), con lo que a priori existirn 6 tipos de familias de curvas distintas:
Figura 4.8.-
Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de entrada en un BJT
pnp en base comn
87
Figura 4.9.-
Efecto Early
VCB 2 VCB1
WB 2 WB1
88
I pB1 I pE1 D p
dpn
dx
I pB 2 I pE 2 D p
dp ,n
dx
I E 2 I E1
Figura 4.11.- Efecto Early. Aumento de la corriente de emisor.
De ah que, para una VEB dada, cuanto mayor sea la tensin inversa aplicada a la
unin de colector, mayor ser IE.
89
Figura 4.13.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de salida en un BJT
pnp en base comn
90
Regin de corte:
Si el emisor est en circuito abierto (IE = 0). La nica corriente que tendremos en
el transistor ser la que hemos llamado ICO debida a la polarizacin inversa de la unin
de colector.
Como ICO es del orden de unos pocos A o incluso de los nA, aparece pegado al
eje.
ICBO es la notacin usada ms frecuentemente en la hojas de caractersticas (data
Zona activa:
91
I C I E I CO
Podemos despreciar ICO frente a IE
Por lo que IC = IE como (0,9 0,998) IC I E
Por tanto en la zona activa vemos como la corriente IC es igual a IE e
independiente de VCB.
Regin de saturacin:
En esta zona de trabajo las dos uniones del transistor estn polarizadas en directa
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En esta zona las dos uniones estn polarizadas en directa, anulndose la corriente
de colector en apenas 0,2 V.
Manteniendo la polarizacin directa de la unin de emisor, es decir, para una
corriente de emisor dada, para tensiones negativas de VCB o incluso positivas por debajo
de la tensin de codo (menores de 0,6 V aproximadamente) estamos en la situacin de
zona activa (curvas horizontales).
A medida que polarizamos en directa la unin de colector, en dicha unin
aparece una corriente (que crece exponencialmente con la tensin aplicada) que se
opone a la debida a los portadores que vienen desde el emisor atravesando la base. Si
adems tenemos en cuenta que al polarizar la unin de colector en directa estamos
aplicando un campo elctrico que tambin se opone a la llegada de portadores desde la
base, tenemos como resultado que en apenas unas pocas dcimas de voltio la tensin
por el terminal de colector cae a 0.
94
Figura 4.20.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de entrada en un BJT
npn en emisor comn
Como se puede ver en la figura, no hay una nica curva que relacione IB con
VBE, sino que hay una familia de curvas en funcin de VCE. De nuevo, al igual que en el
caso anterior, este desdoblamiento de curvas se debe al efecto Early.
Figura 4.21.- Curvas Caractersticas de Entrada en Emsior Comn para un BJT npn.
95
I E I nE I pE
I C I nC I CO
I B I pE I nE I nC I CO
96
que no tengamos una nica curva de entrada, sino que la relacin entre IB y VBE
depende de la tensin VCE. Y cuando mayor sea VCE, menor es la corriente IB.
Figura 4.24.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de salida en emisor
comn en un BJT npn.
Zona activa:
98
I C I E I CO
Si tenemos en cuenta que las corrientes que aparecen representadas en las curvas
son IC e IB, eliminamos la variable IE sabiendo que I E I B I C , transformamos la
expresin 4,1 en:
IC
Si denominamos
1
IB
I CO
1
1
(4,2)
entre 0,9 y 0,998, los valores de correspondientes variarn entre 9 y 499. Lo cual nos
viene a demostrar que pequeas variaciones de implican grandes cambios de . Por
ello las curvas caractersticas de salida en emisor comn, en la zona activa, estn
sensiblemente ms inclinadas que las de base comn.
1
0,9 0,998
9 499
1 0,995
0,1%
2 0,996
1 199
25%
2 249
Es por ello que van a haber grandes diferencias para cada transistor individual
dentro de las misma familia, esto es, dos transistores idnticos (misma numeracin, del
mismo fabricante, en principio, exactamente iguales) pueden tener valores de
completamente dispares.
100
IC
IB
(4,3)
I C I CO
I B I CO
(4,4)
Comparando las expresiones (4,3) y (4,4), podemos ver como hFE y no son
exactamente lo mismo, aunque a efectos prcticos sus valores son realmente similares
(debido al pequeo valor de ICO). Es por ello que en la prctica se habla indistintamente
de hFE o sin hacer distinciones
Regin de Corte:
101
Queda delimitada por la curva IB = 0 que marca el lmite entre las zonas activa y
de corte.
Pero , segn hemos visto anteriormente, puede valer hasta 499, lo cual nos
indica que a pesar de tener la entrada en circuito abierto, podemos tener una corriente
entre el colector y el emisor de 500 ICO. Y si bien el valor ICO, suele ser muy pequeo,
en determinadas condiciones (altas temperaturas, transistores de germanio, etc.) y al
estar multiplicado por un factor de 500, la corriente ICEO puede tener una importancia
relativa. Es por esto que la curva de IB = 0 esta sensiblemente ms separada del eje
horizontal que en el caso de las curvas en base comn.
Regin de Saturacin:
102
Figura 4.31.- Grfica de la corriente de colector en funcin de la tensin base-emisor. En la tabla se muestran los
valores ms caractersticos de dicha grfica para transistores de Silicio y germanio.
(4,5)
104
105
a)
b)
Figura 4.33.- Obtencin del punto Q de funcionamiento en las curvas caractersticas de entrada (a) y en las de
salida (b).
punto, por el terminal de base puede circular cualquier corriente, valor que estar
limitado por el circuito de polarizacin.
En cuanto a las caractersticas de salida, para cualquier valor de la corriente de
base, el transistor se comporta como una fuente de corriente, manteniendo el valor de IC
constante hasta que la tensin VCE cae por debajo de los 0,2V, momento en que se corta
la corriente por el terminal de colector, ya que el valor de VBE es inferior a la tensin
umbral. Concretando:
Corte
Activa
saturacin
de la tensin VBE, obtendremos la misma corriente IC, cuyo valor es tan pequeo que se
puede considerar cero. De igual modo, si lo que se busca es el comportamiento como
cortocircuito, nos situaremos en la zona de saturacin, dnde podemos obtener
cualquier valor de IC sin cambios apreciables en la tensin VBE. Una vez elegida la zona
de funcionamiento, hay que procurar que el punto de trabajo sea lo ms estable posible,
con el fin de asegurar su correcto funcionamiento para un amplio rango de seales de
entrada.
Figura 4.35.- Ilustracin del comportamiento aproximadamente lineal del transistor en la zona activa.
108
Polarizacin de base
polarizacin fija. En la figura 4.37 se indican los sentidos de las corrientes y tensiones
reales cuando se encuentra el transistor trabajando en la zona activa.
Tomando como punto de partida para el anlisis de dicho circuito la malla de
entrada:
VCC VBE RB I B
IB
VCC VBE
RB
(4,5)
Figura 4.37.- Sentidos de las corrientes y tensiones en el circuito de polarizacin fija trabajando en la zona activa..
VCC VCE RC I B
Si I B 0
Si I B I B , sat
110
Figura 4.38.- Representacin de la recta de carga esttica de un circuito de polarizacin fija sobre las
caractersticas de salida en emisor comn.
RB I C CC
RB
IC I B
IB
111
Figura 4.39.- Modificaciones del punto de trabajo en un circuito de polarizacin fija cuando se producen
variaciones en la temperatura (T2 >T1)
Figura 4.40.- Desplazamiento del punto de trabajo en un circuito de polarizacin fija cuando se producen
variaciones en la temperatura e incrementos en la tensin de alimentacin VCC.
112
12.1.3.- Influencia de RC
Figura 4.41.- Compensacin del desplazamiento del punto de trabajo en un circuito de polarizacin fija a medida
que aumenta RC.
12.1.4.- Influencia de RB
I C , sat
RB
RC
Saturacin
RB
RC
113
Figura 4.42.- Riesgo de llevar el transistor a la zona de saturacin al intentar compensar las variaciones del punto
Q modificando RB.
(4,6)
114
I E I B IC
1
IC I E IC
IE
IC I B
VCC RC RE I C VCE
115
Figura 4.44.- Correccin de la variacin del punto Q debido al efecto opuesto de la resistencia de emisor.
El valor de la RE no puede ser cualquiera, como es lgico, sino aquel que nos
haga el punto Q estable frente a las variaciones de . Teniendo en cuenta la expresin
(4,6):
VCC RE I E VBE RB I B
IC
I C I B I B
Si 1 I I
E
C
Si RE
a IC
IC
RB
RB
RE 100
VCC VBE
R
RE B
VCC VBE
, lo que convierte al circuito insensible a las variaciones de . En este
RE
116
a)
b)
c)
Figura 4.45.- Circuito de polarizacin por divisor de tensin: (a) sentidos de las corrientes y tensiones trabajando
en la zona activa. (b) Puntos de referencia para realizar la simplificacin mediante el teorema de
Thvenin. (c)Circuito resultante.
117
RTH R1 R2
VTH
R1 R2
R1 R2
VCC R2
R1 R2
IC
VTH VBE
R
RE TH
RTH
RTH
RE 100
, se puede
simplificar a
IC
VTH VBE
RE
1
RE , habremos conseguido lo que se denomina un Circuito Estable,
100
pero en ciertas aplicaciones interesan valores de RTH mayores, por lo que es habitual
considerar RTH
1
RE obtenindose lo que se conoce como Divisor Firme.
10
118
RTH R1 R2
R1 R2
R1 R2
R1 R2
R1 R2
R2
R2
R2
1
R1
1
RE , y en el caso de un divisor
100
1
RE .
10
119
a)
b)
c)
d)
Figura 4.46.- Circuito amplificador, (a) sentido de las corrientes y tensiones, (b) caracterstica de entrada con la
situacin del punto Q, (c)Tensin total aplicada a la entrada, (c)variacin en la corriente de base
segn el valor de vBB.
Para cualquier otro valor de la tensin vb, el punto de trabajo de mover hacia
arriba y hacia abajo a lo largo de la curva caracterstica, tal y como se indica en la
figura 4.46b (vBB =VBB+vb). Como esa parte de la caracterstica de entrada se puede
considerar lineal, la corriente iB = IB+ib adquirir una forma similar a la seal de
entrada.
Trasladando el punto de trabajo a las caractersticas de salida, y teniendo en
cuenta que iC iB, la seal que se obtiene a la salida, vCE, es similar a la de la entrada
pero amplificada (figura. 4.47). Si queremos obtener la mxima excursin (amplitud de
la seal sin distorsin) de vce, el punto Q lo hemos de situar en el centro de la recta de
carga, de esta manera aseguramos la mxima distancia hacia corte y hacia saturacin.
120
Figura 4.47.- Desplazamiento del punto Q a lo largo de la recta de carga segn la seal de entrada y tensin vCE
que se obtiene a la salida
a)
b)
Figura 4.48.- Distorsin de la seal de salida, (a) por corte, (b) por saturacin
Si, por otra parte, la seal de entrada es pequea, el punto Q se puede situar en
valores ms bajos de IB, y por tanto de IC, obteniendo as una seal de salida sin
distorsin con una menor disipacin de potencia en condicin esttica.
121
La polarizacin de base es muy til en los circuitos digitales, la razn es que, por
lo general, estos circuitos se disean para funcionar en las regiones de saturacin y
corte. Por ello, se va a obtener a la salida una tensin prxima a la de alimentacin
(valor alto de tensin) y tambin prxima a cero (valor bajo de tensin). Dicho de otra
manera, no se emplea ningn punto Q que no est situado en la regin de saturacin o
corte, por lo que la estabilidad de dicho punto pasa a un segundo plano. En la figura
4.49a se muestra un esquema de polarizacin de base al cual se le aplica una tensin vi
que puede tomar valores muy altos, prximos a VCC, o bien prximos a cero.
Si en dicho circuito se hace que vi = 0, la tensin en la unin emisor-base no ser
suficiente para que haya una corriente de base apreciable, por lo que se puede
considerar que IB = 0, y en consecuencia IC = 0.
a)
b)
Figura 4.49.- Circuito de polarizacin de base. (a) esquema de circuito apto para funcionar como interruptor. (b)
puntos de trabajo de dicho circuito sobre las caractersticas de salida.
a)
b)
Figura 4.50.- Circuito equivalente del transistor, (a) trabajando en la zona de corte, (b) trabajando en saturacin
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