Dispositivos Electronicos

Preparado por
Carlos Novillo M.
Feliz el hombre que halla la sabidura,

y que obtiene inteligencia;
porque valen ms que la plata,
y produce ms beneficios que el oro.
La sabidura vale ms que las piedras preciosas;
Todas las cosas que pueda desear, no se pueden comparar a ellas!
Proverbios 3.13-15
PROGRAMA DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

OBJETIVOS DE LA MATERIA
Implementar circuitos electrnicos diseados por el estudiante con elementos
discretos y con circuitos integrados. Probar su funcionamiento utilizando
simuladores en computadores y armndolos en el Laboratorio.
SNTESIS DEL PROGRAMA DE LA MATERIA

El diodo semiconductor, principio de funcionamiento, caractersticas elctricas, circuito equivalente
y aplicaciones. Diodos para aplicaciones especiales: Zner, LED y otros. El transistor bipolar
de juntura, principio de funcionamiento, caractersticas elctricas, circuito equivalente, aplicaciones
lineales y no lineales. El transistor de efecto de campo, principio de funcionamiento, caractersticas
elctricas, circuito equivalente, aplicaciones bsicas. Amplificadores operacionales: caractersticas
y aplicaciones lineales y no lineales. Dispositivos de cuatro capas: Unidireccionales [diodo
de cuatro capas y SCR] y bidireccionales [Diac y Triac]. Otros elementos de cuatro capas.
Optoelectrnica: emisores, detectores y optoacopladores: funcionamiento y aplicaciones.
PROGRAMA DETALLADO DE LA MATERIA

1
EL DIODO SEMICONDUCTOR
1.0 Introduccin
1.1 Estudio de los elementos semiconductores
1.2 Construccin y principio de funcionamiento del diodo semiconductor
1.4
Caractersticas y parmetros
1.4.1 Circuito equivalente
1.5 Diodos para aplicaciones especiales
1.5.1 Diodos Emisores de Luz [LEDs]
1.5.2 Otros tipos de diodos
1.6 Aplicaciones
1.6.1 Conformadores de onda: Recortador, sujetador, multiplicador de voltaje
1.6.2 Rectificador de media onda y de onda completa. Tipo-puente integrado
2
FUENTES DE VOLTAJE NO REGULADAS Y REGULADAS
2.1 Diodo Zner
2.2 Aplicaciones
2.2.1 Filtro C para fuentes DC
2.2.2 Reguladores: Zner y en Circuito Integrado [CI]
3
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNTURA (BJT)
3.1 Construccin y principios de funcionamiento del transistor
3.2 Caractersticas de entrada y salida
3.3 Aplicaciones lineales
3.3.1 Configuraciones del transistor como amplificador
3.1.2 Circuitos de polarizacin en la R. A. N.
Carlos Novillo Montero
Can
-4-
3.3.3 Amplificadores de pequea seal y baja frecuencia

3.4 Aplicaciones no lineales
3.4.1 Circuitos de polarizacin en corte y saturacin
3.4.2 Aplicaciones no lineales. El transistor como conmutador
4
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (JFET y MOSFET)
4.1 Principios de funcionamiento
4.2 Caractersticas de salida y de transferencia
4.2.1 Resistencia variable [dinmica]
4.3 Aplicaciones
4.3.1 Amplificadores de pequea seal: Configuracin, polarizacin y circuito
equivalente
4.4 D-MOSFET
4.4.1 Construccin y caractersticas
4.4.2 Polarizacin
4.4.3 Circuito equivalente para pequea seal
4.4.4 Aplicaciones
4.5 E-MOSFET
4.5.1 Construccin y caractersticas
4.5.2 Polarizacin
4.5.3 Circuito equivalente para pequea seal
4.5.4 Aplicaciones
5
AMPLIFICADORES OPERACIONALES (Amp-Op)
5.1 El amplificador Diferencial como base del Amplificador Operacional
5.2 Principios de funcionamiento
5.3 Amplificador Operacional ideal y real
5.4 Aplicaciones lineales del Amp-Op
5.4.1 Amplificador con inversin
5.4.2 Amplificador sin inversin
5.4.3 Sumador
5.4.4 Restador
5.4.5 Integrador
5.4.6 Diferenciador
5.5 Aplicaciones no lineales del Amp-Op
5.5.1 Detector de cruce por cero
5.5.2 Comparador de voltaje
5.5.3 Schmitt-Trigger
5.5.4 Conformadores de onda
5.5.5 Generadores de formas de onda
6
DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS [TIRISTORES]
6.1 Dispositivos unidireccionales: Diodo de cuatro capas y SCR
6.1.1 Principios de funcionamiento
6.1.2 Caractersticas
Can
-5-
6.2 Aplicaciones
6.2.1 Dispositivos bidireccionales: DIAC y TRIAC
6.2.2 Caractersticas
6.2.3 Aplicaciones
6.3 Otros elementos de cuatro capas: PUT, UJT, GTO, LASCR
7
OPTOELECTRNICA
7.1 Introduccin a la teora ptica
7.2 Emisores, detectores y optoacopladores integrados
7.2.2 Aplicaciones bsicas
BIBLIOGRAFA: [Autor, ttulo, editorial, ao]

< Libros de texto:
3.
Boylestad y Nashelsky. Electrnica. Teora de Circuitos. Prentice Hall.
2003.
4.
Thomas L. Floyd, Dispositivos Electrnicos, Limusa, 1996
<
S
S
S
S
S
S
S
Libros recomendados para consulta:

Malvino Paul. Principios de Electrnica. McGraw Hill. 2000.
Milman y Halkias. Electrnica Integrada. McGraw Hill. 1980.
Savant, Roden, Carpenter. Diseo Electrnico. Circuitos y Sistemas. Addison
Wesley Iberoamericana.
Milman y Halkias. Dispositivos y Circuitos Electrnicos. McGraw Hill. 1978.
Rashid Muhammad H. Circuitos Microelectrnicos, Anlisis y Diseo.
International Thompson Editors. 2000.
Cuttler Phillip. Anlisis de Circuitos con Semiconductores.
Lowemberg Edwin. Circuitos Electrnicos. Coleccin Schaums.
Boylestad y Nashelsky. Fundamentos de Electrnica. 1997
Graeme Jerald. Aplications of Operational Amplifiers. McGraw-Hill.
<
S
S
S
-
Manuales:
Motorola. The Semiconductor Data Book. Etc.
NTE Semiconductor Master Replacement.
Revistas, Cursos y Enciclopedias de Electrnica
Sitios WEB
S
S
< Herramientas:
- Simuladores de Circuitos Electrnicos
C:\D a tos_Ca n\ELECTR O N ICA \Ca p itu los\D E _Cp 1 .w p d
Revisin : M a rzo -2 0 10
Can
DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS
ELEMENTOS SEMICONDUCTORES
Los tomos en los Semiconductores
tomo segn el modelo de Bohr [fig. 1.1]
FIG U RA
1 .2
M O D E LO D E
B O H R S IM P LIFIC A D O P A R A
Si o G e
FIG U R A
1.1
TO M O SEG N EL
M O D E LO D E B O H R
Estos 2 elementos conforman el

ncleo del tomo
- Electrones (-) forman las rbitas del tomo
Solo los electrones de valencia intervienen en las reacciones qumicas.
Los otros electrones estn estrechamente vinculados al ncleo. Los electrones
de valencia junto con el ncleo constituyen un centro inico estable desde
el punto de vista qumico, que exhibe una carga elctrica positiva neta [fig.
1.2].
Estados en los que se Presenta la Materia.-Cuando los tomos de un material se
encuentran muy separados se tiene el estado gaseoso. Cuando los tomos estn
ms prximos, el estado puede ser lquido o slido.
En los conductores [metales], los tomos se compactan a tal grado que los
electrones de valencia quedan muy prximos a los tomos vecinos, por tanto
no podra decirse a qu tomo pertenecen esos electrones. As, todos los
centros inicos comparten los electrones de valencia. De modo que se los
puede considerar como electrones libres, porque, en respuesta a fuerzas
externas, estn en libertad de moverse dentro del conductor. Cuando una
diferencia de potencial establece un campo elctrico en el conductor, el
movimiento global de los electrones libres constituye la corriente elctrica.
Can
CA P . 1 - D IO D O SEM ICO N D U CTO R
- 2 -
Cuando no hay un campo elctrico, los electrones dentro del conductor se

mueven en forma errtica [en todas las direcciones] con velocidades errticas,
cuyo valor medio depende de la temperatura. La densidad de electrones libres
en un conductor es del mismo orden que la de los propios tomos, 1023 cm-3,
independiente de la temperatura [nmero de Avogadro, NA = 6,02x1023
molculas/mol].
En los aislantes, los electrones de valencia estn fuertemente unidos a
sus tomos originales. En presencia de un campo elctrico, pocos son los
electrones que pueden moverse a travs del material. El aislante es un muy
mal conductor, dentro de muy amplios rangos de temperatura.
Los semiconductores, se ubican entre los conductores y los aislantes. Los
electrones de valencia no estn demasiado sueltos de sus tomos originales
como en los conductores ni tan unidos como en los aislantes. En los
semiconductores, la unin de estos electrones depende mucho de la temperatura.
A temperatura ambiente el semiconductor no es ni un buen conductor ni un
buen aislador. La influencia de la temperatura sobre la conductividad de
un semiconductor es tal que a muy bajas temperaturas es un buen aislador,
mientras que a temperaturas muy altas, es un conductor bastante bueno.
VALORES DE ALGUNAS CONSTANTES FSICAS
Constante
Carga del electrn
Masa del electrn
Masa del protn
Constante de Planck
Constante de Boltzmann
Constante de Stefan-Boltzmann
Nmero de Avogadro
Smbolo
q
m
mp
Valor
1,602x10
-19
9,109x10
-31
kg
1,1673x10
-27
-34
kg
6,626x10
1,381x10-23 J/K
8,620x10-5 eV/K
5,670x10-8W/(K4 m2 )
NA
J.s
6,023x1023molcuclas/mol
Velocidad de la luz
2,998x108 m/s
Permitividad en el espacio libre
8,849x10-12 F/m
Estructura Cristalina.- Son configuraciones geomtricas tridimensionales,

regulares y peridicas. Se dice que son peridicas porque la forma geomtrica
bsica se repite de forma idntica en las 3 direcciones. Cuando esta condicin
se cumple en toda la masa del cuerpo, entonces se tiene un monocristal. Cuando
el material se presenta en forma de aglomeraciones de pequeos cristales
[no discernibles a simple vista] se tiene un material policristalino. Los
semiconductores utilizados en los dispositivos electrnicos deben ser
monocristalinos.
Modelo de Niveles y Bandas de Energa .- La teora de bandas est relacionada

con el concepto de energa, ms que con los de velocidad y posicin. Cada
uno de estos puntos de vista complementa al otro. Algunas veces se utilizar
Can
- 3 -
el modelo de enlaces de valencia, otras el de bandas de energa. Sin embargo,

cualquiera de los 2 puntos de vista es adecuado para comprender claramente
la mayora de las propiedades de los materiales semiconductores y de los
dispositivos de estado slido.
Niveles y Bandas de Energa.- El tomo segn el modelo de Bohr estudiado anteriormente se muestra en ms detalle en la fig. 1.3. En ella se muestran los
electrones distribuidos en rbitas discretas. Adems se muestra una rbita
de excitacin que no tiene electrones.
FIG UR A
1.3
N IVELES D E ENER G A
El electrn tiene dos tipos de energa: cintica y potencial [con respecto

al ncleo]. Para sacar un electrn de la rbita de valencia a la de excitacin
hay que realizar un trabajo contra la fuerza de atraccin del ncleo. La
energa potencial del electrn aumenta cuando se aleja del ncleo.
Cada una de las rbitas est asociada con cierta cantidad de energa
[cintica ms potencial], entonces los electrones que se encuentran en esas
rbitas tienen cierto nivel de energa. Dependiendo del tomo, pueden existir
muchos niveles de energa posibles, cada uno de ellos perfectamente
determinado. Los ms elevados son los niveles de excitacin y se hallan
ocupados transitoriamente, mientras existan electrones excitados.
NIVEL DE ENERGA ES OTRA FORMA DE DECIR RADIO ORBITAL
Can
- 4 -
SLO HAY VALORES DISCRETOS DE ENERGA Y DIMETRO ORBITAL
Un electrn puede pasar del nivel de energa E1 al nivel E2 si gana un

cuanto de energa igual a E2 E1, o pasar a un nivel ms alto E3, si gana
un cuanto adicional igual a E3 E2, o tambin puede pasar del nivel 1 al
3 directamente si el cuanto tiene una energa E3 E1. Entonces, un electrn
puede pasar de su nivel normal de energa a uno ms alto en una o en varias
etapas.
Cuando el nivel de energa es suficientemente alto, el electrn puede
alejarse tanto del ncleo como para escapar por completo de su influencia.
Es decir, el electrn se desprende del tomo y ste se ioniza. El electrn
pasa a ser un electrn libre y el tomo, un ion positivo. La energa mnima
necesaria para desprender un electrn del tomo se llama energa de ionizacin.
Entre el nivel de valencia y el de ionizacin existen niveles adicionales
permitidos, que normalmente no estn ocupados por electrones.
FIG U R A
1 .4
FO R M A CI N D E B A N D A S D E EN ER G A
Si dos tomos idnticos al anterior se acercan lo suficiente como para

formar una molcula diatmica, el diagrama de niveles de energa de la
combinacin adopta la forma ideal ilustrada en la fig. 1.4. Cada uno de los
niveles originales permitidos se descompone en dos, muy prximos a los
iniciales, y se forma una depresin en la curva de energa entre los dos
ncleos. El desdoblamiento de los niveles de energa y la depresin de la
curva de energa son el resultado de un proceso de acoplamiento. Adems de
ser atrado por su propio ncleo, cada electrn tambin es atrado por el
ncleo del tomo vecino. As, el efecto del segundo tomo es el de reducir
la energa necesaria para desplazar el electrn entre los dos ncleos. Los
dos tomos comparten los niveles de energa ms elevados. Al compartir los
niveles de valencia, los electrones de valencia ya no se localizan en ninguno
de los tomos en particular sino que pueden moverse dentro del espacio ocupado
por la molcula y sirven as para estabilizar la estructura molecular enlazando
un tomo con el otro.
El desdoblamiento de los niveles de energa permitidos se incrementa cada
vez que se renen ms tomos, que llegan a estar tan prximos los unos a
Can
- 5 -
los otros que la diferencia de energa entre ellos deja de ser significativa,
por lo que en su conjunto se los considera como una banda de energa permitida.
La banda formada por desdoblamiento del primer nivel de excitacin se

denomina banda de conduccin, mientras que la del nivel de valencia banda
de valencia. Cuando no hay excitacin, la banda de conduccin est vaca.
Entre las bandas permitidas existen bandas prohibidas, en ellas no hay
niveles permitidos de energa. La altura de la banda prohibida entre las
bandas de valencia y de conduccin tiene mucha importancia en la teora de
semiconductores, y se la denomina brecha de energa Eg (Energy gap = Brecha
de Energa) que es la necesaria para romper el enlace de valencia y producir
un electrn libre. El valor de Eg es una caracterstica de cada material.
La brecha de energa Eg en un semiconductor depende de la temperatura; se
ha determinado en forma experimental [emprica] y se la expresa mediante
la siguiente ecuacin.
[T es la temperatura absoluta]
Conductor es un slido que a temperatura ambiente tiene muchos electrones
en la banda de conduccin [.1023/cm3]. No hay una regin de banda prohibida
entre las bandas de valencia y de conduccin [fig. 1.6]. En un buen conductor
las dos bandas se superponen, y los electrones de valencia se convierten
en electrones de conduccin [libres].
Aislador es un material que tiene una banda de energa prohibida bastante
ancha [$5eV]. Los aisladores prcticos tiene muy pocos electrones libres
y permiten la conduccin de una corriente muy pequea.
Semiconductor es un slido que tiene una banda de energa prohibida, que
es mucho ms pequea que en el caso de un aislador, pero mayor que la de
un conductor. Puesto que tiene una banda prohibida, se debe suponer que el
Can
- 6 -
semiconductor no tiene electrones en su banda de conduccin.
Bandas de Energa para los Conductores, Semiconductores y Aislantes
FIG U R A
1.6
No obstante el calor del medio ambiente es suficiente para que algunos

electrones de la banda de valencia salten la brecha prohibida y pasen a la
banda de conduccin. Entonces, a temperatura ambiente, los semiconductores
pueden conducir algo de corriente elctrica. Para el caso del silicio, la
banda de energa prohibida tiene un ancho de 1,1eV1 y para el germanio es
de 0,72eV a temperatura ambiente, fig. 1.7 [Eg = 1,1eV (Si); Eg = 0,72eV (Ge)].
FIG U R A
1.7
Tabla de la Resistividad de los Materiales

A IS LA D O R ES :
CU A RZ O FU N D ID O
1 019
H U LE EN D U R ECID O
1 018
N YLO N
4 X 10 1 4
VID R IO
1 ,7 X 10 1 3
eV = electrn-Voltio.
W[energa] = P[potencia] x t[tiempo]
P = VxI , W = VxIxt , W = QxV [I = Q/t]
, W = 1,6 x 10-19 coul x 1 V = 1,6 x 10-19 Joules = 1eV
Can
- 7 -
S EM ICO N D U CTO R ES :
CO N D U CTO R ES :
11
P O R CELA N A
3 X 10
S ILICIO [P U R O ]
2 X 10 5
G E RM A N IO [P U R O ]
65
CA R B O N O
4 X 10 - 3
P LA TIN O
1 0 -5
A LU M IN IO
2 ,8 X 10 - 6
CO B R E
1 ,7 X 10 - 6
P LA TA
1 ,6 X 10 - 6
R ESISTIVID A D [ x cm ]
Semiconductores Intrnsecos [Puros].- Los materiales semiconductores se agrupan

en forma de cristales tri-dimensionales. Para facilitar su estudio a los
cristales de los semiconductores se los representar en forma bidimensional
[fig. 1.8].
Cuando se tiene un cristal puro [formado por el mismo tipo de tomos] o
cuando la cantidad de impurezas es muy pequea, cuyo efecto sobre la
conductividad es despreciable, entonces se tiene un material intrnseco,
porque la conductividad es una propiedad intrnseca del material original.
FIG U R A
1 .8
C R IS TA L D E SILIC IO P U R O
La estructura cristalina de la fig. 1.8 es verdadera para temperaturas

muy bajas [prximas al cero absoluto]. Al aumentar la temperatura, algunos
electrones se liberan al romper los enlaces covalentes. Este es un proceso
de ionizacin que genera electrones libres que pueden moverse a travs del
cristal, dejando tomos ionizados [con exceso de carga +]. La vacante dejada
por el electrn se la conoce como hueco [hole] y representa una carga unitaria
[fig. 1.9]. El hueco se puede llenar con el electrn de un tomo vecino con
lo que se produce la transferencia del hueco positivo a otra posicin de
la estructura cristalina, es decir, el hueco tambin se mueve al azar dentro
del cristal.
Concentracin Intrnseca de Portadores n i.- ni es la concentracin intrnseca
Can
- 8 -
de portadores [electrones o huecos] en un material intrnseco, que es muy

dependiente de la temperatura [fig. 1.9].
FIG U R A
1.9
CR ISTA L D E SILICIO
Por experimentacin se tiene que
donde
ni =
Concentracin intrnseca de portadores
k=
Constante de Boltzmann = 8,62x10 -5eV/ K
T =
Temperatura absoluta
Eg =
Energa de la brecha
Eg =
1,10eV [Si]
Eg =
0,72eV [Ge]
AO =
Constante independiente de la temperatura
Conforme aumenta la temperatura, aumenta la concentracin de pares electrnhueco2, lo que a su vez aumenta la probabilidad de recombinacin hasta llegar
a un equilibrio para cada temperatura particular. La variacin de ni en funcin
de la temperatura T, es muy rpida. Para temperaturas mayores que 50K, la
concentracin ni es
Para 300K, [temperatura ambiente], se tiene
Los enlaces que form an los electrones de valencia de los sem iconductores, se denom inan e n la c e s c o va le n te s
porque los tom os vecinos com parten sus electrones de vale n c ia. Cuando se increm enta la tem peratura los
enlaces se rom pen y form an electrones libres y huecos en parejas, de ah el nom bre de p a r e le c tr n -h u e c o .
Can
- 9 -
A temperatura ambiente (25C . 300K), en el silicio n i es tres

rdenes de magnitud menor que en el germanio. A temperatura
ambiente, en el silicio hay 1 electrn libre por cada 10 13 tomos
y en el germanio, 1 por cada 10 10 tomos.
FIG UR A
1.1 0
FLU JO D E ELECTR O N ES Y H U ECO S
En un conductor, el flujo de corriente se debe exclusivamente al

desplazamiento de electrones en presencia de una fuente de voltaje. En un
semiconductor, la corriente total corresponde a la contribucin del
desplazamiento de electrones hacia el terminal positivo y de huecos hacia
el terminal negativo de la fuente de voltaje, es decir
. Como se muestra en la fig. 1.10.
Semiconductores Extrnsecos [Dopados]

DOPING Excitacin [contaminacin]
Los semiconductores ms tiles se obtienen agregando al material idealmente
puro, cantidades controladas [del orden de algunas partes por milln] de
ciertas impurezas. En el proceso de contaminacin, los tomos de impureza
reemplazan a los tomos de silicio o de germanio en la estructura cristalina.
Impurezas Donadoras.- Como material contaminante se utiliza un elemento
qumico de valencia-5 [pentavalente]: fsforo (P), arsnico (As), antimonio
(Sb), bismuto (Bi). 4 de los 5 electrones de valencia del tomo extrao forman
los 4-enlaces con tomos vecinos requeridos por las leyes de la estructura
cristalina original. El quinto electrn de valencia del tomo de impureza
no encaja en la estructura cristalina, por tanto, para que el electrn se
Can
- 10 -
separe del tomo original, se requiere muy poca energa de ionizacin.
FIG U R A
1 .1 1 IM P U R EZ A D O N A D O R A
En consecuencia, a temperaturas del orden de los 100K, la probabilidad

de que pase a ser un electrn libre es alta [95% en el Ge]. El tomo de
impureza pentavalente ha donado un electrn libre al cristal sin generar
un hueco, es por esto que al tomo de impureza pentavalente se lo denomina
DONADOR [fig. 1.11].
Portadores Mayoritarios y Minoritarios.- En los materiales semiconductores, la
concentracin de tomos de impureza del tipo donador es tal que, dentro de
amplios mrgenes de temperatura, los electrones resultan mucho ms numerosos
que los huecos. Es decir, la mayor parte de la corriente se debe a los
electrones. A los semiconductores contaminados con impurezas pentavalentes
se los denomina materiales tipo-n, porque la mayora de los portadores de
corriente son negativos [electrones]. En los materiales tipo-n, los electrones
son los portadores mayoritarios, y los huecos, mucho menos numerosos, son
los portadores minoritarios. El cristal, en conjunto, sigue siendo
elctricamente neutro, pues la concentracin de electrones, nn es igual a
la suma de la concentracin de huecos (pn ) ms la concentracin de iones
donadores positivos.
nn =
nn =
pn =
pn + iones donadores
concentracin total de electrones en el material tipo-n
concentracin total de huecos en el material tipo-n
La fig. 1.12 muestra un diagrama de niveles de energa de los electrones

en un semiconductor tipo-n.
LAS IM P UR E ZA S P E N TA V A LE N TE S N O GE N E R A N H UE C OS S IN O
IO N E S P O S IT IV O S , F IJO S E N LA E S T R U C T UR A C R IS T A LIN A .
Can
FIG U R A
- 11 -
4.1 2
N IVELES D E EN ER G A D EL M A TE R IA L TIP O -N
Disminucin de Portadores Minoritarios.- La presencia de impurezas donadoras,

aumenta la probabilidad de que los huecos se recombinen con electrones. El
aumento de concentracin de electrones reduce la concentracin de huecos
a un valor menor que el que se tendra si el material fuese puro. Para una
temperatura dada se puede demostrar que
nn x pn U ni 2 = constante para una temperatura dada
donde nn y pn son, respectivamente, las concentraciones de electrones y huecos

en el material tipo-n, y ni es la concentracin de portadores [electrones
o huecos] en el material intrnseco, o concentracin intrnseca.
Impurezas Aceptoras.- En este caso, el material contaminante es un elemento
de valencia-3 [trivalente]: boro (B), aluminio (Al), galio (Ga), indio (In).
Cada tomo de impureza solo cuenta con 3 electrones de valencia para formar
enlaces con 4 tomos vecinos. Por tanto, se genera una vacante en la estructura
cristalina [fig. 1.13].
FIG U R A
1 .1 3
IM P U R EZ A A C E P T O R A
La vacante creada por la impureza es muy atractiva para los electrones

Can
- 12 -
de los enlaces de los tomos vecinos. Por tanto, la energa de ionizacin

necesaria para que un electrn de un enlace vecino ocupe aquel hueco, es
mucho menor que la requerida para romper el enlace covalente en el material
intrnseco. Puesto que el tomo de impureza trivalente acepta un electrn
de los tomos del material original, a este tipo de impureza se la denomina
ACEPTOR. Cuando se aplica un campo elctrico, la corriente es el resultado
del desplazamiento de los huecos creados por los tomos de impureza y de
los electrones y huecos generados por la ruptura de enlaces covalentes.
Puesto que los huecos [positivos] llevan la mayor parte de la corriente,
vienen a ser los portadores mayoritarios y se tiene un material tipo-p. Como
en el caso de las impurezas donadoras, el cristal en su conjunto sigue siendo
elctricamente neutro pues la concentracin de huecos pp es igual a la suma
de la concentracin de electrones np ms la concentracin de iones negativos.
Pp =
pp =
np =
np + iones aceptores
concentracin total de huecos en el material tipo-p
concentracin total de electrones en el material tipo-p
Al aumentar la concentracin de huecos como resultado de las impurezas,

disminuye la concentracin de electrones minoritarios. Para este caso tambin
se cumple que
pp x np U ni 2 = constante para una temperatura dada
La fig. 1.14 muestra un diagrama de niveles de energa de los huecos en

un semiconductor tipo-p.
FIG U R A
1.1 4
N IVELES D EN ER G A D EL M A TE R IA L TIP O -P
Las impurezas trivalentes no generan electrones sino

iones negativos, fijos en la estructura cristalina.
Conductividad en los Semiconductores .- La corriente elctrica es el flujo

de cargas a travs de una superficie imaginaria por unidad de tiempo, por
Can
- 13 -
tanto depende de la cantidad de cargas mviles [libres] y de la velocidad

con que se mueven. En los semiconductores se presentan dos tipos de corriente:
de difusin y de corrimiento.
Corriente de Difusin.- Cuando la concentracin de cargas mviles vara de
un punto a otro [fig. 1.15] en el semiconductor, se produce una gradiente
de concentracin (dp/dx, o dn/dx) en la densidad de portadores, esto har
que la densidad en el material trate de equilibrarse [las cargas tienden
a distribuirse en forma homognea] y en un intervalo de tiempo se producir
una corriente neta de portadores denominada corriente de difusin. Es poco
conocida pero es muy importante en los semiconductores.
FIGURA 1.15 CORRIEN TE

D E D IF U S I N
Corriente de Corrimiento o de Deriva (Drift).- Este tipo de corriente se genera

por la presencia de un campo elctrico externo, es ms conocida que la de
difusin. La energa trmica hace que los iones vibren, por lo que las cargas
no pueden desplazarse libremente, puesto que chocan con los tomos en
vibracin.
FIG U R A
1 .1 6
La presencia de impurezas ionizadas, tambin disminuye la movilidad de

las cargas en magnitud y direccin. De la misma manera, las imperfecciones
del cristal [defectos de cristalizacin], disminuyen el movimiento de las
cargas, electrones o huecos. Tambin las impurezas elctricamente neutras.
La siguiente tabla muestra algunos de los factores que influyen en la
cantidad de movimiento de las partculas mviles, tanto en direccin como
en magnitud.
- Energa trmica [vibracin trmica]
- tomos de impurezas [donadores y/o aceptores]
- Defectos [imperfecciones] de cristalizacin
- tomos de impurezas elctricamente neutros
Can
- 14 -
En ausencia de un campo elctrico, la cantidad de movimiento debido a estos

factores se neutraliza y la corriente neta es cero.
Cuando hay un campo elctrico, las cargas se desplazan en el sentido en
que obran las fuerzas causadas por el campo porque son aceleradas por stas.
Las colisiones con los tomos limitan la velocidad de deriva [corrimiento],
generando una corriente constante. Se puede imaginar que los portadores se
aceleran a partir del reposo, hasta que chocan con los tomos de la estructura
cristalina y ceden a estos toda la energa cintica que ganaron, lo que se
manifiesta en forma de calor de Joule y es el origen de ste.
DIODOS SEMICONDUCTORES
Juntura P-N.- El diodo est conformado por un semiconductor tipo-P y otro
tipo-N, los dos semiconductores en una sola unidad P-N.
FIG U R A
1 .1 7
La caracterstica ms notable es que cada parte de la unidad P-N tiene

portadores mayoritarios y minoritarios diferentes, y debido a ello, la
resistencia de dicha unidad a la corriente que fluye en una direccin es
mucho mayor que su resistencia a la circulacin de corriente en direccin
opuesta. Por consiguiente, este dispositivo funciona como un rectificador
de ac.
Barrera de Potencial.- Debido a la existencia de una gradiente de concentracin
a travs de la juntura, los huecos se difunden hacia el material tipo-N
y los electrones hacia el tipo-P atravesando la juntura. Se ve que los huecos
de los iones aceptores en las cercanas de la juntura en el material tipo-P,
han desaparecido como resultado de la combinacin con los electrones que
se difunden a travs de la juntura. De igual forma, los electrones del material
tipo-N se combinan con los huecos que atraviesan la juntura desde el material
tipo-P.
As, una vez formada la regin, en las proximidades de la juntura, las
secciones P y N del diodo tienen cargas iguales y opuestas. El voltaje o
diferencia de potencial que se genera entre las dos secciones, inhibe toda
interaccin de los electrones y de los huecos en la juntura del dispositivo.
De este modo se genera una barrera que no permite que las cargas sigan
Can
- 15 -
difundindose, por eso el nombre de barrera de potencial, fig. 1.18.
FIG U R A
1 .1 8
Diagrama Esquemtico de una Juntura P-N
FIG U R A 1.1 9
Can
- 16 -
= r 0 Perm itividad
r = C onstante dielctrica relativa
0 = Perm itividad en el vaco
Regin de carga espacial
Reg in de ag otam iento
Regin desrtica
Barrera de potencial
La diferencia de potencial generada de esta forma se denomina barrera de

potencial y es igual a la que se obtendra entre los terminales de una batera,
[el terminal negativo en el lado P y el positivo en el lado N].
Polarizacin Directa [Flujo de Corriente Directa If].- El flujo de electrones en
una juntura P-N en circuito abierto es de corta duracin y cesa al establecerse
la barrera de potencial.
FIG U R A
1 .2 0
Por tanto, a fin de obtener un flujo continuo, hay que superar el voltaje
de la barrera de potencial, lo que puede hacerse conectando una batera externa
al diodo. [Fig. 1.20].
La polaridad de la batera debe ser tal que los portadores mayoritarios
en ambas secciones sean impulsados hacia la juntura. Cuando la batera est
conectada de esta forma, suministra una polarizacin directa y origina un
flujo de corriente [If] bastante alta ya que constituye el flujo de los
portadores mayoritarios. En esta condicin, el diodo presenta una resistencia
[RF, rf] baja al paso de la corriente.
Polarizacin directa
El voltaje externo V hay que conectarlo como se indica en la fig. 1.20
La barrera de potencial se reduce hasta que se elimina si V > VD
Si la corriente directa es muy grande [If > ID,mx], se destruye el diodo
El flujo de corriente se debe exclusivamente a los
portadores
mayoritarios
La impedancia del diodo es muy baja
Can
- 17 -
El comportamiento del diodo polarizado directamente

es equivalente a un interruptor cerrado [idealmente],
fig 1.21.
FIG U R A 1.2 1
Polarizacin Inversa [Flujo de Corriente Inversa IR ].- Ahora bien, si las conexiones
de la batera se invierten, el potencial positivo en el lado N atraer los
electrones y har que se alejen de la juntura; as mismo, el potencial negativo
del lado P har que los huecos se desplacen de la juntura. Con esta conexin
de batera la barrera de potencial se hace ms grande, y los portadores
mayoritarios no pueden combinarse en la juntura y tampoco fluir la corriente
mayoritaria. Por esta razn el nombre de polarizacin inversa, fig. 1.22.
FIG U R A
1 .2 2
Sin embargo, la polarizacin inversa puede originar el flujo de una corriente

inversa aprovechando los portadores minoritarios que se encuentran en las
dos secciones del semiconductor. Los electrones libres [generados por ruptura
de enlaces covalentes] en la seccin P, as como los huecos libres [producidos
por electrones de valencia liberados por temperatura] en la seccin N, son
portadores minoritarios que al aplicarles la polarizacin inversa son repelidos
hacia la juntura en donde se combinan.
Entonces, otros electrones pueden entrar en el diodo P-N y salir de l,
exactamente de la misma manera que lo hicieron los portadores mayoritarios.
En el diodo P-N hay muy pocos portadores minoritarios y la corriente
minoritaria o inversa es muy reducida; en efecto, es mucho menor que la
corriente mayoritaria o directa. En esta condicin el diodo presenta una
resistencia (RR, rr) muy alta al paso de la corriente.
Polarizacin inversa
Al voltaje externo VD hay que conectarlo como se indica en la fig. 1.22
La barrera de potencial se hace ms grande
La corriente inversa es muy pequea y se debe exclusivamente a los
portadores minoritarios
La impedancia del diodo es muy alta
Can
- 18 -
El comportamiento del diodo polarizado inversamente

es equivalente a un interruptor abierto [idealmente],
fig. 1.23.
FIG U R A 1.2 3
Caractersticas Estticas V-I del Diodo Semiconductor.- Mediante

el uso de la fsica de estado slido puede demostrarse que las caractersticas
generales de un diodo semiconductor pueden definirse por la siguiente ecuacin,
tanto para la regin de polarizacin directa como para la inversa.
FIG U RA
1.2 4
CU R VA CA RA CTER STICA D EL D IO D O
Ecuacin de Shockley,
donde
ID =
Corriente del diodo [A]
IS =
Corriente de saturacin inversa [fuga], constante depende de las caractersticas

fsicas del diodo [vara entre 10 -6A - 10 -15A]
VD =
Voltaje sobre el diodo [V]
Coeficiente de em isin [o factor de idealidad], que depende del cristal utilizado
1 para G e
2 para Si [vara desde 1,1 hasta 1,8] para corrientes grandes y pequeas
VT =
T =
Voltaje Trm ico = k.T/q [V], T/11600K [V]

Tem peratura absoluta
Can
- 19 -
, para 300K [temperatura ambiente], se tiene:

Voltaje umbral [Threshold Voltage] = V [0,6V para silicio y 0,3V para
germanio].
Efectos de la temperatura.- En la ecuacin del diodo puede verse que la curva
caracterstica depende de la temperatura, se puede demostra que, con la ayuda
de las siguientes ecuaciones, la curva caracterstica se ve afectada de la
manera que se muestra en la fig. 1.25.
donde V = Voltaje de difusin [en la Barrera de Potencial]

T = Temperatura absoluta [K]
El voltaje del diodo disminuye al aumentar la temperatura. Lo que a su
vez significa que al aumentar la temperatura, disminuye V, como se puede
ver en la fig. 1.25.
FIG U R A
1 .2 5
Ejemplo.- Si V = 0,65V a 25C, cunto valdr V a 50C para diodos de silicio?

V = -2mV/C (50C - 25C) = -50mV
por tanto, V = 0,65V - 0,05V = 0,6V.
En polarizacin inversa
Can
donde
k = 0,071/K;
k = 0,049/K;
- 20 -
para Si
para Ge
La corriente de saturacin inversa Is, aumentar cerca del doble en magnitud

por cada 10C de incremento de temperatura.
Capacitancia Parsita.- Cuando el diodo est polarizado inversamente, las cargas
acumuladas en la barrera de potencial producen una capacitancia parsita
que est dada por
Donde: = 0r
0 = 8,849 x 10-12 [F/m]
A = rea de la juntura
w = ancho de la barrera de potencial
Sm bolo
circ uito
e
Equivalente lineal de la ca- q u iv a le
nte
r a cte rstic a
v o l t a j e - polarizacin directa
corriente de un diodo p-n
- c ir cu ito
en q u i v a l e
nte
polarizacin inversa
Can
en

FIG U R A
- 21 -
1 .2 7
Circuito Equivalente del Diodo para Bajas Frecuencias.- El diodo es un elemento

no lineal, por tanto su anlisis se vuelve complejo. Para facilitar su
comprensin se idealiza la curva exponencial y se la aproxima a segmentos
lineales como se muestra en la figura 1.27.
Niveles de Resistencia.- A medida que el punto de operacin del diodo se mueve
desde una regin a otra, la resistencia cambia debido a la forma no lineal
de la curva caracterstica esto se conoce como resistencia (impedancia)
dinmica. El tipo de seal o voltaje que se aplique, es el que define el
nivel de resistencia de inters. Esto es de mucha importancia y se utilizar
nuevamente cuando se estudien otros dispositivos semiconductores.
resistencia esttica
resistencia dinmica
Tipo
Ecuacin
C aractersticas
especiales
D efinida
DC o
D eterm inacin grfica
com o
punto Q sobre la
esttica
caracterstica
D efinida por una
ac o
lnea tangente en
dinm ica
el punto Q
D efinida por una

Average o
prom edio
lnea rec ta entre

los lm ites
Resistencia de contacto operacin
[hm ica]
de
FIG U R A 1.2 8
Modelos del diodo.- A continuacin se proporcionan los modelos del diodo

utilizados, dependiendo del mbito los circuitos y aplicaciones, con sus
caractersticas de segmentos lineales. Siempre hay excepciones a la regla
general, pero es casi seguro decir que el modelo equivalente simplificado
se utilizar con mayor frecuencia en el anlisis y diseo de sistemas
electrnicos, mientras que el diodo ideal se aplica comnmente en el anlisis
Can
- 22 -
de sistemas de suministro de energa donde se encuentran voltajes mayores.

Un modelo o circuito equivalente es una combinacin de elementos escogidos
de manera adecuada para representar de la mejor forma las caractersticas
reales de un dispositivo o sistema en una regin particular de operacin.
Tip o
Con dicion es
M od elo
Ca ra cterstica s
M odelo de
segm entos
lineales
La batera V T representa nicam ente el desplazam iento

horizontal de las caractersticas que debe excederse
para que se establezca la cond uccin
M odelo
sim plificado
Tiene una cada V T sin im portar la corriente del diodo
(dentro de los valores nom inales)
D ispositivo
ideal
C on esta aproxim acin la prdida de exactitud es
pequea.
FIG U R A 1.2 9
Se puede decir que, una vez que se ha definido el circuito equivalente,

el smbolo del dispositivo puede eliminarse del diagrama y sustituirlo por
el circuito equivalente, sin que afecte mucho el comportamiento real del
sistema. El resultado con frecuencia es una red que puede resolverse con
las tcnicas tradicionales del anlisis de circuitos.
El Diodo como Elemento de un Circuito.- La fig. 1.30 muestra una aplicacin
bsica de un circuito de con un diodo polarizado directamente.
FIG U R A
1 .3 0
Anlisis por Recta de Carga.- La carga aplicada normalmente tendr un impacto

importante sobre el punto o regin de operacin de un dispositivo. Si el
Can
- 23 -
anlisis se realiza de manera grfica, puede trazarse una recta, que representa
la carga aplicada, sobre la curva caracterstica del dispositivo. La
interseccin de la recta de carga con la curva caracterstica determina el
punto de operacin del sistema.
Un anlisis de esta naturaleza se denomina anlisis por recta de carga.
Como ejemplo se analizar la red de la fig. 1.30. La curva caracterstica
del diodo se muestra en la misma figura.
De acuerdo con el circuito se ve que el diodo est polarizado directamente,
por tanto habr una corriente convencional en direccin de las manecillas
del reloj. Se puede decir que la corriente que circular por el diodo es
positiva as como su cada de voltaje.
Al aplicar la ley de Kirchhoff al circuito de la fig. 1.30 se tendr
Ecuacin de la recta de carga.
Las dos variables de la ecuacin anterior [ID y VD] son las mismas que las
variables de los ejes de la curva caracterstica. Adems, por ser variables
de primer grado, representan la ecuacin de una recta. Esta similitud permite
graficar la ecuacin anterior, sobre la curva caracterstica del diodo.
Para trazar la recta de carga es necesario establecer dos puntos de la
recta, que se determinan de la siguiente manera.
Primer punto,
cuando ID = 0mA, entonces VD = VCC; o lo que es lo mismo
Segundo punto, cuando VD = 0V, entonces ID = VCC/RL; es decir
En la fig. 1.31 se muestra la curva caracterstica del diodo y la recta

de carga juntas, en ella se incluye la interseccin de las dos. La interseccin
es el punto de operacin para este circuito; de all se puede deducir la
corriente IDQ que realmente circula por el diodo y el voltaje VDQ que cae sobre
el mismo cuando est en polarizacin directa y el voltaje en RL = VL. El punto
de operacin se denomina punto quiesciente (Q) [que significa estable o fijo]
definido para voltajes DC.
Can
- 24 -
FIG U R A
1 .3 1
Diodos de Ruptura [Breakdown].- Las caractersticas de polarizacin inversa

de un diodo semiconductor, incluida la regin de ruptura, se muestran en
la fig. 1.32. Los diodos diseados con capacidades de disipacin de potencia
adecuadas para operar en la regin de ruptura pueden emplearse como
dispositivos de voltaje de referencia, y se los conoce como diodos de
avalancha, ruptura (breakdown), o Zner.
FIG U R A
1 .3 2
a)
b)
Generalmente se los usa de la manera indicada en la fig. 1.32 b). La fuente

V y la resistencia R se seleccionan para que, inicialmente, el diodo opere
en la regin de ruptura. Aqu el voltaje del diodo, que tambin es el voltaje
en la carga RL, es VZ, como en la fig. 1.32 a), y la corriente del diodo es
IZ. Ahora el diodo regular el voltaje de la carga, en oposicin a las
variaciones del voltaje de entrada V, y tambin a las variaciones de la
resistencia de la carga, porque, en la regin de ruptura, grandes cambios
de la corriente del diodo, solo producen pequeos cambios en el voltaje del
diodo. Adems, conforme cambie la corriente en la carga o el voltaje de
entrada, la corriente del diodo se acomodar a estos cambios para mantener,
Can
- 25 -
aproximadamente constante, el voltaje de la carga. El diodo mantendr la

regulacin hasta que la operacin del circuito requiera que la corriente
del diodo caiga a IZK en la cercana del codo de la curva caracterstica del
diodo. El lmite superior de la corriente del diodo est determinado por
la capacidad de disipacin de potencia del diodo.
Multiplicacin por Avalancha.- Se conocen dos mecanismos para incrementar el
voltaje inverso del diodo de ruptura VZ. Un portador generado trmicamente
[en la parte de la corriente de saturacin inversa] cae en la barrera de
la juntura y adquiere energa del potencial aplicado. Este portador colisiona
con un in del cristal e imparte suficiente energa para romper una juntura
covalente. Adems del portador original, ahora se ha generado un par electrnhueco. Estos portadores tambin pueden adquirir suficiente energa del campo
aplicado, colisionan con otros iones del cristal y crean otros pares electrnhueco. As, cada nuevo portador, a su vez, puede producir portadores
adicionales mediante colisiones y ruptura de junturas covalentes. A este
proceso acumulativo se lo conoce como multiplicacin por avalancha. Esto
produce una gran corriente inversa y se dice que el diodo est en la regin
de ruptura por avalancha.
Ruptura ZNER.- Aun si los portadores disponibles inicialmente no adquieren
suficiente energa para romper junturas, es posible iniciar el proceso mediante
una ruptura directa de la juntura. Debido a la existencia de un campo elctrico
en la juntura, el campo puede ejercer una fuerza suficientemente grande sobre
un electrn de juntura para sacarlo de su juntura covalente. El nuevo par
electrn-hueco creado incrementa la corriente inversa. Note que este proceso,
llamado ruptura Zner, no involucra colisiones de portadores con los iones
del cristal [como en el caso de la multiplicacin por avalancha].
La intensidad de campo elctrico se incrementa conforme la concentracin
de impurezas se incrementa para un voltaje fijo aplicado. Se ha encontrado
que la ruptura zner ocurre con un campo de aproximadamente 2x107V/m. Este
valor se alcanza por debajo de 6V para diodos altamente dopados. Para diodos
ligeramente dopados el voltaje de ruptura es ms alto, y predomina el efecto
avalancha. Sin embargo, generalmente se utiliza el trmino zner para los
diodos de ruptura o de avalancha aun para voltajes ms altos. Los diodos
de silicio operados en la ruptura de avalancha, se encuentran disponibles
con voltajes de mantenimiento desde unos voltios hasta varias centenas de
voltios y con potencias de hasta 50W.
Caracterstica de Temperatura.- Un asunto de inters con relacin a los diodos
zner [y a los dispositivos semiconductores en general], es su sensibilidad
a las variaciones de temperatura. El coeficiente de temperatura est dado
como el porcentaje de cambio en el voltaje de referencia por grado centgrado
de cambio en la temperatura del diodo. El coeficiente puede ser positivo
o negativo y normalmente estar en el rango de 0,1%V/C. Si el voltaje de
Can
- 26 -
referencia est sobre los 6V, donde el mecanismo fsico involucrado es el

de multiplicacin por avalancha, el coeficiente de temperatura es positivo.
Sin embargo, por debajo de los 6V, donde se presenta la verdadera ruptura
zner, el coeficiente de temperatura es negativo.
A continuacin se da una explicacin cualitativa del signo [positivo o
negativo] del coeficiente de temperatura del voltaje zner. Una juntura que
tiene una barrera de potencial estrecha, y por tanto una intensidad de campo
alta, se romper por el mecanismo zner. Un incremento en la temperatura
incrementar la energa de los electrones de valencia, esto hace que los
electrones escapen ms fcilmente de la junturas covalentes, entonces se
requiere menos voltaje para sacarlos de su estructura cristalina y convertirlos
en electrones de conduccin. Por tanto el voltaje de ruptura zner decrece
con el aumento de la temperatura.
Una juntura con una barrera de potencial grande, y de aqu una baja
intensidad de campo, se romper con el mecanismo de avalancha. En este caso,
se confa que los portadores intrnsecos colisionen con los electrones de
valencia para crear la multiplicacin por avalancha. Cuando aumenta la
temperatura, tambin crece el desplazamiento de los tomos por vibracin,
lo que incrementa la probabilidad de las colisiones de las partculas
intrnsecas con los tomos del cristal, conforme cruzan la barrera de
potencial. Entonces, los electrones y huecos intrnsecos tienen menos
oportunidad de ganar suficiente energa entre las colisiones para empezar
el proceso de avalancha. Por tanto, el valor del voltaje de avalancha debe
incrementar con el aumento de temperatura.
Referencia Adicional.- Los diodos zner se encuentran disponibles con voltajes
tan bajos como 2V. Por debajo de este voltaje, para propsitos de referencia
y regulacin, se acostumbra usar diodos normales conectados en serie y con
polarizacin directa [fig. 1.33].
Las conexin de diodos en serie, empaquetados como una sola unidad, estn
disponibles con voltajes de hasta 5V, y deben preferirse a los diodos zner
polarizados inversamente, puesto que a bajos voltajes stos tienen una
resistencia dinmica muy grande.
FIG U R A
1 .3 3
Aplicaciones del Diodo .- A continuacin se har un uso prctico del diodo

en una diversidad de configuraciones, para esto se utilizar el modelo
Can
- 27 -
apropiado para una aplicacin dada. De modo que el comportamiento bsico

de los diodos en las redes DC y ac debe entenderse con toda claridad. Los
conceptos del diodo sern de mucha utilidad en el resto de la asignatura.
Los diodos tambin se emplean con frecuencia en la descripcin de la
construccin de los transistores y en el anlisis de redes de transistores
en los dominios de DC y ac.
Recortadores o Limitadores.- Hay una gran variedad de circuitos electrnicos
que utilizan diodos y que tienen la capacidad de recortar una parte de
la seal de entrada, sin distorsionar la parte restante de la forma de onda
alterna. Hay dos categoras generales de recortadores: Serie y Paralelo.
Serie.- El diodo est en serie con la carga.
Paralelo.- El diodo est en una rama parlela a la carga.
Recortadores tipo Serie.- La fig. 1.34 muestra un circuito recortador tipo
serie con diodo. El voltaje de entrada es una onda cuadrada de amplitud V.
Para entender mejor el funcionamiento del circuito, el anlisis, en primera
instancia se lo har para el semiciclo positivo y luego para el semiciclo
negativo en forma separada.
FIG U R A
1 .3 4
Semiciclo positivo Para 0 # t # T/2.Durante el semiciclo positivo la seal de entrada es equivalente a una
fuente DC de amplitud +V. El diodo se polariza directamente, por tanto su
circuito equivalente es un corto circuito ideal, como se indica en la fig.
1.35. El voltaje de salida, entonces, es igual al voltaje de entrada.
FIG U R A
1 .3 5
Can
- 28 -
Semiciclo Negativo Para T/2 # t # T.En el semiciclo negativo la seal de entrada es equivalente a una fuente
DC de amplitud -V. El diodo se polariza inversamente, por tanto su circuito
equivalente es un circuito abierto, como se indica en la fig. 1.36. El voltaje
de salida, entonces, es igual a cero.
FIG U R A
1 .3 6
Respuesta total del circuito Para 0 # t # T.La respuesta del circuito cuando se tiene la onda completa, se muestra
en la fig. 1.37, se ve que se ha recortado el semiciclo negativo y en la
salida se tiene solo la parte positiva de la seal de entrada.
FIG U R A
1 .3 7
FIG U R A
a)
1 .3 8
b)
Can
- 29 -
La fig. 1.38 muestra cmo sera la respuesta del circuito anterior para
diferentes formas de onda de entrada [Vin] y como se presentara la onda de
salida [VO]: a) onda triangular y b) onda sinusoidal.
Ideas para la Solucin de este tipo de Recortadores
1.- Mentalmente se bosqueja la respuesta de la red con base en la direccin
de la flecha del diodo y los niveles de voltaje aplicados.
2.- Se determina el voltaje aplicado [voltaje de transicin] que har que
el diodo cambie de estado [empiece la conduccin].
3.- Siempre se debe tener cuidado al definir los terminales y la polarizacin
de VO.
4.- Puede resultar til, dibujar la seal de entrada sobre la seal de salida
y determinar la salida a los voltajes instantneos de la entrada.
Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.39, se tiene lo siguiente.
FIG U R A
1 .3 9
Vin<t> = Vm sen(t), por tanto
para t = t1, Vin<t=t1> = V,

entonces V = Vmsent1
por tanto
[s]
Las ecuaciones anteriores sirven para el diodo ideal, si se trata de diodo

de silicio, en vez de V se pondr V - V.
Can
- 30 -
Ejemplo.-Para el circuito de la fig. 1.40, determinar los tiempos de corte

con el eje del tiempo para VO.
FIG U R A
1 .4 0
Vin corresp on de a la form a d e co lo r azu l y el volta je d e

sa lida se d ib uja en rojo.
Vin<t> = Vmsen(t)
para t = t1, Vin<t=t1> = -V
Entonces, -V = Vmsen(t1),
de donde:
y
Las ecuaciones anteriores sirven para el diodo ideal, si se trata de diodo
de silicio, en vez de V se pondr V - V.
Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.41, dibujar las formas de onda de
los voltajes de entrada, de salida y del diodo con valores de voltajes y
tiempos.
Can
FIG U R A
- 31 -
1 .4 1
La form a de ond a en a zu l rep resen ta Vin, la roja es Vo.
La form a de ond a en rojo corresp ond e a l volta je sobre el diodo.
En el intervalo entre 0 y t1, el diodo est inversamente polarizado debido

a la presencia de la batera V y debido a la direccin del diodo, entonces
VO es 0, como se indica en la fig. 1.42. Cuando Vin<t> # -V, el diodo se polariza
directamente y conduce, en consecuencia, entre t1 y t2, VO = Vin<t> + V. Las
ecuaciones de los voltajes de salida VO y sobre el diodo VD son,
Can
- 32 -
Para t1, Vin<t> = -V = Vm sen(t1)

De donde,
y
V1 = -Vm + V;
V3 = V;
V2 = V m + V
V4 = -V
Las formas de onda para el voltaje en la salida y sobre el diodo se muestran

en la fig. 1.42.
Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.42 dibuje la forma de onda de salida
con valores de voltaje.
FIG U R A
1 .4 2
Recortadores Tipo Paralelo.- Los circuitos de las siguientes figuras son

configuraciones de recortadores con diodo en paralelo con la salida. El
anlisis es similar al que se aplica a las configuraciones en serie.
Can
FIG U R A
- 33 -
1 .4 3
Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.44, dibujar la forma de onda de salida

VO, con valores de voltajes y tiempos. Asumir que V1 < V.
FIG U R A
1 .4 4
La ond a azu l es Vin y la roja es Vo.
Solucin.- La fig. 1.44 muestra la forma de onda de salida. En el intervalo

0 # t # t1, el diodo est polarizado directamente, por tanto conduce, si
se trata de un diodo ideal, entonces, VO = V1. Para el intervalo t1 # t #
t2, el diodo se polariza inversamente, y el voltaje de salida es igual al
voltaje de entrada. Desde t2 hasta T, el diodo nuevamente se polariza
Can
- 34 -
directamente y la salida es igual a V1.

Las ecuaciones de los voltajes de entrada y de salida, respectivamente
son
Resolviendo estas ecuaciones se obtiene

VO, con valores de voltajes y tiempos. Asumir que V2 < V.
FIG U R A
1 .4 5
Se puede demostrar que para el intervalo T/4 # t # t1

Can
- 35 -
al tiempo t = t1, VO<t1> = -V1, entonces
, de donde
Para el intervalo t2 # t # T, la ecuacin de la recta de voltaje es
, para t2, VO<t2> = -V1, por tanto,

VO, con valores de voltajes y tiempos. Asumir que V1 < V y que V2 < V.
FIG U R A
4 .4 6
Can
- 36 -
La form a de ond a azu l es Vin y la roja Vo.
El procedimiento es similar al del problema anterior, hay que determinar

la ecuacin de la recta para el intervalo 0 # t # T/2, y resolver la ecuacin
pata t1, cuando VO<t1> = +V2. Despus se obtiene la ecuacin de la recta para
el intervalo T/4 # t # 3T/4 y se resuelve esta ecuacin para t3, cuando VO<t2>
= -V1. Los tiempos t2 y t4 se obtiene por simetra.
Si se sigue el procedimiento anterior, se obtienen los siguientes resultados.
, se puede demostrar que
Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.47 [con diodo ideal], dibujar las
formas de onda de la entrada y de la salida, con valores de voltajes y tiempos
en los puntos notables. Calcular el valor de la componente DC y el valor
RMS de la seal de salida.
FIG U R A
1 .4 7
Asumir
Vin = 20V sen(t)
VB = 7,4V
RL = 1,5K
f = 100Hz
R1 = 680
Cuando el diodo se polariza inversamente, no conduce y las dos resistencias

Can
- 37 -
forman un divisor de voltaje. De modo que la mxima amplitud en la seal

de salida ser
La forma de onda de salida se muestra en la fig. 1.48.
FIG U R A
1 .4 8
La form a de ond a azu l es Vin y la roja es Vo.
Donde
Clculo de la componente continua [DC o promedio].
Can
- 38 -
Clculo del valor RMS [eficaz]
Por facilidad se resolver cada integral separadamente y despus se har

la suma.
El sumatorio de las integrales da (203,13 + 275,75 + 31,1)V2 = 510V2, es decir
Can
- 39 -
y por tanto,
Fijadores o Sujetadores o Desplazadores de Voltaje.- El circuito fijador es el

que fija una seal alterna a un nivel de DC diferente. La fijacin es una
operacin de desplazamiento. La red est constituida por un capacitor, un
diodo y una resistencia; pero tambin puede incluir una fuente DC independiente
para producir un desplazamiento adicional. La magnitud de R y C debe elegirse
de tal manera que la constante de tiempo = RC, sea suficientemente grande
[con respecto al perodo de la seal] para asegurar que el voltaje del
capacitor no se descargue significativamente durante el intervalo en el que
el diodo no est conduciendo. Para propsitos de anlisis [prcticos], se
asume que el capacitor se carga o descarga por completo en t = 5.
La red de la fig. 1.49, sujetar la seal de entrada en el nivel cero [diodos
ideales]. La resistencia R puede representar la carga o una combinacin en
paralelo de la resistencia de carga y la resistencia diseada para proporcionar
el nivel deseado de R.
FIG U R A
1 .4 9
Durante el intervalo 0 - T/2 la red aparecer como se muestra en la fig.

1.50 a), el diodo est polarizado directamente, por tanto es un corto
circuito efectivo en paralelo con R. La constante de tiempo resultante
es tan pequea que el capacitor se cargar rpidamente hasta V voltios. Durante
este intervalo, el voltaje de salida es de VO = 0V, porque el diodo es un
cortocircuito ideal.
Cuando la entrada cambia al estado -V, el diodo se polariza inversamente
y su circuito equivalente es un circuito abierto, determinado por la seal
aplicada y el voltaje almacenado en el capacitor, la red se ver como se
indica en la fig. 1.50 b).
Can
- 40 -
a)
FIG U R A
b)
1 .5 0
Ahora R nuevamente est presente en el circuito, la constante de tiempo

es lo bastante grande para establecer un perodo de descarga 5 mucho mayor
que el semiperodo T/2 y puede suponerse, en forma aproximada, que el capacitor
retiene toda su carga y, por tanto, su voltaje [puesto que V = Q/C] durante
ese perodo. De la fig. 1.50 b) se deduce que el voltaje de salida es VO
= -2V.
El signo negativo se debe al hecho de que la polaridad de 2V es opuesta
a la definida para VO. Las formas de onda de entrada y de salida se muestran
en la fig. 1.51 a); si la seal de entrada hubierfa sido sinusoidal, la salida
sera como se muestra en la fig. 1.51 b). La seal de salida se ha desplazado
-V voltios, pero mantiene la misma amplitud pico-a-pico [2V] y la misma forma
que la seal de entrada.
a)
FIG U R A
b)
1 .5 1
Los siguientes pasos podran ser de utilidad cuando se analiza este tipo
de redes.
1.- Siempre se inicia el anlisis de los fijadores, considerando aquella
parte de la seal de entrada que polariza directamente al diodo.
Quiz esto requiera saltar un intervalo de la seal de entrada [como
se demuestra en el ejemplo siguiente].
Can
- 41 -
2.- Durante el perodo en que el diodo est polarizado directamente puede

suponerse que el capacitor se cargar en forma instantnea hasta el nivel
de voltaje determinado por la red.
3.- Se supone que durante el perodo en que el diodo est polarizado
inversamente [estado de corte], el capacitor mantendr todo su voltaje.
4.- En todo el anlisis debe tenerse cuidado respecto a la localizacin y
polaridad de referencia para VO, para asegurar que se obtienen los niveles
apropiados de dicha cantidad.
5.- Recordad que la regla general que establece que la forma de onda total
de la salida debe corresponder con la de la seal de entrada.
Ejemplos.- Dibujar la forma de onda de salida del circuito de la fig. 1.52.
FIG U R A
1 .5 2
Se empieza el anlisis en el siclo negativo de la seal de entrada [entre

t1 y t2], Vin = -V2, porque ah el diodo se polariza directamente y representa
un cortocircuito ideal, fig. 1.53 a). El capacitor se carga al voltaje V2
+ V, con la polaridad indicada en el grfico. El voltaje de la salida es
igual a V [de la batera] con la polaridad indicada en la misma figura.
FIG U R A
1 .5 3 a)
En el siguiente semiciclo positivo [entre t2 y t3], el voltaje de entrada

es V1. Ahora el diodo se polariza inversamente y se abre, fig. 1.53 b), el
voltaje de salida ser
Can
FIG U R A
- 42 -
1 .5 3 b )
VO = V1 + V2 + V
La fig. 1.53 c) muestra la forma de onda completa a la salida del circuito,
en estado estacionario.
FIG U R A
1.5 3 c)
Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 1.54 dibujar la forma de onda salida.
FIG U R A
1 .5 4
Can
- 43 -
La form a de ond a azu l es Vin y la roja Vo.
Otro Caso
FIG U R A
FIG U R A
FIG U R A
1 .5 5
1 .5 6
1 .5 7
Multiplicadores de Voltaje.- Los multiplicadores de voltaje se usan para mantener

un voltaje pico de transformador relativamente bajo mientras se incrementa
el voltaje pico de salida a 2, 3, 4 o ms veces el voltaje pico rectificado.
Duplicador de Voltaje tipo Media-Onda.- Es un multiplicador de voltaje con un
factor de multiplicacin por 2. Un doblador de voltaje de media-onda se muestra
en la fig. 1.58.
Can
- 44 -
FIG U R A
1 .5 8
Durante el medio ciclo positivo del voltaje en el secundario, el diodo

D1 est polarizado directamente y D2 inversamente. el capacitor C1 se carga
al voltaje pico del secundario menos la cada de voltaje en D1 [Vm = VPS -V],
esto se muestra en la fig. 1.59.
FIG U R A
1 .5 9
En el semiciclo negativo, el diodo D2 est polarizado directamente y D1

inversamente, como se muestra en la fig. 1.60. Puesto que C1 no puede
descargarse, el voltaje de C1 se suma al secundario para cargar C2 a
aproximadamente 2Vm.
FIG U R A
1 .6 0
Aplicando las leyes de Kirchhoff alrededor del lazo [fig. 1.60], se tiene
VC1 - VC2 + Vm = 0
VC2 = VC1 + Vm
de donde
si se desprecia las cadas en D1 y D2, VC1 = Vm, de donde

VC2 = 2Vm
Bajo condiciones sin carga, C2 permanece cargado a 2Vm. Si se pone una
resistencia de carga conectada a la salida, C2 se descarga ligeramente a
travs de la resistencia en el siguiente semiciclo negativo. La salida
resultante es un voltaje de onda-completa, filtrada con un capacitor. El
Can
- 45 -
voltaje pico inverso en cada diodo es 2VPS.

Doblador de Voltaje tipo Onda-Completa.- La fig. 1.61 muestra un doblador de
onda-completa.
FIG U R A
1 .6 1
Cuando el voltaje del secundario es positivo, D1 se polariza directamente

y C1 se carga aproximadamente a VPS, como se indica en la fig. 1.62. Durante
el voltaje semiciclo negativo, D2 se polariza directamente y C2 se carga aproximadamente a Vm, [fig. 1.63]. De donde el voltaje de salida es 2Vm, que se
toma a travs de los dos capacitores en serie.
FIG U R A
1 .6 2
FIG U R A
1 .6 3
Triplicador de Voltaje.- La adicin de otra seccin diodo-capacitor al doblador

Can
- 46 -
de voltaje de media-onda, crea un triplicador de voltaje como el que se muestra

en la fig. 1.64.
FIG U R A
1 .6 4
La operacin es como sigue: con el ciclo positivo del voltaje del secundario,
C1 se carga a VpS a travs de D1. Durante el semiciclo negativo, C2 se carga
a Vm a travs de D2, como se analiz para el doblador. Durante el siguiente
semiciclo positivo, C3 se carga a 2Vm a travs de D3. La salida del triplicador
se toma a travs de C1 y C3, como se muestra en la fig. 1.64.
De manera similar, se pueden construir multiplicadores de voltaje aumentando
ms secciones diodo-capacitor conectadas en cascada con las etapas anteriores.
Rectificadores con Diodo Semiconductor.- Existen dos tipos de

rectificadores: de media-onda y de onda-completa, a su vez estos ltimos
se dividen en dos: con transformador con toma central y tipo-puente. Sirven
como base para convertir voltaje alternos [Vac] a voltajes continuos [VDC].
Rectificador de Media-Onda [M. O.].- La fig. 1.65 muestra el circuito rectificador
de media-anda.
FIG U R A
1 .6 5
La seal de entrada es sinusoidal de la lnea, generalmente a travs de

un transformador para reducir la amplitud del voltaje alterno. Los valores
nominales de corriente y potencia son relativamente altos. El voltaje de
entrada es Vin = VPS sen(t). Para el anlisis que sigue: [Vm = VPS -V, donde
Can
- 47 -
VPS = voltaje pico en el secundario del transformador, Vm = voltaje mximo

a la salida del rectificador y V la cada de voltaje en el diodo].
La determinacin de la forma de onda de salida, se realiza en dos partes.
1ra parte durante el tiempo O # t # T/2, es decir durante el semiciclo positivo
de la seal de entrada. En ese caso el diodo se polariza directamente y su
circuito equivalente ideal es un cortocircuito como se indica en las figs.
1.66 y 1.67.
FIG U R A 1 .6 6
1 r a : P A RTE SEM ICICLO P O SITIVO
FIG U R A 1 .6 7
1 r a P A R TE: CIR CU ITO EQ U IV A LEN TE Y FO R M A D E O N D A
D E SA LID A
2da parte durante el tiempo T/2 # t # T, es decir durante el semiciclo negativo

de la seal de entrada.
FIG U R A 1 .6 8
2 d a P A RTE: SEM ICICLO NEG A TIVO
En ese caso el diodo se polariza inversamente y su circuito equivalente

ideal es un circuito abierto como se indica en las figs. 1.68 y 1.69.
Can
- 48 -
FIG U R A 1 .6 9
2 d a P A R TE : C IR C U ITO EQ U IV A LE N TE Y FO R M A
D E EN D A D E SA LID A
FIG U R A
1 .7 0
El ciclo completo de la forma de onda que se muestra en la fig. 1.70.

La ecuacin para la forma de onda del voltaje de salida se indica a
continuacin.
De donde:
Rectificador de Onda Completa con Transformador con Toma Central [O. C.].- El circuito
se muestra en la fig. 1.71.Como su nombre indica, usa un transformador que
tiene una toma central. Utiliza dos diodos.
FIG U R A
1 .7 1
Can
- 49 -
La fig. 1.72 muestra el comportamiento del circuito para el semiciclo

positivo, en cuyo caso el diodo D1 se polariza directamente [cortocircuito],
mientras que D2 se polariza inversamente [circuito abierto]. A la salida
se tiene el pico positivo de la onda de entrada.
FIG U R A
1 .7 2
Para el semiciclo negativo, D1 se polariza inversamente [circuito abierto]

y D2 se polariza directamente [cortocircuito]. La fig. 1.73 muestra la forma
de onda de salida, en ella se ve que el circuito realiza la rectificacin
completa de la onda de entrada.
FIG U R A
1 .7 3
El diagrama de la fig. 1.74 muestra el comportamiento del rectificador

de onda completa con transformador con toma central para cualquier tiempo.
La ecuacin del voltaje de salida se indica a continuacin.
Can
FIG U R A
- 50 -
1 .7 4
, para cualquier tiempo.
De donde:
El circuito equivalente de la fig. 1.75, sirve para calcular el voltaje

pico inverso [V. P. I.] que soportan los diodos en este tipo de rectificador
y que en la figura se expresa como VD. Puede verse que
FIG U R A
1 .7 5
Can
- 51 -
Vd = 2VPS = V. P. I.
Puesto que Vd es el voltaje que cae en el diodo cuando est en polarizacin

inversa, se debe tener cuidado de que
V. P. I. < VBR [voltaje de ruptura inversa]
Rectificador de Onda Completa Tipo Puente [O. C.].- El circuito se muestra en
la fig. 1.76. Como su nombre indica, est formado por un puente que consiste
de cuatro diodos.
FIG U R A
1 .7 6
Durante el semiciclo positivo los diodos D2 y D3 quedan polarizados

directamente y generan una trayectoria por donde circular la corriente hacia
la resistencia de carga RL.
FIG U R A
1 .7 7
Al mismo tiempo, los diodos D1 y D4 se polarizan inversamente. La fig. 1.77

Can
- 52 -
muestra esta situacin. El voltaje de salida para este perodo constituye

el pico positivo de la seal de entrada, si se consideran diodos ideales.
Durante el semiciclo negativo los diodos D1 y D4 se polarizan directamente
y generan una trayectoria por donde circular la corriente hacia la resistencia
de carga RL. Al mismo tiempo, los diodos D2 y D3 se polarizan inversamente.
La fig. 1.78 muestra esta situacin. Para este semiperodo, la salida
nuevamente es el voltaje pico de la seal de entrada, pero invertido. Por
tanto, la salida es similar a la del rectificador tipo toma central.
FIG U R A
1 .7 8
FIG U R A
1 .7 9
El diagrama de la fig. 1.79 muestra el comportamiento del rectificador

de onda completa tipo puente para cualquier tiempo mayor que 0. La ecuacin
del voltaje de salida se indica a continuacin.
Can
- 53 -
, para cualquier tiempo.
De donde:
Para este tipo de rectificador se puede ver que V. P. I. = Vm, para cada
diodo.
Problemas Propuestos
1. Para el circuito de la fig. 1.80, dibujar la forma de onda de salida,
con valores de voltajes y tiempos.
FIG U R A
Considerar que
V = 15V
T = 100ms
1 .8 0
V1 = 7,5V
Diodo ideal
2. Para el circuito de la fig. 1.81, dibujar la forma de onda de salida con

valores de voltajes y tiempos. Considerar que la seal de entrada es Vin
= 18V sen(t), V1 = 8,5V, V2 = 11,2V, R1 = 1,5K y RL = 3,9K. Resuelva:
a) con diodos ideales; b) con diodos de silicio.
FIG U R A
1 .8 1
3. Para el circuito de la fig. 1.82, dibujar la forma de onda de salida,

con valores de voltajes y tiempos. Considerar que = RC, es lo suficientemente grande en comparacin con T/2.
Can
FIG U R A
R = 1K
V2 = 20V
- 54 -
1 .8 2
V = 5V
V1 = 10V
T = 200ms
4. Para el circuito de la fig. 1.83 dibujar las formas de onda de entrada

y de salida, con valores de voltajes y tiempos en los puntos notables.
Diodo de silicio. Asumir que
FIG U R A
Vin = 15Vsen(t)
VB = 6,6V
1 .8 3
f = 20Hz
R1 = 1,2K
RL = 1,8K
Adems calcular el valor de la componente continua y el valor RMS de la

seal de salida.
5. Para el circuito de la fig. 1.84 se tienen los siguientes datos. Considere
que = RC, es lo suficientemente grande en comparacin con T/2.
FIG U R A
Vin = 12,5V sen(t)

VB = 5,4V
1 .8 4
f = 500Hz
Diodo de silicio
Dibujar la forma de onda del voltaje de salida con valores de voltaje y

tiempos, adems, determine el valor de la componente continua y el valor
RMS de la onda de salida.
NOTA Recuerde que usted va a ser ingeniero, por tanto, debe hacer bien las cosas, de modo
Can
- 55 -
que, resuelva los problemas en FORMA CLARA Y EN ORDEN, NO DEJE NADA INDICADO.
UTILICE LAS UNIDADES EN TODOS SUS CLCULOS. Dibuje los circuitos con todas sus
conexiones.
D:\...\D isp ositivos\D E -Ca p 1.w p d

Revisin : feb rero - 2 01 0
Can

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