Fairchild Semiconductor

2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

2N3904

MMBT3904
C

E
C

TO-92

SOT-23

Marca: 1A

PZT3904
C

E
C
B

SOT-223

Amplificador NPN de propsito general

Este dispositivo est diseado a modo de amplificador y enchufe de propsito general.
El margen dinmico til se extiende a 100 mA en el caso del enchufe y a 100 MHz en
el caso del amplificador. Fuente obtenida de Process 23.

Especificaciones mximas absolutas*

Smbolo

TA = 25C si no hay contraindicacin

Parmetro

Valor

Unidades

VCEO

Tensin colector-emisor

40

VCBO

Tensin colector-base

60

VEBO

Tensin emisor-base

6,0

200

mA

-55 to +150

IC

Corriente del colector - c ontnua

TJ, Tstg

Margen de temperaturas de la conexin de almacenamiento y funcionamiento

*Estos valores son limitados y sobrepasarlos puede afectar a la capacidad de servicio de cualquier dispositivo semiconductor.
NOTAS:
1) Estos valores lmite se basan en una temperatura mxima de conexin de 150 grados centgrados.
2) Estos lmites son de rgimen permanente. Se debera consultar a la fbrica acerca de las aplicaciones que implican funcionamientos pulsados o ciclos de
utilizacin reducidos.

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

(continuacin)

Caractersticas elctricas
Smbolo

TA = 25C si no hay contraindicacin

Parmetro

Condiciones de prueba

Mn.

Mx. Unidades

CARACTERSTICAS DE DESCONEXIN
V(BR)CEO

Tensin de ruptura colector-emisor

IC = 1,0 mA, IB = 0

40

V(BR)CBO

Tensin de ruptura colector-base

IC = 10 A, IE = 0

60

V(BR)EBO

Tensin de ruptura emisor-base

IE = 10 A, IC = 0

6,0

IBL

Corriente de corte de la base

VCE = 30 V, VEB = 0

50

nA

ICEX

Corriente de corte del colector

VCE = 30 V, VEB = 0

50

nA

CARACTERSTICAS DE CONEXIN*
hFE

Ganancia de corriente contnua

VCE(sat)

Tensin de saturacin colector-emisor

VBE(sat)

Tensin de saturacin base-emisor

IC = 0,1 mA, VCE = 1,0 V

IC = 1,0 mA, VCE = 1,0 V
IC = 10 mA, VCE = 1,0 V
IC = 50 mA, VCE = 1,0 V
IC = 100 mA, VCE = 1,0 V
IC = 10 mA, IB = 1,0 mA
IC = 50 mA, IB = 5,0 mA
IC = 10 mA, IB = 1,0 mA
IC = 50 mA, IB = 5,0 mA

40
70
100
60
30

0,65

300

0.2
0.3
0,85
0,95

V
V
V
V

CARACTERSTICAS DE PEQUEA SEAL

fT

Producto de corriente -- ganancia -ancho de banda

Cobo

Capacitancia de salida

Cibo

Capacitancia de entrada

NF

Figura de ruido (excepto MMPQ3904)

IC = 10 mA, VCE = 20 V,
f = 100 MHz
VCB = 5,0 V, IE = 0,
f = 1,0 MHz
VEB = 0,5 V, IC = 0,
f = 1,0 MHz
IC = 100 A, VCE = 5,0 V,
RS =1,0k, f=10 Hz to 15,7 kHz

300

MHz
4,0

pF

8,0

pF

5,0

dB

35

ns
ns

CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN (excepto MMPQ3904)

td

Tiempo de retardo

VCC = 3,0 V, VBE = 0,5 V,

tr

Tiempo de subida

IC = 10 mA, IB1 = 1,0 mA

35

ts

Tiempo de almacenamiento

VCC = 3,0 V, IC = 10mA

200

ns

tf

Tiempo de cada

IB1 = IB2 = 1,0 mA

50

ns

*Pureba de impulso: anchura entre impulsos 300 s, ciclo de trabajo 2,0%

Modelo Spice
NPN (Is=6,734f Xti=3 Eg=1,11 Vaf=74,03 Bf=416,4 Ne=1,259 Ise=6,734 Ikf=66,78m Xtb=1,5 Br=0,7371 Nc=2
Isc=0 Ikr=0 Rc=1 Cjc=3,638p Mjc=0,3085 Vjc=0,75 Fc=0,5 Cje=4,493p Mje=0,2593 Vje=0,75 Tr=239,5n Tf=301,2p
Itf=0,4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10)

2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Amplificador NPN de propsito general

(continuacin)

Caractersticas trmicas
Smbolo
PD

TA = 25C si no hay contraindicacin

Caracterstica

Mx.

RJC

Disipacin total del dispositivo

Degradacin por encima de 25C
Resistencia trmica, conexin a caja

RJA

Resistencia trmica, conexin a ambiente

Smbolo
PD

2N3904
625
5,0
83,3

*PZT3904
1000
8,0

200

125

Caracterstica

mW
mW /C
C/W
C/W

Mx.
**MMBT3904
350
2,8
357

Disipacin total del dispositivo

Degradacin por encima de 25C
Resistencia trmica, conexin a ambiente
4 microplaquetas efectivas
Cada microplaqueta

RJA

Unidades

Unidades

MMPQ3904
1000
8,0

mW
mW /C
C/W
C/W
C/W

125
240

*Dispositivo montado sobre FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1,5 mm; almohadilla de montaje para el conductor del colector con un mnimo de 6 cm2.

**Dispositivo montado sobre FR-4 PCB 1,6" X 1,6" X 0,06."

500

V CE = 5V
400
125 C

300
25 C

200
100

- 40 C

0
0,1

10

100

I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

VBESAT- TENSIN BASE-EMISOR (V)

Tensin de saturacin base-emisor

frente a corriente del colector
1

0.8

= 10

- 40 C
25 C

0.6
125 C

0.4
0.1
IC

1
10
100
- CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

V BE(ON)
- TENSIN DE CONEXIN BASE-EMISOR (V)

frente a corriente del colector

VCESAT- T ENSIN COLECTOR-EMISOR (V)

Ganancia tpica de corriente pulsada

FE

- GANANCIA TPICA DE CORRIENTE PULSADA

Caractersticas tpicas
Tensin de saturacin colector-emisor
frente a corriente del colector
0,15

= 10
125 C

0,1
25 C

0,05
- 40 C

0,1

1
10
100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

Tensin de conexin base-emisor

frente a corriente del colector
1
VCE = 5V
0,8

- 40 C
25 C

0,6
125 C

0,4

0,2
0,1

1
10
100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Amplificador NPN de propsito general

(continuacin)

(continuacin)

Capacitancia frente a
tensin de polarizacin inversa

Corriente de corte del colector

frente a temperatura ambiente
10

500

f = 1.0 MHz
CAPACITANCIA (pF)

VCB = 30V

100
10
1
0,1

25

50
75
100
125
TA - TEMPERATURA AMBIENTE ( C)

- GANANCIA DE CORRIENTE (dB)

fe

I C = 0.5 mA
R S = 200

4
2

I C = 100 A, R S = 500

1
10
f - FRECUENCIA (kHz)

Ganancia de corriente y ngulo de fase

frente a frecuencia
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0

h fe

V CE = 40V
I C = 10 mA
1

2
C obo

1
10
TENSIN DE POLARIZACIN INVERSA (V)

100

10
100
f - FRECUENCIA (MHz)

0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
1000

I C = 1.0 mA

10
I C = 5.0 mA
I C = 50 A

8
6

I C = 100 A

4
2
0
0,1

100

- GRADOS

V CE = 5.0V

I C = 50 A
R S = 1.0 k

0
0,1

C ibo

12
I C = 1.0 mA
R S = 200

NF - FIGURA DE RUIDO (dB)

NF - FIGURA DE RUIDO (dB)

Figura de ruido frente a resistencia de fuente

Figura de ruido frente a frecuencia

12
10

1
0,1

150

PD - DISIPACIN DE POTENCIA (W)

ICBO- CORRIENTE DEL COLECTOR (nA)

Caractersticas tpicas

1
10
R S - RESISTENCIA DE FUENTE (k )

100

Disipacin de potencia frente a

temperatura ambiente
1

SOT-223
0,75

TO-92

0,5

SOT-23
0,25

25

50
75
100
TEMPERATURA (o C)

125

150

2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Amplificador NPN de propsito general

(continuacin)

(continuacin)

Tiempo de conexin frente a corriente del colector

500
I B1 = I B2 =

Ic
10

TIEMPO (nS)

40V
15V

100

t r @ V CC = 3.0V
2,0V

t r - TIEMPO DE SUBIDA (ns)

Caractersticas tpicas

10

100

500
I B1 = I B2 =

Ic
10

100
T J = 125C

10
5

Ic
10

T J = 25C

Tiempo de almacenamiento frente a

corriente del colector
T J = 25C

I B1 = I B2 =

T J = 125C

10
100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

10
100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

Tiempo de cada frente a

corriente del colector
500
t f - TIEMPO DE CADA (ns)

t S - TIEMPO DE ALMACENAMIENTO (ns)

VCC = 40V

10

t d @ VCB = 0V
5

Tiempo de subida frente a corriente del colector

500

I B1 = I B2 =
T J = 125C

Ic
10

VCC = 40V

100
T J = 25C

10
1

10
100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

10
100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Amplificador NPN de propsito general

(continuacin)

Circuitos de prueba
3,0 V

275

300 ns
10,6 V
Ciclo de funcionamiento = 2%

10 K

0
- 0,5 V

C1 < 4,0 pF
< 1,0 ns

FIGURA 1: Circuito de prueba del equivalente al tiempo de subida y de retardo.

3,0 V

10 < t1 < 500 s

t1
10,9 V

275

Ciclo de funcionamiento = 2%

10 K

C1 < 4,0 pF
1N916

- 9,1 V
< 1,0 ns

FIGURA 2: Circuito de prueba del equivalente al tiempo de almacenamiento y de cada.

2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Amplificador NPN de propsito general

MARCAS COMERCIALES
A continuacin, se proporciona un listado de marcas registradas y no registradas que posee o est autorizado a
utilizar Fairchild Semiconductor. No obstante, no aparecen indicadas todas las marcas comerciales.

ACEx
CoolFET
CROSSVOLT
E2CMOSTM
FACT
FACT Quiet Series
FAST
FASTr
GTO
HiSeC

ISOPLANAR
MICROWIRE
POP
PowerTrench
QS
Quiet Series
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic

LIMITACIN DE RESPONSABILIDAD
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SE RESERVA EL DERECHO DE REALIZAR CAMBIOS EN CUALQUIERA
DE SUS PRODUCTOS SIN PREVIO AVISO, CON EL OBJETIVO DE MEJORAR LA FIABILIDAD, LA
FUNCIONALIDAD O EL DISEO DE LOS MISMOS. FAIRCHILD NO SE RESPONSABILIZA DE LA
APLICACIN O EL USO DE NINGN PRODUCTO O CIRCUITO DESCRITO AQU Y TAMPOCO TRANSFIERE
NINGUNA LICENCIA BAJO SUS DERECHOS DE PATENTE NI BAJO LOS DERECHOS AJENOS.
NORMAS REFERENTES A LOS SISTEMAS DE MANTENIMIENTO DE VIDA
NO SE AUTORIZA EL USO DE LOS PRODUCTOS DE FAIRCHILD COMO COMPONENTES CRTICOS EN LOS DISPOSITIVOS O
SISTEMAS DE MANTENIMIENTO DE VIDA SIN AUTORIZACIN EXPRESA POR ESCRITO DE FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.

Tal y como se indica aqu:

1. Los sistemas o dispositivos de mantenimiento de vida
son aquellos: (a) cuyo propsito es el implante quirrgico
en el cuerpo, (b) el mantenimiento de la vida, o (c) cuyo
fallo de funcionamiento, siendo utilizados siguiendo
adecuadamente las instrucciones del etiquetado, puede
causar un dao considerable al usuario.

2. Un componente crtico es cualquier componente de

un dispositivo o sistema de mantenimiento de vida cuyo
mal funcionamiento puede provocar la avera del sistema o
del dispositivo de mantenimiento de vida, o afectar a la
segurida o efectividad del mismo.

DEFINICIONES DEL ESTADO DEL PRODUCTO

Definiciones de los trminos
Identificacin de la hoja de datos

Estado del producto

Definicin

Informacin avanzada

En fase formativa
o de diseo

Esta hoja de datos contiene las especificaciones de diseo

para el desarrollo del producto. Las especificaciones pueden
estar sujetas a variaciones sin previo aviso.

Preliminar

Primera fabricacin

Esta hoja de datos contiene datos preliminares. Los datos

complementarios se publicarn ms adelante. Fairchild
Semiconductor se reserva el derecho de realizar cambios
en cualquier momento, sin previo aviso, con el objetivo de
mejorar el diseo.

No se necesita identificacin

Obsoleto

Fabricacin plena

Esta hoja de datos contiene especificaciones finales. Fairchild

Semiconductor se reserva el derecho de realizar cambios en
cualquier momento, sin previo aviso, para mejorar el diseo.

No se fabrica

Esta hoja de datos contiene especificaciones sobre un

producto que Fairchild semiconductor ha dejado de fabricar.
La hoja de datos es meramente informativa.