Termodinmica (235) 3er. Ao, V Cuat.

Curso 2004
(Fsica de Semiconductores) Ing. Eectr!nica"Eectricista
Trabajo Prctico Nro. 12: Juntura Metal- Semiconductor- iodo Sc!ott"#
$bjeti%o&# Estudiar e com$ortamiento de a %untura &eta"Semiconductor. Caracteri'ar
a diodo Sc(o)tt* * com$araro con e diodo de uni!n +, com-n.
'iblio(ra)*a &u(erida#
E diodo +, de uni!n " .. ,eudec)
/is$ositi0os eectr!nicos $ara Circuitos Integrados " &1er * 2amins
Semiconductor $(*sics 3 de0ices. 4asic $rinci$es. " /. ,eamen
Semiconductor de0ices an introduction." 5. Sing(
Fsica de estado s!ido * de semiconductores " 5. &c2e0e*
Introduction to de0ice modeing and circuit simuation " F%ed*, 6tterda 3 S(ur
+ntroducci,n:
7as %unturas entre un meta * un semiconductor constitu*en un tema de gran inter8s
tecno!gico $or9ue son e camino de comunicaci!n de semiconductor con e mundo
e:terior en cua9uier dis$ositi0o de estado s!ido, incu*endo a intercone:i!n interna
en os circuitos integrados.
7as %unturas meta"semiconductor $ueden ser de dos ti$os#
;ecti<icantes, denominadas =arreras Sc(ott)*, $ermiten e $aso de a corriente en un
soo sentido.
>(micas, 9ue $resentan una resistencia mu* =a%a * $ermiten e $aso de a corriente
en am=os sentidos.
-ontacto recti)icante: iodo de barrera Sc!ott"#
?n meta en contacto con un semiconductor moderadamente do$ado $uede <ormar un
contacto recti<icante amado diodo de =arrera Sc(ott)*. E mecanismo de corriente en
e diodo Sc(ott)* es di<erente 9ue en e caso de un diodo de %untura +,, * es de=ido a
<u%o de $ortadores ma*oritarios. &uc(os metaes $ueden ser usados $ara crear =arreras
Sc(ott)* so=re semiconductores de siicio (Si) o arseniuro de gaio (.aAs). +ara .aAs
os metaes m@s usados son $atino, titanio * oro.
+ara com$render e mecanismo de <uncionamiento de este ti$o de %untura (<igura A)
de=emos comen'ar $or anai'ar a estructura de =andas de energa $ara un meta * $ara
un semiconductor. En a <igura 2 se muestra e diagrama de =andas de energa $ara un
meta * un semiconductor de ti$o ,, antes de contacto.
A
EC
EFs
EFi
EV
EFm
Eo# ,i0e de 0aco
9 m
9 9 s
Semiconductor
ti$o ,
meta
Figura A &eta Semiconductor de ti$o ,
Figura 2
E ni0e de 0aco Eo es usado como ni0e de re<erencia * re$resenta a energa 9ue
tendra un eectr!n si estu0iera i=re de a in<uencia de materia. E $ar@metro 9 m
BeVC es a <unci!n tra=a%o de meta 9ue resuta de a di<erencia entre e ni0e de 0aco
Eo * e ni0e de Fermi en e meta EFm. 7a <unci!n tra=a%o de meta es a energa
mnima necesaria $ara i=erar a un eectr!n de meta.
7a cantidad 9 s BeVC es a <unci!n tra=a%o de semiconductor, * de$ende de a
concentraci!n de do$a%e, $or9ue a $osici!n de ni0e de Fermi EFs de$ende de ti$o de
do$ado * de su concentraci!n. 7a atura de a =arrera de energa en a su$er<icie de
semiconductor se e:$resa $or a cantidad 9 BeVC, donde es a a<inidad eectr!nica.
7a a<inidad eectr!nica es una constante de materia * resuta de a di<erencia de
energa entre e ni0e de 0aco * e =orde de a =anda de conducci!n.
En este caso $articuar se (a su$uesto 9ue m D s.
En a <igura 3 se muestra e diagrama de =andas de energa resutante cuando e meta *
e semiconductor se $onen en contacto * en condici!n de e9uii=rio t8rmico.
Cuando se esta=ece e contacto entre os materiaes, as di<erencias de energa $ro0oca
una trans<erencia de eectrones desde e semiconductor (acia e meta de modo de
iguaar os ni0ees de Fermi, en condiciones de circuito a=ierto. En e semiconductor se
2
:n E
EF
9
4
9 V=i
EV
EC
EF
regi!n de agotamiento
Eo
9
9 s
(:)
9 ,/
:n :
Fs G 9 ,/ :n A
Fm G " 9 ,/ :n A
: :n
E
Em@: Figura 3
<orma as una regi!n de carga es$acia de=ida a os @tomos donadores ioni'ados. Se crea
un cam$o e8ctrico 9ue se o$one a <u%o de eectrones * en e9uii=rio se $roducir@ una
cur0atura de as =andas de ado de semiconductor. 7a <orma de diagrama de =andas
de energa $ara e sistema meta"semiconductor est@ go=ernada $or tres regas#
En e9uii=rio e ni0e de Fermi de=e ser constante a o argo de sistema.
7a a<inidad eectr!nica es constante.
E ni0e de energa en e es$acio i=re Eo de=e ser continuo
En a inter<ace entre e semiconductor * e meta (a* una =rusca discontinuidad de os
estados $ermitidos de energa * se $roduce una =arrera de $otencia de atura 4. Esta es
a =arrera de $otencia 0ista $or os eectrones en e meta 9ue tratan de mo0erse (acia e
semiconductor * se conoce como barrera Sc!ott"#, dada $or#
4 G m "
So=re e ado de semiconductor, V=i es e $otencia de contacto, 9ue es e $otencia
0isto $or os eectrones en a =anda de conducci!n 9ue 9uieren mo0erse (acia e meta#
V=i

G m

" s

?na 0e' conocida a atura de a =arrera Sc(ott)* se $uede e0auar e anc(o de a regi!n
de agotamiento, e cam$o e8ctrico * a ca$acidad en <orma simiar a una %untura +
H
,
su$oniendo 0@ida a a$ro:imaci!n de 0aciamiento. A $artir de a ecuaci!n de .auss#
donde (:) es a densidad de carga es$acia $or unidad de 0oumen * s es a
$ermiti0idad de semiconductor. Si su$onemos 9ue e do$a%e de semiconductor es
uni<orme (:) G 9 ,/ e integrando a ecuaci!n anterior se o=tiene#
CA es una constante de integraci!n. +ara :G:n, E G 0, entonces#
E cam$o e8ctrico ser@ una <unci!n decreciente de a $osici!n#
E cam$o m@:imo Em@: se ocai'a en a inter<ace entre os materiaes#
/ado 9ue#
+or o tanto, a tensi!n a tra08s de a regi!n de carga es$acia se $uede cacuar como e
3
s
(:)

d:
dE

=
A
/
s
/
C
: , 9
d:
, 9
E + = =

s
s
n /
A
: , 9
" C =
( ) : " :
, 9
" E n
s
/

=
s
n /
m@:
: , 9
" E

= = d: E " V # entonces
d:
dV
" E
@rea =a%o a cur0a de cam$o e8ctrico, @rea de un tri@nguo, cam=iado de signo.
E anc(o de a regi!n de carga es$acia ser@#
7a magnitud de a carga es$acia Fs en e semiconductor estar@ dada $or#
7a carga so=re e meta Fm es igua a Fs $ero de signo contrario.
Como en e caso de a %untura +, se $uede de<inir una ca$acidad C $or unidad de @rea#
.a barrera Sc!ott"# con /olari0aci,n a/licada: anli&i& cualitati%o
7a atura de a =arrera de $otencia $uede modi<icarse mediante a a$icaci!n de una
$oari'aci!n e:terna ta como sucede en una %untura +,. En $rinci$io se tiene una
=arrera 9 4 BeVC entre os eectrones en e meta * os estados en a =anda de
conducci!n de semiconductor. Esta =arrera, $uede considerarse inde$endiente de a
$oari'aci!n $or9ue ninguna tensi!n se mantiene so=re e meta. 7a cada de tensi!n
tota ocurre dentro de semiconductor dentro de a regi!n de carga es$acia. /e este
modo se atera a cur0atura de as =andas a modi<icar a cada de $otencia. Entonces,
os eectrones 9ue se encuentran en e semiconductor en e =orde de a =anda de
conducci!n, encuentran, a 9uerer mo0erse (acia e meta, una =arrera cu*a atura
$uede cam=iarse res$ecto de su 0aor en e9uii=rio (9 V=i BeVC) mediante a a$icaci!n
de una $oari'aci!n adecuada.
a) Polari0aci,n in%er&a
+ara entender e com$ortamiento de sistema cuando se a$ica una tensi!n e:terna se
considerar@ 9ue e semiconductor est@ conectado a tierra. Si se a$ica una tensi!n V; ta
9ue e semiconductor, 9ue es de ti$o ,, 9uede $ositi0o res$ecto de meta (V; I 0), a
cada de tensi!n a tra08s de a regi!n de carga es$acia aumenta a 0aor (V=i " V;) *,
consecuentemente, aumentan e anc(o de a regi!n de agotamiento (:Jn) * a carga
es$acia#
En e caso idea 4 $ermanece constante. En esa condici!n de $oari'aci!n se tiene e
diagrama de =andas de energa de a <igura 4, 9ue corres$onde a caso de $oari'aci!n
in0ersa.
4
s
2
n / n m@:
=i
: , 9

2
A

2
: E
" V V

= = =
AK2
/
=i s
, 9
V 2
:n E

=

[ ]
2 K A
=i / n / s V , 9 2 A : , A 9 F s = =
2 K A
=i
s /
n
s
V 2
, 9

:
C

= =

[ ]
2 K A
; =i / n / s ) V " (V , 9 2 A :J , A 9 F s = =
b) Polari0aci,n directa
Si a(ora se a$ica una tensi!n $ositi0a VF a meta res$ecto de semiconductor, a
=arrera semiconductor"meta, (V=i " VF) se reduce. (4 $ermanece a$ro:imadamente
constante). En esta situaci!n, os eectrones $ueden <uir <@cimente desde e
semiconductor (acia e meta, $or9ue a atura de a =arrera se (a reducido.
Esta condici!n es a $oari'aci!n directa * se corres$onde con e diagrama de =andas
mostrado en a <igura L#
Cuando se a$ica una $oari'aci!n V, a tensi!n tota a tra08s de a %untura $uede
e:$resarse como#
Esta ecuaci!n indica 9ue AKC
2
0s. V es una recta. +uede usarse a $endiente de esta recta
$ara o=tener e do$a%e en e semiconductor. Adem@s a intersecci!n con e e%e de
a=scisas da e 0aor de $otencia de contacto V=i como se muestra en a <igura M.
L
9 4
9 4
: G 0
: G 0
: G :Jn
: G :Nn
EV
EV
EC
EC
EFs
EFs
9 (V=i HV;)
9 (V=i HVF)
EFm
9 V;
Figura 4
EFm
9 VF
Figura L
2
/
2
=i
C 2
, 9 A
V " V
s
=
AKC
2
V
V=i
Figura M
1nli&i& cuantitati%o: caracter*&tica ten&i,n-corriente ideal
E diodo de =arrera Sc(ott)* tiene una caracterstica tensi!n"corriente simiar a a de un
diodo de Siicio com-n, e:ce$to 9ue a tensi!n um=ra es m@s =a%a, de orden de 0.2 V"
0.3 V. Como res$onde muc(o m@s r@$ido 9ue un diodo norma tiene gran 0aor en
a$icaciones de conmutaci!n de ata 0eocidad dado 9ue a ca$acidad de saida asociada
con e diodo es mu* $e9uea.
En e9uii=rio t8rmico a cantidad de eectrones 9ue cru'an a =arrera desde e meta
(acia e semiconductor 9ueda =aanceada $or a cantidad de eectrones 9ue cru'an desde
e semiconductor (acia e meta, de modo 9ue a corriente neta es cero.
En e meta os eectrones 9ue intentan $asar (acia e semiconductor de=en $oseer a
menos a energa 9 4 * tener una 0eocidad en a direcci!n : $ara egar a
semiconductor. +odemos estimar a corriente considerando 9ue a misma es
$ro$orciona a a cantidad de eectrones 9ue tienen energas ma*ores a a =arrera en a
su$er<icie de semiconductor#
Oeniendo en cuenta 9ue en e 0oumen de semiconductor#
* adem@s, como $uede 0erse en a <igura 3#
9 4 G 9 V=i H (EC " EFs)
0o. semic.
7a cantidad de eectrones en a su$er<icie ser@#
En e9uii=rio se tendr@#
I
&S
G I
S&
G 2 ,/ e
"9 V=iK)O
donde 2 es una constante de $ro$orcionaidad. /e o anterior se deduce 9ue en este ti$o
de dis$ositi0os soamente os $ortadores ma*oritarios de semiconductor, en este caso
os eectrones, contri=u*en a a corriente. +ara os (uecos, $ortadores minoritarios, no
(a* una =arrera de $otencia * $ueden trasadarse <@cimente a meta donde se
recom=inan.
Cuando se a$ica una tensi!n V se modi<ica a cada de $otencia en e semiconductor *
en consecuencia cam=ia e <u%o de eectrones desde e semiconductor (acia e meta. E
<u%o de eectrones desde e meta a semiconductor no cam=ia $or9ue a =arrera de
$otencia 4, ideamente, $ermanece constante en su 0aor de e9uii=rio.
7a cantidad de eectrones en a su$er<icie de semiconductor a(ora ser@#
+or o tanto#
I
S&
G 2 ,/ e
"9 (V=i " V)K)O
En tanto 9ue I
&S
se mantiene en su antiguo 0aor. ;estando as dos com$onentes se
o=tiene e 0aor de a corriente I#
M
K)O 9 "
e , n
4
C s

=
. semic. 0o.
Fs) " C (
C /
E E
e , , n =
K)O V "9
e , n
=i
/ s =
V)K)O " V "9
e , n
=i (
/ s =
I G I
S&
" I
&S
G 2 ,/ e
"9 (V=i " V)K)O
" 2 ,/ e
"9 V=iK)O
a cua $uede escri=irse#
I G Io Be
"9 VK)O
" AC
donde Io G 2 ,/ e
"9 V=iK)O
* 2 es una constante.
'arrera Sc!ott"# real
Pasta a9u se (a su$uesto 9ue a atura de a =arrera Sc(ott)* 4 $ermanece constante
en condiciones de $oari'aci!n a$icada. Sin em=argo, a atura de a =arrera 0ara con a
tensi!n a$icada, ma*ormente con $oari'aci!n in0ersa, $or9ue e $ano met@ico
conductor tiene e mismo e<ecto so=re un eectr!n 9ue una carga imagen de signo
o$uesto 9ue se encuentre a a misma distancia, detr@s de $ano : G 0, como se 0e en a
<igura Q. Entonces, os eectrones de conducci!n e:$erimentan una <uer'a imagen en e
meta 9ue os atrae (acia a su$er<icie de meta disminu*endo a atura de a =arrera *
a$artando a reaci!n corriente"tensi!n de su 0aor idea.
7a <igura R muestra a 0ariaci!n de a energa su$oniendo 9ue no (a* cam$o e8ctrico
a$icado.
En $resencia de un cam$o e8ctrico "E constante 9ue tienda a ae%ar a os eectrones de
a su$er<icie met@ica, a energa S de os eectrones 0ariar@ seg-n#
7a <igura T muestra e diagrama de esta energa.
Q
2
: E 9 "
: AM
9 "
S(:)
s
2

=
"
&eta Semiconductor
:
Figura Q
: G 0
EFm
S(:)
:
Figura R
EFm
:m :
" 9 E
S(:)
9 4J
9
: G 0
Figura T
E $ico de a =arrera de $otencia 4J se encuentra a una distancia :m 9ue $uede
cacuarse (aciendo dS(:)Kd: G 0#
E descenso de a =arrera Sc(ott)* est@ dado $or 9 #
+or o tanto, a atura de a =arrera $ara e <u%o de eectrones (acia <uera de meta, 9 4,
0ara de a misma <orma como o (ace 9 . 7a corriente de$ende e:$onenciamente de
esta atura, *a 9ue s!o a <racci!n de eectrones en e meta, cu*a distri=uci!n es a de
4ot'mann, con energas $or encima de m@:imo de a =arrera $odr@ $asar a tra08s de
ea. Entonces, a corriente emitida desde e meta con $oari'aci!n in0ersa 0ara como#
?tii'ando a a$ro:imaci!n de 0aciamiento se encuentra 9ue e cam$o 0ara como#
+or o 9ue de=ido a descenso de a =arrera Sc(ott)* a corriente emitida de$ende
e:$onenciamente de a ra' cuarta de a tensi!n a$icada.
Si se considera una =arrera Sc(ott)* idea se $uede encontrar 9ue a densidad de
corriente tota est@ dada $or#
5 G 5o Be
"9 VK)O
" AC
9ue es una <orma simiar a a e:$resi!n de a densidad de corriente $ara una %untura +,
* se de<ine como $ositi0a en a direcci!n desde e meta (acia e semiconductor. Se
$uede encontrar 9ue en este caso a densidad de corriente de saturaci!n 5o estar@ dada
$or#
donde#
Este $ar@metro AU se denomina constante e<ecti0a de ;ic(ardson $ara emisi!n
termoi!nica, de$ende de a masa e<ecti0a de os eectrones * a constante de +anc).
Si se considera e descenso de a =arrera Sc(ott)* $or e<ecto de a <uer'a imagen, a
ecuaci!n anterior se modi<ica a#
-ircuito e3ui%alente de /e3ue4a &e4al
R
E AM
9
:
s
m

=
AM
E 9
9
s
3

=
O )
E 9
e I I
s AM

3
o

=
V) " (V
, 9 2
E =i
s
/

=

K)O "9
e O U A 5
4 2
o

=

(
) m 9 4
U A
3
2
n
=
K)O 9
e
K)O "9
e O U A 5
4 2
o

=
E circuito e9ui0aente de $e9uea sea de diodo Sc(ott)* cu*o sm=oo es9uem@tico
se muestra en a <igura A0, es mu* simiar a de un diodo de %untura +,, <igura AA.
E circuito incu*e a com=inaci!n en $araeo de a resistencia ;d * a ca$acidad CO de
a regi!n de agotamiento, donde#
Estos eementos de circuito est@n en serie con ;s, 9ue incu*e a resistencia de os
contactos * de a regi!n neutra de semiconductor, * una inductancia $ar@sita en serie
7s, 9ue tiene e<ectos en a$icaciones de mu* ata <recuencia. Oam=i8n se incu*e a
ca$acidad geom8trica de dis$ositi0o 9ue $uede cacuarse como#
donde 7 es a ongitud de dis$ositi0o de @rea trans0ersa A.
7a di<erencia m@s im$ortante con e circuito e9ui0aente de diodo de %untura +, es a
ausencia de a ca$acidad de di<usi!n, 9ue $redomina en $oari'aci!n directa. Esta
ca$acidad est@ asociada con e tiem$o de retardo causado $or a recom=inaci!n
eectr!n"(ueco. Como e diodo Sc(ott)* es un dis$ositi0o de $ortadores ma*oritarios a
recom=inaci!n es un e<ecto des$recia=e. 7a eiminaci!n de a ca$acidad de di<usi!n
(ace 9ue e dis$ositi0o tenga una r@$ida res$uesta tem$ora * es ma*ormente usado en
a$icaciones de conmutaci!n. +ara un diodo Sc(ott)* un tiem$o de conmutaci!n t$ico
es de A $s, en tanto 9ue un diodo com-n est@ en e orden de A ns.
-om/araci,n de un diodo Sc!ott"# # un diodo de uni,n PN
7os diodos Sc(ott)* tienen muc(as a$icaciones $or9ue $resentan agunas 0enta%as
res$ecto a os diodos de uni!n +,. Adem@s de o comentado en e $@rra<o anterior
res$ecto a su ma*or 0eocidad de res$uesta tem$ora, $r@cticamente no (a* e<ectos de
recom=inaci!n de $ortadores en a regi!n de agotamiento. +ara una $oari'aci!n directa
a$icada e diodo Sc(ott)* $resenta una ma*or corriente o 9ue se e0idencia como una
menor tensi!n de um=ra, arededor de 0.2 " 0.3 V como se muestra en a <igura A2, en a
cua se com$aran os diodos.
T
2 K A
=i
s /
O d
V) " (V 2
, 9
A C *
dI
dV
;

= =

7
A
C
s
geom

=
Figura
Figura A0
Figura AA
/e a caracterstica I"V de diodo Sc(ott)* $uede 0erse 9ue resuta una <@ci conducci!n
de <u%o de corriente en $oari'aci!n directa, de=ido a 9ue os eectrones en e
semiconductor 0en una =arrera reducida. En $oari'aci!n in0ersa, a corriente de
saturaci!n 9ueda determinada $or a =arrera $ara os eectrones en e meta 4.

-ontacto ,!mico
7os contactos !(micos son os 9ue $ro$orcionan a intercone:i!n de cua9uier
dis$ositi0o eectr!nico con e e:terior. Son contactos meta"semiconductor en os cuaes
no (a* e<ecto recti<icante. 4@sicamente, un contacto !(mico es una %untura de =a%a
resistencia 9ue $ro0ee conducci!n en am=as direcciones entre e meta * e
semiconductor. Ideamente, a corriente a tra08s de contacto !(mico es una <unci!n
inea de $otencia a$icado 9ue $odr@ ser mu* $e9ueo. 7a <igura A3 com$ara a
caracterstica corriente"tensi!n entre un contacto !(mico * un contacto recti<icante.
Pa* dos ti$os de contactos !(micos. E $rimero es una =arrera no recti<icante * e
segundo es una =arrera t-ne.
'arrera ideal no recti)icante
Su$ongamos un contacto meta"semiconductor (ti$o ,) donde m I s. 7a <igura A4
muestra e diagrama de =andas de energa antes de contacto entre os materiaes.
A0
0 0.2 0.M V
I
diodo de uni!n +,
diodo Sc(ott)*
Figura A2
0 0.2 V
I
contacto
recti<icante
Figura A3
contacto !(mico
+ara egar a as condiciones de e9uii=rio t8rmico en a uni!n os eectrones <uir@n
desde e meta (acia os estados m@s =a%os de energa de semiconductor, o cua (ace
9ue a su$er<icie de semiconductor sea m@s de ti$o ,. 7a carga en e:ceso en e
semiconductor e:iste como una densidad de carga su$er<icia. E diagrama de =andas
uego de contacto, sin $oari'aci!n a$icada se muestra en a <igura AL.
Si se a$ica una tensi!n $ositi0a a meta res$ecto a semiconductor no (a* =arrera $ara
os eectrones 9ue <u*en desde e semiconductor (acia e meta, <igura AM. Cuando se
a$ica a meta una tensi!n negati0a res$ecto de semiconductor os eectrones $ueden
<@cimente cru'ar a =arrera desde e meta (acia e semiconductor, <igura AQ. /e esta
<orma, este ti$o de %untura se com$orta como un contacto !(mico, $resentando <@ci
conducci!n en am=os sentidos de $oari'aci!n a$icada.

'arrera t5nel
?n contacto meta"semiconductor es !(mico cuando e e<ecto de a =arrera so=re e
<u%o de $ortadores es des$recia=e. Esto $uede ograrse do$ando <uertemente e
semiconductor de modo 9ue e anc(o de a =arrera, :n, se reduce a un 0aor mu*
$e9ueo de orden de decenas de Angstrom. En estas condiciones os $ortadores $asan
AA
EC
EFs
EFi
EV
EFm
Eo# ,i0e de 0aco
9 m
9 9 s
&eta
Figura A4
Semiconductor de ti$o ,
EFm
9
4
EV
EC
EFs
Eo
9 s
EFi
9 m
Figura AL
EFm
Figura AL
EFm
Figura AM
$or e<ecto t-ne a tra08s de a =arrera. En a tecnooga de circuitos integrados suee
reai'arse este ti$o de contacto !(mico entre aumnio * siicio ti$o , <uertemente
do$ado. Si e siicio tiene un do$a%e de orden de A0
AT
"A0
20
AKcm
3
e ni0e de Fermi se
encuentra mu* cerca de a =anda de conducci!n, a regi!n de carga es$acia es mu*
estrec(a * $or o tanto, tam=i8n o ser@ a =arrera. /e este modo, $uede (a=er e<ecto
t-ne si (a* una cantidad de eectrones dis$oni=es de un ado de a uni!n * en e otro
(a* una cantidad su<iciente de estados 0acos. En e9uii=rio t8rmico, a cantidad de
eectrones 9ue $asan $or e<ecto t-ne de meta (acia e semiconductor es a misma 9ue
aos 9ue $asan desde e semiconductor (acia e meta. Como se muestra en a <igura AQ
si a =arrera es mu* estrec(a * e meta se $oari'a m@s negati0amente res$ecto a
semiconductor, os eectrones en e meta $ueden <ormar un t-ne a tra08s de a =arrera *
$asar (acia os estados de a =anda de conducci!n de semiconductor.
+or e contrario, cuando e semiconductor se $oari'a negati0amente res$ecto a meta,
os eectrones de semiconductor $ueden <ormar un t-ne * $asar (acia estados
eectr!nicos de meta, como muestra a <igura AR.
6jercicio& /ro/ue&to&
1- En a <igura a) se muestran os diagramas de =andas de energa $ara un meta * un
semiconductor (se su$one est@n gra<icados en a misma escaa). En as <iguras =), c)
* d) se muestran tres $osi=es diagramas de =andas de energa $ara e contacto entre
os materiaes.
Su$oniendo e9uii=rio t8rmico e:$icar $or 9u8 cada una de as <iguras es incorrecta.

A2
EFm
EC
EV
EFs
Figura AQ
e
"
4
Eectrones 9ue cru'an $or e<ecto t-ne
Estados en a =anda de
conducci!n
EFm
EC
EV
EFs
Figura AR
e
"
4
Eectrones 9ue cru'an $or e<ecto t-ne
Eo Eo
&eta Semiconductor
EFm
EC
EV
EFs
Figura a)
Eo
EFm
Eo
EC
EV
EFs
Eo
EFm
Eo
EC
EV
EFs
Figura =) Figura c)
Eo
EFm
Eo
EC
EV
EFs
Figura d)
2- 7as ta=as siguientes muestran as <unciones tra=a%o de agunos eementos (Oa=a A)
* a a<inidad eectr!nica de agunos semiconductores (Oa=a 2).
Se tiene un contacto entre auminio * Si (s G AA.T) ti$o , (,/ G A0
AM
cm
"3
) O G 300 V2
a) /i=u%ar e diagrama de =andas de energa de os dos materiaes antes de <ormar a
uni!n.
=) /i=u%ar e diagrama de =andas de energa $ara un contacto idea * $oari'aci!n nua
cuando se <orma a %untura.
c) Cacuar 4, :n * Em@:.
3- Se tiene un diodo Sc(ott)* a O G 300 V2. E dis$ositi0o est@ <ormado $or a uni!n de
oro * .aAs (s G A3.A) do$ado con ,/ G L: A0
AM
cm
"3
. /eterminar# 4, V=i, e anc(o
de a regi!n de carga es$acia :n * Em@: $ara una $oari'aci!n in0ersa de L V.
7- Considere un diodo Sc(ott)* A"Si ti$o , a OG 300 V2, ,/ G A0
AM
cm
"3
.
a) /eterminar# 4, V=i, :n * Em@: sin $oari'aci!n a$icada.
=) /eterminar a $oari'aci!n in0ersa a$icada $ara a cua a =arrera Sc(ott)*
desciende un de QW so=re 4.
c) ;ecacuar si se a$ica una $oari'aci!n in0ersa de L V.
5- a) Cacuar a ca$acidad $ara $oari'aci!n nua a O G 300 V2, $ara una =arrera
Sc(ott)* idea entre $atino (m G L.3V) * siicio do$ado con ,/ G A0
AM
cm
"3
. E
@rea de diodo es AG A0
"L
cm
2
.
=) Cacuar a $oari'aci!n in0ersa $ara a cua a ca$acidad se reduce un 2LW
res$ecto a su 0aor $ara $oari'aci!n nua.
8- 7a siguiente ta=a muestra e 0aor de a ca$acidad de un diodo Sc(ott)* de @rea A00
A3
Tabla1
6lemento m9 <unci!n tra=a%o BeVC
Ag, $ata 4.2M
A, auminio 4.2R
Au, oro L.A
Cr, Cromo 4.L
&o, moi=deno 4.M
,i, n9ue L.AL
S, tungsteno 4.LL
Tabla 2
6lemento , a<inidad
eectr!nica BeVC
.e 4.A3
Si 4.0A
.aAs 4.0Q
AAs 3.L
m : A00m, en <unci!n de a tensi!n a$icada.
a) Estimar V=i.
=) Si e materia est@ uni<ormemente do$ado cacuar ,/.

: BVC 1;-
2
BAK$F
2
C
"A 0.LTQ
"2 0.TTM
"3 A.3T4
"4 A.QT2
"L 2.ATA
"M 2.LRT
<- Problema de di&e4o : -lculo de un /er)il de contaminaci,n (do/aje no
uni)orme)
Se $retende usar un diodo meta"siicio (s G AA.Q) de =arrera Sc(ott)* de @rea AG A0
"3
cm
2
$oari'ado en in0ersa como eemento de sintona $ara una rece$tor de =anda
comercia en e rango LL0 2P' " AML0 2P'. +ara <aciitar a o$eraci!n se desea 9ue a
<recuencia de resonancia de circuito sintoni'ado (AK(2 7C)) 0are ineamente con a
tensi!n continua a$icada en e rango 0 " L V. Si se utii'a una inductancia 7G 2 mP*
encontrar a 0ariaci!n de contaminante ,(:).
A4