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HETEROUNIONES

Una unin P-N se forma cuando una porcin de un semiconductor dopado


tipo-p es con un semiconductor tipo-n.
Si tanto el material semiconductor tipo-p y del material tipo-n son del
mismo material, la unin se denomina como homounin. Si las capas de
unin estn hechas de diferentes materiales, es una heterounin.
Como una cuestin de convencin, si el material semiconductor dopado
tipo-n tiene mayor energa de banda prohibida que el material dopado tipop, se denota como una heterounin p-N.
Cuando los semiconductores de diferentes energas de bandas prohibidas,
funciones de trabajo y las afinidades electrnicas se unen para formar una
unin, se espera que las discontinuidades en las bandas de energa como
los niveles de Fermi se alinean en el equilibrio. Las discontinuidades en la
banda de conduccin EC y la banda de valencia EV adaptan la diferencia en
la banda prohibida EG entre los dos semiconductores.
En un caso ideal, DEC sera la diferencia en las afinidades electrnicas

q ( 2 1) , y

EV

se han encontrado a partir de

E g Ec . Esto es

conocido como la regla de afinidad de Anderson.

En la prctica, las discontinuidades de la banda se encuentran


experimentalmente para pares de semiconductores en particular.
Para dibujar el diagrama de bandas, necesitamos la banda prohibida ( E g )
y la afinidad electrnica ( ) que depender del material semiconductor y
no del dopaje, y tambin de la funcin de trabajo que dependen del material
semiconductor y del dopaje.
La afinidad electrnica y la funcin de trabajo se refieren al nivel del vaco.
El verdadero nivel de vaco (o nivel de vaco global),

Evac , es el potencial

de referencia de energa cuando un electrn es sacado del semiconductor


hasta el infinito, donde se considera que no hay fuerzas. Por lo tanto, el
verdadero nivel de vaco es una constante.
Sin embargo, puesto que la afinidad electrnica es un parmetro del
material y por lo tanto constante necesitamos introducir un nuevo concepto
de nivel de vaco local,

Evac (loc) , que vara a lo largo y paralela al borde

de la banda de conduccin, manteniendo de ese modo la afinidad


electrnica constante. El nivel de vaco local da pista de la energa potencial
de un electrn cuando se trasladan a las afueras de los semiconductores,
pero no muy lejos.
La diferencia entre los niveles de vaco local y global se debe al trabajo
elctrico hecho en contra de los campos elctricos al borde de la regin de

agotamiento, y es igual a la energa potencial


contacto incorporado

V0

qV0

debido al potencial de

en equilibrio. Esta energa potencial puede ser

modificado por una polarizacin aplicada.


Para dibujar el diagrama de bandas de una heterounin con precisin, no
slo tenemos que utilizar valores adecuados para las discontinuidades de la
banda, sino tambin tener en cuenta la banda de flexin en la unin.
Para ello, debemos resolver la ecuacin de Poisson a travs de la
heterounin, teniendo en cuenta los detalles del dopaje y el espacio de
carga, que por lo general requiere una solucin de ordenador. Podemos, sin
embargo, esbozar un diagrama aproximado sin un clculo detallado. Dado
las bandas de compensaciones experimentales
pueden proceder de la siguiente manera

EV

EC , que