SOLUCIONARIO DE PREGUNTAS DE TRANSISTORES DE POTENCIA Preguntas de repaso: 4.1. u!

! es un trans"stor #"po$ar %&T' Es un tipo de transistor de tres terminales, colector, emisor y base; entre sus principales funciones son; un buen amplificador y como elemento de conmutacin. 4.(. Cu)$es son $os t"pos de %&T' NPN; que cuenta con dos regiones tipo n y una p. PNP; que cuenta con dos regiones p y una regin n. 4.*. Cu)$es son $as d"+eren,"as entre $os trans"stores NPN - PNP' Es bsicamente en su estructura interna, sea de mayor regin n o p adems en el transistor NPN sale la corriente por el emisor, y en el PNP ingresa la corriente por esta misma. 4.4. Cu)$es son $as ,ara,ter.st",as de entrada de $os trans"stores NPN' La configuracin emisor comn es la que generalmente se utiliza en aplicaciones de conmutacin, por ende las caracter sticas de entrada en un NPN es la relacin que se tiene entre la corriente base !" #$ y el comportamiento de la tensin %#E este ultimo en funcin de "#. 4./. Cu)$es son $as ,ara,ter.st",as de sa$"da de $os trans"stores NPN' %iene a ser el comportamiento de la corriente "&, en funcin del 'olta(e colector ) emisor %&E. 4.0. Cu)$es son $as tres reg"ones de opera,"1n de $os %&T' *e tienen tres regiones y estas son+ ,e corte. -cti'a. ,e saturacin. 4.2. u! es e$ #eta 3%4 de $os %&T' Es la relacin de la corriente de colector !" &$ y la corriente de base, se llama ganancia de corriente en sentido directo. 4.5. Cu)$ es $a d"+eren,"a entre %6 - $a #eta +or7ada 3%84 de $os %&T'

El #., es la relacin de "&* !corriente de colector en la saturacin$ y la "#, lo cual esta relacin es cuando se analiza en el punto de saturacin. 4.9. u! es $a trans,ondu,tan,"a de $os %&T' La transconductancia !gm$, 'iene a ser la relacin de "& con %#E, lo cual es una constante para una representacin o modelo de un #/0 con generador de corriente. 4.1:. u! es e$ +a,tor de so#ree;,"ta,"1n de $os %&T' 0ambi1n llamado factor de sobresaturacin !2,.$, es la relacin entre " # e "#* !corriente base en la regin de saturacin$.

4.11. Cu)$ es e$ <ode$o de ,on<uta,"1n de $os %&T' Estos modelos se pueden representar de dos formas+ 3. 4odelo con ganancia de corriente. 5. 4odelo con transconductancia. 4.1(. Cu)$ es $a ,ausa de$ t"e<po de retardo en $os %&T' -umento de permanente la corriente del colector 6asta el 'alor de "&* de estado

4.1*. Cu)$ es $a ,ausa de$ t"e<po de a$<a,ena<"ento en $os %&T' &uando el 'olta(e de entrada se in'ierte de %3 a 7%5 y la corriente de base tambi1n cambia a )"b5, la corriente d colector no cambia durante un tiempo ts es el tiempo de almacenamiento 4.14. Cu)$ es $a ,ausa de$ t"e<po de su#"da en $os %&T' El tiempo de subida depende de la constante de tiempo determinada por la capacitancia de la unin, que en el caso normal, la corriente de base es mayor que la necesaria para saturar al transistor 4.1/. Cu)$ es $a ,ausa de$ t"e<po de ,a.da en $os %&T' ,urante el tiempo de ca da, el perfil de carga ba(a desde el perfil c 6asta que se remue'en todas las cargas. 4.10. Cu)$ es e$ <odo de satura,"1n de $os %&T' *e puede definir como el punto arriba del cual todo aumento en la corriente de base no aumenta en forma apreciable de corriente de colector. El la saturacin, la corriente de colector permanece casi constante

4.12. u! es e$ t"e<po de en,end"do de $os %&T' El tiempo de encendido o tiempo de acti'acin, tenc, es la suma del tiempo de retardo con el tiempo de subida tr. 0enc8td9tr 4.15. u! es e$ t"e<po de apagado de $os %&T' El tiempo de apagado o tiempo de desacti'acin, toff, es la suma de almacenamiento ts y el tiempo de ca da tf. 0apag8ts9tf 4.19. u! es una 8%SOA de $os %&T' ,urante las condiciones de acti'acin y de estado acti'o, la temperatura promedio de la unin y la segunda a'alanc6a limitan la capacidad de mane(o de potencia de un transistor. Los fabricantes suelen proporcionar las cur'as .#*2- ba(o las condiciones especificadas de prueba 4.(:. u! es una R%SOA de $os %&T' ,urante el tiempo de apagado, el transistor debe sostener una gran corriente y un alto 'olta(e, en la parte de los casos con polarizacin in'ersa de base a emisor. El 'olta(e de colector a emisor debe mantenerse en un ni'el seguro, a un 'alor especificado de corriente de colector, o menos 4.(1. Por =u! es ne,esar"o "n>ert"r durante su apagado' $a po$ar"7a,"1n de $os %&T

Es necesario la polarizacin para saturar al transistor, y asi no da:ar al dispositi'o durante el apagado porque se in'ierten las corrientes del colector y el emisor. 4.((. u! es $a segunda a>a$an,?a de $os %&T' E un fenmeno destructi'o, se debe al flu(o de corriente por una peque:a porcin de la base, que produce puntos calientes localizados. *i la energ a de esos puntos calientes es suficiente, el calentamiento localizado e;cesi'o puede da:ar al transistor. -si, la segunda a'alanc6a se deba a la a'alanc6a t1rmica localizado debido a altas concentraciones de corrientes. 4.(* Cu)$es son $as >enta@as - $as des>enta@as de $os %&T' ,es'enta(as+ *egunda -'alanc6a Perdida de disipacin de potencia &ontrolado por &orriente

%enta(as+ -rea de 2peracin segura en polariacion directa e indirecta

4.(4 u! es un AOS8ET' Los mosfet, son semiconductores de silicio, creados por capas dopados, consta basicamente de tres terminales ensu aspecto fisico, denominados, drenador !drain$, suministrador !source$, y gate !compuerta$, estos elementos, soportan mayor corriente que los antecesores #/0, incluso, tienen una respuesta muy rapida ante el corte y saturacion, por lo que es muy empleado para electronica de potencia. ,ispositi'o controlado por 'olta(e que solo requiere una peque:a corriente de entrada. 4.(/ Cu)$es son $os t"pos de AOS8ET' 3. 42*.E0 decrementales 5. 42*.E0 incrementales

4.(0 Cu)$es son $as d"+eren,"as entre $os AOS8ET t"po de "n,re<enta$ - $os de t"po de,re<enta$' El decremental cuenta con canal, y el incremental no cuenta con canal f sico. <n ,ecremental permanece acti'o con cero 'olta(e de compuerta mientras que un 42*.E0 de tipo incremental permanece apagado con 'olta(e cero. 4.(2 u! es e$ >o$ta@e de estre,?a<"ento de $os AOS8ET' El 'alor de %gs cuando es suficientemente negati'o, el canal se decrementa 6asta desaparecer. 4.(5 u! es e$ >o$ta@e u<#ra$ de $os AOS8ET' Es el 'olta(e de entrada %t para que se acumule una cantidad suficiente de electrones para formar un canal 'irtual. 4.(9 u! es $a trans,ondu,tan,"a de $os AOS8ET' Es la relacin de la corriente de drena(e al 'olta(e de compuerta, define a las caracter sticas de transferencia, y es un parmetro muy importante. 4.*: Cu)$ es e$ <ode$o de ,on<uta,"1n de $os AOS8ET de ,ana$ n'

Modelo de Conmutacion

4.*1 Cu)$es son AOS8ET'

$as

,ara,ter.st",as

de

trans+eren,"a

de

$os

gm =

ID VGS

VDS = constante

4.*( Cu)$es son $as ,ara,ter.st",as de sa$"da de $os AOS8ET' El tiempo de retardo de apagado y el 0iempo de caida 4.** Cu)$es son $as >enta@as - $as des>enta@as de $os AOS8ET' Benta@as: &ontrolados por 'olta(e. %elocidad de &onmutacion muy alta. 0iempos de comnutacion en el orden de nanosegundos.

Des>enta@as: Perdidas en la zona acti'a Problemas de descarga electrostatica

4.*4. Por =u! $os AOS8ET no re=u"eren >o$ta@e negat">o de ,o<puerta durante su apagado' Por que para acti'ar el 42*.E0 solo requiere que el 'olta(e de compuerta %=* sea mayor o igual a un 'alor llamado 'olta(e umbral o 'olta(e de entrada, %0 , as se acumula una cantidad suficiente de electrones parar formar un canal 'irtual. > para apagar el 42*.E0 solo se requerir que %=* sea menor que el 'olta(e umbral %0. 4.*/. Por =u! es d"st"nto e$ ,on,epto de satura,"1n en $os %&T - en $os AOS8ET' Por que para un #/0 en la regin de saturacin, la corriente de base es suficientemente alta como para que el 'olta(e colector7emisor sea ba(o.

En tanto que para un 42*.E0 la regin de estrec6amiento o saturacin es donde %,*8%=* ) %0. 4.*0. Cu)$ es e$ t"e<po de en,end"do de $os AOS8ET' Es el retardo de encendido td!enc$ es el tiempo necesario para cargar la capacitancia de entrada 6asta el 'alor del 'olta(e umbral. 4.*2. Cu)$ es e$ t"e<po de apagado de $os AOS8ET' Es el tiempo de retardo de apagado td!apag$ es el tiempo necesario para que la capacitancia de entrada descargue desde el 'olta(e de sobresaturacin %3 6asta la regin de estrec6amiento. 4.*5. u! es un SIT' Es un dispositi'o para alta potencia y alta frecuencia. ,esde la in'encin de los dispositi'os estticos de induccin. En esencia, es la 'ersin del tubo tr odo al 'acio, pero en estado solido .es un dispositi'o de estructura 'ertical con multicanales cortos. -s no esta su(eto a limitaciones de rea, y es adecuado para funcionamiento de alta 'elocidad con alta potencia.

4.*9. Cu)$es son $as >enta@as de $os SIT' Presentan una alta capacidad de 'olta(e, tienen ba(o ruido, ba(a distorsin y capacidad de alta potencia en audio frecuencia. Los tiempos de encendido y apagado son muy peque:os, en forma t pica de ?.5@ As. 4.4:. Cu)$es son $as des>enta@as de $os SIT' Posee una menor capacidad de corriente, tiene una alta ca da en estado acti'o, encendido, es alta, en el caso normal de B? % para un dispositi'o de 3C? -, y de 3C % para uno de 3C 4.41. u! es un IG%T' Es un dispositi'o en el cual se combinan las 'enta(as de los #/0 y de los 42*.E0. <n "=#0 tiene alta impedancia de entrada, como los

42*.E0, y pocas perdidas por conduccin en estado acti'o, como los #/0. *in embargo, no tiene problema de segunda a'alanc6a, como los #/0. Por el dise:o y la estructura del microcircuito, se controla la resistencia equi'alente de drena(e a fuente, D,*, para que se comporte como la de un #/0. 4.4(. Cu)$es son $as ,ara,ter.st",as de trans+eren,"a de $os IG%T'

&aracter sticas t picas de transferencia de un "=#0. 4.4*. Cu)$es son $as ,ara,ter.st",as de sa$"da de $os IG%T'

&aracter sticas t picas desalida de un "=#0. 4.44. Cu)$es son $as >enta@as - des>enta@as de $os IG%T' Benta@as: ba(o 'olta(e en estado de encendido, poca potencia en la compuerta, presenta alta impedancia de entrada, no tiene problemas de segunda a'alanc6a. Des>enta@as: menor capacidad de 'olta(e en estado apagado, dispositi'o de 'olta(e unipolar, mayor ca da de 'olta(e en estado encendido, menor 'elocidad de conmutacin comparado a los 42*.E0.

SOLUCIONARIO DE LOS PRO%LEAAS

4.4. La temperatura m;ima de unin del transistor bipolar en el problema E.F es 0(8 3@? G&, y la temperatura ambiente es 0-8 5@ G&. *i las resistencias t1rmicas son D/&8?.E G&HI y D&*8 ?.?@ G&HI, calcule la resistencia t1rmica del radiador D*-. !*ugerencia+ no tome en cuenta la disipacin de potencia debido al circuito de la base$ So$u,"1n: ,atos+ 0(8 3@? G&, 0-8 5@ G&, D/&8?.E G&HI y D&*8 ?.?@ G&HI. ,el problema E.F se tiene que para un ciclo completo P 0 8 EC5.5@C I, pero el ciclo de traba(o del transistor es de J8 @?K, as que en ese periodo P 0 8 !?.@$ EC5.5@C I 8 5E3.5L I. -si+ 0/ ) 0- 8 P0 !D/& 9 D&* 9 D*-$ 3@? ) 5@ 8 5E3.5L !?.E 9 ?.?@ 9 D*-$ D*- 8 ?.?MC3 G&HI.

4./. Para los parmetros del problema E.F, calcule la disipacin de potencia debido a la corriente de la base P#. So$u,"1n: ,atos+ %#E!sat$ 8F%, "#8C -, td 8?.@ As, tr 8 3 As, ts8 @ As, tf 8F As y fs 8 3? JNz. El ciclo de traba(o es J8@?K. 08 3H fs 8 3?? As, J 8 ?.@, J08 @? As, t enc 8 td 9 tr 8 3.@ As, tn 8 @? ) 3.@ 8 EC.@ As P# 8 "# %#E!sat$ !tenc 9 tn 9 ts 9 tf$ fs P# 8 C ; F !3.@ 9 EC.@ 9 @ 9 F$ 3?7M ; 3? ; 3?F P# 8 3F.B5 I

4.0. Depita el problema E.F, si V BE(SAT) 8 5.F %, I B = C -, %&O!sat$ 8 3.E %, td8 ?.3us tr8?.E@ us, ts8F.5us y tf83.3 us So$u,"1n:

08 3H fs 8 3?? As, J 8 ?.@, J08 @? As, t enc 8 td 9 tr 8 3.@ As, tn 8 @? ) 3.@ 8 EC.@ As P# 8 "# %#E!sat$ !tenc 9 tn 9 ts 9 tf$ fs P# 8 C ; F !3.@ 9 EC.@ 9 @ 9 F$ 3?7M ; 3? ; 3?F P# 8 3F.B5 I

4.2. <n 42*.E0 se usa como interruptor. La corriente de fuga del drena(e a la fuente es 5@?u- El ciclo de traba(o es J8M?K. &alcule la disipacin de potencia debido a la corriente de drena(e a$ durante el encendido, b$ durante el periodo de conduccin c$ durante el apagado, d$las disipaciones totales promedio *us parmetros son+

VDD = 40V I D = 35 A RDS = 20m VGS = 10V td = 25ns tr = 70ns t f = 25ns fs = 20kHz
SOLUCION: 0/83@?P&8E5FQ 0-8F?P&8F?FQ D/&83QHI D&*83QHI D*-8R &omo las resistencias D/&8D&* por lo tanto 0c8 P08

4.5. La temperatura m;ima de unin del 42*.E0 en el problema E.L es 0(83@??& y la temperatura ambiente es 0-8F??&. *i las resistencias t1rmicas son D/&83QHI y D&*83QHI, calcule la resistencia t1rmica del disipador D*-8. !nota+ Q8S&95LF$. So$u,"1n: 0/83@?P&8E5FQ 0-8F?P&8F?FQ D/&83QHI D&*83QHI

D*-8R &omo las resistencias D/&8D&* por lo tanto 0c8 P08

4.9. *e conectan en paralelo dos #/0 en forma parecida a la figura E.F5. La corriente total de carga de "085??S. El 'olta(e del colector a emisor del transistor T3 es %&E383.@%, y la del transistor T5 es %&E583.3%. &alcule la corriente en el colector de cada transistor, y la diferencia de particin de corriente, si las resistencias de corriente compartida son a$De383?mU y De585?mU, y b$ De38 De585?mU. SOLUCION:

,-02* "085??%&E383.@% %&E583.3% "&3, "&58R -$ *i De383?mU, De585?mU %&E39"&3VDE38%&E59"&5De5WWWWW..

3.@9?.?3"c383.39?,?5"c5 ?.?3"c37?.?5"c587?.EWWWWWW !3$ ,e dato tenemos+ "c39"c585??WWWWWWWWWWWWW !5$ Desol'iendo 3 y 5 tenemos las corrientes "c3835?"c58C?P2D L2 0-N02 L- ,".EDEN&"- E*+ ,if8"c37"c5835?7C?8E?Tue E?- es el 5?K de 5??#$ *i De38 De585?mU Deemplazamos 'alores en 3.@9?.?5"c383.39?.?5"c5 ?.?5 !"c37"c5$ 87?.EWWWWW!F$ "c37"c5875? ,e igual de dato "c39"c585??WWW.. !E$ Desol'iendo F y E tenemos las corrientes "c38B?"c5833?P2D L2 0-N02 L- ,".EDEN&"- E*+ ,if8"c37"c58B?733?875?Tue 5?- es el 3?K de 5??-

4.1:. <n transistor bipolar funciona como interruptor pulsado a una frecuencia fs 8 5? JNz. El arreglo de circuito se 'e en la figura E.F@a. El 'olta(e de entrada de cd al interruptor es %* 8 E??'; y la corriente de la carga es "L 8 3?? -. los tiempos de conmutacin son tr 8 3us y tf 8 F us. &alcule los 'alores de a$ L*; b$ &*; c$ D* para la condicin de amortiguamiento critico, d$ D* si el tiempo de descarga se limita a un tercio del periodo de conmutacin; e$ D* si la corriente pico de descarga

se limita al @K de la corriente de la carga y f$ la disipacin de potencia P* debida al amortiguador D&, sin tener en cuenta el efecto del inductor L* sobre el 'olta(e del capacitor amortiguador & *. *uponga que %&E!sat$ 8?. So$u,"1n: ,atos+ fs 8 5? JNz; %s 8 E?? '; "L 8 3?? -; tr 8 3us; tf 8 Fus; %&E!sat$ 8 ? En condicin de amortiguamiento critico+ a4 L*+

#4 &*+

,4 D*+

d4 D*; con tiempo de descarga se limita a un tercio del periodo de conmutacin+

e4 D*; con corriente pico de descarga se limita al @K de la corriente de carga+

+4 P*+

4.11. <n 42*.E0 funciona como interruptor pulsado a una frecuencia f s 8 @? JNz. El arreglo del circuito se 'e en la figura E.F@a. El 'olta(e de entrada de cd al interruptor es %* 8 F?'; y la corriente de la carga es " L 8 E? -. los tiempos de conmutacin son tr 8 M? ns y tf 8 5@ ns. ,etermine los 'alores de a$ L*; b$ &*; c$ D* para la condicin de

amortiguamiento critico, d$ D* si el tiempo de descarga se limita a un tercio del periodo de conmutacin; e$ D* si la corriente pico de descarga se limita al @K de la corriente de la carga y f$ la disipacin de potencia P* debida al amortiguador D&, sin tener en cuenta el efecto del inductor L* sobre el 'olta(e del capacitor amortiguador & *. *uponga que %&E!sat$ 8?. So$u,"1n: ,atos+ fs 8 @? JNz; %s 8 F? '; "L 8 E? -; tr 8 M? ns; tf 8 5@ ns; %&E!sat$ 8 ? a4 L*+

#4 &*+

,4 D*+

d4 D*; con tiempo de descarga se limita a un tercio del periodo de conmutacin+

e4 D*; con corriente pico de descarga se limita al @K de la corriente de carga+

+4 P*+