S EscUeIe LrIversIterIe PcIItcrIce Ue IrQerIere TcrIce IrUUstrIeI

ELECTR0NlCA 8A3lCA
PROLBMRS
Ue trersIstcres FET
1
1
EJEFCICICG Ue trersIstcres JFET:
ELECTR0NlCA 8A3lCA
Problema 1
8l Considerar un transistor JFET de canal n cuyo terminal de puerta (G) est unido al
terminal de fuente (S), constituyendo un dispositivo de dos terminales. Si la tensin
en el dispositivo se denomina v, y la corriente a travs de l se denomina i,
demostrar que:
i k J v v I
v
J
v
J
p DSS
p pt
= =

|
\

|
.
|
|

|
\

|
.
|
|

(
(

, para ( 0 @ v @ -J
p
)
DSS p
I J k i = =

, para ( v J -J
p
)
0l Hallar el valor de la resistencia variable del dispositivo cuando el canal del
transistor JFET est estrangulado.
$0l00l08. 0l R03=.
Problema 2
Se desea utilizar un transistor JFET de canal n como una resistencia controlada por
tensin cuya caracterstica de transferencia sea prcticamente lineal, para lo cual se
aplica al dispositivo una tensin V
DS
pequea. Demostrar que el valor de la resistencia
variable del dispositivo r
DS
es:
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

= =
p
GS
p
p
D
DS
DS
J
J
J K
J
I
J
r

Hallar el rango de valores de r

DS
que se obtienen variando V
GS
desde 0 hasta 0.9V
p
,
suponiendo que V
p
=-4V e K=1mA/V
2
.
$0l00l08. 0.125|O s R03 s 1.25|O
2
Problema 3
En el circuito de la figura, hallar el valor de R
D
, R
S
, R
G1
y R
G2
de forma que el valor de la
corriente de drenador sea I
D
=I
DSS
/2 y que la tensin en R
D
, R
S
y entre los terminales
drenador (D) y fuente (S) del dispositivo, sea la misma. Suponer que I
DSS
=8mA, V
p
=-2V
y que la corriente a travs del divisor de tensin es de 1A.
V
DD
= 15V
R
G2
R
S
R
G1
R
D
$0l00l08. R0=1.25|O. R3=1.25|O. R01=10.58VO. R02=1.111VO.
Problema 4
En el circuito de la figura, hallar el valor de R
D
, R
1
y R
2
, de forma que V
DS
=6V, V
A
=1V,
R
A
=R
1
// R
2
= 54.5kO, teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del
transistor JFET canal n son I
DSS
=10mA y V
p
=-3.8V, y que en el circuito V
DD
=15V,
R
S
=1kO y R
3
=3.3MO.
V
DD
R
2
R
S
R
1
R
D
R
3
A
$0l00l08. R0=2.23|O. R1=81Z.5|O. R2=58.39|O.
3
Problema 5
Se desea polarizar el transistor JFET de la figura, cuyas curvas caractersticas se
muestran en la figura F
1
, en el punto de trabajo V
GS
=-1.5V, V
DS
=6V.
8l Hallar el valor de R
D
, R
S
, R
G1
y R
G2
, sabiendo que R
G
=R
G1
// R
G2
= 90kO y que
V
G
=1.5V.
0l Trazar la recta de carga esttica, indicando el valor de su pendiente.
V
DD
= 1 5V
R
G2
R
S
R
G1
R
D
V
$
(V)
I

(mA)
V
GS
= - 1.0V
V
GS
= - 0.5V
2 6 1u
12
1u
8
6
4
2
V
GS
= - 2.0V
V
GS
= - 1.5V
figur a F1
$0l00l08. 8l R0=1|O. R3=0.5|O. R01=900|O. R02=100|O.
Problema 6
8l En el circuito de la figura se emplea un transistor JFET de canal n cuyos
parmetros caractersticos son V
p
=-5V e I
DSS
=12mA. Hallar el valor de I
D
y V
DS
teniendo en cuenta que V
DD
=18V, R
S
=2kO, R
D
=2kO, R
G1
=400kO, R
G2
=90kO.
0l Si se cambia la resistencia R
G2
, cul debe ser el nuevo valor de R
G2
si I
D
=8mA?
0l Con los mismos valores dados para al apartado 8l, pero cambiando el valor de V
DD
,
hallar el nuevo valor que debe tomar para que I
D
=8mA. Cul es el nuevo valor de
V
DS
?
0l El circuito del apartado 8l se emplea para obtener una corriente de drenador
I
D
=2.5mA y una tensin drenador-fuente V
DS
=17.5V con una fuente de tensin
V
DD
=30V. Hallar el valor de R
G1
, R
G2
y R
D
teniendo en cuenta que R
G
=R
G1
// R
G2
>
100kO y R
S
=1.2kO.
V
DD
R
G2
R
S
R
G1
R
D
$0l00l08. 8l l0=2.91rA. v03 =.3v. 0l R02=20Z.9|O. 0l V
DD
=82.116V. V
DS
=50.116V. 0l R0=3.8|O.
1
R01=10.3VO. R02=100.919|O.
Problema 7
En el circuito de la figura, V
DD
=15V, V
SS
=-9V, R
G
=100kO, R
D
=3.3kO y R
S
=6.8kO, y los
parmetros caractersticos del transistor JFET de canal n, son I
DSS
=5mA y V
p
=-6V.
Hallar:
8l Valor de V
0
si V
GG
=0V.
0l Valor de V
0
si V
GG
=5V.
0l Valor de V
GG
para que V
0
=0V.
V
DD
R
D
R
G
R
S
V
SS
V
GG
V
O
$0l00l08. 8l v0=2.51v. 0l v0=5.885v. 0l v00=-2.913v.
Problema 8
El transistor de la figura es un JFET canal p con I
DSS
=1mA y V
p
=1V. Determinar el valor
de la tensin de drenador V
D
, teniendo en cuenta que V
DD
=-12V, R
D
=47kO, R
S1
=5.6KO,
R
S2
=3.3kO y R
G
=1MO.
V
DD
R
D
R
G
R
S1
R
S2
$0l00l08. v0=-.112v.
5
Problema 9
Demostrar que para que los transistores JFET canal n Q
1
y Q
2
estn trabajando en
modo activo, es necesario que se cumpla que:
I
D
R
S
J 0.5[J
p
[
J
DD
-I
D
R
D
J 1.5[J
p
[
Asumiendo que los parmetros caractersticos de los transistores JFET canal n Q
1
y Q
2
son idnticos, y que V
DD
=10V, |V
p
|=2V e I
DSS
=4mA, hallar el valor de R
S
y R
D
de forma
que:
8l V
DG1
=|V
p
| y V
DG2
=2|V
p
|.
0l V
DG1
=1.5|V
p
| y V
DG2
=1.5|V
p
|.
V
DD
R
D
R
S
Q
2
Q
1
$0l00l08. 8l R0=5|O. R3=1|O. 0l R0=22|O. R3=|O.