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Copyright

ORGANIZACION INTERNACIONAL DEL TRABAJO (CINTERFOR) - 1980

Las p u b l i c a c i o n e s de la O r g a n i z a c i n I n t e r n a c i o n a l del Trabajo e s t n p r o t e g i d a s por el Copyright de conformidad con l a s d i s p o s i c i o n e s del p r o t o c o l o nmero 2 de la Convencin U n i v e r s a l sobre Derecho de Autor.

CBC Electronicista Primera edicin en espaol: 1980

Hecho el d e p s i t o l e g a l

N 145.835/80

El Centro Interamericano de Investigacin y Doaumentacin sobre Formacin Pro fesional (Cinterfor) es una agencia regional especializada de la Organizacin Internacional del Trabas o (OIT), Establecida en 1964t Cinterfor tiene como objetivos impulsar y coordinar los esfuerzos de los institutosj organismos y empresas que se ocupan de formacin profesional en Amrica Latina, Dir, Postal: Casilla de correo 1761

Dir, Telegrfica: "CINTERFOR" Telex: CINFOR UY 6521 Montevideo - Uruguay

Ttulos publicados
Operador de mquinas a g r c o l a s - A G R I C . (Segunda e d i c i n Mecnico a u t o m o t r i z -ClUO 8-43.20 C o c i n e r o p r o f e s i o n a l -ClUO 5 - 3 1 . 3 0 E l e c t r i c i s t a de a u t o m v i l e s -ClUO 8 - 5 5 . 4 1 E l e c t r i c i s t a de e d i f i c i o s - I n s t a l a d o r C l U O 8-55.20 A j u s t a d o r e l e c t r i c i s t a , Bobinador -ClUO 8 - 5 1 . 2 0 / 3 0 corregida)

Mecnico de maquinaria a g r c o l a -ClUO 8-49.55


Mecnico de motores d i e s e l -ClUO 8 - 4 9 . 2 0 y 8 - 4 3 . 2 1

Plomero -ClUO 8 - 7 1 . 0 5
A l b a i l -ClUO 9 - 5 1 . 2 0 E n c o f r a d o r -ClUO 9 - 5 2 . 2 0 Armador de hormign -ClUO 9 - 5 2 . 3 0 Mecnico de r e f r i g e r a c i n -ClUO 8-41.80 Camarera de hotel -ClUO 5 - ^ 0 . 5 0 Productor de maz - A G R I C . P r o d u c t o r de n a r a n j a - A G R I C . P r o d u c t o r de tomate - A G R I C . C i e n c i a s b s i c a s ( C o l e c c i n de h o j a s de i n f o r m a c i o n e s E l e c t r o n i c i s t a -ClUO 8-52.10 Mecnico A j u s t a d o r -ClUO 8 - 4 1 . 0 5 (2da. c o r r e g . ) Tornero mecnico -ClUO 8 - 3 3 . 2 0 (2da. c o r r e g . ) Fresador mecnico -ClUO 8 - 3 3 . 3 0 (2da. c o r r e g . ) R e c t i f i c a d o r mecnico -ClUO 8 - 3 3 . 7 0 T r a t a d o r trmico de metales -ClUO 7-26.10 S o l d a d o r por a r c o e l c t r i c o -ClUO 8 - 7 2 . 2 0 (2da.) S o l d a d o r o x i a c e t i l n i c o -ClUO 8 - 7 2 . 1 5 (2da.) M a t r i c e r o para metales -ClUO 8 - 3 2 . 2 1 M a t r i c e r o para p l s t i c o s -ClUO 8 - 3 2 . 2 2 A f i l a d o r de h e r r a m i e n t a s -ClUO 8 - 3 5 . 3 0 Herrero -ClUO 8 - 3 1 . 1 0 C a l d e r e r o -ClUO 8 - 7 3 . 1 0 y 8 - 7 4 . 3 0 T r a b a j a d o r en chapa f i n a y p e r f i l e s -ClUO 8-73.30/40

complementarias)

A p a r t r de 1980 e s t o s t t u l o s se publcan agrupados en la

ENCICLOPEDIA PRACTICA DE MECNICA GENERAL en s e i s volmenes


Algunos t t u l o s an pueden ser suministrados pr separado.

Impresos en los talleres Jo (c) Cinterfor.

de Cinterfor

t"

INTRODUCCIN
La C o l e c c i n B s i c a C i n t e r f o r para Electronicista forma p a r t e de una f a m i l i a de CBC de o c u p a c i o n e s a f i n e s , denominada Electricidad

Electrnica.

res> reparadores e instaladores de aparatos elctricos y electrni eosj receptores de radio y televisin telfonos y telgrafos9 lineas elctricas y de telecomunicaciones e instalaciones elctricas en general.

I n t e g r a n l a f a m i l i a de " E l e c t r i c i d a d y E l e c t r n i c a " l a s CBC r e f e r i das a o c u p a c i o n e s del s u b g r u p o 8 - 5 de l a C l a s i f i c a c i n I n t e r n a c i o n a l Uniforme de O c u p a c i o n e s de l a OIT ( C I U O ) , o s e a ajustadores, montado

Cada CBC en s f no c o n s t i t u y e un manual p e r o , c o n c e b i d a s con l a d u c t l l i d a d n e c e s a r i a , s i r v e n de b a s e p a r a l a p r e p a r a c i n de manuales de i n s t r u c c i n para todo t i p o de c u r s o s , t a n t o de f o r m a c i n p r o f e s i o n a l como de e d u c a c i n t c n i c a . Es p r e c i s o a d v e r t i r que l a p r e s e n t e CBC es una c o l e c c i n f u e r a de se r i e d e n t r o de la f a m i l i a r e f e r i d a , por dos razones f u n d a m e n t a l e s : no s e a j u s t a a una o c u p a c i n p a r t i c u l a r y e s t formada e x c l u s i v a m e n t e por h o j a s de i n f o r m a c i n t e c n o l g i c a . El fundamento de que a s s e a , r a d i c a en que es e l r e s u l t a d o de un a c u e r d o e n t r e l a U n i v e r s i d a d Simn B o l v a r de Venezuela y C i n t e r f o r , por el c u a l s u p r i m e r a a p l i c a c i n fue s e r v i r como m a t e r i a l d i d c t i c o p a r a l a enseanza de e l e c t r i c i d a d y e l e c t r n i c a en l o s c u r s o s de t c n i c o s u p e r i o r del Ncleo U n i v e r s i t a r i o del L i t o r a l , de la. i n s t i t u c i n c i t a d a en p r i m e r t r m i n o . Las h o j a s de i n f o r m a c i n t e c n o l g i c a ( H I T ) c o n t e n i d a s en l a p r e s e n t e CBC p a r a E l e c t r o n i c i s t a , son a p l i c a b l e s en l a p r e p a r a c i n de mater i a l d i d c t i c o para l a enseanza de a s p e c t o s t e r i c o s de t o d a s l a s o c u p a c i o n e s de l a f a m i l i a de " E l e c t r i c i d a d y E l e c t r n i c a " . Tambin podr a p l i c r s e l a s en l a enseanza de a s p e c t o s p a r c i a l e s de a l g u n a s o c u p a c i o n e s que, c o n s i d e r a d a s en s u s m o d a l i d a d e s p o l i v a l e n t e s , pueden n e c e s i t a r una i n s t r u c c i n t e r i c a s o b r e i n s t a l a c i o n e s y equipos e l c t r i c o s . T a l e s o c u p a c i o n e s pueden s e r e n t r e o t r a s : 6 - 2 8 . 2 0 Operador de mquinas a g r c o l a s ; 8 - 4 3 . 2 0 Mecnico a u t o m o t r i z ; 8 - 4 9 . 5 5 Mecnico de m a q u i n a r i a a g r c o l a ; 8 - 5 5 . 4 0 E l e c t r i c i s t a de v e h c u l o s en g e n e r a l ; 9 - 8 5 C o n d u c t o r e s de v e h c u l o s a m o t o r , e t c .

CBC E l e c t r o n i c i s t a - 1

En la presente CBC no se i n c l u y e el Documento Normativo dado que ha s i d o ampliamente d i f u n d i d o en todas l a s CBC a n t e r i o r m e n t e e d i t a d a s y d i s t r i buidas .

NDICES HOJAS DE INFORMACIN TECNOLGICA (de la ocupacin)

V - TEMAS TECNOLOGICOS por nmero de REFERENCIA para

ELECTRONICISTA.

REFERENCIA

T t u l o del tema t e c n o l g i c o

098 099 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121

Conduccin e l c t r i c a en los solidos Resistores en circuitos Potencia Resistencia como componente electrnica: e l Aplicaciones de las resistencias resistor

Portadores de corriente e l c t r i c a Potencia Resistores en circuitos Resistencia como componente e l e c t r n i c a : lmite de potencia Aplicaciones de las resistencias

Resistencias en a l t a frecuencia Leyes de Kirchoff Teorema de Thvenin A n l i s i s de circuitos Fuentes de corriente Sinusoide Diagramas logartmicos Decibeles Series de Fourier Componentes en corriente alterna Circuitos de corriente alterna Impedancia Carga y descarga de un capacitor Capacitor en circuitos

CBC E l e c t r o n c s t a - 3

V - TEMAS TECNOLOGICOS p o r nmero de REFERENCIA p a r a

ELECTRONICISTA.

CBC

Electroncsta-4

V - TEMAS TECNOLOGICOS por nmero de REFERENCIA p a r a

ELECTRONICISTA.

REFERENCIA

Ttulo del tema tecnolgico

146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169

Diseo de fuentes de poder Distorsin Ruido Descripcin de las maquinas de continua Caractersticas de los generadores de continua Funcionamiento del rotor de continua Protecciones contra sobrecorrientes Descripcin de f u s i b l e s Medida de l a temperatura de un devanado Cebado de los generadores autoexcitados Conmutacin en maquinas de continua Detector de amplitud Materiales aislantes

Descripcin de capacitores Semiconductores Mi croestructuras semiconductoras Resistor y capacitor integrado Tennistores Diodo semiconductor (Juntura P-N) Estructura de transitor Estructuras de efecto de campo Estructuras PNPN Acoplamiento magntico Inductores acoplados

CBC

Electroncsta-5

V - TEMAS TECNOLOGICOS p o r nmero de REFERENCIA p a r a

ELECTRONICISTA.

REFERENCIA

Ttulo del tema tecnolgico

170 171 172 173 174 175 176 177 178 179

Energa almacenada en un inductor Inductor en circuitos Estabilidad de sistemas realimentados Realimentacin y sistemas de control Estabilidad Fusibles Calentamiento de componentes Fuentes reguladas Reguladores integrados de v o l t a j e f i j o Descripcin de un regulador integrado

CBC

Electroncsta-6

VI - ndice alfabtico de TEMAS TECNOLOGICOS para ELECTRONICISTA. (Incluye referencia.)

TTULO DEL TEMA TECNOLOGICO

Referencia 168 128 127 138 111 102 107 176 121 150 120 155 118 122 143 117 098 129 156 115 159 153 149 179

Acoplamiento magntico Ampermetro de alterna Ampermetro de continua Amplificadores Anlisis de circuitos Aplicaciones de las resistencias Aplicaciones de las resistencias Calentamiento de componentes Capacitor en circuitos Caractersticas de los generadores de continua Carga y descarga de un capacitor Cebado de los generadores autoexcitados Circuitos de corriente alterna Circuitos impresos Circuitos lineales Componentes en corriente alterna Conduccin elctrica en los solidos Conductores impresos Conmutacin en mquinas de continua Decibeles Descripcin de capacitores Descripcin de fusibles Descripcin de las mquinas de continua Descripcin de un regulador integrado

CBC E l e c t r o n i c i s t a - 7

VI - ndice alfabtico de TEMAS TECNOLGICOS para ELECTRONICISTA. (Incluye referencia.)

TTULO DEL TEMA TECNOLGICO

Referencia 157 137 114 164 146 147 170 124 174 172 165 166 167 132 136 112 177 151 175 119 141 171 169 123

Detector de amplitud Diagramas de bloques Diagramas logartmicos Diodo semiconductor (Juntura P-N) Diseo de fuentes de poder Distorsin Energa almacenada en un inductor Especificaciones de los instrumentos de medida Estabilidad Estabilidad de sistemas realimentados Estructura de transitor Estructuras de efecto de campo Estructuras PNPN Fsica del capacitor Fuente de poder Fuentes de corriente Fuentes reguladas Funcionamiento del rotor de continua Fusibles Impedancia Impedancias de entrada y de salida Inductor en circuitos Inductores acoplados Instrumentos de medida

CBC E l e c t r o n i c i s t a - 8

VI - n d i c e a l f a b t i c o de TEMAS TECNOLGICOS para ELECTRONICISTA. (Incluye referencia.) Referencia 109 140 139 158 154 161 142 130 103 104 100 152 173 133 134 145 135 178 144 101 106 108 162 105

TTULO DEL TEMA TECNOLOGICO

Leyes de Kirchoff Lmites de amplitud de un amplificador Lmites de frecuencia de un amplificador Materiales aislantes

Medida de l a temperatura de un devanado Microestructuras Ohmetro Prdidas en un capacitor Portadores de corriente e l c t r i c a Potencia Potencia Protecciones contra sobrecorrientes Realimentacion y sistemas de control Rectificacin Rectificacin de onda completa
<
*

semiconductoras

Rectificacin t r i f s i c a Rectificadores dobladores de tensin Reguladores integrados de v o l t a j e f i j o Representacin de vectores por nmeros complejos Resistencia como componente electrnica: e l resistor

Resistencia como componente electrnica: lmite de potencia Resistencias en a l t a frecuencia Resistor y capacitor integrado Resistores en circuitos

CBC E l e c t r o n i c i s t a - 9

VI - ndice alfabtico de TEMAS TECNOLOGICOS para ELECTRONIClSTA. (Incluye referencia.)

TTULO DEL TEMA TECNOLOGICO

Referencia 099 148 160 131 116 113 110 163 126 125

Resistores en circuitos Ruido Semiconductores Serie y paralelo de capacitores Series de Fourier Sinusoide Teorema de Thvenin Termistores Voltmetro de alterna Voltmetro de continua

CBC E l e c t r o n i c i s t a - 1 0

NDICE GENERAL DE TEMAS TECNOLGICOS PARA ("Electricidad y Electrnica")

VIII

- n d i c e general de TEMAS TECNOLGICOS para "ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA" por nmero de REFERENCIA. Colecciones c o n s i d e r a d a s : ELECTRICISTA DE EDIFICIOS -INSTALADOR-; AJUSTADOR ELECTRICISTA, BOBINADOR; ELECTRICISTA DE AUTOMOVILESELECTRON I C I STA. HIT. 001 a 179.

REFERENCIA 001 002 003 004 005 006 007 008 009 010 011 012 013 014 015 016 017 018 019 020 021 022 023 024

TTULO DEL TEMA TECNOLOGICO Conductores e l c t r i c o s Herramientas (Generalidades)

(Generalidades) aislacion)

Herramientas (Para quitar Herramientas Herramientas (Soldadores)

(Lmpara de s o l d a r ) (Generalidades)

V o l t m e t r o y ampermetro Ohmmetro Meghmetro Pinza de medicin Terminales para

conductores (Generalidades)

Materiales aislantes Cintas a i s l a n t e s Fusible

(Generalidades) (Generalidades)

Lamparas e l c t r i c a s Transformadores Condensadores

(Generalidades) (Generalidades)

Mquinas e l c t r i c a s r o t a t i v a s Generador de c o r r i e n t e

continua

Motores de c o r r i e n t e continua Aleaciones estao-plomo para soldaduras Enchufe e l c t r i c o Tubos r g i d o s y f l e x i b l e s Herramientas (Doblatubos)

Morsa para tubos

CBC E l e c t r o n i c i s t a - 1 1

VIII

Indice general de TEMAS TECNOLOGICOS para "ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA" por numero de REFERENCIA. Colecciones c o n s i d e r a d a s : ELECTRICISTA DE E D I F I C I O S -INSTALADOR-; AJUSTADOR ELECTRICISTA, BOBINADOR; ELECTRICISTA DE AUTOMOVILES; ELECTRONIClSTA. H I T . 001 a 179-

REFERENCIA 025 026 027 028 029 030 031 032 033 034 035 036 037 038 039 040 041 042 043 044 045 046 047 Escaleras

TTULO DEL TEMA TECNOLGICO

Tuercas, boquillas y conectadores para tubos Cajas para instalaciones elctricas Uniones y curvas para tubos Tornillos para madera Grapas y abrazaderas Tacos para fijacin Herramientas (Para perforar manipostera) Boquillas y pipas para instalaciones elctricas Conductores elctricos (Alambres y cables) Conductores elctricos (Con cubierta protectora) Conductores elctricos (Cordones) Conductores elctricos (Tabla para instalaciones Herramientas (Barrena de mano) Elementos para pasar conductores dentro de tubos Aisladores para instalaciones elctricas Portalmparas y receptculos Lmparas incandescentes Equipo fluorescente Interruptores para instalaciones elctricas Cortacircuitos y fusibles (Para instalaciones elctricas) Timbres y zumbadores Cuadros indicadores elctricas)

CBC E l e c t r o n i c i s t a - 1 2

VIII-

ndice general de TEMAS TECNOLGICOS para "ELECTRICIDAD Y ELECTRNICA" por nmero de REFERENCIA. Colecciones c o n s i d e r a d a s : ELECTRICISTA DE EDIFICIOS -INSTALADOR-; AJUSTADOR ELECTRICISTA, BOBINADOR; ELECTRICISTA DE AUTOMVILES; ELECTRONICISTA. H I T . 001 a 179TTULO DEL TEMA TECNOLGICO

REFERENCIA 048 049 050 051 052 053 054 055 056 057 058 059 060 061 062 063 064 065 066 067 068 069 070

Conectadores para alambres Escobillas Portaescobillas Ncleos magnticos Mquinas bobinadoras y moldes regulables Herramientas (Para bobinar) Barnices aislantes para impregnacin Conexionado de motores elctricos (Para corriente alterna)

Materiales aislantes (Para bobinados) Colectores Conductores elctricos (Para bobinados) Motores con rotor de jaula de ardilla Interruptores centrfugos Condensadores (Para arranque de motores monofsicos) Bobinados de estatores (Esquemas) Bobinados de rotores (Esquemas) Cono de terminacin de rotores Probador de inducidos Instalacin elctrica del automvil y sus componentes Batera de acumuladores Instrumentos de control de la batera de acumuladores Cargador de batera Regmenes de carga de batera

CBC Electron ic i sta-13

VIII

- n d i c e general de TEMAS TECNOLGICOS para "ELECTRICIDAD Y ELECTRNICA" por nmero de REFERENCIA. Colecciones c o n s i d e r a d a s : ELECTRICISTA DE EDIFICIOS -INSTALADOR-; AJUSTADOR ELECTRICISTA, BOBINADOR; ELECTRICISTA DE AUTOMVILES; ELECTRONIClSTA. HIT. 001 a 179-

REFERENCIA 071 072 073 074 075 076 077 078 079 080 081 082 083

TTULO DEL TEMA TECNOLGICO Lmparas para automviles Interruptores (Para circuitos de automviles) Conmutadores y selectores para automviles Rels para automviles Sistema de sealizacin Sistema de alumbrado Pantallas para alinear faros Conductores elctricos (Para instalaciones en automviles) Mazo de conductores para automovil Bocina Radio y antena para automviles Bomba elctrica para combustible Indicadores elctricos de control (Presin de aceite, temperatura y nivel de combustible) Circuito de carga La dnamo Reguladores (Para dnamo) Ampermetro (Para automovil) Alternador para automviles Diodos rectificadores de silicio Reguladores (Para alternadores) Limpiaparabrisas Sistema de encendido Buj as

084 085 086 087 088 089 090 091 092 093

CBC E l e c t r o n i c i s t a - 1 4

VIH

- n d i c e general de TEMAS TECNOLGICOS para "ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA" por nmero de REFERENCIA. Colecciones c o n s i d e r a d a s : ELECTRICISTA DE E D I F I C I O S -INSTALADOR-; AJUSTADOR ELECTRICISTA, BOBINADOR; ELECTRICISTA DE AUTOMVILES; ELECTRONICISTA. HIT. 001 a 179-

REFERENCIA

TTULO DEL TEMA TECNOLOGICO

094 095 096 097 098 099 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115

Condensadores (Blindados para automviles) Bobina de encendido Distribuidor Motor de arranque Conduccin e l c t r i c a en los solidos Resistores en circuitos Potencia Resistencia como componente electrnica: e l r e s i s t o r Aplicaciones de las resistencias

Portadores de corriente e l c t r i c a Potencia Resistores en circuitos Resistencia como componente electrnica: lmite de potencia Aplicaciones de las resistencias

Resistencias en a l t a frecuencia Leyes de Kirchoff Teorema de Thvenin Anlisis de circuitos Fuentes de corriente Sinusoide Diagramas logartmicos Decibeles

CBC Electron icista-15

VIII

I n d i c e general de TEMAS TECNOLOGICOS para "ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA" por nmero de REFERENCIA. C o l e c c i o n e s c o n s i d e r a d a s : ELECTRICISTA DE E D I F I C I O S -INSTALADOR-; AJUSTADOR ELECTRICISTA, BOBINADOR; ELECTRICISTA DE AUTOMVILES; ELECTRONIClSTA. H I T . 001 a 179.

REFERENCIA

TTULO DEL TEMA TECNOLOGICO

116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137

Series de Fourier Componentes en corriente alterna Circuitos de corriente alterna Impedancia Carga y descarga de un capacitor Capacitor en circuitos Circuitos impresos Instrumentos de medida Especificaciones de los instrumentos de medida Voltmetro de continua Voltmetro de alterna Ampermetro de continua Ampermetro de alterna Conductores impresos Prdidas en un capacitor Serie y paralelo de capacitores F s i c a del capacitor Rectificacin Rectificacin de onda completa Rectificadores dobladores de tensin Fuente de poder Diagramas de bloques '

CBC

Electronicista-16

VIII

- n d i c e general de TEMAS TECNOLOGICOS para "ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA" por numero de REFERENCIA. Colecciones c o n s i d e r a d a s : ELECTRICISTA DE E D I F I C I O S -INSTALADOR-; AJUSTADOR ELECTRICISTA, BOBINADOR; ELECTRICISTA DE AUTOMVILES; ELECTRONIClSTA. HIT. 001 a 179.

REFERENCIA

TTULO DEL TEMA TECNOLGICO

138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159

Amplificadores Lmites de frecuencia de un amplificador Lmites de amplitud de un amplificador Impedancias de entrada y de s a l i d a Ohmetro Circuitos lineales

Representacin de vectores por nmeros complejos Rectificacin t r i f s i c a Diseo de fuentes de poder Distorsin Ruido Descripcin de las mquinas de continua Caractersticas de los generadores de continua Funcionamiento del rotor de continua Protecciones contra sobrecorrientes Descripcin de f u s i b l e s Medida de l a temperatura de un devanado Cebado de los generadores autoexcitados Conmutacin en mquinas de continua Detector de amplitud Materiales aislantes

Descripcin de capacitores

CBC E l e c t r o n i c i s t a - 1 7

VIII

- n d i c e general de TEMAS TECNOLGICOS para "ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA" por nmero de REFERENCIA. Colecciones c o n s i d e r a d a s : ELECTRICISTA DE E D I F I C I O S -INSTALADOR-; AJUSTADOR ELECTRICISTA, BOBINADOR; ELECTRICISTA DE AUTOMVILES; ELECTRONIClSTA. HIT. 001 a 179-

REFERENCIA

TTULO DEL TEMA TECNOLGICO

160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179

Semiconductores Microestructuras semiconductoras Resistor y capacitor integrado Termistores Diodo semiconductor (Juntura P-N) Estructura de transitor Estructuras de efecto de campo Estructuras PNPN Acoplamiento magntico Inductores acoplados Energa almacenada en un inductor Inductor en circuitos Estabilidad de sistemas realimentados Realimentacion y sistemas de control Estabilidad Fusibles Calentamiento de componentes Fuentes reguladas Reguladores integrados de v o l t a j e f i j o Descripcin de un regulador integrado

CBC E l e c t r o n i c i s t a - 1 8

ADVERTENCIAS

1)

Las h o j a s i n c l u i d a s a c o n t i n u a c i n , s e r v i r n de p a t r n para imprimir m a t r i c e s o e s t n c i l e s para mquinas o f f s e t de o f i c i n a o mimegrafos u o t r o t i p o de d u p l i c a d o r e s . Deben s e r t r a t a d a s con c u i d a d o a f i n de no daar el p a p e l , ni manchar su s u p e r f i c i e .

2)

Es conveniente que l a s h o j a s sean v e r i f i c a d a s a n t e s de r e a l i z a r la impresin de l a s m a t r i c e s , pudendo r e t o c a r s e con l p i z comn o t i n t a s de d i b u j o l o s t r a z o s demasiado d b i l e s , a s como t a p a r l a s manchas e imperfecciones con " g o u a c h e " (tmpera b l a n c a ) .

3)

Los a g r e g a d o s que deban hacerse a l a s h o j a s , por ejemplo c d i g o l o c a l , pueden e s c r i b i r s e en papel b l a n c o y p e g a r s e en el l u g a r c o r r e s p o n d i e n t e . El mismo p r o c e d i m i e n t o es adeca do para c o r r e g i r e r r a t a s y o t r a s f a l t a s .

*Br F1 -i-r n i - i - 1 - 19

HOJAS DE INFORMACIN TECNOLGICA

CINTERFOR ^ ^ Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:HIT. 098

1/6

CONDUCCION ELCTRICA EN LOS SOLIDOS NATURALEZA ELECTRICA DE LA MATERIA

< O

La materia est constituida, en su estructura elemental, por sistemas estables llamados tomos. Las partculas que constituyen un tomo (protones, neutrones, electrones) se caracterizan por poseer masa, y tambin carga elctrica. Segn el modelo clsico, estas partculas se disponen como en un sistema solar, con un ncleo central formado por protones y neutrones, alrededor del cual giran los electrones en distintas rbitas. Existe entonces una unidad elemental de carga elctrica: la carga de
trn. elec-

Segn el modelo descrito, algunos electrones de la rbita externa pueden, bajo ciertas condiciones, desvincularse del tomo constituyndose as en porta
dores de carga elctrica.

Bajo la accin de fuerzas elctricas, estos portadores se mueven, dando as origen a una corriente
elctrica.

De acuerdo con la cantidad de portadores disponibles y su mayor o menor movi lidad, el material podr conducir la electricidad con mayor o menor f a c i l i dad; es decir, ser ms o menos conductor. En este sentido los materiales se clasifican en 3 grandes categoras: - buenos conductores, o simplemente conductores (metales) - malos conductores o aislantes - semiconductores Las propiedades de conduccin dependen directamente de la manera como se dis ponen los tomos dentro de un material slido. slido, puede presentar propiedades diferentes. to es un buen conductor. La distincin entre aislantes y semiconductores es slo de grados. aplicado, puede ser considerada desde aislante hasta conductor. Una baUn mismo elemento, en estado As por ejemplo, el carbono

bajo la forma de diamante es un excelente aislante y bajo la forma de g r a f i -

rra de s i l i c i o c r i s t a l i n o , segn su contenido de impurezas y el criterio

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 098

2/6

CONDUCCION ELECTRICA EN LOS SOLIDOS La electrnica ha encontrado siempre aplicaciones para los semiconductores. En el pasado se emplearon la galena, el selenio y el xido de cobre, entre otros. En los ltimos aos se destacan el s i l i c i o , el germanio, el arseniuro de galio y el sulfuro de cadmio.

LA CONDUCCION ELECTRICA Sin ninguna perturbacin exterior, los portadores de carga elctrica de un conductor se mueven en forma desordenada. gar a un transporte de cargas elctricas.
c a s es l o que se llama corriente electrica.

Cuando se aplican desde el exteEste transporte de cargas elctri

rior fuerzas elctricas, se ordena parcialmente el movimiento, lo cual da lu

Los dispositivos capaces de aplicar fuerzas elctricas a un conductor se l i a man generadores. Dentro de ellos se destacan las pilas y acumuladores, que aplican fuerzas elctricas originadas en una reaccin qumica,y las dinamos,
en l a s que el origen de las fuerzas elctricas es magntico.

Las caractersticas de la corriente elctrica que establece un generador aplicado sobre un conductor, dependen de ambos elementos. propiedades se traducen en la resistencia ductor. circular. La capacidad de aplicar fuerzas elctricas de un generador se traduce en la
diferencia de potencial

Con un mismo gene Estas del con

rador, la corriente depende slo de las propiedades del conductor.


al -paso de la electricidad

Cuanto mayor es esa resistencia, menor es la corriente que permite

que posee.

Cuanto mayor es la diferencia de poten-

c i a l , el generador crear una corriente ms intensa sobre un mismo conductor.

UNIDADES DE MEDIDA La corriente se mide en amperios (smbolo A) con un instrumento de medida l i a mado ampermetro. La diferencia de potencial se mide en voltios de medida llamado voltmetro. (smbolo V) con un instrumento

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 098

3/6

CONDUCCIN ELCTRICA EN LOS SOLIDOS

La resistencia elctrica se mide en ohmios (smbolo ft) y hay diversas tcni cas de medida. Todas las unidades de medida poseen mltiplos y submltiplos normalizados internacionalmente. Al nombre de la unidad se le antepone un prefijo cuyo significado y smbolo se aclara en la tabla siguiente.

PREFIJO micro mili kilo mega

SIMBOLO y m K M

VALOR millonsimo milsimo mil milln 0,000.001 0,001 1.000. 1.000.000.

Ejemplos de aplicacin: pV = microvoltio Kft = kiloohmio

= 0,000 001 V = 1.000 ft

mA = miliamperios = 0,001 A

LEY DE 0HM Al establecer entre los extremos de un conductor una diferencia de potencial
(tambin llamada tensin o v o l t a j e ) , c i r c u l a r por el mismo una c o rriente elctrica (7).

Midiendo ambas variables puede observarse que para un mismo conductor se cum pie entre ellas una relacin de dependencia proporcional. Asi, si aplicando

INFORMACION

TECNOLOGICA:

REF. HIT.

098

4/6

CINTERFOR Ira. Edicin

CONDUCCIN ELCTRICA EN LOS SLIDOS entre bornes una tensin de 10 voltios circula una corriente de 4mA, con una tensin de 20 voltios circular una corriente de 8mA ( f i g . 1).

j < /.V

BG i n 10 i\ i\ i ,m \ 9

Fig. 1

La ley de Ohm dice que la corriente ( i ) que circula en un conductor aumenta en forma proporcional a la diferencia de potencial (V) aplicada entre sus bornes y disminuye tambin proporcionalmente a la resistencia (R) del conduc tor.

R Es decir que, para cada conductor, el cociente entre voltaje y corriente ins tantneos es una constante que caracteriza a ese conductor, independientemen te de cul sea el voltaje aplicado. Esa constante se define como resistencia R del conductor, y su valor depende de la forma y dimensiones del mismo y de la naturaleza del material que lo constituye. En el ejemplo anterior, la resistencia es:

= J L = M = 20V_ 10V _ 20V = 2.500C2 i 4mA ~ 8mA ~ 0,004A 0,008A "

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:HIT. 098

5/6

CONDUCCION ELCTRICA EN LOS SOLIDOS

RESISTORES Llamamos resistor a la componente de un circuito elctrico cuya conducta Al dibujar esquemas que reprees el indicado en

elctrica queda definida por su resistencia. la figura 2.

sentan circuitos, el smbolo que representa a un resistor

M/KWWW

Fig. 2

Tanto para la diferencia de potencial como para la corriente, deben tomarse sentidos de referencia o polaridad: para la diferencia de potencial se marcan signos + y - en los bornes de la componente, entendiendo as que V es la diferencia de potencial entre el borne marcado + y el - . ese sentido de cada de voltaje. Para la corriente, el sentido de la misma se indica por una flechita. to al del movimiento de las negativas. Los sentidos de referencia o polaridad del voltaje V y la corriente i consti tuyen una informacin imprescindible para definir sin ambigedades ambas mag nitudes. Obsrvese que la expresin V = Ri es vlida slo si se cumplen las convencio nes de polaridad para V e i que se indican en la figura 2. Ohm. El cambio de orientacin de una de ellas cambiar su signo en la expresin de la ley de Este sentido es, por convencin, el del movimiento de las cargas positivas, opues Se habla en

INFORMACION TECNOLOGICA:

RE*.: HIT. 098

6/6

CINTERFOR Ira. Edicin

CONDUCCIN ELCTRICA EN LOS SOLIDOS

La unidad de resistencia es el ohmio. Un ohmio es la resistencia de un conductor tal que^ al aplicarse entre sus bornes una tensin de 1 voltio, es recorrido por una corriente de 1 amperio.

m = 11
1A Supongamos ahora que la diferencia de potencial aplicada a un conductor es variable con el tiempo. bos elementos. Tal cosa sucede, por ejemplo, cuando entre una pila y un conductor interponemos una llave que permite conectar y desconectar amAl accionar reiteradamente la llave, el voltaje aplicado ten Se dice que el voltaje dr el valor del de la pila en los intervalos en que la llave est cerrada, y valdr cero en los intervalos en que est abierta. tiene una forma de onda rectangular. Un caso de gran importancia por sus

aplicaciones, se tiene cuando el generador aplica un voltaje que vara con el tiempo en forma sinusoidal (figura 3b).

Debe destacarse que en los casos de voltajes y corrientes variables con el tiempo, la ley de Ohm se cumple para los valores que tienen V e i en cada instante. Ejemplo: Sea una resistencia de 2Q. Aplicamos entre bornes los voltajes que evolucionan en el tiempo segn se in dica en la figura (3a. constante, 3b sinosoidal y 3c diente de sierra). Las corrientes que circulan tienen la misma forma grfica y valores de acuer do con las caractersticas del conductor. Fig. 3a v le&V Fig. 3b Fig.-3c

4V

5A

2A

fi
CONSTANTE . I S . 2fi 50A . SINUSOIDAL 6 sen t V = 3 sen t A i
M

DIENTE DE = ~

SIERRA i
m

2I

= 2A

= =A

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. HIT.

099 1/2

LOS RESISTORES EN CIRCUITOS

En las aplicaciones de los circuitos, los resistores se suelen interconectar en diversas configuraciones. lo (figura 1). Las conexiones elementales son:
serie

parale

AX

R,

MWXB
Sera

A X

XB

Fig. 1 En cada caso, el conjunto, desde sus terminales extremos A y B, se comporta como una resistencia cuyo valor es, respectivamente: caso serie: R = R. + R 0 s 1 2
R

caso paralelo: R =
p

3 R4

r3+r4

Ejemplo: Supongamos que se conectan dos resistores de 1 kft en serie y en paralelo. Calcular en ambos casos el valor de la resistencia equivalente. R = 1 + 1 = 2 kft

f f f r '5

Se observa que, en general, dado un resistor, al agregarle otro en serie, el valor de la resistencia total aumenta, mientras que s i se le agrega uno en paralelo, la resistencia total disminuye. En general, configuraciones ms complejas pueden reducirse a combinaciones de series y paralelos.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 098

672/6

LOS RESISTORES EN CIRCUITOS

Ejemplo: Sea el circuito de la figura 2, en que un resistor R se ha puesto en paralelo con un tramo de una resistencia variable (potencimetro).

BX Fig. 2 Se reconoce que entre A y B se tiene la serie de R^, con el parale lo de R y R 2

R AD AB

R? R = R. +
1 R +R

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 098

673/6

POTENCIA

Hasta aqu, hemos visto el fenmeno de la conduccin de corriente elctrica, sin explicar los mecanismos que la causan. Es claro que el pasaje de corriente a travs de una resistencia implica un
s u m i n i s t r o de energa.

Esa energa es provista por un generador, y se mide en wattios. En la resistencia, la energa recibida se manifiesta en dos hechos, que se pueden observar y medir: - el desarrollo de una corriente proporcional al voltaje aplicado (ley de Ohm) - la elevacin de temperatura del material (efecto Joule). Hay dos casos particulares de inters, en que la potencia disipada tiene una expresin sencilla: - en continua, es decir si V = cte. Ejemplo. p = R I
2

Calcular la potencia disipada por un resistor de 150f que tiene 30 v. aplicados entre sus bornes.

. I = JL R

150ft

= 0,2 A

p = R I 2 = 150 x OTZ2 = 6 W

- en alterna, es decir si voltaje y corriente son funciones sinusoidales del tiempo. En este caso, la potencia instantnea es una funcin que vara en forma peridica. ' y/1 , en que V e I son

Su valor medio, o potencia media es: P = -

las amplitudes de voltaje y corriente (figura 1).

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 100

2/2

CINTERFOI Ira. Edici

POTENCIA

/
Fig. 1

Resulta ms prctico trabajar con los valores y corriente, que se definen a s i :

eficaces

de voltaje

ef

V rr

ef

VT

Expresada en funcin de los valores eficaces, la potencia media es: P = RI Obsrvese que como RI
2

ef = V e f , la expresin anterior equivale a I , ef

P = V , ef Ejemplo.

Supongamos una estufa de 502 que trabaja a un voltaje eficaz de 220V. Calcular la potencia que entrega.

I ef - = = R

50

= 4>4 A

entonces

P = 220 x 4,4 = 968 W

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 098

675/6

LA RESISTENCIA COMO COMPONENTE ELECTRONICA.: EL RESISTOR Las resistencias con las que se trabaja en electrnica pueden clasificarse en dos tipos: f i j a s y variables (potencimetros). Entre las f i j a s se d i s tinguen varios tipos, segn la tecnologa de su fabricacin: a. Las de composicin, constituidas por una barra de material resistivo. Los materiales ms usados son el carbn y el g r a f i t o mezclados con resinas. b. Las de film, formadas por una pelcula de material r e s i s t i v o depositado sobre un ncleo aislante (vidrio, cermica o bakeli ta). c. Las de alambre bobinado. jas: - menos variacin con la temperatura; - amplios rangos de resistividad para las distintas aleaciones, lo cual permite fabricar resistores de alto valor con longitudes de alambres pequeos. Las aleaciones ms usadas son: Ni-Cu; Ni-Cr-Al y Ni-Cr.
Valores estndar

Los alambres empleados son de diver-

sas aleaciones, que ofrecen sobre los metales puros dos venta-

Con el f i n de uniformizar la fabricacin de resistores, diversas organizaciones de normas han establecido valores estndar para estos componentes. Los valores que forman una serie son tales que la relacin entre dos consecutivos es un factor constante. res.
Tabla de valores estandar

La serie de valores ms usual es la de 12 valo

10 15 18
12

Puede observarse que la relacin entre dos valores consecutivos es geomtrica. aproximadamente la misma, es dec i r esos valores son trminos de una progresin Es justamente a partir de este c r i t e rio que se han elegido los valores de la serie.

22

27 33 39 47 56 68
82

100

[CBCj
^ ^

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT.

101 2/5

LA RESISTENCIA COMO COMPONENTE ELECTRONICA: EL RESISTOR

CINTERFC

Ira. Edicit

Tolerancias

Cada resistor comercial se caracteriza, adems de su valor nominal, por su tolerancia, es decir la mxima desviacin que el valor real de la componente puede tener respecto del nominal antes de ser usada. les para las tolerancias son: + 20 %; 10 %; 5 %. Para usos c r t i c o s se requieren resistores de mayor precisin (tolerancia - 1 7o) que necesariamente deben poseer gran estabilidad. Los valores ms usua-

t Codigos de

colores

La informacin sobre valor nominal y tolerancia de un resistor se suele expresar codificada por medio de bandas de color pintadas sobre el cuerpo de la componente. los siguientes: Los valores numricos asociados a los distintos colores son

Color

Valor

Factor

Tolerancia

Negro Marrn Rojo Naranja Amarillo Verde Azul Violeta Gris Blanco Dorado Plata

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

1 10 102 103 104 105 106 107 108 109 10" 1 10~2 - 5% -10 %

CINTERFOR lea. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. :

HIT. 101

3/5

LA RESISTENCIA COMO COMPONENTE ELECTRONICA: EL RESISTOR Sobre el cuerpo del resistor y a partir de uno de sus extremos se pintan 3 4 bandas de colores (figura 1) que representan respectivamente:
V,

a
A B C D

Fig. 1 Primer dgito significativo del valor nominal Segundo dgito Factor multiplicador Si existe, indica la tolerancia. lerancia es 20 %. Ejemplo: Si las bandas son respectivamente: amarillo-violeta-rojo-plata, se trata de un resistor de 4700ft al 10 %. Si no existe, la to-

Limites

(Ratings)

Deben respetarse determinados lmites, en el empleo de cada resistencia. - Hay un limite


de potencia,

es decir una potencia mxima a d i s i Desde este punto de vista hay r e s i s -

par por la componente para que la temperatura de la misma no exceda determinado valor. tencias de 1 1 1 1 watt, etc. 8 4 2

Fsicamente, este lmite est vinculado con el tamao de la componente. Ser de fundamental importancia, al armar un circuito, verificar que el lmite de potencia de cada resistor supere, con cierta holgura, el valor de potencia que esa componente debe r disipar.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF- HIT. 103

2/3

LA RESISTENCIA COMO COMPONENTE ELECTRONICA: EL RESISTOR Ejemplo: Sea una resistencia de 2,2 kft con un voltaje aplicado de continua de 10 v. De qu lmite de potencia debe ser la componente? - La potencia disipada es:

CINTERFOR Ira. Edicir

P = J L =M L R 2200
o

= 0,045 w

De modo que un resistor de i-W = 0,125 W es adecuado.

- Hay un limite de voltaje nente, sin deteriorarla.

de trabajo, es decir, un valor mximo

para el voltaje que es posible aplicar continuamente a la compo-

Un parmetro importante de la resistencia es la estabilidad de su valor. A s , el valor de la resistencia de un resistor de carbn suele derivar con el tiempo en hasta un 2 %. Esta variacin puede ser mayor si se exceden momentneamente los lmites de potencia o voltaje, o debido al calentamiento excesivo producido al soldar la componente. La humedad ambiente tambin afecta el valor de la resistencia, pues tiende a aumentarla. En general, los resistores ms estables y que por tanto pueden ser ms preci sos son los bobinados y en segundo lugar los de film.

Efecto

de la

temperatura

Como sabemos, el lmite de potencia se fija de modo de no superar cierto valor de temperatura. Pero aun sin llegar al lmite, las variaciones de tempe Los coeficientes
de dependencia

ratura afectan el valor de la resistencia.

con la temperatura dependen del tipo de resistor. Para los de composicin, son del orden de - 0,25 % / C. Los de film son mejores, con coeficientes menores a - 0,05 % / C en las de carbn depositado y aun menores en aquellos que agregan pequeas cantidades de boro disperso en la pelcula de carbn.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 098

679/6

LA RESISTENCIA COMO COMPONENTE ELECTRONICA: EL RESISTOR Para los bobinados, el coeficiente depende del material del alambre. Para el cobre puro, el coeficiente es de 0,39 % / C pero baja fuertemente para las aleaciones especiales: Constantn Manganina Nichrome 0,001 % / C 0,003 % / C 0,02 % / C

Po teo icm e tro s

Son resistencias provistas de un tercer terminal mvil o cursor C (figura 2) Si la resistencia es recorrida por una cierta corriente, entre el cursor y un extremo, se dispone de una fraccin del voltaje total.

mmmmtmm' /r iC

+2

Fig. 2

Se distinguen dos tipos de potencimetros: lineales cional al desplazamiento del cursor.

logartmicos.

En los lineales, la resistencia entre cursor y extremo es linealmente propor

En los logartmicos, la relacin con el desplazamiento es de tipo exponenc i a l , de tal manera que al 50 % del desplazamiento corresponde una resistencia de alrededor del 10 % de la total. Los logartmicos encuentran aplicacin en controles de volumen de audio, ya que la respuesta del odo a sonidos de d i s t i n t a intensidad es aproximadamente logartmica.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. :

HIT. 102

1/1

APLICACIONES DE LAS RESISTENCIAS Aparte de las derivadas de la ley de Ohm, que tienen lugar destacado en los

< O

circuitos que se describen en el curso, podemos sealar otras aplicaciones de la resistencia.

UJ UJ >-

o < o I o t

CALEFACTOR

La potencia que se disipa como calor en todo resistor, se puede u t i l i z a r en diversos artefactos (estufas, planchas, calefones) y; en general, como cale factor en equipos industriales, hogareos y mdicos. El hecho de que superar el lmite de disipacin puede tener efecto destructi vo sobre la componente es utilizado deliberadamente en un caso particular, como proteccin del circuito: los fusibles.

Cd

8
o 1-4 o S
5 o

Vi

TEBMISTOR

Sea una barra de material semiconductor. Segn las propiedades de estos materiales resulta que el valor de su r e s i s tencia es funcin muy sensible de la temperatura. como el s i l i c i o , la resistencia disminuye un 8 %/C En un semiconductor puro, al subir la temperatura.

Esta propiedad se aprovecha precisamente en todas aquellas aplicaciones en que se necesite un transductor de temperatura (termometra, controles de tem peratura, medidas de potencia en microondas). Un resistor fabricado con este propsito se llama termistor.

cinterfor

INFORMACION TECNOLOGICA: PORTADORES DE CORRIENTE ELECTRICA

Ira. Edi

REF. : H: ^ B

1/3

or < 2 T X7 Al separarse un electrn del tomo, resultan dos tipos de cargas elctricas: * J . A I ' una partcula, el electrn, de carga negativa, y el tomo c o V y a u s e n c i ^ ^ un electrn, llamado in, de carga positiva. En lquidos y gases, los tomos disponen de gran libertad de movimiento, por lo que electrones y iones positivos constituyen portadores de carga elctrica de distinto signo. Como la masa de los iones es mucho mayor que la de los electrones, el movimiento de ambos presenta caractersticas diferentes. En estado solido3 aunque por razones distintas, tambin hay portadores de La caracterstica del estado slido es

'g
fe

L L J

O < O ii O t1

ce

UJ

cargas elctricas de distinto signo.

que los tomos se disponen en estructuras cristalinas f i j a s , por lo que al desvincularse un electrn del tomo, el electrn podr moverse bajo la accin de fuerzas elctricas, pero el in permanece unido a la estructura cris tal i na. Un electrn que ha roto su vnculo con un tomo deja un hueco en la estructu ra del tomo original, que queda con una carga global positiva, de magnitud igual a la del electrn. un tomo vecino. Ese hueco puede ser llenado por otro electrn de Todo sucede como si ese hueco, dotado de carga positiva,

o -1 o

se hubiera desplazado en sentido inverso al del movimiento del electrn. Este es el concepto de agujero (hole) o portador de carga positiva cuya im-

portancia surge del hecho de que en cada material son distintas las energas requeridas para separar un electrn de su tomo (es decir, crear un par elec trn-agujero) y para capturar con electrn libre (anulando un par electrnC \ J agujero). La existencia de portadores positivos encuentra gran aplicacin en los materiales semiconductores, en los que el agregado de determinadas impurezas a un material base, por ejemplo, s i l i c i o , da origen a un material en que los portadores de corriente son predominantemente electrones o agujeros. bla as de materiales En los metales
tipo n o tipo p respectivamente.

Se ha-

tambin existen portadores de ambos signos, aunque son muy

pocas las situaciones en que este hecho se pone en evidenci.

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

R E F - HIT. 103

2/3

PORTADORES DE CORRIENTE ELECTRICA


DISTRIBUCION DE CORRIENTE EN UN CONDUCTOR

CINTERFOR Ira. Edicir

La manera como se mueven los portadores de corriente elctrica en el seno de un conductor homogneo, depende de la forma del conductor y de la frecuencia de la corriente. En corriente continua, el factor determinante de la distribucin es la forma

del conductor: cambios bruscos de la seccin, ngulos, conexiones externas, t o r n i l l o s , afectan localmente la distribucin de la corriente, al punto de que estos hechos deben tenerse en cuenta en operaciones de medidas elctricas de precisin. En el caso ideal de un conductor rectilneo indefinido de seccin constante, la corriente se distribuye uniformemente. Este es el llamado conductor filiforme. rn aceptablemente a ese modelo s i : - son suficientemente largos (longitud decenas de veces mayor que el dimetro) y estn curvados con un radio varias veces mayor que el dimetro de su seccin. Esas dos condiciones se dan en la mayora de los casos prcticos. En corriente alterna, la distribucin de corriente no es uniforme. Se conLos conductores reales se aproxima-

centra en la periferia del conductor.

Al aumentar la frecuencia se concentra

cada vez ms en la superficie del conductor.

RESISTIVIDAD

Cuantitativamente, cada material se caracteriza por una constante propia: la


conductividad, simbolizada por Y (o su inversa la resistividad p).

Esta constante resume las caractersticas de: disponibilidad y movilidad de los portadores.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:HIT.

103

3/3

PORTADORES DE CORRIENTE ELECTRICA

TABLA DE RESISTIVIDADES DE ALGUNOS MATERIALES Material Al um i n i o Constantn CONDUCTORES Cobre H i erro Mercurio Germn i o Sil icio Cuarzo Resistividad a 20 C (en uftcm) 2,8 49 1,7 10 96 45 x 106 23 x 10 10 ^ io18

SEMICONDUCTORES

AISLANTES

RESISTENCIA DE CONDUCTORES FILIFORMES

En un conductor filiforme de longitud L, seccin de rea S, y resistividad P (figura 1) la resistencia R es: R = -y-

i D
Fig. 1 En el uso de esta expresin se debe tener particular cuidado con el manejo de las unidades. Ejemplo: Se tiene un conductor de cobre, de 10 cm. de largo y 0,1 mm. de dimetro. Calcular: 1) la resistencia del conductor; 2) la cada de tensin que provoca el pasaje de una corriente de ImA. R . J=fi- = 01 x l ^ x 1 0 - ^ x 4 S tr x 0,1 2 x 10" 6 V = RI = 0,216 x 10" 3
=

4xl?7 7 T

x 10"1

V = 0,216 mV.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: POTENCIA

REF. : HIT. 104

1/2

La potencia instantnea entregada a una componente de dos terminales (bipo< o '8 b lo) (figura 1) es el producto de la tensin y la corriente. 4a -

UJ

<c Q ii O I o

Fig. 1

tt

cc

p = v.i

La unidad de potencia es el wattio. 1 wattio = IV. x 1A. entonces p = Ri forma de

En el caso de una resistencia v = Ri calor.

La potencia entregada al resistor sabemos que se disipa en ste

La energa entregada al resistor en un intervalo breve de tiempo t, es: W = v.i t

Hay dos casos particulares de inters: - en continua, es decir si v(t) = V = cte. V = RI p = VI = RI 2 = V2 R - en alterna, la potencia instantnea es una funcin peridica Interesa su valor medio o potencia media. Siendo p (t) = v (t). i (t) v = VT Vef i = VT Ief Vef = R Ief
C\J

con: coswt coswt

p = 2 Vef Ief eos 2 wt = 2 Vef Ief p = Vef Ief + Vef Ief cos 2wt

(1 + cos 2

2wt

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA: POTENCIA

R E F . : H I T . 104

2/2

Se observa que la potencia instantnea tiene dos trminos: uno pulsante, de valor medio nulo y el otro f i j o , la potencia media: P = Vef Ief. (figura 2).

2 V 2 ef P = VefIef = RI ef = R p /

\
1

4i

P ef el

L 1

y
tf f

/\
*

>

V/
Fig.

J Af

t 2

Ejemplo: Sea una estufa de 502.

Calcular la potencia que disipa

si trabaja con un voltaje eficaz de:

a) 220 v.
P

b) 110 v.

- 5ef R
2202

= a 50

968 W

1102 P. = b 50

242 W

Obsrvese que al bajar el voltaje a la mitad, la potencia baja a la cuarta parte.

INFORMACION TECNOLOGICA: LOS RESISTORES EN CIRCUITOS

R E F

- : HIT.

105

1/3

Las expresiones de las resistencias equivalentes a una serie y paralelo sur gen de aplicar directamente la ley de Ohm. A s i , en el caso serie (figura 1).

A*

-AVWRt

V|

V,

>R2
Fig. 1

AB

= V

+ V

21

(R

V1'

si

en que

= R. , R_ 1 + 2

En el caso paralelo (figura 2)

ii

i2
R

AB

l + l
R

= V 2

AB

R R

1 2

AB

1 R2 1
+R

2
R

i = R i P

en que

R =

1 + R

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 105 2/3

CINTERFOR Ira. ^ ^ i a

LOS RESISTORES EN CIRCUITOS


MEDIDA DE RESISTENCIAS

La ley de Ohm permite medir una resistencia.

Bastar para ello medir el vol

taje en bornes del resistor y la corriente que lo recorre (figura 3).

Fig. 3a

Fig. 3b

El cociente de ambas medidas da el valor de la resistencia. Este es el llamado mtodo voltampertrntroo de medida de resistencias. La precisin del mismo es limitada por la propia presencia de los instrumentos de medida, tanto en la conexin de la figura 3a (el ampermetro mide la corriente por R ms la que deriva por el voltmetro) como en la de la figura 3b (el voltmetro mide la cada de tensin en R ms la cada en el ampermetro) .

PUENTES

Sea la configuracin de la figura 4, llamada puente A

Fig. 4

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: LOS RESISTORES EN CIRCUITOS

REF. : HIT. 105

3/3

Si entre A y B se aplica una tensin V, podemos calcular la tensin entre C y B:


R V

2
+ R

CB

V 2

Entre D y B:
V

DB

= -r
R

4
+ R

V 4

Si entre los puntos C y D conectamos un instrumento de medida de voltajes, ese instrumento leer 0 cuando est equilibrado.
La condicin de equilibrio e s : V^g - V^g

= VD .

Se dice en ese caso que el puente

R R 1 R 2

\l -

V
R

+ R

+ R

(R

= R

<

(R

R R

2 3

= R R

1 4

Esta condicin se recuerda fcilmente ya que expresa que deben ser


los productos de las resistencias cruzadas.

iguales

Vase que si una de las resistencias es desconocida, por ejemplo R^ = X y R^ es variable, variando R^ hasta conseguir el equilibrio del puente (lectura nula en el detector), podr medirse la resistencia desconocida: X = R Ro
J R

Se tiene asi un mtodo de medida ms preciso que el voltamperimtrico.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:HIT. 106

1/1

LA RESISTENCIA COMO COMPONENTE ELECTRONICA: EL RESISTOR

&
ce I o
LLJ

< O t(

Con respecto al limite de potencia vale la pena hacer una observacin que es general para toda componente. El limite lo establece, en r i g o r , la temperaSi se tura mxima admisible, estando implcita una temperatura ambiente. do proporcionalmente. Supongamos por ejemplo, que la temperatura mxima admisible es 120C, y para una temperatura ambiente de 40C el lmite es de 1W. da en la figura 1. Si la componente trabajar a una temperatura de 60C, la potencia disipada no podr superar 0,75W. p< u A\ 1H
Ut Xf$

I
UJ > -

trabaja a mayor temperatura ambiente, el lmite de potencia debe ser reduci-

o <
o
II

ce

tt

b Ui

La lnea de lmites se

40

30 C

20 C

>

Fig. 1

c\j

CINTERFOR ln. Edicin

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

B F:

E'

H I T . 112

1/2

APLICACIONES DE LAS RESISTENCIAS

DISEO DE UN CALEFACTOR
C

O
z

II

'8 t
LU _J L >-

Se quiere construir una plancha de 750W que trabaja a 220V De qu valor debe ser la resistencia de la plancha?

O < O I
II

P =

_vi . R

R =

J l P

J2o; 750

= 64,53^

o cu hC_> L _J UJ

PUENTES DE MEDIDA CON TERMISTOR

Supongamos un puente en el que.uno de los resistores es un termistor R gura 1). ciones: a. En el caso en que la potencia elctrica disipada en el termistor es despreciable, el voltaje entre C y D ser funcin de la temperatura del termistor.
peraturas.

(fi-

Veremos dos tipos de aplicaB *

Fig. 1

Se tiene a s un puente de medida de tem

Bastar colocar el termistor en el punto cuya tem-

peratura se desea determinar (por ejemplo, un horno). b. En el caso que el termistor est, con el puente, a temperatura ambiente y sea calentado slo en forma elctrica por el voltaje que alimenta el puente, el equilibrio del mismo se dar para un valor de la resistencia del trmistor. Dadas sus caractersticas, esto permite determinar la temperatura de equilibrio, la potencia disipada y por tanto el voltaje de alimentacin para el que se da el equilibrio. El puente funciona en este caso como sistema de medidas de tensiones.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 107

2/2

CINTERFOR Ira. Edicin

APLICACIONES DE LAS RESISTENCIAS

LAMPARA INCANDESCENTE

Consiste en una resistencia de tungsteno encapsulada al vacio. La resistencia del tungsteno vara con la temperatura, por lo que estas bombitas tienen aplicaciones similares a las de los termistores. A diferencia de stos, la resistencia de una bombita aumenta con la temperatura.

FOTORRESISTENCIAS Si a un material semiconductor se le suministra energa radiante bajo la for ma de luz, esta energa permite aumentar el numero de portadores disponibles para el transporte de corriente. cin. Este efecto se u t i l i z a en las fotorresisten c i a s , cuya resistencia disminuye fuertemente al subir el nivel de iluminaEsto permite alimentar un circuito con corriente, bajo la accin de la luz; por ejemplo, activando o no un rel mediante una fotorresistencia (figura 2).

i
C

Fig. 2

STRAIN GAGES

Son resistores cuyo valor depende de la deformacin que sufren. para medir tensiones y deformaciones de una estructura.
<

Se aplican
s

Como R =

la variacin porcentual de R es igual a la de L.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: LAS RESISTENCIAS EN ALTA FRECUENCIA

REF.: HIT 108

1/1

Es importante d i s t i n g u i r entre la resistencia como elemento ideal de teora de c i r c u i t o s , definida por la ley de Ohm: v = Ri, y el r e s i s t o r como componente real, cuya conducta se aproximar ms o menos a la del modelo ideal. Por ejemplo, es evidente que un resistor de alambre, por su propia construccin en bobinado, no se comportar como una resistencia pura, sino que tambin tendr un efecto de inductancia. En general, se llaman "parsitos" a esos efectos indeseados e inevitables en las componentes reales, que se ponen de manifiesto slo en determinados rangos de frecuencia. A s , un resistor real, en alta frecuencia, puede representarse por una combinacin de elementos ideales (figura 1). C es la capacidad parsita; L^ y L son las inductancias parsitas de los terminales de conexin. A frecuencias ms a l t a s , tampoco esta representacin es f i e l , y de be recurrirse a parmetros " d i s t r i buidos". Fig. 1

C rH l i i i o - n ( M I J V J m w U W ^ L 2 -I R

Otro efecto de importancia en alta frecuencia es el llamado efecto

skin.

Consiste en la concentracin de la corriente en la periferia de los conductores, por lo que ya no se puede suponer una distribucin uniforme de la den sidad de corriente. Se prueba que la densidad de corriente J, decrece exponencialmen.te hacia el interior de la superficie del conductor. El fenmeno se caracteriza por la 6 64 llamada profundidad de penetracin = 1 cm.
W

Vase que para f = 1 MHz, 6 es ya muy chico A la frecuencia de la red, f = 50Hz,

6 = 0,0066 cm.

= 0,94 cm., por lo que en conducto-

res gruesos (de distribucin de energa) el efecto es apreciable. Al reducirse por efecto skin la seccin t i l , aumenta la resistencia del con ductor.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF-^HIT. 109

1/8

LEYES DE KIRCHOFF

< o

ce

Introduccin

Las
sicas

leyes

de Kirchoff suministran relaciones entre corrientes o tensiones


de las componentes que posea.

de un circuito, independientes
o <
II

Son leyes

fisi

que reflejan propiedades muy generales de los fenmenos elctricos.

o ce
II

i o

La ley de los nudos refleja el hecho de que la carga elctrica no puede crearse ni desaparecer; la ley de las mallas refleja la conservacin de la energa en los circuitos elctricos.

#
VI

Estas leyes fundamentales de los circuitos, que se cumplen en cualquier condicin, suministran un mtodo de a n l i s i s y de diseo de los circuitos.
Generadores de voltaje

8
0

Los generadores de voltaje son dispositivos que suministran entre sus bornes una diferencia de potencial determinada. Una pila comn suministra una tensin continua de 1,5 voltios. Los enchufes domiciliarios nos permiten la conexin a un generador de tensin alterna, de caractersticas constantes: valor 220 o 110 voltios eficaces, frecuencia 50 a 60 ciclos por segundo. Debemos distinguir entre generadores ideales y reales. En el modelo ideal,

1
$
< / >

la diferencia de potencial del generador es una caracterstica propia del mismo, independiente del circuito al que se conecte, llamado carga (load). En este sentido hablamos por ejemplo de una pila de 1,5 V. En la realidad, sabemos que el voltaje que esa pila suministra depende en parte del circuito al que se conecta. Si la carga extrae de la pila una corriente grande, el voltaje que realmente provee la pila es ms pequeo. El smbolo con que se representa un generador de voltaje en el dibujo de un circuito elctrico se da en la figura 1,

INFORMACION TECNOLOGICA:

HIT. 109 2/8

ONTERFOR lta. Edicin

LEYES DE KIRCHOFF


Fig. 1 Para que la informacin sobre el generador quede definida sin ambigedades,
t

deben darse: la funcin de variacin de voltaje

con el tiempo y la

polaridad,

marcada por signos +, - , en los bornes respectivos. En un automvil, no alcanza con decir que se emplea una batera de 12 V; debe indicarse adems cul de sus bornes (positivo o negativo) se conecta a la masa metlica del vehculo. En el caso de los generadores de voltaje de continua, se suele emplear el smbolo de la Fig. 2, en el que la informacin de polaridad se da por medio de dos segmentos de distinta longitud. Convencionalmente, el segmento largo corresponde al terminal positivo.

-4=-

Fig. 2

CINTERFOR ldt. Edicin

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA: LEYES DE KIRCHOFF

REF.: HIT.109

3/8

Un conjunto de generadores y componentes interconectados constituyen un circuito elctrico (Fig. 3). Trabajaremos con circuitos por generadores de continua y resistores.
de continua,

formados

-MW

Ri

Fig. 3 Si el circuito posee capacitores (en corriente continua) se pueden eliminar sin que se altere la conducta elctrica. Si el circuito posee inductores, se comportan como resistores de baja resistencia. En todo circuito, voltajes y corrientes cumplen relaciones de dos tipos: a) En cada componente, la relacin entre voltajes y corrientes es una carac terstica de esa componente. Si la componente es un resistor, esa relacin es la ley de Ohm v = Ri. b) Hay otro tipo de relaciones que cumplen voltajes y corrientes: son relaciones que dependen de la forma como las componentes estn interconectadas, (Fig. 4) y se cumplen cualesquiera sean las componentes. Antes de enunciar estas relaciones definiremos ciertos conceptos que caracterizan la estructura de los circuitos.

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA: LEYES DE KIRCHOFF

REF.:

H I T . 109 4 / 8

CINTERIOJ

Ira. ^ ^ i r

La figura 4 se vincula directamente con la figura 3. Cada uno de los tramos corresponde a uno o ms elementos segn la correspondencia: AD BD AB DE CE EF BC CF generador
R2
R R v

1 4
V

generador
R R

5 3

Llamamos nudo a la unin de dos o ms elementos, tales como A, B, C, D, E,F. Llamamos malla a un circuito cerrado de elementos, tales como A B C E D A. Algunas mallas se reconocen inmediatamente en el dibujo del circuito (por
ejemplo B C E D B). Hay otras {por ejemplo B C F E D B ) o l a

que determinan

las componentes externas del dibujo: A B C F E D A, que son ms d i f c i l e s de reconocer.


Leyes de Kirohoff

Las leyes de Kirchoff son dos: 1) Ley de los nudos: En cada nudo la suma de las corrientes que llegan al nudo es igual a la suma de las corrientes que salen. En la figura 5: i^ + i^ = ^
+

"4

De no cumplirse esta ley, en el nudo se producira una acumulacin o desaparicin de cargas elctricas.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: BIT.109

5/8

li^DvJ

leyes DE KIRCHOFF

Fig. 5 2) Ley de las mallas: Sea la malla BCEDB de la figura 4. Esta malla se compone de cuatro elementos: BC, CE, ED y DB. Medimos con un voltmetro las diferencias de potencial en cada uno de estos elementos con su signo
pondiente. corres-

Esto quiere decir, por ejemplo, que si se toma como positiva la

diferencia de potencial cuando el borne positivo del voltmetro se encuentra en el primer nudo del elemento y negativa en el caso contrario, cuando se hace la siguiente medicin es necesario invertir los bornes del voltme tro. La ley de las mallas dice que la suma de las diferencias de potencial positivas coincide con la suma de las negativas para cualquier malla del c i r cuito. Tambin puede decirse que la suma algebraica de las diferencias de potencial, medidas ordenadamente en la malla, es cero.

Fig. 6

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 109 6/8

LEYES DE KIRCHOFF

CINTERFOR Ira. Edicin

Ejemplo:

El circuito de la figura 6 consta de una nica malla ABCA y de tres

elementos. Un voltmetro conectado ordenadamente en la malla (el borne + en el primer nudo y el borne - en el segundo) medira: elemento AB BC CA componente
R

diferencia de potencial + Rj i + R2 i - V

R2

generador V

Vale la pena observar que en el elemento CA, para tener la lectura V se debe conectar el voltmetro con el borne + en A y el - en C, lo cual significa invertir el orden de conexin que se segua en los elementos anteriores. Por es ta razn, la diferencia de potencial es negativa.La ley de mallas dice, igualando las diferencias de potencial positivas con las negativas: R 1 i + R2 i = V o bien, tomando la suma algebraica: Rj i + R 2 i - v = 0 Resulta equivalente escribir la diferencia de potencial entre los bornes de la fuente: v = R^i + R 2 i = (R 1 + R ) i

Conocida la tensin v del generador, queda determinada la corriente del c i r -

Fig. 7

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

109

7/8

LEYES DE KIRCHOFF

Ejemplo'. En el circuito de la Fig. 7, un generador alimenta un paralelo de

tres resistores. Quedan determinadas numerosas mallas, pero slo dos nudos: A y B. La ley de Kirchoff de nudos aplicada al nudo A dice: i = ij + i2 + i3 En el nudo B se obtiene la misma relacin. El a n l i s i s del circuito queda completado, pues se conocen,por la ley de Ohm, las corrientes en cada resistor: i i -J_ r2 i

Rj

R3

y por la ley de Kirchoff de nudos, la corriente que suministra la fuente:

Ejemplo: El circuito de la figura 8 est armado con resistencias de valores R = 50 ft R x = R 2 = 100 ft

INN-

XA

-XB

Fig. 6

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA: LEYES DE KIRCHOFF

REF.: HIT.

109

8/8

El generador E mide 10 V y la tensin entre A y B mide 8 V. Con estas medidas se pueden calcular las corrientes del nudo A:

= T

40

L=

IDO-

= 8 0 M A = 8 0 M A

Como es inmediato, no se cumple con la ley de nudos en A; i = i^ + i^ . Como conclusin, se obtiene que alguna de las resistencias del ciruito no posee el valor indicado. La resistencia R puede poseer un valor ms pequeo o Rj y R 2 un valor ms alto. Un a n l i s i s cuidadoso mostrara en este caso que es R la resistencia defectuosa. Este tipo de a n l i s i s corrientes de nudo se puede llevar a cabo mediante un voltmetro solamente y permite identificar zonas defectuosas en un circuito. Una vez identificados los principales culpables de la f a l l a , se puede a n a l i zar una por una estas componentes.

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA: TEOREMA DE THVENIN

M F

H I T . 110

1/6

El resultado conocido como teorema de Thvenin suministra un mtodo til y prctico para analizar, interpretar la conducta y disear circuitos. Caracteriza el circuito visto desde dos nudos. Esto quiere decir: el circuito que resulta de considerar dos bornes cualesquiera de un circuito complejo como una nueva componente de
circuito.

En general, entre dos bornes de un circuito existe una diferencia de potenc i a l . Por esta razn, el circuito visto desde esos bornes se presenta como
un cierto generador.

Si se coloca una resistencia entre los bornes elegidos, una carga para el
generador,

se alteran las corrientes del circuito y la tensin en los bor-

nes cambia. El generador considerado posee resistencia interna. El teorema de Thvenin permite caracterizar este generador.
Resistencia vista

Supongamos una red de resistores, red resistiva,

interconectados de cual-

quier manera. Fijados dos puntos A, B de la red, en general se reducir a un conjunto de conexiones tpicas (series, paralelos, etc.) que permiten definir un valor de resistencia equivalente. A esa resistencia equivalente se le llama resistencia vista desde los terminales A y B: R En la f i g . 1, desde los terminales A y B se ve una resistencia que se puede calcular por transformaciones sucesivas.

Fig.

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA: TEOREMA DE THEVENIN

REF.:

HIT.

110

2/5

CINTERFOR Ira. Edicin

En las sucesivas figuras (2, 3 y 4) se ilustra la transformacin del c i r c u i to suponiendo que todos los resistores valen 1 K a .

0,6

Fig. 2

Fig. 3

Fig. 4

Pese a su complejidad, desde los terminales A B esa red se comporta como un resistor, de 1,6 Kfl . Si conectamos A B a un generador de 10V extraer del mismo ser i_ 10 podemos afirmar que la corriente que

6,25 m A.

"1,6
El circuito de la figura 5 no puede ser transformado por este sistema, y no se reduce a sucesivas operaciones de serie y paralelo.

Fig. 5 En los casos en que la red resistiva no pueda reducirse a una combinacin de series y paralelos, siempre se puede calcular la resistencia vista R^g.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT. 110

3/6

TEOREMA DE THEVENIN

Imaginando (Fig. 6) una fuente de voltaje E conectada a sus terminales, si la corriente que ella suministra es i, resulta E

CIRCUITO RESISTIVO 9

Fig. 6

Voltaje

visto

Supongamos un circuito formado por generadores de continua y resistores. Muchas veces interesa analizar el circuito desde los nudos del mismo. Al voltaje que existe entre esos nudos cuando no se conecta a ellos ninguna resistencia de carga externa se le llama voltaje visto. Por ejemplo: en el divisor resistivo ( f i g . 7), el voltaje visto entre los terminales A y B es:

V AB

2 . v " R 1 + R2

-KA

xa

INFORMACION TECNOLOGICA:

HIT. 110

4/6

CINTERFC Ira. Edicir

TEOREMA DE THVENIN

Circuito

equivalente

de Thvenin

Los conceptos de resistencia vista y voltaje visto nos permiten dar un paso de gran importancia para el estudio de los circuitos. Dado un circuito con generadores y resistores interconectados de cualquier manera, desde dos nudos del mismo, la conducta del circuito queda caracterizada por dos magnitudes: el voltaje visto y la resistencia vista. Queda asi definido el circuito
equivalente de Thvenin

(fig. 8).

Para estudiar lo que pasa cuando entre A y B se conecta un resistor de carga externa, resulta mucho ms cmodo prescindir del circuito original y trabajar con su equivalente Thvenin.

AB

x a

Fig. 8

Ejemplo:

Volvamos al caso del divisor resistivo (Fig. 7). Vimos que el voltaRo
VAR
=

je de vacio desde A B es:


2
R

.
R

Para hallar la resistencia vista desde A B debemos considerar la red puramente resistiva. Para ello anulamos la fuente3 sustituyndola por su resistencia propia. En una fuente ideal, la resistencia propia es cero, por lo que susti tuimos la fuente por un conductor de resistencia 0 ( f i g . 9).

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 110

5/6

TEOREMA DE THEVENIN

En la red resistiva que resulta, es evidente que la resistencia vista desde A B es el paralelo de R^ y R^ :

R AB AB

Rl R2
Rj +R2

Ri Ro

-awy

Fig. 9

Fig. 10

Queda pues definido el equivalente Thvenin (fig. 10). Si entre los terminales A B del circuito original se conecta un resistor exterior, R^, ser mucho ms sencillo el anlisis empleando el equivalente The venrn: *AB mw
A

X B Fig. 11 Si por ejemplo: v = 10 V. R^ = R 2 = 1 K ^ , el equivalente Thvenin consta

de una fuente v^g = 5 V. en serie con una resistencia R ^ = 500 n= 0,5 K a

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA: TEOREMA DE THEVENIN

REF.

HIT.

110

6/6

Si conectamos una resistencia de carga R^, circular una corriente:


V

R L

AB
+ R

_ AB
R

5 L
+

0,5

la tensin entre A y B, ser:


R r

= VAB

L AB

_ 5 x

+ R

R l + 0,5

Para diferentes valores de R^ se tiene:

i 10 m A

0 10 100 500 1 K 10 K 100K

0 0,098 V 0,83 V 2,5 V

9,8 m A 8,3 m A 5 mA

3,3 m A 0,47mA 0,049mA

3,33 V 4,75 V 4,97 V

Podemos afirmar que si la resistencia R^ es mucho mayor que R^g, sobre tendr un voltaje prximo a 5 V. (Se dice que R^ no carga al circuito, una R l chica frente a R A B , el voltaje en R^ es mucho menor que V. (R^ al circuito.) Un generador real puede representarse por medio del equivalente Thvenin como un generador ideal y una resistencia R a r interna. Este ejt po ilustra sobre un criterio general: un generador de voltaje real se aproximar tanto mejor a un modelo ideal cuanto menor sea su resistencia
propia frente a la carga a la que se conecte.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. : HIT. 111

1/6

ANLISIS DE CIRCUITOS

Sabemos que en todo circuito de continua se cumplen leyes de Ohm en los resistores y leyes de Kirchoff de nudos y mallas. La aplicacin sistemtica de estas ecuaciones permite analizar los c i r c u i tos y determinar las corrientes y tensiones en cada componente. Existen diversos mtodos sistemticos. Las ventajas de cada uno depende de los resultados que se desean obtener. Antes de la aplicacin de los mtodos sistemticos, es necesario definir una orientacin para la corriente y un signo para la cada de tensin. En cada elemento del circuito, tomamos un sentido de referencia
l a c o r r i e n t e , que no t i e n e por qu c o i n c i d i r con el sentido real

para medir
de l a m i s -

ma; es slo una convencin que permite afirmar que si la corriente es positiva, el sentido de referencia elegido coincide con el sentido real, y si es negativa, el sentido real es opuesto al de referencia. Llamamos caida de tensin entre dos puntos del circuito, recorridos en cierto sentido, a la diferencia de potencial: potencial inicial menos potencial final. De acuerdo con la ley de Ohm, en un resistor recorrido en el mismo sentido de la corriente (Fig. 1) : se cumple V = V 1 - V2 = Ri; y

cambiando el sentido del recorrido: V0 - V1 = - Ri

CM

R
"2

Fig. 1

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA: A N L I S I S DE CIRCUITOS

REF.:HIT.

111

2/6

CINTERFO: Ira. Edici

1) Ley de los nudos. En cada nudo de un c i r c u i t o , la suma algebraica de las corrientes que a l llegan y de las que de l salen, es cero. De otra manera: la suma de las corrientes que llegan, es igual a la suma de las que salen. 2) Ley de las mallas. En cada malla de un c i r c u i t o , la suma algebraica de las cadas de potencial vale cero.
Mtodo de nudos

Elegimos como variables los voltajes

de oada nudo, referidos al de un nudo iba

se, que es usual mente la tierra del circuito. En la Fig. 2, tomamos los voltajes V A C , nudo C.
V

V g c de los nudos A y B referidos al

AC

= V

A " VC

BC

= V

B " VC

Fig. 2 Al trabajar con esos voltajes, las ecuaciones de Kirchoff de mallas se cumplen automticamente: en efecto, en la malla central por ejemplo:

(v A - v B ) + (v B - v c )

v c - VA) = 0

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA: A N L I S I S DE CIRCUITOS

REF. : H I T .

111

3/6

Por lo tanto, la propia eleccin de las variables voltajes de nudo asegura el cumplimiento de las leyes de Kirchoff de mallas. Basta plantear las l e yes de Kirchoff de nudos, en los distintos nudos. Nudo A : Nudo B : i = ij + i2 i1 = t 3
+

"i4

Para el nudo base C, la ecuacin que resulta i2 + i3 + i4 = i, no aporta nada nuevo. Es una consecuencia de las dos anteriores (resulta de sumarlas), por lo que no es necesario plantearla. Las corrientes pueden sor expresadas en funcin de los voltajes de nudos, por medio de la ley de Ohm:
V

A - VB K

etc.

El voltaje del nudo A es un dato: es el voltaje de la fuente Queda un nico voltaje incgnito: Vg

Nudo B: i^ = i^

i^

o sea:

v - v,

De esta ecuacin se obtiene el valor de Vg . Resulta

Vn

B ~ K3R4 + R 1 (R 3 + R 4 )

INFORMACION TECNOLOGICA:

R E F - HIT. 111 4/6

CINTERFC

ANLISIS DE CIRCUITOS

Ira. Edicir

La ecuacin del nudo A permite determinar la corriente que suministra la fuente: Nudo A: v - vB R

i = i2

i2 =

v R,

Ejemplo : Calcular el circuito equivalente Thvenin entre A B, del circuito de la figura 3.

R4 -AW-

l C R3 -AW- -AW-

X 8

Fig. 3

1) Voltaje

de vaco

Tomando B como nudo base, los voltajes de nudos son: v, v^ y v^ Nudo C : v - vc


R

vA - v c _ v c
R

Nudo A :

A " VC R 1

A ; v R,

De este sistema de ecuaciones con dos incgnitas, v^ y v A despejamos la que interesa:

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

REF.: HIT.

111

5/6

ANALISIS DE CIRCUITOS

R X (R 2 + R 3 ) + M R 3 + R f o + (Rj + R 2 ) ( R 3 + R 4 ) '

2) Resistencia vista.

Para calcularla, anulamos la fuente de voltaje y

miramos la red resultante desde AB (figura 4), que se puede dibujar, como en la figura 5, con R^ a tierra.

Fig. 4

Fig. 5

Desde A B, se ve el paralelo de R 4 con la serie de R 3 y el paralelo R^ R2,

x r

1 R2 pq+Rj

R 4 (R 1 +R 2 ) R 3 + R 2 R 2 R X R 2 + (R 1 +R 2 )(R 3 +R 4 )

"AB
R1+R2

Mtodo de mallas.

El mtodo de los nudos consiste en elegir variables (voltajes de nudos) que cumplen automticamente las leyes de Kirchoff de mallas y plantear las l e yes de Kirchoff de nudos como ecuaciones. Se puede proceder al revs: elegir variables (corrientes de mallas ) que cumplen automticamente las leyes de Kirchoff de nudos y plantear como ecuaciones las leyes de Kirchoff de mallas.

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA: A N A L I S I S DE CIRCUITOS

REF.:HIT.

111

6/6

En esto consiste el mtodo de mallas para el a n l i s i s de circuitos. Si bien ste es el mtodo tradicional de resolucin de circuitos, omitimos aqu su tratamiento por considerar que el mtodo de nudos es preferible. En efecto: - mientras las corrientes de mallas son variables f i c t i c i a s , los voltajes de nudos son variables reales. - las variables que interesa determinar en un circuito son usualmente voltajes y no corrientes. - el instrumento fundamental de la electrnica (el osciloscopio) permite la observacin directa de voltajes. Por otra parte, la observacin de corriente exige abrir circuitos, operacin por lo general d i f c i l .

CINTERFOR l n . Edicin

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

B E F

':

H I T . 112

1/2

FUENTES DE CORRIENTE

<c
o

As como se trabaja con fuentes de voltaje, nada impide a la teora de circuitos considerar fuentes de corriente3 al que se conecten. Las fuentes de corriente no tienen una implementacin real tan conocida como las de voltaje ( p i l a s ) , pero algunos fenmenos f s i c o s (descarga elctrica en gases) y dispositivos electrnicos (transistor) se comportan como generadores de corriente. Por otro lado, podemos ver cmo un circuito real puede aproximarse a una fuente de corriente. Sabemos que el circuito equivalente Thvenin consiste en una fuente de voltaje y una resistencia serie. Consideramos el caso de una resistencia serie muy grande frente a las posibles resistencias de carga ( f i g . 1). es decir, dispositivos que suministren una corriente determinada, independientemente del circuito

"8 O

o <

o tI o tI &L

I O
UJ

R=IOMn

mw y
lOkV

Fig. 1 Siempre que R^ sea mucho menor que R, la corriente que circula ser esencialmente constante, y determinada por R:

C\J

1 =

v R + R,

10 10

ImA

En general, dado el equivalente Thvenin de una fuente de voltaje real, podemos afirmar que: 1) Si R' es mucho menor que R^, se comporta como una .fuente de voltaje (si R = 0, es una fuente ideal de voltaje).

INFORMACION TECNOLOGICA:

M F

FUENTES DE CORRIENTE

HIT.

112

2/2

CINTERFOR Ira. I ^ ^ n

2) Si R es mucho mayor que R L , se comporta como una fuente de corriente ( s i R = o o , es una fuente ideal de corriente).-

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA: LA SINUSOIDE

REF

-:

H I T . 113 1/6

En el estudio de los circuitos elctricos resulta de fundamental importancia la forma de onda sinusoidal. En mltiples casos, es la forma de onda de voltaje y corrientes. En la d i s tribucin de energa domiciliaria se emplean voltajes sinusoidales. La seal elctrica correspondiente a un sonido puro es una sinusoide. La seal sinusoidal tiene una significacin terica muy fuerte: la conducta de un circuito frente a una seal sinusoidal permite caracterizarlo con gran generalidad y prever su comportamiento frente a seales peridicas
lesquiera. cua

En la figura 1 vemos una forma de onda sinusoidal. 1 y i

ii 9 i !1

/ \ ( > { \
k

/ > /
Jr

L 1

1 Fig. 1 En ordenadas se representa la magnitud y en abscisas se representa el tiem-

po t . El tamao de la seal se mide por la amplitud A. La variacin con el tiempo se mide a travs de: - el periodo T, es decir el intervalo de tiempo a partir del cual se repiten los valores de la seal. - la frecuencia f , es decir el nmero de ciclos o perodos que Se mide en herzios (ci

la onda cumple en la unidad de tiempo.

clos por segundo), cuya abreviatura es Hz. Ejemplo: una sinusoide, o en general una funcin peridica de perodo T = 0,25 seg., tendr una frecuencia f = 4 Hz.

INFORMACION TECNOLOGICA: LA S I N U S O I D E

REF.: HIT.

113

2/6

CINTERFC

lra^^ii

En la Fig. 2 vemos dos seales de igual frecuencia y distinta amplitud En la Fig. 3 vemos dos seales de igual amplitud y distinta frecuencia,

i 7 i t i i i i
-

i i i !

Fig. 2

Fig. 3

Una tercera caracterstica es la fase , que permite relacionar dos sinusoides respecto del tiempo. En la Fig. 4 vemos dos seales de amplitud y frecuen cia iguales pero de distinta fase.-

Fig.

INFORMACION TECNOLOGICA:
LA S I N U S O I D E

REF.:HIT.

113

3/6

Representacin

vectorial

La conducta de los circuitos elctricos bajo la accin de excitaciones sinusoidales (circuitos en alterna) puede estudiarse con las formas de onda en funcin del tiempo. Sin embargo, es ms cmodo recurrir a la representacin su fundamento. En la Fig. 5 se observa una circunferencia recorrida por el punto P a velocidad constante (movimiento circular uniforme).
vectorial

. Veamos

03

t a X

# i

g\
1

<

\ \ \ \

el Fig. 5 En cada instante, la ubicacin del punto P se define por el ngulo a que

el radio OP forma con el eje OX. A medida que P se mueve sobre la circunferencia, el punto Q, proyeccin de P sobre el eje vertical, se mueve entre las posiciones extremas A y B. Representando en correspondencia la posicin de Q en funcin del ngulo a se tiene una forma de onda sinusoidal. La amplitud est dada por el radio de la circunferencia. El ngulo a varia linealmente con el tiempo, de modo

INFORMACION TECNOLOGICA:
LA

BEP :

'

HIT 113

4/6

QNTERFOf

SINUSOIDE

Ira. Edicii

que P da una vuelta completa a la circunferencia (e cambia 360 o 2 1 radianes) en el tiempo de un periodo T. El nmero de vueltas que P da en la unidad de tiempo es la frecuencia La posicin inicial del punto P define la fase. Como vemos, toda la informacin que caracteriza a una forma de onda sinusoidal se puede dar en forma equivalente definiendo el vector 0P. Dibujemos el vector en una posicin f i j a . La sinusoide que representa se obtiene considerando su movimiento rotativo y la proyeccin sobre un eje. De esta manera alcanza con dar el vector f i j o , como una fotografa del mismo, sorprendido en su movimiento.
Suma de dos sinusoides

f.

Supongamos dos voltajes U y V-de igual frecuencia, defasados 60 ( f i g . 6).

V Fig. 6

Con esa representacin vectorial est dada toda la informacin a s . Si se desea representar las evoluciones de U y V con el tiempo, basta reite-

INFORMACION TECNOLOGICA:
LA S I N U S O I D E

REF.: H I T . 113

5/6

Intentemos sumar ambas ondas. Esta operacin interesa, por ejemplo, al a p l i car la ley de Kirchoff de mallas a un circuito en corriente alterna. En la figura 8 se reitera el diagrama de vectores y se agrega la seal W suma de l a s seales U y V. Esta seal se obtiene sumando el segmento OA de la seal U al segmento OB de la seal V en cada instante: OA + OB = OC. El resultado tiene el aspecto de una nueva sinusoide, de la misma frecuencia que U y V.

Fig. 8 Como corresponde con la representacin vectorial, A es la proyeccin de A' (extremo de U) y B es la proyeccin de B' (extremo de V). Dibujemos el punto C ' t diagonal del paral elogramo construido sobre U y V. Se tiene entonces que B ' C ' es igual y paralelo a U y que A ' C ' e s igual y paralelo a V. Como consecuencia, la proyeccin de B ' C ' es igual a OA y la proyeccin de A ' C ' es igual a OB. Como consecuencia,
la proyeccin de C' es C.

La seal W es, en todo instante, la proyeccin del punto C ' , vrtice del paral elogramo construido con los vectores U y V.

INFORMACION TECNOLOGICA:
LA S I N U S O I D E

MF.:hit,

H3

6/6

ONTERFO

1. Edicii

Tambin se puede decir que la seal suma es la proyeccin del vector W, obtenido como diagonal del paralelogramo construido con los vectores U y V. Con esta afirmacin, queda demostrado el hecho fundamental que la suma de
dos sinusoides cia., de la misma frecuencia es otra sinusoide de la misma frecuen-

Tambin queda demostrado que el vector


torial

W que genera la suma es la suma vecu y V.

(o

resultante)

de los vectores

Este resultado repite una

operacin que aparece en otras oportunidades (velocidades, fuerzas, e t c . ) . Si se suma un vector V consigo mismo, se tiene el vector doble, ver figura 9, que puede escribirse 2V. As se puede formar cualquier mltiplo de una sinusoide, operacin que cambia simplemente su amplitud. Si se considera la sinusoide opuesta o de signo contrario varse que coincide con V girada 180. permite restar vectores y sinusoides. de V, puede obser-

Se obtiene as el vector - V el cual

>2V
-V

u-v

Fig. 9

Fig. 10 fsta es la

En la figura 10 se muestra una construccin simplificada de la suma de dos vec tores, en la cual se omite el dibujo completo del paralelogramo. manera usual de trabajar. En la figura 11 se i l u s t r a el procedimiento de resta de dos sinusoides. Se forma el opuesto de V y luego se construye el tringulo que permite obtener la suma.

INFORMACION TECNOLOGICA:
DIAGRAMAS LOGARTMICOS

ra*.:

H I T . 114 1/3

En muchas oportunidades interesa analizar la relacin mite f i j a r tamaos


relativos.

de dos magnitudes f -

s i c a s , ms que su comparacin de tamaos. La relacin de dos magnitudes per-

Los rganos de los sentidos (y en particular el odo) identifican de magnitudes, ms que magnitudes absolutas: relacin
cin de frecuencias errores relativos,

relaciones

de intensidades

rela-

de un sonido. En un instrumento de medida interesan la relacin de cada rango de medida, etc.-

sus

Una manera de expresar los cocientes de dos magnitudes es a travs del

loga-

ritmo. En lugar de trabajar con la magnitud w se trabaja con la magnitud u: u = log w De esta manera, la relacin de dos magnitudes u: w2 U2 - u1 * log w2 - log w1 = log de dos magnitudes w , se convierte en
diferencia

Magnitudes en relacin
distancia

constante se encuentran, en expresin logartmica, a

constante.

Se llama dcada a la distancia entre dos magnitudes que corresponde a la relacin diez

: una magnitud es diez veces la otra, sus logaritmos difieren en f 1. Se llama octava a la distancia que corresponde a la relacin dos.

La octava proviene de la msica y se aplica, casi exclusivamente, a r e l a c i o nes de frecuencias. La distancia de la octava corresponde a 0,3 en unidades logartmicas.

I ai

I l l l l l l l l 02 03 05 07 I
4

I 2 Ioctava

l l l l l l l l 5 7 O

' Tir
w

l dcada

Fig.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 114

2/3

CINTERFO

DIAGRAMAS LOGARITMICOS

Edici Ira. Edici

Un segmento de longitud f i j a sobre este eje (por ejemplo un segmento de la octava), determina una relacin constante para la variable w (en el caso de la dcada, esa relacin es 10). En esta propiedad se basa la construccin de las reglas de cSlculo. La adopcin de una escala logartmica para la representacin de una variable resulta cmoda para representar magnitudes con rangos de variacin muy grandes (por ejemplo de tipo exponencial). Vemos en la Fig. 2 una curva de tipo exponencial (curva caracterstica de un diodo semiconductor de germanio representada en un diagrama convencio' nal). En la Fig. 3 la misma funcin est representada con diagrama
vltmico semiloga-

(as llamado porque en el eje de ordenadas se adopta la escala l o -

gartmica). Se observa que el crecimiento aparece como una recta en el diagrama semilogartmico. En la misma longitud, el eje graduado en escala l o gartmica cubre un rango de corriente de 1 a 100.000 y el lineal de 0 a 10.

ijnA

100.000 10.000

300

400

V.mv

100 200

300

400

500

V.FW

Fig. 2

Fig. 3

INFORMACION TECNOLOGICA:
DIAGRAMAS LOGARITMICOS

ra*-:

HIT.

114

3/3

A vaces interesa representar las dos variables con escala logartmica: es el caso de representar transferencias (medidas en decibeles) en funcin de la frecuencia. Se tienen a s diagramas doblemente logartmicos. (Fig. 4).

Fig. 4

CINTERFOR Ira. Edicin

^ l ^ K L J

^ INFORMACION TECNOLOGICA: DECIBELES

REF.: HIT. 115

1/3

En los casos en que el empleo de una medida logartmica presenta ventajas (por ejemplo, para medir intensidades sonoras) se introduce la nocin de
deoibel.

Esta nocin se aplica para expresar la relaoion

de dos magnitudes.
velaciones

Los dos casos ms interesantes de aplicacin son para expresar


de potencia O relaciones de voltaje.

Para dos potencias Pj y P^ , se define:


2i U = 10 log - p
P

el nmero de deoibeles

del cociente. Si las potencias se desarrollan sobre

una misma resistencia son proporcionales al cuadrado de los voltajes:

w Q

R
e2

i>
N = 10 log P
K

2=

2 R

E^ = 10 log f = 20 log EJ

E -Jb l

Esta ltima expresin es la que se usa para medir una relacin de voltajes
LU

(ganancia) en decibeles (dB). Las ventajas del uso de los decibeles en el manejo de las ganancias radica en su carcter logartmico: 1) La respuesta del odo a excitaciones sonoras es aproximadamente l o g a r t mica, por lo cual los decibeles son unidades ideales para la medida de intensidades de sonido.

INFORMACION TECNOLOGICA: DECIBELES

HIT.

115

2/3

ONTERFOR Ira. Edicin

2) Rangos muy amplios de ganancias se expresan en dB mediante valores razonables. 3) Dado un c i r c u i t o en el que reconocemos terminales de entrada y de salida, llamamos transferencia G= de voltaje G a la relacin (Fig. 1): v o l t a j e de s a l i d a _ Vo v o l t a j e de entrada ~ Vi

Fig. 1 Segn que Vo sea mayor o menor que Vi esa transferencia ser una ganancia
(G > 1) o una atenuacin (G < 1 ) .

Un circuito complejo puede considerarse, muchas veces, dividido en varias etapas, en cada una de las cuales se tiene una transferencia. (Fig. 2)

-V;

Fig. 2

La transferencia del circuito global se obtendr como producto de las de las d i s t i n t a s etapas. Dado el carcter logartmico de los decibeles, la transferencia global en dB dB
positivasj y

se obtiene sumando algebraicamente las transferencias en


son negativas.

de las d i s t i n t a s etapas. Obsrvese que, medidas en dB, las ganancias son


las atenuaciones

ONTERFOR

INFORMACION TECNOLOGICA: DECIBELES

R E F . : HIT.

115

3/3

Edicin

Ejemplo:

Si Gj es un amplificador de 20 dB

G2 un atenuador de 6'dB y G^ un

amplificador de 30 dB, el conjunto tendr una relacin de voltaje de: G = 20 - 6 + 30 = 44 dB, que corresponde a un amplificador de ganancia prxima a 200. Si G2 fuera un atenuador de 60 dB: G = 20 - 60 + 30 = 10 dB, lo cual co-

rresponde a una atenuacin prxima a 3.


TABLA DE VALORES

N dB 0 1 3 6 10 20 40 60 - 20 - 40 - 60

2/Pl 1 1,25 2 4 10 100

1 1,12 1,41 2 3,16 10 100 1.000 0,1 0,01 0,001

10.000 1.000.000 0,01 0,001 0,000

ONTERFOR

INFORMACION TECNOLOGICA: SERIES DE FOURIER

REF.: HIT. 116

1/4

l^fcEdicin

La suma de seales sinusoidales de la misma frecuencia es otra sinusoide de la misma frecuencia. Este resultado permite analizar los circuitos de corriente alterna. La superposicin de seales sinusoidales de diferentes
frecuencias

fe

conduce

o < o i o II

a resultados muy diferentes segn sean las frecuencias elegidas. La superpo sicin de un nivel
de continua

B a una sinusoide se i l u s t r a en la figura 1

b Lu _J UJ

i
w Q

Fig. 1 En circuitos elctricos con este tipo de seales, a B se le llama valor


dio me-

o valor

de continua

de la seal. La sinusoide es la -parte alterna

de la

mi sma. Consideramos ahora una seal compuesta por la superposicin de seales s i nusoidales de frecuencias d i s t i n t a s , mltiplos y = A sen 9
de una frecuencia fundamental'.

+ B sen 2e + C sen 3e + y tiene la misma frecuencia que su parte

Esa seal compuesta es peridica C\J _J UJ

fundamental: A sen 0 . Lo realmente importante de este tipo de sumas es que con e l l a s se llega a conformar ondas peridicas cualesquiera. Veamos un ejemplo: 1 1 y = eos 0 - eos 30h- -4- eos 50

INFORMACION TECNOLOGICA:
S E R I E S DE FOURIER

REF.:

HIT.

116 2/4

En la Fig. 2 se dibujan los tres trminos y el resultado de su superposicin Se observa que este se aproxima a una forma de onda
rectangular.

Una mejor aproximacin se lograra agregando a la seal compuesta trminos sucesivos:

cos 7e + 4 -

eos 90

etc.

Fig. 2

INFORMACION TECNOLOGICA: SERIES DE FOURIER

REF.: HIT. 116

3/4

En la Fig. 3

se dibuja la seal: y = eos 9 + - g - eos 30 + eos 50

que resulta una forma de onda aproximadamente triangular.

Fig. 3

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 116

4/4

CINTERFO

SERIES DE FOURIER

Ira. Edicin

En expresiones del tipo (llamadas series

de Fourier)

y = A + B cos 0 + C cos 2q
A s e l l a m a valor medio O de continua,

+ D cos 3o + ...

B eos

0 e s el valor

fundamental,

C e o s 2 9 , D c o s 3 0 , e t c . son l a s componentes armnicas sucesivas:

2 a . arm-

nica, 3a. armnica, etc. Este resultado tiene un valor terico muy fuerte: cualquier
peridica puede considerarse como superposicin de seales forma de onda sinusoidales de

ciertas frecuencias. Esto da a la seal sinusoidal una importancia esencial. Conocer el comportamiento de un circuito elctrico frente a una seal sinusoidal permitir conocer su comportamiento frente a seales peridicas cualesquiera.

CINTERFOR

INFORMACION TECNOLOGICA:
1

REF.: HIT. 117

1/4

Ira. Edicin

COMPONENTES EN CORRIENTE ALTERNA

En corriente continua, los resistores poseen una propiedad sumamente simple que los caracteriza: la corriente es proporcional a la tensin aplicada en sus bornes. En corriente alterna no es tan sencillo vincular la corriente y la tensin en una componente. Para caracterizar una componente en corriente alterna es necesario establecer la vinculacin entre los vectores voltaje y los vectores corriente. Adems de una relacin entre amplitudes, es necesario establecer claramente la relacin de fases entre V e I . En un resistor, los vectores V e I son colineales-(igual direccin y sentido) (Fig. 1).

I H

Fig. 1 Las amplitudes cumplen la ley de Ohm. En un inductor3 los vectores estn a 90: I est 90 atrasado respecto de V (figura 2).

J I if

V ^ w

Fig. 2

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT. 117| 2/4

COMPONENTES EN CORRIENTE ALTERNA

ONTERFOR Ira. Edicin

En un capacitors

los vectores estn tambin a 90 pero ahora I est 90 ade-

lantado a V (figura 3).

Fig. 3

El hecho de que en un resistor, V e I estn en fase, significa que, de acuerdo con lo visto, ambos presentan simultneamente mximos, mnimos y ceros (figura 4). En un inductor o capacitor, el defasaje de 90 se traduce en el hecho de que los extremos (mximo y mnimo) sa. el de un capacitor. de V coinciden con los ceros de I y viceverel cero de un inductor y en la figura 6 En la figura 5 se representa

i i i

! L!

! !
t

VFig. 4

A/Fig. 5 Fig. 6

INFORMACION TECNOLOGICA: COMPONENTES EN CORRIENTE ALTERNA

R E F

. : H I T . 111

3/6

En un r e s i s t o r , la relacin entre V e I es independiente de la frecuencia: V = RI En un inductor, s i L es la inductancia y f la frecuencia: V = L 2 irf. I La expresin L 2fl" f que vincula las magnitudes de voltaje y corriente se
llama reactancia inductiva'.

X L = L 2n f La reactancia inductiva crece proporcional mente a la frecuencia. frecuencia es muy chica, tambin lo es XL y V para I dado. En el caso limite f = 0, estamos en rgimen de continua y V = 0, es decir que el inductor acta como un cortocircuito. En un capacitor, s i C es la capacidad y f la frecuencia: I = m C2u f . V Si la

- w r - ' 1 C2ir f

Xr _
u

La reactancia

capacitiva

X c vara en forma inversamente proporcional a la

frecuencia. A frecuencias muy chicas, la reactancia capacitiva es muy a l t a . Esto corresponde a la conducta de un capacitor en circuitos de continua, como una componente que bloquea el pasaje de la corriente. (Para V dado, al bajar f , X^ crece, e I baja.) A frecuencias muy a l t a s , la reactancia capacitiva es muy chica y el capac i t o r acta como un cortocircuito.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF-'- H I T . 117

4/4

COMPONENTES EN CORRIENTE ALTERNA

Las reactancias>

tanto inductivas como capacitivas, se miden en ohms. Este


frecuencia

hecho es natural, puesto que son el cociente de un voltaje por una corriente. A diferencia de una resistencia, la reactancia depende de la
a que trabaja la componente.

Ejemplo:

Un inductor de 2 honrios tiene a 50 Hz una reactancia de: XL = 2 x 50 x 2 = 628&

Si se aplica en sus bornes una tensin de 220 V. 50 Hz circula una corriente de:

V
XL

_ 220
628

_ 0,35 A.

El mismo inductor en 500 Hz tendra 6,28 K^ de reactancia y la corriente sera solamente 35 mA.
Ejemplo:

El circuito de la Fig. 7 en continua se reduce al de la Fig. 8 (ca-

pacitores son circuitos abiertos e inductores son cortocircuitos). En frecuencias muy altas, el circuito se reduce al de la Fig. 9 (capacitores son cortocircuitos e inductores son circuitos abiertos). Ri C

Fig. 7

4NN-

Fig. 8

Fig. 9

CINTERFOR

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 118

1/3

lcwfdicin

CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA

< o

Las leyes de Kirchoff se cumplen cualesquiera sean las formas de onda de voltajes y corrientes. Los mtodos de a n l i s i s de circuitos aplicados a los circuitos de continua

UJ

o < o

son tambin aplicables

a los circuitos

de alterna.

La nica diferencia es-

I II

t en que en cada componente, las relaciones voltaje-corriente sern las impedancias que correspondan a esa componente.
Ejemplo7 Sea el paralelo L, C, R de la figura 1.

f O
U J _J UJ

8 8 P Fig. 1

i = Q 8i

Lwj

+ CwjE +

= E

+ Cwj

1 Lwj

La admitancia del paralelo es:


+

P ="

f = ~ i r

t T =

_1_ +

1 - LCw' Lwj

C\J

La admitancia tiene una parte real f i j a y otra, imaginaria, que es funcin


2

de w y que se anula cuando 1 - LCW = 0. En este caso, la magnitud de la admitancia es mnima; es decir que la impedancia es mxima. Decimos que, en ese caso, el circuito est en resonancia. La condicin de resonancia es: L C W = 1
Ejemplo:

Si L = lm Hy. w =
2 = 10

C ,= yF
10

, calcular la frecuencia de resonancia.

LC

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

H I T . 118

2/3

ONTERFOR Ira. Edicin

CIRCUITOS EN CORRIENTE ALTERNA

w = 10* f = 10v = 15,9 KHz

Ejemplo:

En el circuito de la Fig. 2 calcular la tensin de salida Vo i MW c: fi - NM \R

VO

Fig. 2

Llamando V^ a la tensin del nudo 1 y escribiendo la ecuacin de ese nudo:

E - V

2 (E - V x ) = 2Rcwj \I1 + Vx

2E = (3 + 2RCwj) V

V, = 1

2E 3 + 2RCwj

Vo =-

3 + 2RCwj

Ejemplo:

En el circuito de la Fig. 3, calcular el equivalente Thvenin entre

A, B. Hallar las condiciones en las que la impedancia vista es una resistencia pura.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. HIT. 118

3/3

CIRCUITOS EN CORRIENTE ALTERNA

R R

:c
"X 8

Fig. 3 I = Cwj 2R + Lwj + 1 - LCw2 + 2RCwj

'AB

= (R + - i - ) I = Cwj

1 + RCwj 1 - LCw + 2R Cwj

E.

La impedancia vista es el paralelo de las series R - C y R - L. 7 R+

AB

~Cwj~

(R + Lwj)

R(1 - LCw2)

(L + R2C)wj

2R + Lwj +

1 - LCw2 + 2RC wj

para que sea real:

g ^ j

debe ocurrir alguna de las alternativas

1) 2) 3)

a = c = 0 b = d = 0 b = d

En nuestro caso: 1) 1 - LCW2 = 0 2) 3) w= 0 L + R C =


2

o sea:

LCW = 1

ZAB = ZAB = R

2r

2RC

o sea: L = R C

AB

= R

cualc u , era

sea l ' ' frecuencia .

la

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF :

'

HIT. 119

1/5

IMPEDANCIA

La impemcia generaliza, en corriente alterna, la nocin de resistencia. O


od b

El estudio de las componentes en forma vectorial permite introducir esta nocin. Las relaciones entre tensin y corriente en los componentes R, L, C, se pue-

o <

den escribir, en forma vectorial: En un resistor : En un inductor : En un capacitor: V = R I V = Lwj I I = Cwj V

o ( ) o cu

' R I

O o 1-1 o I ?

8
t-H

V=Lu/jI

1-CamJV

Fig. 1 La aplicacin sistemtica de estas expresiones nos permite analizar los circuitos en rgimen de corriente alterna.
Ejemplo:

C\J

En la Fig. 2 se tiene una fuente de tensin: E cos wt. Aplicando la

ley de Kirchoff de mallas y el mtodo vectorial:

INFORMACION TECNOLOGICA: IMPEDANCIA

R E F , :

HIT.

119 2/5

CINTERFOR

Ira. Edicin

Hh

Fig. 2

E =

Cwj

I + R I =

(1 + RCWj) r 1 Cw]

Esta expresin se puede representar grficamente como indica la figura 3.

Fig. 3 El voltaje en bornes de R est representado por el vector RI


R wj V RT g E v - R I = " I+RCw 11

Los voltajes instantneos en las componentes se obtienen considerando la rotacin de los vectores con pulsacin w y el movimiento de su proyeccin. Si a partir de las relaciones de las componentes R, L, C, despejamos el cocien te V, resulta respectivamente: I = R = Lwj

Cwj

INFORMACION TECNOLOGICA: IMPEDANCIA

REF.: HIT.

119

3/5

Estas relaciones deben interpretarse con cuidado. En un caso es un nmero R; los vectores V e I son colineales. En los otros casos rene informacin numrica , de las amplitudes de los vectores y de posicin,

a travs del operador

j. En general, la relacin se llama impedancia y caracteriza a la componente,

Para inductores y capacitores, el valor numrico de la impedancia recibe el nombre de reactancia. La reactancia de un capacitor,o reactancia capacitiva, es el nmero: Xc = 1 Cw

La reactancia de un inductor, o reactancia inductiva o slfica, es el nmero XL Lw

La nocin de impedancia, que vimos para las componentes elementales, se puede generalizar. Toda vez que en un conjunto de componentes interconectadas se llegue a una relacin V/I que caracteriza a esa estructura, le llamaremos vrrrpedancia 1 de la misma. En la Fig. 2, la impedancia del circuito al que se conecta la fuente es: 1 Cwj
+

Las propiedades que cumplen las resistencias en los circuitos de continua se generalizan para las impedancias en los circuitos de alterna. La serie de dos impedancias Z^ y es:

= Z1

INFORMACION TECNOLOGICA: IMPEDANCIA

REF.:

HIT<

119

4/5

CINTERFOR Ira. Edicin

El paralelo de Z^ y Z 2 es
Z

Z =

z1

1 Z2
+

z2

Ejemplo:

Calcular en alterna el paralelo de la figura 4.

Fig. 4 R. Z = 1 Cwj R + 1 wj"

R 1 + RCwj

Es frecuente la aparicin de expresiones combinadas de nmeros y operadores j Para interpretar el sentido de una expresin del tipo: 1 a+bj en la que j aparece en el denominador, conviene multiplicar numerador y denominador por a-bj
Ejemplo:

(llamada conjugada de a + bj).


=

Dado el vector V (Fig. 5) dibujar el vector u

_1 1+)

Fig. 5

INFORMACION TECNOLOGICA: IMPEDANCIA

REF.:

HIT.119

5/5

1 . 1 . vvr r r " r+T

1 - j
r

V = v

1 - J w V=

V-

4 -

j V

Esta expresin se interpreta como un nmero y una combinacin nmero-operador, A la inversa de una impedancia Z se le llama admitancia Y. La admitancia de una componente es la relacin entre corriente y voltaje en sus bornes. Para las componentes bsicas R, L, C, las admitancias son, respectivamente:

R R = - 1 IT

L=

Lwj

Yc

Cwj


ONTERFOR ICE. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. : HIT. 120

1/3

CARGA Y DESCARGA DE UN CAPACITOR

El capacitor

es una de las componentes bsicas de los circuitos elctricos

(Fig. 1). Su-propiedad fundamental es la capacidad para almacenar carga elc trica. Por esta razn, las propiedades de carga y descarga son las fundamentales.

C 1|
o

Fig. 1 Si en el circuito de la Fig. 2 cerramos la llave S y observamos en un o s c i loscopio el voltaje en bornes del capacitor C, se tendr la forma de onda dibujada en la Fig. 3.

u Q

8 Q
i r
C

Fig. 2

Fig. 3

En el instante inicial ese voltaje es cero, y crece hasta alcanzar el valor E del voltaje de la fuente. Este es el proceso de carga de un
capacitor.

A partir de un instante (tal como T) el voltaje del capacitor ha alcanzado prcticamente el valor E. Decimos que el capacitor
est cargado.

Se manten-

dr cargado s i lo retiramos del circuito (figura 4).

INFORMACION TECNOLOGICA: CARGA Y DESCARGA DE UN CAPACITOR

REF-:

HIT.

120

2/3

QNTERFOE

Ira. Edicin

+E II C Fig. 4

En el circuito de la Fig. 5, conectamos el capacitor cargado C a un resistor R, por medio de una llave S.

A?
Ett C

Fig. 5 Cerrando la llave S y observando el voltaje en el osciloscopio, se aprecia una forma de onda como la dibujada en la (figura 6).

Fig. 6 El capacitor acta como una fuente de voltaje. Ese voltaje, a diferencia de lo que sucede con un generador de continua, no es constante. Inicialmente es E y decae luego hasta cero.

CINTERFOR Ira. Edicin

, INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 120

3/3

Iv-'DV^J

CARGA Y DESCARGA DE UN CAPACITOR

E s t e es el proceso de descarga de un

capacitor.

Los procesos de carga y descarga de un capacitor permiten enunciar las propiedades fundamentales de esta componente.
El c a p a c i t o r es un dispositivo que almacena carga elctrica. En el circuito

de la Fig. 5, el nico generador es el capacitor. La corriente que circula en ese circuito al cerrar la llave -que puede ser detectada intercalando un ampermetro- es causada por el movimiento de las cargas almacenadas previamente en el capacitor. La relacin entre la carga almacenada Q y el voltaje adquirido V es una constante que caracteriza al capacitor, llamada capacidad C: O

R V

La carga Q almacenada en el capacitor es proporcional al voltaje V: Q = CV La diferencia de potencial V se mide en Voltios. La carga elctrica Q se mide en Coulomb. La unidad de capacidad se llama Faradio. i c.v.^^ Faradl 1 Coulomb " 1 Voltio

En las aplicaciones usuales se manejan capacidades de valores mucho menores que 1 Faradio y por eso se miden en submltiplos adecuados: 1 microfaradio (uF ) = 10 1 nanofaradio 1 picofaradio (n F) = 10
12

F F

(p F) = 10" F

INFORMACION TECNOLOGICA: EL CAPACITOR EN CIRCUITOS

REF.: HIT.

121

1/9

El proceso de carga y descarga de un capacitor caracteriza en forma completa su conducta como componente elctrica. A su vez, la relacin: Q = CV que vincula la tensin V, la carga Q y la capacidad C es su ecuacin fundamental . En el caso de la descarga de un capacitor inicialmente cargado (Fig. 1), al cerrar la llave, la corriente que circula corresponde a la disminucin de la carga almacenada.

r
+ J.

Fig. 1 El capacitor funciona como un generador de voltaje, pero el voltaje que suministra cae a expensas de la corriente. Al anularse la carga almacenada, no circula ms corriente: el capacitor se ha descargado. En el caso de la carga de un capacitor (Fig. 2) la corriente circula en sentido inverso, aportando cargas que se almacenan en el capacitor. La corriente se anula cuando se iguala el voltaje de C con el del generador E.

j .

Fig. 2

INFORMACION TECNOLOGICA: EL CAPACITOR EN CIRCUITOS

REF.:

HIT.

121 2/9

CINTERFOR Ir*. Edicin

Circuitos

de continua

En circuitos

de continua,

podemos afirmar que despus de transcurrido un cier-

to tiempo, que llamamos transitorio, los capacitores quedan cargados al valor que corresponda, comportndose, a los efectos del a n l i s i s del circuito, como circuitos abiertos.
Ejemplo:

En el circuito de la Fig. 3,

E = 10 V. R 1 = R 2 = 1K n

C = 1 yF

V\
E *T

R,

-X A C -XB

Rz

Fig. 3

Pasado el transitorio

de carga de C , podemos ignorar su presencia para deter-

minar el voltaje entre A y B. V AB =


R1
R

2
+

E = 5V
R2

La carga que ha adquirido el capacitor vale: Q = C V = 5


Ejemplo:

Coulomb C = 1 nF

En el circuito de la Fig. 4

E = 10 V Rj = R 2 = R 3 =

ONTERFOR Ira. Edicin

ICBCJ

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF

- ' HIT.

121

3/9

EL CAPACITOR EN CIRCUITOS

>

MA

Fig. 4

Pasado el transitorio,

C queda c a r g a d o a 5 V

con l a p o l a r i d a d que se abierto,

indica.

Una vez cargado, se comporta como un circuito culando corriente por R^ y R 2 , pero no por R^.

de modo que seguir c i r -

Se dice que el capacitor bloquea el pasaje de la corriente El resultado


final

continua.

en los circuitos de las figuras 3 y 4 es el mismo. Circula la


transitorio.

misma corriente por las resistencias R^ y R 2 y el capacitor posee la tensin de 5 V y la carga de 5 Coulomb. La nica diferencia existe durante el El proceso de carga en el segundo caso es ms lento que en el primero.
Transitorios en circuitos

Del estudio del transitorio de carga (Fig. 5) podemos extraer conclusiones que permiten caracterizar la conducta de un capacitor en todo transitorio.

Fig. 5

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

REF

* : HIT. 121 4/9

EL CAPACITOR EN CIRCUITOS

El voltaje en bornes del capacitor no experimenta saltos. Era cero antes de cerrar la llave, lo es en el instante inmediatamente siguiente. Este resultado se expresa diciendo que el capacitor es, inicialmente, un
cortocircuito.

Este resultado permite calcular la corriente que circula por el capacitor en el instante de cerrar la llave: coincide con la corriente que circula si se reemplaza el capacitor por un cortocircuito.
Ejemplo:

En el circuito de la figura 5, la corriente inicial

de carga vale:

I =

En el circuito de la figura 3 la corriente inicial de carga vale 10 m A (corriente que aplica E sobre R p con C en cortocircuito); en el circuito de la figura 4 vale 3,33 m A solamente. En el estado inicial del transitorio, los capacitores actan como
cuito. cortocir-

En el estado f i n a l , actan como circuitos

abiertos.

Durante el tran-

s i t o r i o , los voltajes evolucionan entre los valores correspondientes a los estados inicial y f i n a l . La velocidad a que ocurre la carga o la descarga de un capacitor en un circui to queda caracterizada por la constante de tiempo del
circuito.

La constante de tiempo es el producto de la capacidad por la resistencia que carga al capacitor. En el circuito de la figura 5, se tiene: T = RC Esta constante se mide en segundos, pero es necesario emplear correctamente las unidades de R y de C: Si R = 100 C = 0,01 vF, Si R = 1 K C = U F, T = 100 x 0,01 = 1 u seg. T = 103 x 10" 6 = 1 m seg.

En el segundo caso, el transitorio es mucho ms lento que el primero.

INFORMACION TECNOLOGICA: EL CAPACITOR EN CIRCUITOS

REF.: H I T .

121

5/9

Fig. 6

En la figura 6 se relaciona el valor de la constante de tiempo con la curva de carga o de descarga de un capacitor. Como puede apreciarse, en el tiempo de una constante de tiempo se llega al 63% del valor f i n a l ; en dos constantes de tiempo se alcanza el 86%. En tres constantes de tiempos prcticamente el transitorio ha terminado. La constante de tiempo se vincula con la tangente inicial de la curva de carga o de descarga, como muestra tambin la figura 6. Ejemplo: En el circuito de la figura 3, si se aplica el teorema de Thvenin, coincide con la figura 5. R ser la resistencia vista desde A y B, o sea, el paralelo de R^ y R 2 - Se tiene entonces: R = 0,5 Kfi T = 0,5 x 10 3 x 10""6 = 0,5 milisegundos. Este valor de la constante de tiempo muestra que en pocos dcimos de segundo ha terminado completamente el transitorio.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. : H I T .

3/3

EL CAPACITOR EN CIRCUITOS

Ejemplo:

En el circuito de la figura 4, la resistencia vista por el capaci-

tor est formada por la suma de R^ y el paralelo de Rj y R2 . Se tiene entonces: R = 1,5 K 8 T = 1,5 x 10
o

x 10"

= 1 , 5 mil i segundos.

El transitorio ocurre ms lento que en el circuito de la figura 3.


Circuitos de alterna

Supongamos que el voltaje aplicado a un capacitor es variable con el tiempo (figura 7).

Fig. 7 En una zona como la A o C, en que ese voltaje se mantiene casi constante, la carga almacenada no vara y por lo tanto la corriente debe ser cero. En una zona como B, en la que el voltaje est variando rpidamenente con descarga, la disminucin de cargas que eso implica se logra mediante una corrien te tanto ms grande cuanto ms rpida sea la disminucin de voltaje.En una zona como D, la corriente ser tambin grande, pero de sentido contrar i o , pues corresponde a un proceso de carga.
En el caso de un voltaje tambin sinusoidal. aplicado sinusoidal ( F i g . 8) la corriente resulta

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

^ F . : HIT. 121 7/9

EL CAPACITOR EN CIRCUITOS

Fig. 8 De acuerdo con lo estudiado en la figura 7, los ceros de la corriente coinci den con los mximos y mnimos del voltaje. ponden a los ceros de carga del voltaje. La relacin entre voltaje y corriente se traduce en un defasaje de 90 en los vectores correspondientes: el vector
tor voltaje V ( f i g u r a 9).
corriente I est 90 adelantado al vec-

Los mximos de corriente coinci-

den con los ceros de descarga del voltaje. Los mnimos de corriente corres-

Fig. 9 La amplitud de la corriente que circula es proporcional a la amplitud del

INFORMACION TECNOLOGICA: EL CAPACITOR EN CIRCUITOS

REF.

HIT.

121 8/9

voltaje aplicado al capacitor: la corriente es la carga que circula en la unidad de tiempo; siendo la carga proporcional a la capacidad C y al voltaje V aplicado, lo mismo ocurrir para la corriente. La frecuencia de la corriente alterna interviene en la relacin entre voltaje y corriente. En la figura 10 se presentan dos voltajes sinusoidales de di ferente frecuencia.

Fig. 10 Entre los mismos valores, V^ y V 2 , variacin del voltaje ser ms rpida

en el de mayor frecuencia. Una variacin de voltaje ms rpida implica una corriente ms grande, ya que la corriente debe extraer la misma carga en un intervalo de tiempo menor. El tiempo que se emplea en pasar de V^ a V 2 es inversamente proporcional a la frecuencia de la onda. Se tiene entonces que
la amplitud de la corriente es proporcional a la frecuencia.

En definitiva: si la forma de onda del voltaje aplicado a un capacitor es sinusoidal, tambin lo es la de la corriente, y su amplitud cumple la relacin: I = C. 2yf.V V = 1 C.2yf I

A la expresin que relaciona ambas amplitudes se le llama reactancia


tiva Xq :
X

capaci-

1 C. 2yf

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. : H I T .

9 3/3

EL CAPACITOR EN CIRCUITOS

La reactancia capacitiva se mide en ohms. Este hecho es natural, puesto que es el cociente de un voltaje y una corriente. A diferencia de una resistencia, la reactancia capacitiva depende de la frecuencia de trabajo.
Ejemplo-. Un capacitor de 1 y F posee en 50 Hz una reactancia capacitiva de:

C =

1 2 x 50 x 10
-6

= 3,18 K n

CINTERFOR

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. :HIT.

122

1/4

CIRCUITOS IMPRESOS

Los circuitos impresos (printed

circuits)

son conductores elctricos con for

ma de lmina, adheridos a una chapa aislante. Esta disposicin suministra s i multneamente el mecanismo de montaje de las componentes de un circuito as como la interconexin y , a veces, el blindaje u otros elementos propios del circuito. Las ventajas del empleo de circuitos impresos frente a los montajes y cablea dos convencionales son mltiples: 1. Suministra una posicin precisa de las componentes, lo cual permite automatizar los mtodos de fabricacin y la intercambiabilidad de partes. 2. Permiten realizar en forma muy simple la operacin de cableado, usualmente la ms lenta de todo el armado de equipos electrnicos. 3. 4. 5. Simplifican la inspeccin y el mantenimiento. Reducen considerablemente el volumen ocupado por un circuito. Permiten integrar en el circuito inductores pequeos, capacitores, l l a ves selectoras, blindajes, lneas distribuidas, conectores, etc. El conductor que se emplea en forma universal es el cobret9 al cual se lo somete, en algunos casos, a un tratamiento final de plateado, dorado, etc. La chapa aislante puede ser una resina fenolioa impresos de una y de dos caras. El material de un circuito impreso posee dimensiones normalizadas. El espeo epoxi .

Existen circuitos

sor ms empleado es de 1/16 de pulgada (1,6 mm. aproximadamente) y es apropiado para la mayora de los conectores comerciales para circuito impreso. Tambin se fabrican de 1/32 y de 3/32 de pulgada. El espesor de la lmina de cobre se especifica por el nmero de onzas de co bre necesarias para cubrir un pie cuadrado de conductor. 1 onza 0,0012 a 0,0018 de pulgada (3 a 4,5 centesimos de milmetro) 2 onzas 0,0025 a 0,0035 de pulgada (6 a 9 centesimos de milmetro)

INFORMACION TECNOLOGICA: CIRCUITOS IMPRESOS

REF.: H I T .

122

2/4

Tambin se fabrican lminas tan finas como 1/2 onza o tan gruesas como 4 onzas.
Procedimientos d& fabricacin.

Los circuitos impresos se fabrican por dos procedimientos bsicos: 1) 2) por depsito de las zonas conductoras; por atacado qumico de una plancha enteramente cubierta de conductor.

En algunas ocasiones se emplean procedimientos combinados de fabricacin. La fabricacin de un circuito impreso comienza con la preparacin de un d i bujo, realizado a escala, que se corrresponde con la distribucin de conduc tores. Este dibujo es convertido en una mscara apropiada para depositar o atacar el circuito, segn sea el caso. El dibujo del circuito se puede convertir en una mscara por varios procedimientos: 1) En forma manual, por copia del dibujo, mediante una pintura adecuada o mediante dibujos transfer'bles por contacto. 2) Por un procedimiento fotogrfico mediante una pintura sensible que puede ser impresionada por la luz y quitada por un solvente segn sea la exposicin recibida. 3) Por un procedimiento de serigrafa, mediante el cual se aplica una pintura protectora de acuerdo con una malla de tela que corresponde al dibujo deseado. Esta malla suele fabricarse por un procedimiento fotogrfico. Cuando se trabaja por depsito se aplica la mscara sobre una lmina conductora y a travs de las aberturas (ver figura 1) se realiza el depsito del material. Finalmente se ataca en forma qumica y se quita la base aislante.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. : H I T . 122

3/3

CIRCUITOS IMPRESOS

Cuando se trabaja por atacado, en la zona sin proteccin, se disuelve el conductor y se forman as los trozos libres. Para el atacado del cobre se emplea solucin de cloruro
frrico.

La eleccin del mtodo de mscara a emplear se vincula con el volumen de produccin que se desea. En circuitos impresos de prueba, es conveniente trabajar en forma manual. Cuando se desea construir pocos ejemplares, se suele tra bajar en forma fotogrfica. En una lnea de produccin es necesario emplear serigrafa.

DEPOSITO MASCARA BASE CONDUCTORA BA SE AISLANTE

]ni

Fig. 1
ATACADO m MASCARA COBRE BASE AISLANTE

Fig. 2

AGUJERO

METALIZADO

Fig. 3

En la fabricacin de circuitos impresos de doble cara se presentan algunas dificultades adicionales. Por un lado es necesario que los dibujos de ambas caras se correspondan perfectamente y que las mscaras generadas sobre el material coincidan exactamente; de otro modo no existir en el material de base. correspondencia en los agujeros realizados

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

RFF. : HIT. 122

4/4

CINTERFOR Ira. Edicin

IV^OLJ

CIRCUITOS IMPRESOS

Por otro lado, los circuitos de doble cara exigen agujeros metalizados de modo de establecer contacto elctrico entre conductores de ambos lados del material aislante: ver figura 3. Las paredes metalizadas tienen adems, la propiedad de evitar que cada componente deba ser soldada en ambas caras.
Armado y reparacin de circuitos impresos

Las componentes a instalar en un circuito impreso se fabrican especialmente con esta finalidad, con patas adecuadas para soldar, en distancias adecuadas. En la figura 4 se ilustran diversos mtodos de colocacin de una componente electrnica en un circuito impreso. En todos los casos se desea evitar que las componentes se puedan mover y , en particular, puedan desprender el conductor de la base aislante.

Fig. 4 El armado manual de los circuitos impresos se realiza en forma directa meDebe evitarse pro-

diante soldadores de potencia reducida (30 e. mximo) con puntas de dimetro adecuado y con estao tambin de dimetro adecuado. conductor. En una lnea de montaje, se realizan las soldaduras mediante un bao de esta o: todas las componentes son colocadas en su posicin y se aplica el c i r c u i to sobre la superficie de estao fundido. longar el calentamiento de la soldadura para evitar el desprendimiento del

CINTERFOR Ira. Edicin

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

REF. : HIT. 123

1/4

INSTRUMENTOS DE MEDIDA

<C O '2 I O
UJ

Los instrumentos de medida se pueden c l a s i f i c a r segn distintos c r i t e r i o s . Por la forma en que procesan la magnitud a medir se los c l a s i f i c a en analgicos y digitales.

c o
II

Por la forma en que presentan la medida, se los divide en indicadores y registradores.

o oc. f o
UJ UJ

t1

Por la magnitud que miden, en ampermetros, voltmetros, hmetros, vatmet r o s , frecuencmetros, termmetros, medidores de pH, etc.
Instrumentos analgicos

Los instrumentos analgicos estn compuestos de tres elementos bsicos,(ver

8
o S B w Q Q
1-1

figura 1): - Transductor que transforma la magnitud a medir en una corriente o en un voltaje (a veces en resistencia, capacidad, etc.).
- Procesador de la seal elctrica. En general es un a m p l i f i c a d o r .

- Transductor que transforma la seal de corriente en una indicacin o un registro de la magnitud medida.

TRANSDUCTOR AMPLIFICADOR

TRANSDUCTOR

Fig. 1 Ejemplo: Un termmetro electrnico est constituido por los tres bloques bsicos de un instrumento analgico. Posee un transductor que transforma la temperatura en una seal elctrica. da en una corriente. Esa seal es amplificada y transformaEsta corriente es transformada en movimiento de una

aguja indicadora (transductor mecnico) sobre una escala de medida.

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA: INSTRUMENTOS DE MEDIDA

INFORMACIONTECNOLOGICA: R E F . :H /2

Ejemplo: El osciloscopio cuenta con un amplificador y un transductor. Este ltimo transforma la seal elctrica en el movimiento continuo de un haz de electrones que se proyecta sobre una pantalla sensible.
Instrumentos digitales

Los instrumentos digitales estn compuestos por los siguientes elementos bsicos, (figura 2): - Trccns ductor que transforma la magnitud a medir en una seal elctrica.
- Procesador de la seal electrica.
- Conversor

En general es un a m p l i f i c a d o r .
analogico-digital).

a dgitos numricos {converso*


digital

- Procesador

(puede ser de distinta complejidad segn los

casos: contadores digitales, calculadora, computadora, etc.).


- Dispositivo de presentacin

o de registro numrico.

TRANSDUCTOR

AMPLIFICADOR

CONVERSOR A/O

PROCESADOR DIGITAL

PRESENTACION O REGISTRO

Fig. 2 Ejemplo: Un voltmetro digital est constituido por un amplificador que l l e va la seal a niveles adecuados para su procesamiento. El conversor analgico digital transforma la seal en nmeros. El procesador d i g i t a l , en este caso, es elemental y realiza la ubicacin del punto decimal. La medida del voltmetro es presentada en dgitos utilizando diversos sistemas. Los ms co nocidos utilizan la representacin por siete diez dgitos.
segmentos.

En los tubos de des-

carga (nixie) se superponen ctodos con las formas correspondientes a los

INFORMACION TECNOLOGICA: INSTRUMENTOS DE MEDIDA

REF.: HIT.

123

3/4

Instrumentos

digitales

Ejemplo'. je.-

Un termmetro digital tiene los mismos elementos

que el voltme-

tro, precedidos por un transductor que transforma la temperatura en un volta

Los instrumentos analgicos son los de uso ms general izado, por razones de costo. Sin embargo, cada vez ms se utilizan instrumentos digitales, que tie nen como ventaja la reduccin del error humano en la lectura, eliminar el eerror de paralaje de las agujas indicadoras y aumentar la velocidad de lee tura.
Instrumentos indicadores e instrumentos registradores

Los instrumentos indicadores se caracterizan porque la lectura permanece siempre que est presente la magnitud a medir. El voltmetro (analgico) de aguja y el voltmetro digital son ejemplos de instrumentos indicadores. Los instrumentos registradores permiten registrar la medida de la magnitud. Ese registro se puede realizar sobre papel mediante distintos procedimientos. En algunos casos el mecanismo inscriptor u t i l i z a tinta, en otros se usan papeles termo sensibles, el registro se realiza mediante estilos calientes. Existen registradores con papeles fotosensibles tor mueve un haz de luz. Otro ejemplo de registrador lo constituye el osciloscopio Utilizan pantallas de persistencia controlada. Son excelentes registradores de fenmenos transitorios rpidos y de corta con memoria. en que el mecanismo inscrip-

duracin. El grabador de cinta magntica es otro ejemplo de registrador analgico. Si bien hemos mencionado hasta el momento slo ejemplos de registradores Es posible re-

de tipo analgico,tambin existen registradores digitales.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 123

4/4

CINTERFOR

INSTRUMENTOS DE MEDIDA

Ira. ^^it

gistrar las lecturas de instrumentos digitales sobre impresoras, banda perforada, cinta magntica, discos magnticos, etc. Este tipo de elementos abrer un nuevo horizonte en materia de instrumentacin al permitir el procesamiento directo, por computadores, de las medidas realizadas.
Clasificacin por la magnitud medida

Segn la magnitud medida los instrumentos se pueden c l a s i f i c a r en: - Ampermetros - Voltmetros - Vatmetros - Ohmetros - Frecuencmetros - Fasmetros - Termmetros - Medidor de pH - Higrmetros etc. miden la intensidad de la corriente que miden voltajes que miden potencia que miden resistencia que miden frecuencia que miden la fase entre dos seales miden temperatura miden el pH de soluciones miden humedad

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:HIT. 124

1/6

ESPECIFICACIONES DE LOS INSTRUMENTOS DE MEDIDA

< o *o en

Todo instrumento de medida posee un conjunto de especificaciones tcnicas que definen su campo de aplicacin. Tanto en el manejo como en la seleccin del equipo de medida es necesario tener presentes algunas de las caractersticas que se analizan a continuacin.
Rango de medida

c _ >

s
II

II

ai

Indica los valores mnimos y mximos que puede leer el instrumento as como
el tipo de magnitud a medir.

UJ

Ejemplo:

Voltmetro de corriente alterna de 50 a 60 Hz con escala de 0 V a

300V.
Ejemplo : Voltmetro con un rango en voltaje de lmV a 300V (valor eficaz)

8
2 o
O

y rango en frecuencia de 10 Hz a 10MHz.


Precisin:

Debido a la imperfeccin de las componentes y de las influencias de factores externos (temperatura, campo magntico y elctrico, humedad, etc.), la lectura de los instrumentos es distinta del valor real de la magnitud que se mide. La diferencia denomina error entre la lectura del instrumento y el valor real se

absoluto.

El error absoluto se expresa en las unidades de la magnitud medida. En general, el error absoluto no es suficiente para caracterizar la precisin de un instrumento o de una medida. Medir en un ampermetro 10A con un error ab soluto de 0,1 A y medir 1A con el mismo error absoluto no se puedoi
rar como medidas de la misma precisin. conside-

Para definir la precisin de un instrumento se utilizan los errores vos, real izada.

relati-

El error relativo es el cociente entre el error absoluto y la medida

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

REF

- HIT. 124 2/6

CINTERFOR Ira. Edicin

ESPECIFICACIONES DE LOS INSTRUMENTOS DE MEDIDA

En los casos mencionados el error relativo es, expresado en %:

100 - 1%

Para caracterizar la precisin instrumento.


Ejemplo'.

del instrumento de medida en toda su escala

se u t i l i z a el error relativo expresado en tanto por ciento del alcance del

Un voltmetro con alcance de medida 150 V y error 0,2% tiene un

error absoluto mximo E max: x 100 = 0,2

E max = 0,3 V En los instrumentos analgicos mecnicos las lecturas cala.


Sensibilidad

de mayor precisin

(en el caso de trabajar con escalas lineales) ocurren en los 2/3 de la es-

Da una idea de la mnima seal que es capaz de detectar un instrumento. En general se la expresa en los instrumentos analgicos como la variacin de lectura del instrumento (desplazamiento angular o lineal del indicador d i vidido por la magnitud que provoca esa variacin).
Ejemplo'.

Se dice que un galvanmetro tiene una sensibilidad de: 10 m m 1 yA

Muchas veces se u t i l i z a la inversa de esta expresin.

ONTERFOR Ira. Edicin

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 124 3/6

ESPECIFICACIONES DE LOS INSTRUMENTOS DE MEDIDA

Ejemplo:

Se dice que un osciloscopio tiene una sensibilidad de: 10 m V divisin

Estabilidad

Las propiedades de los materiales con que se elaboran los instrumentos varan con el tiempo. Debido a esto, la indicacin del instrumento de medida puede variar para iguales valores de la magnitud medida. En el caso de instrumentos de alta calidad el fabricante indica la estabilidad por la precisin que asegura en un perodo dado de tiempo y a una temperatura determinada. Todos los instrumentos en que la precisin es importante deben ser
dos peridicamente calibra-

por comparacin con patrones de medida.


un instrumento.

Modificacin

que introduce

Toda medida exige vincular de alguna manera el instrumento de medida con el fenmeno a medir. Esta vinculacin modifica en algo el fenmeno en estudio. Un instrumento de medida debe indicar qu modificacin introduce al realizar la medida. Segn sea el caso, esta informacin acerca del instrumento se suministra de diferentes maneras. Ejemplo: La conexin de un ampermetro en un circuito implica el aumento de la resistencia total y un cambio en la corriente. Ver figura 1. R
-Mfi-

IDEAL
Fig. 5

R E A L

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:H I T . 124 3/3

ESPECIFICACIONES DE LOS INSTRUMENTOS DE MEDIDA

Ampermetro ideal

Resistencia propia Lectura I =

Ampermetro real

Resistencia propia Lectura I -

En este caso el grado de influencia se determina por la relacin de su resistencia y la resistencia del circuito estudiado. Ejemplo: La conexin de un voltmetro conduce a un cambio de la corriente del circuito en una magnitud igual a la corriente que consume el voltmetro. Es comn dar en los voltmetros la resistencia interna que poseen. Cuanto mayor sea la resistencia interna, menor ser la modificacin que se introduce en la lectura y mejor el voltmetro, desde este punto de vista. Un voltmetro electrnico puede tener decenas o cientos de Mft. de resistencia interna. En los voltmetros de cuadro mvil es frecuente indicar la corriente que consumen por el nmero de ohms por voltio sistencia interna de: 20.000 x 100 = 2 Mn en tanto que en la escala de 10 V posee solamente 0,2 Mfi. La corriente que consume el instrumento en plena escala es la inversa de este nmero; los voltios por ohms es la corriente que circula: de plena escala que poseen. Si un voltmetro posee 20.000 ohms por voltio, en la escala de 100 V se tiene una re-

2Q!00

50yA


CINTERFOR Ira. Edicin #

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 124 5/6

ESPECIFICACIONES DE LOS INSTRUMENTOS DE MEDIDA

Ejemplo-. En un voltmetro de corriente alterna se suele indicar, adems de la resistencia interna, la reactancia que posee. En particular, un osciloscopio suele indicar la resistencia y la capacidad de entrada. Se tiene a s , como valores tpicos, 1 Mft en paralelo con 30 pF.
Capacidad de sobrecarga

Los distintos elementos que componen un instrumento se disean


valores nominales se t r a b a j a en sobrecarga.

para traba-

jar con determinados rangos de medida. En los casos en que se superen estos

Un instrumento posee capacidad para soportar cierta sobrecarga sin daos permanentes. Es importante conocer esta informacin para un uso correcto del instrumento. Pasados los lmites de sobrecarga admisible, pueden producirse aumentos de temperatura, fallas de aislacin u otro tipo de alteraciones capaces de provocar un dao permanente.
Aislacibn

Todos los instrumentos de medida deben tener una ai s i acin suficientemente segura. La insuficiencia de aislacin puede conducir a errores en las medi Tambin tiene un s i g n i f i c a das por la existencia de corrientes parsitas. maneja los instrumentos.
Medio ambiente que soportan

do importantsimo la aislacin necesaria para la seguridad del personal que

Las caractersticas del medio ambiente en el que se realizan las medidas condicionan la precisin de las mismas. Los fabricantes establecen el rango de temperatura y humedad que aseguran las especificaciones tcnicas.

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 124

6/6

CINTERFOR Ira. Edicin

ESPECIFICACIONES DE LOS INSTRUMENTOS DE MEDIDA

Fuentes de poder

Segn el tipo de instrumento se utilizan varios tipos de fuentes de poder. En algunos casos se usan pilas (pilas secas), bateras recargables o alimentacin por la red de distribucin de energa. En algunos casos el instrumento
cuenta con una fuente de poder regulada electrnicamente.

Hay instrumentos que no utilizan fuentes de poder, como es el caso de los mpermetros y voltmetros de aguja.
smbolos

Dada la variedad de instrumentos que existen se ha establecido un sistema de smbolos que tienen como objeto definir caractersticas del instrumento. Algunas de las ms usuales para interpretacin de cuadros son las siguientes: Instrumento para corriente alterna Instrumento para corriente continua n * Instrumento de cuadro mvil Instrumento de hierro mvil Instrumento electrodinmico

Instrumento con rectificador Posicin horizontal Posicin vertical A i s i acin: el nmero interior indica los kilovoltios que soporta

i i


CINTERFOR Ira. Edicin

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 125

1/2

VOLTMETRO DE CONTINUA

II

Voltmetros

de continua

%5 ai I o L _J L >O < O O
l-H

Entre el ampermetro y el voltmetro no existe una diferencia de principio. Las indicaciones de ambos instrumentos son funciones de la corriente que circula por ellos. Sin embargo, segn sea su aplicacin deben satisfacer exigencias distintas. El ampermetro debe poseer la resistencia ms baja posible; cambio, una resistencia lo ms alta
posible.

b L _J L

OL

II

el voltmetro en

Por esto en los voltmetros se conecta, en serie con el instrunento, una resistencia adicional. Para ampliar el alcance del voltmetro bastar conectar en serie otras resistencias.
Ejemplo:

Sea un instrumento de continua de 50uA en plena

escala.

Supongamos que queremos medir, con ese instrumento, 250 voltios en plena W Q escala. Ver figura 1.

Fig. 1 Si aplicamos entre A y B 250 voltios de continua queremos en el instrumento la indicacin de corriente mxima. En ese momento debern circular 50yA, es decir: 250 V = R x 50 x 10* 6

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 125

2/2

VOLTIMETRO DE CONTINUA De donde: R = -^jj- = 5 m

Como vemos, la resistencia interna del voltmetro ser, en esta escala, 5 Mn. La relacin entre la resistencia interna del voltmetro y el voltaje de plena escala es en este caso:

250V 6

20

-000

Esta relacin, que ser vlida para las distintas escalas del voltmetro, es una caracterstica muy importante en la medida de voltajes. Es la
que incluimos en el circuito cuando realizamos la medida.

resistencia

En la escala de 50 V el voltmetro de 20.000 n/V tiene como resistencia interna 1 Mfi.


Escala de los voltmetros de continua

En los voltmetros de continua construidos sobre la base de instrumentos de cuadro mvil la escala es lineal. al voltaje. No sucede lo mismo en los casos en que el voltmetro est construido sobre la base de instrumentos electrodinmicos o de hierro mvil. En estos casos la escala es no lineal. La desviacin de la aguja es proporcio nal al cuadrado del voltaje. Por esa razn la escala del voltmetro aparecer comprimida en la zona correspondiente a voltajes bajos y se expande en la zona de voltajes mayores. La desviacin de la aguja es proporcional

CINTERFOR. ^ ^ Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: VOLTMETRO DE ALTERNA

REF.:

H I T . 126

1/4

< O O IO

Voltmetro

de alterna

Los instrumentos de hierro mvil y electrodinmicos pueden ser usados como voltmetros de alterna. Por el tipo de fuerzas que se desarrollan en la parte mvil de estos instrumentos la desviacin de la aguja es proporcional al cuadrado del valor eficaz del voltaje. calibra en valor eficaz del voltaje. Esta escala es no lineal: al duplicarse el voltaje la desviacin de la aguja aumentar con el cuadrado de ese voltaje. Si a estos instrumentos les aplicamos un voltaje de continua se tiene la desviacin correcta. La escala de estos instrumentos se

O <

o l-H o II cm

ho UJ

8
p

De ah que estos instrumentos pueden medir indistintamente


na usando la misma escala.

continua y

alter-

Voltmetro

can

rectificador

Si a un voltmetro de cuadro mvil se le aplica una corriente sinusoidal (de frecuencia mayor que la frecuencia propia del instrumento) la lectura que se Q 81 obtiene es cero. Por lo tanto un instrumento de cuadro mvil, por s solo, no es capaz de medir voltajes de alterna. Para lograr fuerzas que provoquen una desviacin, es necesario que la corrien te que lo recorre tenga siempre el mismo sentido. Se utilizan, para esto, circuitos con diodos rectificadores (figura 1).

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 126

2/4

VOLTMETRO DE ALTERNA

Si el voltaje V aplicado al voltmetro es una sinusoide (Fig. 2), la corriente I que atraviesa al instrumento tendr la forma indicada en la figura.

Fig. 2 El instrumento actuar como si circulara una corriente continua


igual al valor medio de la corriente I^. de valor

El valor medio corresponde a un valor figura 3)

tal que, en un perodo T, el rea de y T (ver

la media sinusoide es igual al rea del rectngulo de lados

Fig.

__

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

REF. : HIT. 126

3/4

VOLTMETRO DE ALTERNA

La desviacin del instrumento es proporcional

al valor medio de l a corriente


recti

rectificada que pasa por l


ficado.

y , por lo tanto, al valor medio del voltaje

Como se trata de un instrumento de alterna interesa obtener la lectura del valor eficaz del voltaje.

La relacin entre el valor eficaz del voltaje y el valor medio del voltaje rec tificado es lo que se denomina factor
de forma

FF:

FF =

C Para las sinusoides ese factor de forma vale 1,11. Mediante este factor se

real-iza la calibracin del instrumento en valor eficaz. Un instrumento de cuadro mvil con rectificador con la escala calibrada
voltaje sinusoidala al medir un voltaje errnea. con otra forma de onda para

(por ejemplo

rectangular) dar una lectura

La caracterstica no lineal del diodo y la necesidad de superar un voltaje mnimo para conducir (0,2 a 0,3 V en diodos de germanio, 0,5 a 0,6 en diodos de s i l i c i o ) hace que la escala de estos instrumentos no sea lineal en las escalas de medida de pocos voltios.
Rango de los voltmetros de alterna

Los instrumentos electrodinmicos y de hierro mvil se construyen para d i s t i n tos rangos de voltaje segn la aplicacin que se prevea para ellos. Para modificar el rango es comn u t i l i z a r en estos instrumentos transformadores de voltaje. Estos pueden ser mi te cambiar el rango de medida.
extemos

o internos

con una perilla que per

INFORMACION TECNOLOGICA: VOLTMETRO DE ALTERNA

RFF.: HIT.

126

4/4

El rango de frecuencia en que funcionan, normalmente, es cercano a la red (45 Hz. a 65 Hz.). Al aumentar la frecuencia aparecen efectos parsitos que desvir tan la medida. En el caso de instrumentos con rectificador el alcance se modifica (al igual que en los instrumentos de continua) por el agregado de resistencias en serie. La respuesta en frecuencia de este tipo de instrumentos es mejor y llega a al gunos miles de herzios.

CINTERFOR Ira. Edicin

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 127 1/3

AMPERMETRO DE CONTINUA

5 I O

Ampermetro de continua

Los instrumentos de aguja son un ampermetro pero admiten un rango limitado de corrientes a medir. Un ampermetro de continua debe ser capaz de medir en varias escalas de corriente. Para ampliar el alcance de los ampermetros de continua se utilizan resistencias en paralelo (shunt) con el instrumento (ver figura 1).

<c o tt o
tI

CXL
LLJ

Ir
8
O S
w

Icf
Fig. 1 Ejemplo: Sea un ampermetro cuyo rango de corriente es de 50 m A y que t i e ne una resistencia interna de lOn . Calcular la resistencia R necesaria, en paralelo con el instrumento, para poder medir una corriente mxima de 50 amperes. En la figura 1 se tiene: I corriente por el instrumento corriente en la resistencia R (shunt) Iq corriente en la carga: 50 A.

w Q ui

Aplicando la ley de Kirchoff de los nudos tenemos:


X

C = :R

INFORMACION TECNOLOGICA:

HIT. 127 2/3

CINTERFOR ln. Edicin

AMPERIMETRO DE CONTINUA

La corriente que deseamos medir es m A.

= 50A. En ese momento nos interesa que

el instrumento indique la desviacin mxima de su aguja, por lo tanto I = 50

I R = 50 - 0,05 = 49,95 A. El voltaje entre A y B debe ser el mismo calculado en el ampermetro o en la resistencia R. Se debe cumplir: r I = R I

10 x 0,05 = R x 49,95 De donde resulta: R = 0,5 49,95


*

O.Olfi

Segn el alcance deseado para el instrumento se seleccionar el shunt correspendiente. Se construye de resistencias de precisin, estables con la temperatura (por ejemplo resistencias de manganina). Los shunts pueden i r ubicados en el interior o en la parte exterior de los instrumentos. Los primeros se utilizan para corrientes de hasta algunas de cenas de amperes; los externos se usan cuando se manejan corrientes muy a l tas y la disipacin de calor puede ser grande. La figura 2 nos muestra el esquema de un ampermetro que cubre varias escalas

Fig. 2

CINTERFOR Ira. Edicin

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 127

3/3

AMPERIMETRO DE CONTINUA

La llave permite seleccionar los shunts y de esa manera definir para cada posicin de la llave el alcance del ampermetro.
Esoalas de los ampermetros de continua

En los ampermetros de continua construidos sobre la base de instrumentos de cuadro mvil la escala es lineal. cional a la corriente. No sucede lo mismo en los casos en que el ampermetro de continua est construido sobre la base de instrumentos electrodinmicos o de hierro mv i l . En estos casos la escala es no lineal. La desviacin de la aguja es propor-

La desviacin de la aguja es proporcional al cuadrado de la corriente. Por esa razn la escala del ampermetro aparecer comprimida en la zona correspondiente a bajas corrientes y se expande en la zona de corrientes mayores. Por ejemplo si en un instrumento de hierro mvil una corriente de 1 ampere produce una deflexin de 10, una corriente de 2 amperes provocar 40 de desviacin.

CINTERFOR Ira. Edicin

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

M - - HIT. 128

1/4

AMPERIMETRO DE ALTERNA

< O
cc Ampermetros de alterna

Los instrumentos de hierro mvil y electrodinmicos pueden ser usados como o c ampermetros de corriente alterna. Por el tipo de fuerzas que se desarrollan en el sistema mvil de estos instrumentos la desviacin de la aguja es proporcional al cuadrado del valor eficaz de la corriente. Por lo tanto la escala de estos instrumentos se calibra en el valor eficaz de la corriente. Esta escala ser no lineal. Si a estos instrumentos se les aplica una corriente continua se tiene la
d e s v i a c i n c o r r e c t a . Pueden medir indistintamente rriente alterna con utilizando la misma escala. corriente continua y co-

o lI o II ai l o
UJ _J UJ

2 o

Ampermetro

rectificador.

Si a un instrumento de cuadro mvil se le aplica una corriente sinusoidal (de frecuencia mayor que la frecuencia propia del instrumento) la lectura B tu Q que se obtiene es cero. Por lo tanto un instrumento de cuadro mvil por s solo no es capaz de medir corriente alterna. Para lograr fuerzas que provoquen una desviacin es necesario que la corriente que lo recorre tenga siempre el mismo sentido. Se til izan, para esto, circuitos con diodos rectificadores (figura 1).

^ I N F O R M A C I O N

TECNOLOGICA:

REF.: HIT. 128

2/4

CINTERFOR

AMPERMETRO DE ALTERNA

Ira. ^^n

Si la corriente I cuya intensidad se desea medir es una sinusoide (figura 2) la corriente I - que atraviesa el instrumento tendr la forma indicada.

de valor igual al valor medio de la corriente

El valor medio corresponde al valor I c

tal que, en un perodo T, el rea de

la media sinusoide es igual al rea del rectngulo de lados I c y T.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: H I T . 128 2/2

AMPERIMETRO DE ALTERNA

tf
Fig. 3 La desviacin de la aguja ser proporcional a esa corriente media. Como se trata de un instrumento de alterna interesa obtener la lectura del valor e f i caz de la corriente. La relacin entre el valor eficaz de la corriente y el valor medio de la corriente rectificada es lo que se denomina factor de forma FF .

Para las sinusoides ese factor de forma vale 1,11. Mediante este factor de forma se realiza la calibracin del instrumento en valor eficaz.
Un instrumento de cuadro mvil con rectificador,

con la escala calibrada pacon otra forma de onda (por

ra corriente sinusoidal, midiendo una corriente


ejemplo rectangular) da una lectura errnea.

La caracterstica no lineal del diodo y la necesidad de superar un voltaje mnimo para conducir (0,2 a 0,3 V en diodos de germanio;0,5 a 0,6 V en diodos de s i l i c i o ) hace que la escala de estos instrumentos no sea lineal.
Rango de los instrumentos de alterna

Los instrumentos electrodinmicos y de hierro mvil se construyen en d i s t i n tos rangos de corriente segn la aplicacin que se prevea para ellos.

INFORMACION TECNOLOGICA:

R E F . :

HIT. 128

4/4

ONTERFOR Ira. ^ p n

AMPERIMETRO DE ALTERNA

A diferencia de lo que ocurre en los instrumentos de continua, en alterna no siempre se utilizan shunts para modificar el alcance de la corriente del instrumento. En SU lugar se utilizan transformadores de
intensidad.

Estos pueden ser externos (en el caso de medida de corrientes muy altas) o pueden ser internos. Un ejemplo de uso muy corriente de instrumento que u t i l i z a un das de corriente sin interrumpir el circuito. Los ampermetros de corriente alterna estn previstos para funcionar en rangos de frecuencia cercanos a los de la red (45 Hz a 65Hz). Al aumentar la frecuencia aparecen efectos parsitos que desvirtan la medida. En el caso de instrumentos con rectificador, el alcance en corriente se modifica igual que en los instrumentos de continua, mediante shunts. La respuesta en frecuencia de este tipo de instrumentos es algo mejor y llega a algunos miles de herzios. transformador

de intensidad lo constituye la pinza amperimetrioa que permite realizar medi-

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: CONDUCTORES IMPRESOS

REF.: H I T .

129

1/3

< O
OC

El diseo de conductores en un circuito impreso exige cuidar algunos detal l e s . Si es necesario manejar corrientes que superan 1 a 0 tensiones de cien tos de v o l t i o s , el ancho y la separacin de los conductores debe cumplir exi gencias mnimas. Si un conductor impreso debe transportar una corriente I , se debe dimensio nar su ancho teniendo en cuenta la resistencia tor y la elevacin
total

LU

O < O ii O
I

que tendr el conduc-

al

de temperatura que experimentar.

La resistencia de un trozo de conductor impreso se puede obtener

a partir

de sus dimensiones y de la resistividad del cobre. Si se tiene que 1 es el largo del conductor, a su ancho y e el espesor del conductor del circuito impreso, la resistencia est dada por:

R = p

ea

- r.

En esta expresin, r es una resistencia propia del tipo de circuito impreso y depende solamente del nmero de onzas del material. Se tiene aproximadamente: Impreso de 1 onza Impreso de 2 onzas r = 0,5 mft r = 0,25m

La elevacin de temperatura de un conductor impreso se puede calcular, a par t i r del ancho a y de la corriente que transporta, mediante las curvas de la figura 1. Estas curvas se han trazado para un impreso de 1 onza; para otros espesores se puede estimar un ancho de conductor a* : a" = donde n es el nmero de onzas del impreso. La diferencia de potencial entre dos conductores prximos determina distancias mnimas de trabajo. Existen muchos criterios para estimar la separacin de seguridad, pero puede tomarse como regla prctica que es necesario un mi
lmetro de separacin cada 200 voltios de diferencia de potencial,

c\j
LU

entre

conductores prximos.

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

^ ^

HIT. 129

2/3

CONDUCTORES IMPRESOS

Fig. 1 Ejemplo: Para un circuito impreso es necesario distribuir 4 A a una tensin nominal de 5 V; no se aceptan cadas de tensin por debajo de 4,75 V. Se manejan distancias de 10 cm. En el presente caso, no existen restricciones por el lado de la aislacin entre conductores porque la tensin es muy pequea. Las condiciones de diseo provienen de la resistencia total y de la elevacin de temperatura. La resistencia mxima admisible que provoca una cada de 0,25 V es de:
r = _ 2 | 0
= 6 2 m

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. : HIT. 129

3/3

CONDUCTORES IMPRESOS

Aceptaremos como c r i t e r i o de diseo, una resistencia de solamente 10 m m para un circuito impreso de 1 onza; con 1 = 10 cm. se tiene para el ancho del conductor:
a = 1 = x 100 = 5 m

"IT

La figura 1 nos muestra que con 4 A y una elevacin de 10 grados centgrados en la temperatura por encima del ambiente, es suficiente un ancho de 2,5 mm. La elevacin de temperatura no impone ninguna condicin en este caso. Ejemplo: En un rectificador que trabaja con 220 V eficaces, se tienen tensio nes mximas
que emplean

de 310 V. La separacin mnima de conductores debe ser, entontiristores.

ces, 1,5 mm. Este resultado es importante en el diseo de circuitos impresos

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT 130

1/3

PERDIDAS EN UN CAPACITOR

En un capacitor real, hay prdidas de la energa almacenada que responden a diversas causas. Las ms importantes son las corrientes de fuga en el dielctrico, que no es un aislante perfecto. En rgimen de corriente alterna, el valor de esas prdidas suele expresar se de diversas maneras:
a) A t r a v s de un resistor equivalente de prdidas3 que se pue-

de dar como resistor serie o paralelo

(Fig. 1).

MW

Re

1|

Fig. 1
b) Por medio del factor de potencia.

La existencia < ^ e prdidas trae como consecuencia que en un capacitor real los vectores representativos de corriente y voltaje no sean exactamente perpendiculares (Fig. 2). El vector voltaje posee una pequea componente activa, en fase con la corriente.

Fig. 2 El factor de potencia es el coseno del ngulo 0 (algo menor que 90)que forman los vectores corriente y v i taje.

INFORMACION TECNOLOGICA: PRDIDAS EN UN CAPACITOR

REF.:

HIT

13Q

2/3

CINTERFO. lra-^^cii

Factor de potencia = eos 0 = sen a a) La tangente del ngulo a se llama factor de disipacin D. Su inversa, es decir la tangente del ngulo 0 es el factor de calidad Q.

Q - tg Q =

Vinculacin

entre

los factores

de

prdidas.

Todos los factores de prdidas estn vinculados entre s f . En la representacin de las prdidas por un resistor serie (figura 3),

Rs

~ z = Rs + cwj Q = tg 0 =

Rscw

Anlogamente, para el resistor paralelo se cumple Q = Rp Cw Si las prdidas son bajas (ngulo a pequeo) sen a = tg a =

Es decir que el factor de potencia es la inversa del factor de calidad

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 130

3/3

PERDIDAS EN UN CAPACITOR

El factor de calidad Q mide la relacin entre la energa almacenada por el capacitor y las prdidas. La mxima energa almacenada por el capacitor es:

C = V 2 ef La energa perdida en un ciclo es, empleando la resistencia equivalente paralelo: T = V ef .


2n

La relacin entre ambas es: Rcw 2n

Es decir que:
Q = 2n

Mxima energa almacenada Energa perdida por ciclo

CINTERFOR Ira. Edicin

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

REF.-HIT 131

1/3

SERIE Y PARALELO DE CAPACITORES

< o

En los circuitos electrnicos es muy frecuente la conexin de capacitores en serie y paralelo. En ambos casos, se puede trabajar con un capacitor equivalente.

'O

cc.
L >-

O <c o
II

Dados dos capacitores ^ y C 2 en paralelo (Fig. 1), el voltaje V es comn para ambos. Se cumple:

o II CU
L _J LU

Qj - C V
Q2 = c2 V

Entonces: Qx + Q 2 = (Cx + C2 ) V

o o

<

H
tu

Fig. 1 El conjunto almacena una carga Q 1 + Q 2 con un-voltaje V Q = Qx + Q 2 = (Cx + C 2 )V


LxJ

Q = CV
La capacidad equivalente al paralelo es la suma de ambas

C = c 1 + c2

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF

-:

HIT 131 2/3

CINTERFOR

SERIE Y PARALELO DE CAPACITORES

Ir, ^ ^ i n

Esta propiedad se usa para alcanzar valores no normalizados de capacidad, conectando varios capacitores en paralelo.

v C| - o V|

c-2Q
Fig. 2
\

Dados dos capacitores en serie (Fig. 2), la carga Q suministrada es comn para ambos: Q = c1v1 = c2v2

La cada de voltaje total es la suma de las cadas en cada capacitor:

V = V1

V2 = - 9 - + - 9 - = Q
C

La capacidad equivalente a la serie cumple: v = 4

Entonces:
j_ = J _ J.

c^

c2

Esta expresin equivale a: C =


C

1 C2

c1+c2

CINTERFOR Ira. Edicin

I N F O R M A C I O N TECNOLOGICA:

M - : HIT 131

3/3

SERIE Y PARALELO DE CAPACITORES

Se observa que esta capacidad es menor que cualquiera de las dos puestas en serie. Cuando se desea conectar un capacitor entre dos puntos de un circuito, y el lmite de voltaje de los capacitores disponibles es menor que el voltaje que existe entre esos puntos, se recurre a la conexin en serie de dos o ms capacitores. Para asegurar que stos se repartan adecuadamente el vol taje, es necesario conectarles en paralelo resistores de ecualizacin. En la conexin en serie de dos capacitores el voltaje resultante en bornes de cada uno de ellos es:

CV Cj+Cg

C 1 + C2

Se observa que estos valores son inversamente proporcionales a los valores de la capacidad.Ejemplo: si C^ = 0 , l y F y C2
=

lpF,

Cj absorbe un voltaje diez veces mayor (aproximadamente) que C 2 -

CINTERFOR

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF :

^j^Edicin

'

HIT 132

1/6

FSICA DEL CAPACITOR

< o )i CL \

El a n l i s i s terico de un sistema de dos conductores cargados, de los factores que influyen sobre la capacidad C del mismo, y las relaciones entre voltaje, fuerzas elctricas, campo elctrico y energa almacenada, conducen a resultados de permanente aplicacin en el uso prctico de los capacitores, Supongamos un sistema constituido por dos placas conductoras separadas por una distancia d, pequea frente a las dimensiones de las placas (Fig. 1).

UJ _J J

O <c o
II

I O
LLJ

o I Cd

o o

<s>

f3 S w H w Q
<S) <

Fig. 1 Si ese sistema, llamado capacitor est cargado; C es su capacidad, V su voltaje y Q su carga: Q = CV La capacidad C depende de las dimensiones del capacitor y del aislante que separa ambas placas. Se cumple: C = S d
e

es el rea de las placas enfrentadas; es la distancia que las separa;


es la constante dielctrica del medio a i s l a n t e interpuesto

entre las placas. Es un nmero que caracteriza a cada material aislante. Est vinculado con la manera en que cada aislante reacciona ante la aplica^ cin de fuerzas elctricas.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF-: HIT. 132

2/6

CINTERFOR
Ira. I^^n

'

FSICA DEL CAPACITOR

La constante dielctrica del aire o del vaci vale, en unidades MKS: eO = 0,88542 x 10" 1 1 ^ x 10" 9

En los dems aislantes se suele trabajar con la constante dielctrica


tiva K:

rela-

'n eO

2 Ejemplo: En un capacitor plano, con S = lm , d = 1 mm, dielctrico aire, la capacidad es: Se


d =

lx 0,8854 x I D " 1 1 10"


3

8854

Para implementar una capacidad de 1 faradio, con d = 1 m m y dielctrico aire se requerira una superficie

S =

- 1 x 10~3 x 36nx 109 = 36nx 106 m2

Es decir, placas de aproximadamente 10 Km. de lado.


Campo elctrico

En el capacitor cargado de la Fig. 1, entre dos puntos de una misma placa no hay diferencia de potencial.Entre las dos placas, el potencial cae V voltios en una distancia d. La cada de potencial por unidad de longitud es el campo elctrico EV

E.

Se mide en voltios metro

INFORMACION TECNOLOGICA:
F S I C A DEL CAPACITOR

REF.:

HIT 132

Si consideramos una carga elctrica positiva q (Fig. 2), la fuerza elctrica que acta sobre ella es proporcional a q y a E:

<} | F

Fig. 2

Si esa carga es abandonada en las proximidades de la placa (1), se mover, bajo la accin del campo elctrico, hacia la placa (2). Si llevamos esa carga, en sentido contrario, de la placa (2) a la placa (1), ser necesario realizar un trabajo exterior para vencer al campo elctrico. Ese trabajo ser: T = Fd = q V Ese trabajo es almacenado como energa por el capacitor. La extensin de este razonamiento nos permitir calcular la energa almacenada en un capacitor cargado.
Energa almacenada en un capacitor

Supongamos que el capacitor de la figura 2 est inicialmente descargado. En esas condiciones, llevar una pequea carga positiva 9 de (2) a (1) no requiere realizar trabajo exterior ya que si no hay voltaje, no hay que vencer ningn campo.

INFORMACION TECNOLOGICA:
F S I C A DEL CAPACITOR

REF.: HIT 132

4/6

Como resultado de esta operacin queda el capacitor cargado con una carga q y una diferencia de potencial entre placas: v =

Como paso siguiente, llevamos una segunda carga q de (2) a (1). Ahora s , el trabajo que es necesario realizar es q v. Como consecuencia de esta segunda operacin se tendr una carga resultante: 2 q y una diferencia de potencial : 2q = 2 v

La secuencia descrita puede proseguirse. En cada paso, la carga y voltaje i n i c i a l , el trabajo realizado, y la carga y voltaje resultante se dan en la siguiente tabla.Paso Carga almacenada 0 Diferencia de potencial 0 Trabajo para llevar q 0 Carga resultante q Diferencia de potencial resultante
y = 9

q 2 q
3

qv

2v=

2 q c 3v 4v

3 4

2v 3v

q(2v) q(3v)

Despus de un gran nmero N de pasos, la carga y diferencia de potencial resultantes sern: Q = Nq V = Nv El trabajo total realizado para cargar el capacitor ser:

INFORMACION TECNOLOGICA:
F S I C A DEL CAPACITOR

H I T 132

5/6

T = qv

2qv

3qv + ...

L^-lL

qv =

qv

qv

JU_

El trabajo realizado queda disponible como energa almacenada en el capaci tor. El valor de la energa almacenada es entonces:

E =

QV

C V'

Ejemplo: Un capacitor e l e c t r o l t i c o de c = 1000 yF. cargado a un voltaje V = 10 V. La energa almacenada en esas condiciones es:

E =

CV'

1Q

~3 *

100

= 50 m Joule

Para tener dos.

idea del valor se puede ver que es la energa que se disipa en

un r e s i s t o r de 1 k n recorrido por una corriente de 1 m A durante 50 segunEn efecto: E = R I 2 t = 10 3 x 10" 6 x 50 = 50 m Joule


Energa almacenada en corriente alterna

En rgimen de corriente alterna3

al variar el voltaje instantneo en el ca-

pacitor, la energa almacenada tambin vara. Si el voltaje aplicado al capacitor es: v = V eos wt = N/TVef eos wt la energa almacenada ser: E =
Cv

CV

eos wt

CV (l+cos2wt)

= CV|f

(1 +

CQS

2wt)


INFORMACION TECNOLOGICA:
1

HIT 132

6/6

ONTERFOR Ira. firifctin

FISICA DEL CAPACITOR

Se observa que la energa almacenada es pulsante, con valor medio y con frecuencia de variacin doble que la del voltaje (Fig. 3)

C V ef
o

Fig. 3

CINTERFOR l-f Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

HIT 133

1/5

RECTIFICACIN

< O

Una carga alimentada con tensin alterna es recorrida por una corriente que cambia de sentido. En algunos casos interesa que la corriente no cambie de
sentido, principal. pero que contine empleando una tensin alterna como alimentacin

o < o II o
l-H

Esta situacin ocurre, por ejemplo, en los cargadores de bateras, en la e l e c t r l i s i s industrial, en las fuentes de poder de los equipos electrnicos, etc. Para realizar esta funcin se emplean circuitos te principal de estos circuitos es el diodo. Supondremos que los diodos rectificadores son ideales, es decir que actan como cortocircuitos en el sentido de conduccin y como circuitos abiertos en el sentido inverso.
rectificadores .

U J _J
UJ

La componen-

Tambin supondremos que la carga posee una resistencia R L y que la alimenta' cin de corriente alterna ocurre a travs de un transformador.
Rectificador de media onda

>f
+ V| RL

Fig. 1 Responde al esquema de la figura 1. En la figura 2 se representa la tensin alterna de entrada al rectificador, Vi y en correspondencia la forma de onda de la corriente i que circula.

INFORMACION TECNOLOGICA:
RECTIFICACION

RFF.:

HIT 133

2/5

CINTERFOR Ira. Edicin

Fig. 2 Si la tensin de entrada es: v. = Vm sen e la expresin para la corriente i que circula tiene dos formas completamente d i s t i n t a s , segn el diod conduzca o no. Cuando v. es positiva, el diodo queda polarizado en sentido directo y por

tanto conduce. Como suponemos que es ideal, al conducir acta como un cortoc i r c u i t o ; es decir que no hay cada de tensin en sus bornes. Sobre la carga R L aparece toda la tensin del transformador. Esto sucede durante el intervalo 0 < 9 < ti y en todos los s e m i c i c l o s e n que v^ es p o s i t i v a . el diodo queda polarizado en sentido inverso y por

Cuando vn- es negativa,


tanto no conduce.

Como suponemos que es ideal, acta como un circuito abierto, desconectando la carga R^ del transformador. Sobre R^ no hay entonces tensin aplicada. Esto sucede durante el intervalo ir<Q< 2tt y en todos los semiciclos en que v. es negativa.

CINTERFOR l-f Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT 133

3/5

RECTIFICACIN

Los razonamientos precedentes son tpicos del anlisis de un circuito no lineal, cuya configuracin cambia segn sus elementos estn en una u otra zona de sus caractersticas. En el circuito estudiado, la configuracin del circuito cambia segn que el diodo conduzca o est cortado. La corriente i que circula por la carga fluye en pulsos cuyo valor de pico es: I m = V. R.

Esta forma de onda posee un valor medio Idc que es distinto de cero. Este es el valor que lee un ampermetro de continua interpuesto en el c i r cuito, y es tal que el rea que determina respecto al eje horizontal en un perodo es igual al rea encerrada por la curva en un ciclo. Idc se puede calcular planteando la igualdad de las reas indicadas en la figura 3. j

Fig. 3 El rea del rectngulo de altura Idc y un perodo de base es 2 ttI El rea encerrada bajo un pulso de la sinusoide es Igualando reas resulta: 2 ttI= 2 I de m de 2 I . m

de

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT 133

4/5

I I ^ d L J

RECTIFICACION

CINTERFOR l-f Edicin

En todo circuito rectificador interesa determinar el mximo voltaje inverso que se aplica al diodo. Este valor se llama voltaje Inverse Voltage PIV). En el rectificador de media onda, se produce cuando el diodo est cortado y la tensin l l e g a su mximo valor Vm.
de pico inverso

(Peak

Al armar el circuito, el diodo que se emplee debe soportar los valores mximos de corriente de pico, corriente media y voltaje de pico inverso. Para el rectificador de media onda, esos valores son: Corriente de pico: Im = V

Corriente media:

I I . = -J de n Vm

V m nRL

Voltaje de pico inverso:

Factor

de

ripple

Si en la carga intercalamos un ampermetro de alterna, que mida valor


de la corriente,

eficaz

su lectura en este circuito resulta: I =


lm

ef

El a n l i s i s de Fourier permite considerar a la corriente como suma del valor medio, , y de sucesivas armnicas, que constituyen la parte alterna de la ac . corriente, I

Los valores eficaz, de continua y alterna estn vinculados por la relacin: I 2= j 2 de


+

ef

j2 ac ac respecto a I , , es de
{ripple).

Cuanto mejor sea la rectificacin, ms pequea ser I decir que la corriente presentar menos ondulaciones

^ INFORMACION TECNOLOGICA: RECTIFICACIN

REF.:

HIT 133

5/5

li^Bv^

La bondad del rectificador, en este aspecto, se mide por el factor de ripple y , definido como relacin entre la parte alterna y la continua de la corrien te: *ac

Para el rectificador de media onda:


Y

= 1,21

Este valor es demasiado alto; la parte alterna es mayor que la continua. En otras configuraciones rectificadoras se logra mejorar esta situacin.

CINTERFOR l-f Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT 134

1/4

RECTIFICACIN DE ONDA COMPLETA

O
cu

El circuito rectificador de media onda realiza la conversin de alterna en continua en forma bastante pobre, como se refleja en el alto valor de la ondulacin (ripple) de la corriente. Para mejorar la forma de onda obtenida se recurre a aprovechar los dos semi-

II
OH

o o l-H o

ciclos del voltaje de entrada en un rectificador de onda completa.


Rectificador simtrico

I o LlI
I LU

En la Fig. 1 se muestra un rectificador de onda completa simtrico. Puede considerarse una pareja de rectificadores de media onda que trabajan sobre el mismo transformador. 1 J 4 Di H 1i RL

O 2 o

/ >

: V
;+
: 1
vi

C/J <

n H w

D2 Fig. 1

En los semiciclos impares, v. es positivo. D. est polarizado en sentido d i recto y D^ en sentido inverso. Durante esos semiciclos la corriente circula por Dj, R^ y retorna a la mitad superior del devanado. En los semiciclos pares v. es negativo, D 2 est polarizado en sentido directo y Dj en sentido inverso. La corriente circula entonces por D 2 , R^ y retorna a la mitad inferior del devanado (figura 2).
LU

Se consigue asi que por la carga R^ circule una corriente pulsante, del mismo sentido tanto para los semiciclos positivos como para los negativos del voltaje de entrada.

INFORMACION TECNOLOGICA:
R E C T I F I C A C I N DE ONDA COMPLETA O,

R E F . : HIT 134

2/4

CINTERFOR Ira. Edicin

1 : v

'

"1 RL

- + : v S -L [ 1 fcfcl Fig.2 En la Fig. 3 se representa el voltaje v^ entre el extremo y el punto medio del transformador. En correspondencia la corriente i que circula por carga
RL.

Fig. 3

Este rectificador tiene el mismo valor de pico de la corriente que el rectificador de media onda:
l

m~

m R

y una corriente media doble (es doble el rea encerrada por los pulsos en los un ciclo completo: de 21 m

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF :

- H I T 134

3/4

RECTIFICACIN DE ONDA COMPLETA

Intercalando un ampermetro que mida el valor eficaz de la corriente, se lee

m ef El factor de ripple resulta entonces: Y = 0,48 Con esta configuracin, la parte alterna de la corriente es aproximadamente la mitad de su valor promedio. Es una mejora grande con respecto al r e c t i f i cador de media onda. El voltaje de pico inverso mximo que debe soportar D 2 , P o r ejemplo, se produce cuando v^ es positivo y mximo. En ese instante (Fig. 2) se observa que D.j conduce, D 2 est cortado, y sobre D2 queda aplicado un voltaje 2 Vm igual al mximo voltaje entre los extremos de bobinado secundario: PIV = 2 V m

Rectificador

puente

En la Fig. 4 se representa el esquema de un rectificador en puente de diodos. La conducta de este circuito es similar a la del rectificador simtrv co pero emplea cuatro diodos y no requiere punto medio del transformador.

4y

Fig. 4

INFORMACION TECNOLOGICA:

RFF.:HIT 134

4/4

CINTERFOR l-f Edicin

RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA

En la Fig. 5 se ilustra la circulacin de corriente en los semiciclos de voltaje v i positivo; D 1 y D4 conducen; D2 y D3 estn cortados; en el semi ciclo negativo ocurre a la inversa.

Se observa que sobre la carga R^ la corriente siempre circula en el mismo sentido. Suponiendo diodos ideales, la forma de onda de la corriente es exactamente la misma que para el caso del rectificador de onda completa. Los valores de las diversas corrientes coinciden.

21 de m V,

ef

= 0,48

El voltaje de pico inverso es V , como resulta de examinar, por ejemplo, la situacin de Dg en la figura 5. Este valor del PIV es la mitad del que se tiene en la configuracin equivalente del rectificador de onda completa simtrico. Por esta razn, la configuracin puente se emplea en aplicaciones de alto voltaje.

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ICBCJ

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. : HIT 135

1/2

RECTIFICADORES DOBLADORES DE TENSIo'N

En algunas oportunidades y especialmente cuando se trabaja con tensiones a l t a s , se emplean rectificadores dobladores de tensin. En estos circuitos se puede obtener tensiones ms altas que las obtenidas por rectificadores de media onda o de onda completa. El circuito doblador ms sencillo consiste en un doble rectificador de media onda que arma una fuente positiva y una negativa, figura 1.

Rl

3 o

c / > Fig. 1 Si cada uno de los rectificadores de media onda se convierten en onda completa se tiene el circuito doblador de la figura 2. i 1>
+ .
\ \ ) /

f*

TI

<

- M
.

1\

Fig. 2 Se puede construir tambin un doblador de media onda sin necesidad de un transformador doble. En el circuito de la Fig. 3, durante los picos positivos de voltaje de entrada v-, el diodo DI carga a C1 el valor de pico.

INFORMACION TECNOLOGICA:
RECTIFICADORES DOBLADORES DE TENSION

REF.:

HIT 135

2/2

CINTERFOR Ira. Edicin

En los semiciclos negativos de v . , D2 carga a C2 al mismo valor con la polaridad indicada. Entre los bornes de R L se obtiene asT un voltaje de continua, de va lor doble de la amplitud del voltaje alterno de entrada v..
Di

Fig. 3 El circuito descrito es, por esa razn, doblador de voltaje. Hay d i -

versos circuitos multiplicadores de voltaje, similares al descrito. En todos ellos la regulacin es pobre, es decir que el voltaje continuo que suministran disminuye al aumentar la carga.

CINTERFOR l-f Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 136

1/6

FUENTE DE PODER

< o ii z 'O
\

En muchas aplicaciones es necesario disponer de tensin continua a partir de la red de distribucin de corriente alterna. Este equipo se llama fuente de poder o fuente de continua. En una fuente de poder tpica, se pueden distinguir tres unidades que cumplen funciones bien definidas:
- transformador9

LU

O < O
1 I
OH

Io

que convierte la tensin alterna de la red en otra del

valor apropiado:
- rectificador,

que transforma la tensin alterna en una tensin continua

y una tensin alterna superpuesta; y


- filtro3

que reduce la tensin alterna que suministra el rectificador,

aproximando la tensin de salida a un voltaje de continua.] Con los circuitos rectificadores bsicos (de media onda u onda completa) se obtienen formas de onda que distan bastante de ser puramente continuas. Los factores de ondulacin (ripple), que miden la relacin de la parte a l terna con la continua en la corriente de carga, son respectivamente 1,21 y 0,48. Una mejora sustancial se consigue por medio de circuitos de f i l t r o .
Filtro capacitivo

El filtrado elemental se obtiene conectando un capacitor en paralelo con la carga R^. La idea consiste en cargar al capacitor durante el perodo de conduccin de
UJ

los diodos y aprovechar la energa as almacenada en el capacitor para suministrar corriente a la carga en los perodos de corte de los diodos. En la Fig. 1 se presenta un circuito rectificador de media onda con un f i l tro de capacitor.

INFORMACION TECNOLOGICA:
FUENTE DE PODER

REF.: HIT 136

2/6

CINTERFOR Ira. Edicin

Fig. 1 Supongamos primero que la resistencia de carga R^ es muy grande En la Fig. 2 se tiene el circuito para este caso limite.

Fig. 2 Con un voltaje de entrada alterno el capacitor adquiere el voltaje Vm, valor mximo de la sinusoide, con la polaridad indicada (figura 3).

Fig. 3 El diodo permite la circulacin de corriente nicamente en el sentido de carga del capacitor. La corriente circular siempre que v^ tenga valores mayores que el voltaje de capacitor. El capacitor se cargar hasta alcanzar el valor Vm y el capacitor conservar ese voltaje ya que no hay en el circuito ningn camino de descarga para la corriente. El capacitor se supone ideal, sin prdidas.

INFORMACION TECNOLOGICA:
FUENTE DE PODER

R E F - : HIT 136

3/6

En este caso, el capacitor acta como un f i l t r o ideal. En sus bornes se tiene una tensin continua Vm igual al mximo del voltaje alterno de entrada Obsrvese que con este f i l t r o ideal, el voltaje inverso de pico del diodo se tiene cuando el voltaje de entrada es negativo y mximo y vale en ese cas o : 2 V^ . Este tor de filtro. valor es el doble del que se tiene en ausencia del capaci-

La existencia de una carga R^ que consume corriente (Fig. 1) cambia la s i tuacin descrita para el f i l t r o ideal. En ese caso el diodo no queda permanentemente cortado sino que se distingue un perodo de corte TI y otro de conduccin 12. En la Fig. 4 se representa el voltaje de salida en correspondencia con el de entrada.

Cuando el voltaje de entrada es alto, el diodo conduce y recarga, en cada c i c l o , el capacitor a su mximo voltaje. Gracias al capacitor, el voltaje en bornes de la carga disminuye ms lentamente que el voltaje de entrada. De esa manera, durante el perodo T I , de corte, el voltaje en la carga est gobernado por la constante de tiempo T = R^C. Si este valor es grande frente al perodo del voltaje de entrada, se consigue que el voltaje de la carga no disminuya demasiado hasta que en el c i c l o siguiente el voltaje de entrada vuelva a alcanzarlo (punto Q) y el diodo vuelva nuevamente a conducir. Este a n l i s i s muestra que la ondulacin de la forma de onda de salida es tanto ms pequea cuanto mayor sea la constante de tiempo R^C frente al perodo del voltaje de entrada.

INFORMACION TECNOLOGICA: FUENTE DE PODER

REF

- : HIT 136

4/6

El periodo de conduccin del diodo es muy breve comparado con el de corte. Como el capacitor debe ser recargado durante ese breve intervalo de tiempo, por el diodo circula una corriente, en forma de pulsos breves, de alto valor, Esto es importante pues el diodo debe soportar no slo el valor medio de la corriente, sino el valor de pico de la misma, tanto mayor cuanto ms breve sea el intervalo de conduccin. En el caso de un rectificador de onda completa, el f i l t r o de capacitor acta de manera anloga al caso de media onda, obtenindose ondulaciones menores, al aprovechar todos los semiciclos del voltaje de entrada.
Filtro inductivo

La idea de almacenar energa en una componente para entregarla luego a la carga se puede poner en ejecucin tambin con un f i l t r o
inductivo.

En la Fig. 5 se representa un rectificador de onda completa con un f i l t r o inductivo, un inductor L en serie con la carga R^.

RL

K Fig. 5 La propiedad de la inductancia de mantener corriente, se traduce en la accin de f i l t r a d o . Este fenmeno se analiza con el circuito de la Fig. 6

Fig. 6

INFORMACION TECNOLOGICA:
FUENTE DE PODER

M F - : HIT 136

5/6

' Se aplica un voltaje igual a un semiciclo sinusoidal a una serie L-R. La corriente que circula se representa en correspondencia con ese voltaje en la figura 7.

Fig. 7

Debido al inductor, la corriente continua circulando aun despus que el voltaje se anula. En la Fig. 8 se representan, para el caso del rectificador de onda completa con f i l t r o inductivo, las formas de onda del voltaje aplicado al f i l t r o y la corriente en la carga, suma de las corrientes generadas por cada semiciclo de conduccin (representadas en punteado).

Fig. 8
Filtros L - C

Las caractersticas de los f i l t r o s descritos se pueden combinar en un f i l t r o L-C como el representado en la figura 9.

INFORMACION TECNOLOGICA: FUENTE DE PODER

REF

-:

HIT 136

4/6

Fig. 9 El voltaje rectificado de entrada posee una parte continua (el valor medio) y otra alterna (las sucesivas armnicas) causante de la ondulacin (ripple) Para las componentes alternas, el inductor L representa una alta impedancia en serie y el capacitor C una baja impedancia en paralelo con la carga. Ambos factores contribuyen a reducir el voltaje alterno en la carga.

CINTERFOR l-f Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

HIT 137

1/4

DIAGRAMAS DE BLOQUES

En el estudio de sistemas -y particularmente en sistemas elctricos y electrnicos- es til considerarlos como agrupacin de subsistemas. Para esto,
es conveniente i n t r o d u c i r l a nocin de bloque y de diagramas de bloques.

Llamaremos bloque a un conjunto de elementos en el que tiene lugar un cierto proceso. Este proceso consiste en transformar una magnitud en otra. Se puede interpretar la primera magnitud como seal de entrada al sistema y la magnitud transformada, como seal de salida. En la Fig. 1 se representa un sistema A en el que aparecen las seales de entrada Xi y de salida Xo. El sistema se dibuja como un bloque. Internamente podr ser sencillo o muy complejo, pero nos interesa hacer abstraccin de su constitucin interna y caracterizarlo solamente como procesador que transforma la seal de entrada Xi en la seal de salida Xo.

Fig. 1 En este sentido, se habla del bloque como caja negra (black box). Si la seal de salida se puede expresar en la forma: Xo = F(Xi) la funcin F se llama funcin de transferencia del bloque. Dentro de un mismo sistema se pueden distinguir diversos bloques. El esse simplifica notablemente si

tudio de un circuito electrnico complejo seales y sus sucesivas transformaciones.

se considera como diagrama de bloques que permite seguir el flujo de las

Los conceptos vistos son absolutamente generales. Veamos distintos ejemplos

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF :

DIAGRAMA DE BLOQUES

'

HIT 137

2/4

- Una componente elemental como el resistor (Fig. 2) puede interpretarse como un bloque en el que la seal de entrada es la corriente i , la seal de salida el voltaje v. La transferencia es en este caso la resistencia R: v=Ri.

Fig. 2 - Un amplificador electrnico que convierte la pequea seal de entrada proveniente de un micrfono en una seal de salida para alimentar un parlante, es un bloque en el que la transferencia es la ganancia del amplificador. - El micrfono puede considerarse como un bloque que transforma la seal de sonido en una seal elctrica de salida que ser procesada por el amplificador. - El parlante es un bloque que realiza la transformacin inversa: a partir de una seal de entrada elctrica, entrega una seal de salida sonora. En la Fig. 3 se representa el diagrama en bloques del sistema constituido por el micrfono M, el amplificador A y el parlante P.-

w sonido

M
voltaje

A voltaje

P eonldo

Fig. 3 Como se aprecia en el ejemplo precedente, es posible distinguir dos tipos de bloques: - los que procesan seales elctricas; - los que convierten seales elctricas en magnitudes no elctricas o a la inversa.

CINTERFOR l-f Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 137

3/4

DIAGRAMA DE BLOQUES

Cuando las seales de entrada y salida son elctricas, el bloque es un procesador electrnico. El amplificador es uno de los ejemplos ms sencil l o s y se emplea para aumentar el voltaje, la corriente o la potencia de la seal de entrada. Cuando una seal es elctrica, y la otra no, el bloque se llama transductor Es el caso del micrfono y el parlante.

El transductor que convierte una magnitud f s i c a en una seal elctrica se llama transductor de entrada. El que convierte una seal elctrica en otra magnitud f s i c a se llama transductor de salida. Los transductores se pueden clasificar segn la magnitud f s i c a que convier ten. Se habla as de transductores trmicos, pticos, acsticos, etc.
Transferencia lineal

En general, cada bloque se caracteriza por una funcin transferencia F que determina para cada seal de entrada, cul es la seal de salida correspondiente: Xo = F(X i)
Ejemplo:

Una transferencia puede ser la funcin de segundo grado: a x + bx + c


2

Para cada valor de la seal de entrada Xi se tiene un valor de la seal de salida XO dado por la expresin: Xo = a Xi 2 + bXi + c Interesa especialmente considerar el caso en que la transferencia es una
funcin lineal:

Xo = AXi

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. : HIT 137

4/4

CINTERFOR l-f Edicin

DIAGRAMA DE BLOQUES

En un bloque con transferencia lineal, a la suma de seales en la entrada corresponde la suma en la salida. En general, s i : Xi = Xi + X2 entonces: Xo = A(X1 + X2) = AX1 + AX2 Esta propiedad se conoce como principio de superposicin. Un sistema formado solamente por bloques lineales permite un a n l i s i s completo y constituye uno de los casos de sistema ms importantes.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: AMPLIFICADORES

REF.: HIT 138

1/4

< o

o cc

El amplificador es uno de los ejemplos mas sencillos y ms importantes de procesador electrnico. Se aplica para aumentar el voltaje, la corriente o la potencia de la seal de entrada.

o < o

Segn el tipo de seales elctricas que se tengan como entrada y salida, se reconocen diversos tipos de amplificadores; voltaje-voltaje, voltajecorriente, corriente-voltaje, corriente-corriente. En los casos de amplificadores voltaje-voltaje y corriente-corriente, la transferencia es un nmero, llamado ganancia del amplificador. En la Fig. 1 se representa un amplificador voltaje-voltaje de ganancia 10, con el esquema de tringulo empleado usualmente como smbolo del amplifica' dor.

l-H l-H

O C b

o o 1-1 o

8 i-*

Fig. 1 Si la entrada Xi es una seal sinusoidal de amplitud 1 V (Fig. 2), la salida ser una seal sinusoidal de la misma frecuencia y amplitud 10 veces mayor.

X| 1 V.

Ui

Fig. 2

INFORMACION TECNOLOGICA:
AMPLIFICADORES

REF.:

H I T 138

2/4

En el caso de amplificador corriente-voltaje, la transferencia es una r e s i s tencia y en el caso voltaje-corriente, la transferencia es una conductancia.

Ejemplo:

Supongamos un amplificador que transforma una corriente de 1 mA. en

una seal de IV. En ese caso la transferencia es una resistencia, llamada a veces transresistenca> de valor lkfi. Un amplificador que realice la transformacin inversa, es decir que convierta IV. en ImA. tiene como transferencia una conductancia de valor lm Siemens (tambin llamado m mho o mA/V.) Esta transferencia se llama trccnsconduatancia. En general, interesa construir amplificadores lineales, en los que la salida es una seal proporcional a la seal de entrada. En estos amplificadores se cumple el principio
Ejemplo: de superposicin.

la transferencia lineal de un amplificador de voltaje vale 1000. la salida ser una seal de 1 V. es doble: Xo = 2 V.

Si la entrada es una seal de lmV,

Si la entrada es doble: Xi = 2mV, la salida tambin

Si en la entrada tenemos una seal continua de lmV y una alterna de 3mV de amplitud y frecuencia 10 KHz, se tendr como seal de salida una parte continua de 1 V y una alterna de 3 V de amplitud y 10 KHz.
Amplificador diferencial

El amplificador elemental tiene una nica seal de entrada Xi y la salida es proporcional a e l l a . Muchas veces interesa ampl i f i c a r la diferencia
de tensin entre dos puntos,

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 138

3/4

AMPLIFICADORES

Se tienen entonces dos terminales de entrada XI, X2 y el amplificador d i ferencial (Fig. 3) se caracteriza por la transferencia o ganancia diferencial A, de modo que: Vo = A (XI - X2)

Fig. 3 En un amplificador diferencial ideal, si las seales de entrada son iguales, la salida es nula. Los amplificadores diferenciales reales no cumplen tal condicin, y con seales i d n t i c a s de entrada, es decir con entrada diferencial nula, presentan una pequea seal de salida. Se llama seal de modo comn Ve (common-mode) al promedio de las seales de entrada: Ve = La seal diferencia es: Vd = V - V2
V

Para el amplificador diferencial ideal Vo = Ad.Vd Para un amplificador diferencial real: Vo = Ad.Vd + Ac.Vc

INFORMACION TECNOLOGICA:
AMPLIFICADORES

H I T 138

4/4

A la relacin entre ambas ganancias se le llama relacin


comn p. (conmon mode rejection ratio)

de rechazo de modo

Ad
p

"

~KT

En un caso t p i c o , un amplificador diferencial integrado tiene: Ad = 100 db = 100.000 p = 80 db = 10.000

Cuanto mayor sea la relacin de rechazo, menor ser el efecto en la salida de la entrada de modo comn frente a la diferencia y ms se acercar el amplificador al caso ideal.

INFORMACION TECNOLOGICA:
L M I T E S DE FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR

REF.:

H I T 139

1/2

La caracterizacin de un amplificador por su ganancia A, independientemente de la seal de entrada, slo puede hacerse en un caso ideal. En un amplificador real, la ganancia es una funcin de la frecuencia
seal de entrada. de la

La ganancia se representa en funcin de la frecuencia, en un diagrama simple o doble logartmico. Se obtienen grficos similares a la figura 1. Ab

Fig. 1
Se d i s t i n g u e un rango de frecuencias medias3 entre fa y f b , en que la ganancia es aproximadamente constante e independiente de la frecuencia.

Fuera del intervalo de frecuencias medias, la ganancia del amplificador disminuye. En un diagrama logartmico doble, se puede aproximar con rectas la respuesta del amplificador, figura 2. A A

3 dt>l

Fig. 2 Este diagrama formado por rectas se llama diagrama


asintotico.

Convencional mente, se llama ancho de banda al intervalo de frecuencias deter minado por los puntos de cada 3 db. de la ganancia (Fig. 3). El ancho de banda es una propiedad que se vincula directamente con la aplicacin del amplificador.

INFORMACION TECNOLOGICA:
L I M I T E S DE FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR

REF

--HIT 139

2/2

Los amplificadores se c l a s i f i c a n segn su ancho de banda en funcin del tipo de seaies que deben procesar. Se habla de amplificadores de:
- Continua3

para seales continuas y de frecuencias bajas.

-Audio,

para seales de frecuencias audibles (100 Hz a 10 KHz).

- Video9 para seales de televisin (50 Hz a 4 MHz).


- Radio frecuencia,

para seales empleadas en radiocomunicaciones (por

ejemplo 535 a 1600 KHz). Si un amplificador maneja seales sinusoidales de distintas frecuencias, para que todas e l l a s sean amplificadas en la misma magnitud banda del amplificador deber de las seales de entrada. Un amplificador de audio, que deber procesar con igual ganancia seales desde 100 Hz a 10 Hz, debe tener un ancho de banda igual o mayor a ese intervalo. Cuando las seales de entrada no son sinusoidales, el a n l i s i s debe ser ms cuidadoso. Una onda cuadrada de frecuencia f = lKHz se puede considerar, segn el anlisis de Fourier,

el ancho de

cubrir el conjunto de frecuencias (espectro)

como la suma de seales sinusoidales: de frecuencia fun-

damental f y armnicas sucesivas de frecuencias 3f, 5f, etc. Para que la onda cuadrada sea amplificada s i n excesiva deformacin, no alean
za con que el ancho de banda contenga a la frecuencia cubrir el mayor nmero de armnicas posible. fundamental. Deber

En la medida que existan d i f e -

rencias entre la amplitud o la fase

de la fundamental y sus armnicas, la

onda cuadrada no ser reproducida exactamente igual.

CINTERFOR Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:
L M I T E S DE AMPLITUD DE UN AMPLIFICADOR

X Z * '- HIT 140

1/3

< O

El tamao de la seal de salida que un amplificador puede manejar est l i m i tado por su estructura interna y por la tensin de las fuentes de continua que lo alimentan. Supongamos un amplificador de ganancia A = 10 (Fig. 1) que limita con una salida de 12 V.

Fig. 1 En ausencia de seal de entrada, la salida estar a un cierto voltaje de continua.

Llamamos punto de operacin o de reposo

Q (Quiescent) de un amplificador La determinacin


polarizacin.

al punto de funcionamiento del mismo en ausencia de seal. de este punto por parte del circuito se llama

Para cada punto de reposo Q el tamao de las seales que puede manejar est fijado por uno de.los dos lmites mximos donde se encuentra la salida ( f i gura 2).

Fig. 2 Si el punto de reposo se encuentra en la mitad el amplificador podr entregar una seal de salida mxima de 12 V de amplitud pico a pico.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT 140

2/3

LIMITES DE AMPLITUD DE UN AMPLIFICADOR

Como la ganancia es 10, la seal de entrada no podr ser mayor de 1,2 V. pico a pico; de lo contrario la seal de salida resultar fuertemente deformada (figura 3).

Fig. 3 Desde el punto de vista de la polarizacin, los amplificadores se clasifican, convencionalmente, en cinco clases: Clase A : El punto de operacin y la seal
Un amplificador clase A es lineal.

de entrada son tales que la co-

rriente en la salida fluye permanentemente. Es el caso de las figuras 1 y 2.

Clase B: El punto de operacin est en el extremo del rango de tensiones d i s -

ponible (figura 4).

Fig. 4 Un amplificador Clase B slo amplificar semiciclos si maneja seales sinusoidales. La operacin es claramente no lineal y su conducta se asemeja a un
cador . Clase AB: La polarizacin es intermedia a la de los casos anteriores y el tarectifi-

mao de la seal es tal que la salida es cero en una parte de un semiciclo (figura 5).

INFORMACION TECNOLOGICA:
L M I T E S DE AMPLITUD DE UN AMPLIFICADOR

R E F . : H I T 140

3/3

Fig. 5

Clase C: La polarizacin es tal que el voltaje de salida es nulo durante ms

de un semiciclo (figura 6).

A A -

L-i.-A

Fig. 6 Un amplificador Clase C es absolutamente no l i n e a l ; para entrada sinusoidal entrega pulsos de salida; solamente conserva la frecuencia entrada.
Clase d:(Amplificadores de nivel

de la seal de

o digitales)

Trabajan con salidas fuerte-

mente deformadas, Fig. 3. Convierten una sinusoide en una onda prcticament e cuadrada.

Los amplificadores no lineales


frecuencia

se aplican cuando no interesa que la sa-

lida sea una rplica de la entrada. Cuando se desea conservar solamente la o la fase de una seal o cuando se reconstruye la salida con un f i l t r o , se pueden emplear amplificadores no lineales. Tienen, frente a las otras configuraciones, un excelente rendimiento en potencia.

INFORMACION TECNOLOGICA:
IMPEDANCIAS DE ENTRADA Y DE S A L I D A

REF.:HIT

141

1/4

Cuando un bloque electrnico se interconecta con otros bloques de un sistema, es importante conocer las impedancias vistas
y de salida. desde sus terminales de entrada

Tratndose de un amplificador, la entrada es alimentada por una fuente de seal (la salida de un transductor o de otro procesador electrnico). En cualquier caso, el sistema que alimenta el amplificador se caracteriza por un equivalente de Thvenin. En la Fig. 1 se representa la entrada del amplificador de impedancia Z i , a l i mentado por un circuito de Thvenin de impedancia (source).

-AWV/ Zi

A
Fg. 1

El voltaje efectivamente aplicado a la entrada del amplificador no es E, s i no que este valor es atenuado en la relacin

Zi
Z

No habr prcticamente atenuacin s i la impedancia de entrada Zi es mucho mayor que la de la fuente Zs. En la Fig. 2 se representa la salida del amplificador por su equivalente Thvenin.

Zo

A v/p

Vo

i
Fig. 2

INFORMACION TECNOLOGICA:
IMPEDANCIAS DE ENTRADA Y DE S A L I D A

REF.: HIT 141

2/4

La salida est conectada a una impedancia de carga Z L (que puede ser la entrada a una etapa adicional de amplificacin). Como consecuencia, la tensin en la carga no es AV.., sino que es atenuada en la relacin

Vo = A V.
1

Zo + Z,

Esta atenuacin ser despreciable en la medida que Zo sea mucho menor que
Z

L-"

Ejemplo: Dos etapas idnticas de amplificacin tienen impedancia de salida de 100 ti y de entrada 100 K Al conectarlas en forma sucesiva no ocurre ninguna atenuacin apreciable. Combinando las caractersticas de niveles de impedancia de entrada y salida de un amplificador (Fig. 3) se puede c l a s i f i c a r los amplificadores en cuatro categoras extremas:

Fig. 3
1) Amplificador voltaje voltaje.

La transferencia de voltaje de entrada a voltaje de salida es independiente de las impedancias de la fuente y de la carga. Este caso se tiene cuando se cumplen las condiciones: Zs mucho menor que Zi (la seal se aplica con una fuente de voltaje) Zo mucho menor que Z, (el amplificador es una fuente de voltaje) En ese caso: Vi Vo = = E = A E

A Vi

CINTERFOR l-f Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

" - H i t

141

3/4

IMPEDANCIAS DE ENTRADA Y SALIDA 2) Amplificador corriente-corriente.

La transferencia de corriente de entrada a corriente de salida es independiente de las impedancias de la fuente y de la carga. Se tiene con las con diciones opuestas al caso anterior: Zs mucho mayor que Zi (la seal se aplica con una fuente de corrien te) Zo mucho mayor que ZL (el amplificador es una fuente de corriente) En ese caso:
V

= Z

i 1l =
A Z

. = io

A v

1 0

Z 0

. 1.

la amplificacin

de

corriente:

* = A Zi Zo es independiente de Zs y Z^. 3) Amplificador corriente^ooltaje.

La transferencia de corriente de entrada a voltaje de salida es indepen diente de Zs y ZL. Se cumple cuando: Zs mucho mayor que Zi (la seal se aplica con una fuente de corriente) Zo mucho menor que ZL (el amplificador es una fuente de voltaje). Entonces: Vi = Zi i . Vo = A Z. i . 1a transresistencia: Rm = AZ i

INFORMACION TECNOLOGICA:
IMPEDANCIAS DE ENTRADA Y DE S A L I D A

RF p - : HIT 141

4/4

es independiente de Z $ y Z^.
4 ) Amplificador voltaje corriente.

La transferencia de voltaje de entrada a corriente de salida es independiente de Zs y ZL. Se cumple cuando: Zs mucho menor que Zi (la seal se aplica con una fuente de tensin) Zo mucho mayor que ZL (el amplificador es una fuente de corriente). En ese caso:

la

transconductancia'.

es independiente de Z $ y Z

Para medir resistencias se pueden u t i l i z a r instrumentos, llamados hmetros, cuyas escalas se gradan en unidades de resistencias. Los hmetros mas corrientes constan de una fuente de alimentacin, resisten cias calibradas y un instrumento de cuadro mvil conectados como en la f i gura 1.
-MMR X

l-fch

Fig. 1 E R Rx A fuente de voltaje resistencia calibrada resistencia cuyo valor se desea averiguar instrumento de cuadro mvil

La corriente que mide el instrumento es: R + Rx Cuando entre B y C no colocamos ninguna resistencia, el circuito queda abierto (Rx infinita) y la corriente (I = 0) no desva la aguja del instru ment. Si unimos con un cable B y C (Rx = 0), la corriente es mxima y por lo

tanto ser mxima la desviacin de la aguja del instrumento. En ese caso: i M R

La relacin entre la corriente I y la corriente mxima es:

I IM

R R + Rx

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF '

'HIT 142

2/4

CINTERFOR l-f Edicin

HMETRO

Esta relacin da la desviacin de la aguja del instrumento (con relacin a la desviacin mxima) para los distintos valores de Rx. De esta manera se calibra la escala definitiva del hmetro. Supongamos que elegimos los valores de E y R de modo que la corriente mxima corresponde a la corriente de plena escala.

Cuando Rx = 0 tendremos la corriente de plena escala y el instrumento marcar su desviacin mxima. A l l se colocar cero resistencia. Cuando Rx = R: 1 1 1 = a M R+R
R

Im

la aguja del instrumento marcar la mitad de la escala y a l l se colocar el valor R. Si Rx = 2R:


1

= M 4 -

la aguja marcar el primer tercio de la escala y a l l se colocar el valor 2R.


Ejemplo:

Analizaremos la calibracin de un hmetro que posee una resisten-

cia R = 100n.- En la Fig. 2 se muestra la escala de corrientes 1/I M .Para Rx = 600ft se tiene una desviacin de 0,5 Para Rx = lOOft se tiene una desviacin de:
600

700

=0.857

Siguiendo un razonamiento similar se puede calibrar la escala del instrumento en valores de resistencias.

CINTERFOR l-f Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 142

3/4

HMETRO

O.l ii I0K6K

i i 0,2 0 3

1 0.4 0,5 0 , 6 0 . 7 0 . 8 0 , 9 IK 600

ZA - ' I

100

R 6 0 0 SI

iitIOOK 6 0 K iiiI M A 6 0 0 K A

IOK

6 SI

IK

R 6

KSl

\OOKTL 6 0 K

10 K

60 K A

Fig. 2 Como vemos esa escala es no lineal. Hay zonas donde la lectura no es muy buena pues los valores de la lectura se juntan excesivamente. Para cada valor de R podemos obtener una escala de resistencias d i s t i n t a . Por eso los hmetros utilizan varios valores de R. De esa manera se logra cubrir distintos rangos de medida de resistencias con comodidad; ver Fig.2 Los hmetros usan pilas como fuente de alimentacin. Con el uso, las pilas se descargan y el valor de E vara. Eso hace que la indicacin de resistencia:

I =

R + Rx

vare. Para evitar este problema, R es una resistencia ajustable. De esta manera se puede lograr que I M se mantenga. Sin embargo, la lectura
de resistencias altera algo al ajustar el valor de R.

Usualmente se usa un instrumento de cuadro mvil para construir un hmetro. Para poder cubrir distintos rangos de resistencia ser necesario que el ins^ trumento marque la corriente de plena escala para los distintos valores de R cuando la resistencia a medir es Rx = 0.

INFORMACION TECNOLOGICA:
HMETRO

R E V

':

HIT 142

4/4

Eso requiere que se cuente con shunts que permitan medir distintos rangos de corriente.
Ejemplo-.

Un instrumento de cuadro mvil de 50yA de corriente mxima y 5000ft

de resistencia interna se u t i l i z a para construir un hmetro.Supongamos que se trabaja con dos pilas de 1,5 v o l t i o s y que la resistencia R tiene 3 rangos de 600ft, 6 Kn y 60 Kn. La corriente mxima para
R = 60Kq

es

50YA.=

En este caso no se requiere shunt para el ampermetro. Para R = 600ft y R = 6to la corriente I M es respectivamente 5mA y 95mA; por lo tanto se necesitan shunts distintos para cada escala.

CINTERFOR

INFORMACION TECNOLOGICA: CIRCUITOS LINEALES

R E F . : H I T 143 3/3

Ira. Edicin

Decimos que una componente electrnica es lineal


< o o cc

si las magnitudes de volta-

je y corriente en esa componente son proporcionales. Un r e s i s t o r , por la ley de Ohm v = Ri, relacin lineal entre voltaje y corriente (Fig. 1), es una componente l i n e a l .

<c o II Cd ho
UJ

o o II

I
UJ

Fig. 1 Un circuito formado por componentes lineales se llama lineal y tiene una

8
o
-i

serie de importantes propiedades. En un circuito l i n e a l , provisto de uno o mas generadores (v^, v 2 , etc.),el voltaje vQ entre dos puntos cualesquiera es una funcin lineal de voltaje de los generadores (vQ = a v^+b v 2 + . . . ) . Si el circuito posee una sola fuente V p vQ es proporcional a v^.

1 3

Fig. 2 En el circuito de la Fig. 2, se sabe que para v Podemos afirmar que: s i v = 20 Y, vQ = 20 10 x 8 = 16 V 10V, el voltaje vQ es 8V

s i v =-5 V,

vQ = - 4 V.

El teorema de Thvenin, que permite caracterizar el circuito visto desde dos puntos por un circuito equivalente, es vlido solamente para circuitos lineales.CsJ

INFORMACION TECNOLOGICA: CIRCUITOS LINEALES

REF - : HIT 143

4/6

Un ejemplo de componente no lineal es el diodo, que ofrece resistencias dis tintas segn el sentido del voltaje que se le aplica (figura 3).

Fig. 3 En un circuito con resistores y diodos, no podemos aplicar el equivalente Thvenin.


Tripolos y cuadripolos

Muchas veces, en el circuito que se estudia, se reconocen terminales de entrada, donde se aplica la fuente, y terminales de salida, terminar el voltaje que aparece. Cuando la entrada y la salida tienen un terminal comn: la t i e r r a , el c i r cuito se llama tripolo (Fig. 4). Dibujamos el circuito representado por un rectngulo o "caja negra", s i n detallar las conexiones de la red interna, para enfatizar la caracterizacin del mismo desde el exterior. donde se desea de-

i
Fig. 4 Al voltaje de entrada se le llama tambin excitacin por v e o v. (input) o v $ (source). El voltaje de salida se llama tambin respuesta a aquella excitacin y se representa por v g o vQ (output) o v L (load). y se suele representar

INFORMACION TECNOLOGICA: CIRCUITOS LINEALES

R E F - : HIT 143

4/6

Si el circuito es l i n e a l , sabemos que vQ resulta proporcional a v^ : v o = G v. i o ganancia de

El factor G, que depende del circuito, se llama transferencia


voltaje. Ejemplo:

En el circuito de la Fig. 5 consideramos el tripolo cuyos termina-

les de entrada son AC y los de salida son BC. Una fuente E se conecta a los terminales de entrada y un r e s i s t o r de carga R. se conecta a los de salida.

Fig. 5 La transferencia de voltaje para este c i r c u i t o , resulta

G =

3 0R 1 1

(R1+R3)(R2+R1)+R1R3

La descripcin de la "caja negra" desde el exterior se completa mediante otros parmetros: las resistencias de entrada y salida. La resistencia vista desde los terminales BC, con los terminales AC en cort o c i r c u i t o , se llama resistencia de salida Ro (output).

En el circuito de la figura 5 resulta:


R R 1 3 Ro = R ? + ^ R +R

3
resisten-

La resistencia vista desde los terminales de entrada AC, se llama


cia de entrada Ui

(input).

INFORMACION TECNOLOGICA: CIRCUITOS LINEALES

REF.: h i t

143

4/5

En el circuito de la Fig. 5, con la carga R^ conectada, resulta R 3 (R 2 +R L )


+

R1

R3+R2+RL

Este valor depende de la carga R^. Del mismo modo, s i el generador E tuviera resistencia interna, la resistencia de salida dependera de esta resistencia Por esta razn, en algunas oportunidades conviene estudiar tripolos y cuadripolos de otra manera.
Parmetros de un cuadripolo

En un cuadripolo se definen voltajes y corrientes de entrada y salida con polaridades convencionales como se indica en la Fig. 6. No es necesario que exista un borne comn como ocurre en un tripolo.

Fig. 6 Las ecuaciones que permiten el a n l i s i s del circuito son un sistema de ecuaciones lineales y se pueden transformar de modo de reducirse a un par de ecuaciones. gidas. Segn sea la eleccin de esas variables, resultan d i s t i n t o s parmetros del
cuadr-polo.

Las dems variables se expresan en funcin de dos incgnitas ele

Si se despejan los voltajes V^ y

V1 = Z11 ll

12

21 ll

22 l2

CINTERFOR l-f Edicin

__

INFORMACION TECNOLOGICA:

B3SB :

HIT 143

5/5

CIRCUITOS LINEALES

Los parmetros Z as definidos se llaman impedancias de circuito

abierto.

El nombre se justifica ya que para determinar Z ^ basta abrir la salida y calcular en esa condicin la impedancia de entrada . Con I 2 = 0 se tiene:

Z 11

"

Ij

Del mismo modo se obtienen las restantes. Entre las posibles elecciones de variables, una de particular inters es la que resulta de despejar V^ e I 2 :
V

1 hll h '
h

12 V2 22 V 2

21

Los parmetros as definidos, llamados parmetros h, encuentran particular utilidad en el estudio de h


amplificadores.

es la impedancia de entrada con la salida en cortocirtuito (V 2 =0) es la inversa de la ganancia en voltaje con la entrada abierta es la ganancia en corriente con la salida en cortocircuito (V 2 =0) es la admitancia de salida con la entrada abierta (I^=0) En el circuito de la Fig. 5 suponemos que los tres resistores son =0)

h12 h21 h22

Ejemplo:

de

lKn. Se tiene como parmetros del cuadripolo: Z i;L = Z 1 2 = lKn Z 2 1 = lKn Z 2 2 = 2K h


n

= 1,5 Kft

h 1 2 = 0,5 h 2 1 = 0,5 h 2 2 = 0,5mS =

INFORMACION TECNOLOGICA: REPRESENTACION DE VECTORES POR NUMEROS COMPLEJOS

R E F - : HIT 144

4/6

El empleo de d i a g r a m a s rrientes terna. sinusoidales

de v e c t o r e s

para e s t u d i a r

tensiones de

y coal

conduce a f o r m u l a r l a s

leyes

circuitos

en una forma c o i n c i d e n t e en c o r r i e n t e

c o n t i n u a y en c o r r i e n t e

Para poder e x t e n d e r e s t a v e n t a j o s a c o i n c i d e n c i a es n e c e s a r i o der e x t e n d e r alterna. tambin el c o n c e p t o de resistencia generaliza este a la La impedancia del tipo: V = Z I generaliza
viera presentan

po

corriente

concepto.-

Una e x p r e s i n

completamente
en el sinusoides.-

l a Ley de Ohm de l o s
caso en que V e I son

r e s i s t o r e s , si tuvectores que re-

significado

E x i s t e n d i v e r s a s maneras las maneras p o s i b l e s , d i a n t e nmeros

de t r a b a j a r

con v e c t o r e s .

D e n t r o de es me-

la ms t i l

en l a e l e c t r o t c n i c a

complejos.-

La razn se e n c u e n t r a en que l o s nmeros c o m p l e j o s mecanismos para


pretar la trabajar de con diagramas de vectores ecuacin impedancias.-

suministran
y para inter-

Propiedades

de

los

nmeros

complejos.

Recapitularemos

algunas

propiedades en sus

de l o s

nmeros en

complejos,

haciendo e s p e c i a l

nfasis

aplicaciones

electrotcnica.

Los l i b r o s y manuales no emplean una n o t a c i n un mismo l i b r o emplea n o t a c i o n e s tores, tarse con c u i d a d o el significado iguales complejos, amplitudes, etc. En cada

u n i f o r m e . A menudc a vecinterpre-

para r e f e r i r s e c a s o deber

de l a s d i s t i n t a s

frmulas.como:

Un nmero complejo se e s c r i b e a + bi

en l a forma binmica

INFORMACION TECNOLOGICA: REPRESENTACIN DE VECTORES POR NUMEROS COMPLEJOS

REF-:

HIT

144

4/6

En

que

a es

la

parte

real,

b es

la

parte

imaginaria

e i

es

la

unidad imaginaria,

que cumple

la propiedad

fundamental:

En l a F i g .

i2 = - i 1 vemos l a r e p r e s e n t a c i n

del

complejo 3 + 2 i

Fig. El v e c t o r OP t i e n e 3 y la parte usual real imaginaria 2.-

1 sobre los ejes la parte

como p r o y e c c i o n e s en e l e c t r o t c n i c a
que en

La n o t a c i n
1.-A

presenta algunas
la notacin
le i.

diferencias
se
j

la unidad

imaginaria9

matemtica
por

re-

p r e s e n t a por i evitar 2.-

(de i m a g i n a r i o ) , se con l a corriente

representa

para

confusin real

La p a r t e

se l l a m a p a r t e por R.-

resistiva

o a c t i v a y se

repre-

s e n t a usualmente 3.La p a r t e

imaginaria

se l l a m a p a r t e

r e a c t i v a y se como:

representa

por X. Es d e c i r que e l

complejo se e s c r i b e

R + j X Se cumple que: j Un c o m p l e j o admite


2

- I la notacin
polar

tambin Z<*

REPRESENTACION DE VECTORES POR NMEROS COMPLEJOS

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT

144 3/5

En l o que Z es el mdulo,
ment

( a m p l i t u d del v e c t o r ) y < j > es el

argu

( n g u l o que el

v e c t o r forma con el eje r e a l por l a s

positivo).-

Ambas n o t a c i o n e s e s t n v i n c u l a d a s Z 2 = R 2 + X2
tg < t > = j-

relaciones:

En l a F i g . 2 se r e p r e s e n t a el

complejo 4 + 3 j . -

En n o t a c i n polar: Z = 1 6 + 9 = 2 5 3 0,75

Fig. 2

Z = 5 * = 36 52 so-

tg 4 >= Si el

complejo r e p r e s e n t a una s i n u s o i d e , el mdulo informa argumento sobre su fase.-

bre su a m p l i t u d y el La suma de complejos y partes En l a F i g . 2 + 3j

se hace sumando por separado p a r t e s

reales

imaginarias.3 se r e p r e s e n t a la suma de l o s complejos 4 + j y

Fig.

INFORMACION TECNOLOGICA: REPRESENTACIN DE VECTORES POR NMEROS COMPLEJOS

REF -: H I T

144

4/6

(4+j) El

+ (2 + 3 j ) = 6 + 4 j vector suma de l o s vectores su-

complejo suma r e p r e s e n t a el

mandos . Producto de complejos.

El

producto

de c o m p l e j o s

recordando la propiedad j
Ejemplo:

puede h a c e r s e en l a n o t a c i n = 1.

binmica,

(3 + j) (1 - 2j) = 3 - 6j + j - 2j

= 5 - 5j

Se o b t i e n e la notacin producto

un r e s u l t a d o ms e x p r e s i v o polar.
de

haciendo el

producto

con el la

El
los

complejo p r o d u c t o t i e n e de l o s
argumentos.

como mdulo,

de los

mdulos

f a c t o r e s , y como a r g u m e n t o ,

suma algebraica

En l a F i g . y 2^45.-

4 se r e p r e s e n t a el 6^65

producto

de l o s

complejos:

3^20

E1 p r o d u c t o e s :

Fig. Si un f a c t o r es la unidad i m a g i n a r i a , j c o n s e r v a el mdulo y e l , el

4 cual-

p r o d u c t o por

quier

complejo

argumento suma

90.-

E1 f a c t o r j a c t a como un operador quier (Fig. complejo, lo g i r a 5).un n g u l o

de rotacin:

a p l i c a d o a cual antihorario.

r e c t o en s e n t i d o

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: REPRESENTACIN DE VECTORES POR NUMEROS COMPLEJOS

REF.: H I T

144

3/3

Fig. Si un f a c t o r es de mdulo 1:

5 1 <f>, el p r o d u c t o por cualquier

complejo t e n d r el mismo mdulo y l a suma de l o s Es d e c i r que el de n g u l o <t>: S i el este Si complejo r e p r e s e n t a factor se d e s p l a z a


la

argumentos. rotacin

factor

1 ^

a c t a como un o p e r a d o r de

una s i n u s o i d e ,
fase

al m u l t i p l i c a r l a

por

de l a s i n u s o i d e

correspondiente producto factor girarlo,

un f a c t o r es r e a l , es d e c i r de argumento c e r o , el complejo t e n d r el a c t a como un o p e r a d o r que m a g n i f i c a 6.-

por c u a l q u i e r real fig.

argumento de e s t e . Un un v e c t o r s i n

Fig. 6 En g e n e r a l , c u a l q u i e r 1<^<> nes


ngulo

complejo Z ^ someter al
de

puede i n t e r p r e t a r s e otro factor


valor

a su vez 1:
de

como p r o d u c t o de un nmero r e a l En un p r o d u c t o , sucesivas:


<j>. una magnificacin

Z y uno complejo de mdulo a dos


Z y una votacin

operacio-

Una e x p r e s i n
tud

V = Z I se puede i n t e r p r e t a r v o l t a j e , y un f a c t o r corriente.de l a

como dos

sinusoides
la amph

l a c o r r i e n t e y el y la fase

Z que m o d i f i c a

INFORMACION TECNOLOGICA:
RECTIFICACIN TRIFASICA

REF. 'HIT 145

1/3

Cuando los rectificadores deben suministrar potencias grandes, resulta conveniente construirlos a partir de un sistema de alimentacin de alterna t r i fsico. Se obtiene de esa manera un mejor aprovechamiento de la potencia,Mejora el rendimiento en la conversin de potencia alterna a potencia de con tinua entregada a la carga respecto al rectificador monofsico.La ondulacin se reduce sensiblemente en comparacin a los rectificadores monofsicos (disminuye el ripple).En un sistema t r i f s i c o , se tienen tres lneas cuyos voltajes son s i n u s o i des de igual amplitud y frecuencia, defasadas entre s un tercio de ciclo
(120).

En la Fig. 1 se representan las tensiones de las lneas A, B, C, respecto al neutro N y en la Fig. 2 el diagrama vectorial correspondiente.A*

Fig. 1 Supongamos un transformador t r i f s i c o cuyos secundarios poseen un borne comn, configuracin estrella.

En la Fig. 3 se representa un circuito rectificador de media onda armado a partir de ese sistema de alimentacin,-

INFORMACION TECNOLOGICA: RECTIFICACIN TRIFASICA

REF-: H I T 145

4/6

8
RL

Fig. 3 Para analizar la conduccin de los tres diodos es necesario superponer las tres sinusoides. En cada momento, la mayor tensin
de un diodo y el corte de los dos restantes.-

provocar la conduccin

En la Fig. 4 se observan la forma de onda del voltaje. Para la rectificacin cada fase acta solamente durante un tercio del ciclo (120).-

B Fig. 4

Puede apreciarse que el voltaje rectificado es menos variable que el del rectificador monofsico. La tensin no llega nunca a cero.En la Fig. 5 se representa un rectificador t r i f s i c o de onda completa. Se emplea el mismo diagrama para analizar las ondas. En este caso se agrega a la Fig. 4, la conduccin de la fase C entre los picos de las fases A y B y as sucesivamente.-

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: RECTIFICACION TRIFASICA

R E F . : H I T 145

3/3

Un a n l i s i s cuidadoso del mismo muestra que los caminos de circulacin de la corriente cambian seis veces por c i c l o , segn los valores relativos que tengan las tensiones en las d i s t i n t a s f a s e s . -

RL

Fig. 5

* * *

En la Fig. 6 se representa la forma de onda del voltaje rectificado

Fig. 6

Con esta configuracin, se consigue un ripple de 4,2%.-

INFORMACION TECNOLOGICA:
D I SEO DE FUENTES DE PODER

REF. : HIT 146

1/5

El

d i s e o de una f u e n t e de poder debe comenzar por l a

configu-

r a d ' n. La e l e c c i n tisfacer de una c o n f i g u r a c i n electrnicas p a r a el y rectificador debe sa-

condiciones

econmicas. elevados En de potencia, El cos-

En f u e n t e s conviene

que deben s u m i n i s t r a r

valores

recurrir

a rectificadores

trifsicos.

aplicaciones de b a j o

de pequea p o t e n c i a se emplean r e c t i f i c a d o r e s rectificador de media onda c o n s t i t u y e casos t o , adecuada en a q u e l l o s que t o l e r a n

monofsicos.

una s o l u c i n

ondulacin. a las configurarectiondula

Cuando se e x i j e o n d u l a c i n mnima, se r e c u r r e ciones de onda completa. la configuracin Una vez e l e g i d a f i c a d o r y el cin Dadas deseada. las caractersticas anlisis no l i n e a l e s de l o s

se procede a d i s e a r el corriente y

filtro

para o b t e n e r l a t e n s i n ,

circuitos los

rectifiestu pa-

c a d o r e s , el rmetros . Analizaremos

e x a c t o es demasiado c o m p l e j o . a curvas que v i n c u l a n

Para el distintos

d i o y d i s e o se r e c u r r e

el

caso del (Fig.

rectificador

de onda completa con el ms empleado.

fil-

tro capacitivo

1) por c o n s i d e r a r l o

+
C

Vm

Fig. En l a F i g . cin entre del Vm del

1 2 se r e p r o d u c e el voltaje voltaje la f a m i l i a de c u r v a s que dan l a por el rela-

de c o n t i n u a en l a c a r g a Vo y l a

amplitud

de a l t e r n a s u m i n i s t r a d o

transformador,

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT

146 2/5

DISEO DE FUENTES DE PODER

en f u n c i n cin).

de R^ Cw (w es l a p u l s a c i n

del

voltaje

de

alimenta-

Fig. 2 Como parmetro de e s t a s entre sistencia de c a r g a R^: 100 IT La r e s i s t e n c i a


devanado

curvas

se t i e n e

la r e l a c i n

porcentual re-

la r e s i s t e n c i a R R g del

devanado del

transformador y la

R del s

transformador
reflejada

c o n s t a de la resistencia
por el primario.

del

secundario

y la

Ejemplo

: D i s e a r una f u e n t e p a r a o b t e n e r un v o l t a j e

continuo

VQ = 12V y un consumo de 600 mA. La r e s i s t e n c i a R L que e x p r e s a e s t e consumo R,


12 0,6

es:

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: DISEO DE FUENTES DE PODER

REF

* :H IT 146

3/5

Para que al masiado de l a s

variar

la carga la tensin con v a l o r e s condicin: R l Cw > 10 altos

de l a f u e n t e no v a r e la Fig. del p r o d u c t o Rj_Cw.

de-

(es d e c i r para t e n e r buena regulacin)^ curvas que l a

2 muestra ^ur9e

que c o n v i e n e t r a b a j a r

es

adecuada. e j e m p l o , con un c a p a c i t o r de f i l t r o de C = 2 0 0 0 y F , se tie

En el ne:

R L w Supongamos del primario). que se t i e n e Entonces:

= 12,56

( f = 50 Hz) resistencia por el

un v a l o r de R $ = l a para l a

transformador

(devanado s e c u n d a r i o ms l o r e f l e j a d o

100 - V R L La F i g . 2 permite d e t e r m i n a r

Rs

= 5 %

entonces:

V. nr- = 0,82 m El transformador deber s u m i n i s t r a r Vm = m 0,82 un v o l t a j e alterno:

= 14,6 V

Debe t e n e r s e p r e s e n t e que cada d i o d o de s i l i c i o da en c o n d u c c i n del se en e s t e caso. Segn sea e l 15,3 V 16 V rectificador

implica

una

ca

orden de 0 , 6 a I V , que no puede

despreciar tendr:

empleado se simtrico) puente)

Vm = Vm = El t r a n s f o r m a d o r ces

(rectificador (rectificador entonces

debe s u m i n i s t r a r

1 0 , 8 u 11,4 V e f i c a -

respectivamente.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT

146

4/5.

GNTERJFOi Ira. ^ ^ i i

DISEO DE FUENTES DE PODER

La c u r v a de l a F i g . ondulacin {ripple)

3 (caso c a p a c i t i v o de donde se

) permite

determinar

la

obtiene: 7% de l a o n d u l a c i n es:

y =

Esta c i f r a

q u i e r e d e c i r que e l

valor eficaz V.

0 , 0 7 x 12 = 0 , 8 4 Si se c o n s i d e r a
filtros

alto este

v a l o r , se debe aumentar
o se debe emplear
un

c,

se debe emelec-

plear

- adicionales

regulador

trnico

Los d i o d o s a) el

rectificadores

deben c u m p l i r

las

condiciones: configuracin

voltaje

de p i c o i n v e r s o

s e r 14,6 V en l a simtrico.

puente y 2 9 , 2 V en l a de r e c t i f i c a d o r b) La c o r r i e n t e diodo aporta

media s e r en ambos c a s o s

300 mA, ya que cada carga. de t a b l a s . valor toconSe

l a m i t a d de l a que c i r c u l a

por l a

c) l a c o r r i e n t e obtienen

de p i c o puede d e t e r m i n a r s e

a partir

corrientes

de p i c o que l l e g a n a 8 10 veces el rectificadores valores

de l a c o r r i e n t e media. Los d i o d o s l e r a n , en g e n e r a l , d i c i n no es crtica.

de s i l i c i o

de p i c o m a y o r e s , por lo que e s t a

d) Al encender l a f u e n t e de p o d e r , la c a r g a del t r o no es capacitor. instantnea. E s t o i m p l i c a que durante por l o s los primeros

capacitor ciclos

de

fil-

Demorar t a n t o ms cuanto mayor sea diodos

este re-

de f u n c i o

namiento, la c o r r i e n t e

s e r mucho mayor que en

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: DISEO DE FUENTES DE PODER

REF.: HIT

146 5/5

gimen. E s t l i m i t a d a por l a r e s i s t e n c i a del transformador o por un r e s i s t o r

s e r i e de l o s

devanados efectos. de e n c e n d i

colocado a estos de c o r r i e n t e

Los d i o d o s

de s i l i c i o

poseen un l m i t e

do (Peak S u r g e C u r r e n t ) mayor que el En el ejemplo a n a l i z a d o de: Vm la c o r r i e n t e

pico

repetitivo. a l c a n z a el valor

inicial

de p i c o

= 14,6A

INFORMACION TECNOLOGICA:
DISTORSIN

REF.: HIT 147

1/6

En un amplificador lineal ideal una seal de entrada sinusoidal genera una seal de salida tambin sinusoidal. Cuando se implementan amplificadores rea l e s , se observa que la seal que se obtiene a la salida no es una v-plica
fiel de la seal de entrada.

Se distinguen d i s t i n t o s orgenes de la deformacin o distorsin: cia no lineal y distorsin de frecuencia o de fase.


Transferencia no lineal

transferen-

En la medida en que el amplificador real est construido con d i s p o s i t i v o s que no son absolutamente lineales, la transferencia del circuito no es l i neal . En este caso aparecen9 en la seal de s a l i d a , frecuencias
sentes en la seal de entrada.

que no estn pre-

En un amplificador lineal de ganancia A, la seal de salida es proporcional a la entrada: Xo = A Xi relacin que se representa en la recta de la figura 1.

Xo

Si la seal de entrada es sinusoidal, Xi = X eos wt, la salida es una sinusoide proporcional: Xo = A Xi = A X eos wt.

INFORMACION TECNOLOGICA:
DISTORSIN

REF. :HIT 147

2/6

Si la ganancia es A = 10 y la amplitud es X = 1 V., la salida es una seal de forma idntica a la de entrada y de amplitud 10 V. En un amplificador real no se obtiene una relacin l i n e a l . La curva de trans ferencia en funcin de la amplitud se aparta de una recta y tiene, por ejemplo, el aspecto sealado en la figura 2.

Fig. 2
Distorsin armnica.

Supongamos que la curva real se puede representar aproximadamente por una re 1 acin de tipo parablico: Xo = AX i - B X^ A partir de una seal de entrada sinusoidal Xi = X eos wt, resultar una salida: Xo = A X eos wt - BX2 cos 2 wt = A X eos wt - B X 2 - BX2. eos 2wt

Se observa que a la seal amplificada linealmente, se agregan dos componentes no deseadas: a) una seal de frecuencia doble: 2wt. Por esta causa, se habla de
sin armnica.

distor-

b) una seal de continua, que altera el valor fijado por el circuito de polarizacin. En otras palabras, la d i s t o r s i n no lineal trae aparejada una
rectificacin.

Supongamos que la ganancia lineal es A = 10 y que con una seal de entrada sinusoidal de amplitud X = 1 V. La amplitud mxima de la seal de salida no es 10 V. En este caso B = 1.

INFORMACION TECNOLOGICA:
DISTORSIN

REF.:

HIT 147

3/6

En la Fig. 3 se dibuja la seal de salida resultante. Se observan los efectos de la d i s t o r s i n no l i n e a l : corrimiento de la continua en 0,5 V y apar i c i n de una seal de segunda armnica de 0,5 V de amplitud.

Fig. 3

Se mide la distorsin armnica por el cociente entre las seales agregadas y la seal conecta (a veces expresado en porcentaje): BX distorsin = W

BX i r

_ inn ~100

BX

ik

En el caso analizado se tiene: d i s t o r s i n = 0,05 = 5% Como se aprecia cualitativamente en la Fig. 2, y cuantitativamente en la expresin de la distorsin, la distorsin ser tanto mayor cuanto ms grande sea la seal de entrada. Con seales muy pequeas, la curva real se aproxima bien por la representacin lineal y la distorsin es poco importan te. En el caso analizado se tiene: X = 0,1 V. X = 1 X = 2 V. V. distorsin = 0,5 % distorsin = 5 % distorsin = 10 %

En casos ms complejos, la curva real de la transferencia tendr ms trminos en la serie de potencias:

INFORMACION TECNOLOGICA:
DISTORSIN

REF

' : HIT 147

y 6

Xo = A X i + B X ^ + CX. 3 + ,,, La representacin parablica corresponde a tomar dos trminos de esta serie El a n l i s i s es igual al ya realizado. Aparecen ahora seales de frecuencia 2w, 3w, etc.
Intermodulacin

Si la seal de entrada a una transferencia no lineal es la suma de dos seales sinusoidales de d i s t i n t a frecuencia: wl y w2, a los efectos analizados anteriormente (rectificacin y distorsin armnica) se agrega la presencia de nuevas seales. Si la entrada es: x. = Xj sen vy^t + X 2 sen w 2 t la transferencia no lineal da lugar a trminos de la forma: 2XjX 2 B sen Wjt sen w 2 t = X ^ B eos (Wj-w^t - X ^ B eos (Wj+v^H A este fenmeno de aparicin de seales de frecuencia suma y diferencia de las frecuencias de las seales de entrada, se le llama intermodulacin.

Ejemplo : Si a la entrada se tienen seales de frecuencia 1000 Hz y 1005 Hz, por intermodulacin se tendrn en la salida seales de frecuencias 2005Hz y 5 Hz, adems de las seales de 2000 Hz y 2010 Hz por distorsin armnica.Distorsin en frecuencia y fase.

La transferencia de un amplificador vara con la frecuencia de la seal aplicada. En un cierto rango de frecuencias, esta ganancia es constante. Pe ro en altas y bajas frecuencias, la ganancia cae (Fig. 4) debido a l i m i t a ciones inherentes a las componentes o al c i r c u i t o . En altas frecuencias, la cada puede deberse a capacidades de los elementos activos, capacidades par s i t a s , o c i r c u i t o s de acoplamiento y compensacin deliberadamente i n c l u i dos en el amplificador.

CINTERFOR Ir. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: DISTORSIN

REF.: HIT 147

5/6

A b

/
Fig. 4

>
f

Si la ganancia se expresa como un numero complejo, su mdulo y su fase variarn con la frecuencia al apartarse del rango de frecuencias para el cual se ha diseado el amplificador. Esta variacin se representa usualmente por diagramas de Bode, que son diagramas doblemente logartmicos para la ganancia (dB y frecuencia en escala logartmica) y simplemente logartmicas para la fase (ngulo de fase y frecuencia en escala logartmica). En la Fig. 5 se representan los diagramas reales y sus aproximaciones por rectas quebradas para el caso de un circuito RC pasabajos, que en muchos casos comanda la conducta de un amplificador en alta frecuencia. ||

Pasa

bajos

Pasa

altos

Fig.

INFORMACION TECNOLOGICA:
DISTORSION

REF

- : H I T 147

6/6

CINTERFO]

lia. Edici

Si se aplican a un amplificador seales ubicadas en la zona de calda de la ganancia del amplificador, resultarn amplificadas en diversa magnitud y con distinto defasaje. Resultan, en la seal de salida, deformaciones llamadas r e s p e c t i v a m e n t e distorsin de frecuencia y de fase.

Para tener a la salida una seal que conserve la forma de la seal de entrada, todas las componentes de la seal de entrada debern ser amplificadas en la misma magnitud y defasadas en el mismo ngulo. En genera,!, para cada frecuencia se tiene una ganancia y una fase. En la f i gura 6 se representa un amplificador con distorsin en fase, mediante una ganancia compleja A/Q.

X/

Fig. 6

INFORMACION TECNOLOGICA: RUIDO

REF

- "-HIT 148

1/2

Los amplificadores reales constituyen aproximaciones buenas al modelo ideal. Los d i s t i n t o s tipos de distorsin introducen deformaciones en las seales que son procesadas. Hay otro tipo de limitacin que caracteriza a los amplificadores reales. En ausencia de seal de entrada,se tiene una pequea seal de salida, l l a mada ruido. Esa salida es, en general, de muy bajo n i v e l , pero pone un limite de las seales que se pueden procesar. al tamao

En efecto, cuando se deben s i m p l i f i -

car seales muy pequeas, resulta d i f c i l d i s t i n g u i r l a s del ruido. Tal es el caso de seales dbiles procedentes, por ejemplo, de estaciones de radio muy lejanas. Diversas son las causas que generan el ruido en un amplificador. Se llama ruido trmico al originado por las fluctuaciones de energa de los portadores con un conductor o un semiconductor. Ejemplo: En un r e s i s t o r de 1 Hn, a la temperatura ambiente, sobre un ancho

de banda de 10 KHz, se desarrolla un voltaje de ruido trmino de 13uV. Si un amplificador de audio posee a la entrada un r e s i s t o r de esta magnitud y posee ganancia 1000, a la salida, exista o no seal aplicada, una seal de ruido de 13mV. Para caracterizar la conducta de un amplificador desde el punto de vista del ruido, se define un numero de ruido (noise figure) NR, como cociente entre la potencia de ruido de salida del amplificador y la potencia de ruido que se tendra a la salida s i la nica fuente de ruido fuera el r e s i s t o r Rs del generador. Es decir que el nmero de ruido compara el ruido de un amplificador real con el de un amplificador ideal que no genera ruido. Se mide en decibeles. aparecer

INFORMACION TECNOLOGICA: RUIDO

REF. : HIT 148

2/2

CINTERFC

i.^ic Ira. Edicii

Si un amplificador cuya ganancia en potencia es cuya potencia de entrada es S i : i So = A Si

A, debe procesar una seal

Sea Ri la potencia de ruido presente a la entrada (asociada a la r e s i s t o r Rs del generador).

NR = 10 l o g j f o - 10 l o g f i f t - 1 0

log

'/Ro

La relacin S/R entre potencias de seal y de ruido, se llama relacin


ruido.

seal-

Resulta entonces que el nmero de ruido es el cociente de las relaciones seal-ruido a la entrada y a la salida. En decibeles, es la diferencia de las relaciones seal-ruido a la entrada y a la salida. Ejemplo'. En el amplificador mencionado, s i se aplica una seal de 0,13 mV se tiene a la salida una seal de 0,13 V. El ruido a la salida ser de 13mV por causa del amplificador. La relacin seal-ruido a la salida es de diez veces o 20 dB. En la prctica, el ruido de un amplificador est determinado por su etapa de entrada (preamplificador) ya que el ruido introducido en las etapas siguien tes experimenta una amplificacin mucho menor.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT 149

1/4

DESCRIPCIN DE LAS MAQUINAS DE CONTINUA

< o QL O O < OI o
ll
CXL

Las mquinas de corriente continua estn constituidas dos, el circuito magntico y el colector.

por las siguientes

partes fundamentales desde el punto de vista electromagntico: los devana-

En la figura 1, se ve un corte de una mquina de corriente continua por un plano perpendicular a su eje donde se indican los devanados y los polos.

ho

o
o

8
Fig. 1

s 2

Los polos estn en la parte f i j a , llamada estator3 y sobre los mismos se coloca el devanado de excitador^ llamado tambin campo.La parte giratoria, llamada rotor3 cuando gira la mquina. Las bobinas estn conectadas entre s y con el colector. Este ltimo realiza la rectificacin de la corriente y, adems, permite el pasaje de la misma desde el rotor, que est en movimiento, al estator. es ranurada. El devanado se coloca en

las ranuras, debidamente acuado y zunchado para evitar que se desplace

INFORMACION TECNOLOGICA: DESCRIPCION DE LAS MAQUINAS DE CONTINUA

REF ' :

HIT 150 884/6

En la figura 2

se ve el c i r c u i t o magntico de una de estas mquinas con el

flujo principal en un corte anlogo al de la figura 1.

Se observa que esta mquina tiene dos polos, pero es habitual que se construyan mquinas con dos o ms pares de polos. En la Fig. 3 se ve el corte de una mquina con tres pares de polos en la

que se indican los f l u j o s principales.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: DESCRIPCIN DE LAS MAQUINAS DE CONTINUA

REF.: HIT 149

3/4

En la figura 4 se

ve un rotor. Sobre el ncleo magntico ranurado est co-

locado el devanado. Las cabezas de las bobinas estn situadas fuera del circuito magntico y se ven en ambos extremos.

Fig. 4

El colector est situado en uno de los extremos de la mquina y las bobinas se conectan a las delgas del mismo. Las escobillas f i j a s y soportadas por portaescobillas se deslizan sobre las delgas del colector en movimiento. El ncleo magntico ranurado situado en el rotor se construye laminado para reducir las prdidas por histresis y corrientes de Foucault. En la figura 5 se ve una bobina. Estas se preparan previamente. Se moldean

y aislan y luego se colocan en las ranuras. El metal conductor es cobre y se emplean d i s t i n t a s clases de aislaciones que estn normalizadas. Cada clase tiene una temperatura mxima de funcionamiento admisible en servicio continuo .

INFORMACION TECNOLOGICA: / t DESCRIPCION DE LAS MAQUINAS DE CONTINUA

REF ' : H I T 150 886/6

Fig. 5

Uno de los lados de bobina se coloca en la parte superior de la ranura y el otro en la inferior, lo que hace que las cabezas de las mismas queden bien encajadas y se logre un devanado bien simtrico desde los puntos de vista elctrico y mecnico. Como ya se indic, es indispensable asegurar bien el devanado para impedir que se desplace por accin de la fuerza centrfuga. El colector est formado por delgas aisladas entre s . Los materiales usados en los colectores son, por ejemplo, cobre para las delgas y mica para la a i s lacin. Las escobillas son de carbn amorfo, de carbn grafitado, de g r a f i t o , de electrografito o de metal g r a f i t o . Las de electrografito tienen gran resistencia mecnica, ptima conductividad y buena lubricacin. Las de metal grafito son blandas, muy conductoras, de baja cada de tensin en el contacto y poco desgaste.

INFORMACION TECNOLOGICA: CARACTERISTICAS DE LOS GENERADORES DE CONTINUA

REF

'

HIT 150

1/6

Conexin de las mquinas de corriente

continua

Una mquina de este tipo tiene cuatro terminales: dos correspondientes al devanado inductor y dos al inducido. Se dice que un dnamo tiene excitacin independiente cuando su inductor est conectado a una fuente separada de corriente continua. En la figura 1, se ve el esquema de conexin correspondiente. Se agrega un restato para cambiar la corriente de excitacin.

PH

j
Fig. 1 En general, los dnamos funcionan auto-excitados, es decir,que su inductor no se conecta a una fuente separada sino que se conecta al inducido. Existen dos conexiones fundamentales: la paralelo {shunt) y la serie.

En las figuras 2 y 3 se esquematizan ambas. El devanado inductor est, en la primera, conectado en paralelo a travs de un restato y en la segunda, en serie

Fig. 2

Fig. 3

INFORMACION TECNOLOGICA: CARACTERISTICAS DE LOS GENERADORES DE CONTINUA

REF.:

HIT 150

2/6

La mquina compuesta (compound) tiene dos devanados inductores, uno de los cuales se conecta en serie y el otro en paralelo. Un devanado inductor de tipo paralelo se conecta bajo la tensin nominal de la mquina. La corriente que pasa por el mismo es del orden de 5-10% de la nominal de la mquina.Un devanado de tipo serie es recorrido por la corriente nominal y tiene una pequea cada de tensin entre sus bornes. Esto condiciona el diseo del devanado inductor. Entre otras cosas, las secciones del conductor que se usa en ambos casos y el nmero de vueltas.
Caracterstica en vaco

Se supone que el dnamo es arrastrado a velocidad constante y tiene excitacin independiente. Su inducido no tiene conectada ninguna carga. Se mide la corriente en el inductor ( i ) y la tensin de salida en el inducido que coincide con la fuerza electromotriz de la mquina (Eo). Se obtiene una curva como la indicada en la figura 4. La curva (a) corresponde a la variacin de la corriente del inductor entre 0 e im y la (b), entre im y 0.

Eo

0|

lm

Fig. 4

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:,

HIT 150

3/6

CARACTERISTICAS DE LOS GENERADORES DE CONTINUA

Las dos curvas no coinciden debido a la histresis y el valor de Eo para i = 0 no es nulo debido al magnetismo remanente. EQ = Ancj) donde A es una constante propia del devanado inducido, n es la velocidad de rotacin de la mquina (en rpm), y < f > es el flujo de la mquina que depende de i y sigue la caracterstica B (H) de los hierros. Cuando se realiza el ensayo en vaco de una mquina, para determinar esta caracterstica EQ ( i ) se trata de conectar su devanado inductor en forma independiente empleando una fuente adecuada al mismo, ya que puede ser t i po serie o paralelo, y tal que permita variar la corriente en el rango 0-im donde im es del orden del valor nominal.
Caracterstica externa del generador paralelo

Esta caracterstica de la mquina permite conocer la tensin en bornes de la mquina (V) en funcin de la corriente de carga ( I ) . Para determinar esta caracterstica se emplea el circuito de la figura 5. La mquina a ensayar debe g i r a r a velocidad constante ya que la fuerza electromotriz es proporcional a n y se desea prescindir de esta dependencia. El restato R^ se coloca en cierta posicin fijando la fem E q en vaco (circuito de carga abierto) y no se cambia durante el ensayo. Se procede entonces a variar I a partir de cero y se miden los valores de V e I . En la figura 6, se representa una caracterstica externa.

INFORMACION TECNOLOGICA: CARACTERSTICAS DE LOS GENERADORES DE CONTINUA

F - : HIT 150

4/6

CINTERFOR Ira. Edicin

-(^y

Ico
mt^mm Fig. 5 Fig. 6

Inom

Se observa que al aumentar I el valor de V disminuye, o sea que aumenta la calda de tensin (EQ - V). Esta cada de tensin se debe: l o . - ) A la resistencia propia del devanado inducido que da lugar a una cada Ra la. 2o.-) A la cada de tensin en el contacto entre colector y escob i l l a y en la escobilla. 3o.-) A la disminucin de i debido a que la tensin en bornes del inductor (V) ha disminuido. 4o.-) El campo magntico est determinado por el campo proveniente del inductor y por el campo originado por la corriente en el inducido l l a mado reaccin del inducido. El efecto de la reaccin de inducido es disminuir el flujo y por lo tanto la fem. En general, puede establecerse la siguiente relacin: E = V + RI + donde:
e(I)

E es la fem para la corriente de excitacin que corresponde, R representa la resistencia de todo el devanado, incluyendo escobillas, y e ( I ) es la cada de tensin por reaccin de inducido.

R E F - ' H I T 150 CARACTERSTICAS DE LOS GENERADORES DE CONTINUA

5/6

Si se desea que la tensin en bornes de la mquina se mantenga constante, independientemente de la corriente de carga, se puede variar la resistencia Rf compensando con un mayor valor de la corriente en el inductor, y por lo tanto de la fem, la cada de tensin. Este es el principio que usan los reguladores de tensin. Se hace notar que un generador de conexin paralelo puesto en cortocircuito tiene una corriente I
Caracterstica extema

cc

sensiblemente inferior a la nominal.


del generador serie

Para determinar esta caracterstica se emplea el circuito indicado en la f i gura 7. La mquina debe girar a velocidad constante.

Fig. 8 Se hace notar que la tensin es esencialmente variable y, en la primera parte, tiene un andamiento similar a la caracterstica en vaco. El cortocircuito de un generador de este tipo es peligroso y la corriente de cortocircuito muy elevada respecto de la nominal.

INFORMACION TECNOLOGICA:
CARACTERISTICAS DE LOS GENERADORES DE CONTINUA

REF

- ; HIT 150

6/6

CINTERFOf

Ira. Edicin

Aplicaciones

de los distintos

tipos

de

generador

Generador de excitacin

paralelo.

Se ha visto que este generador tiene una

caracterstica externa con una cada de tensin entre vaco y plena carga moderada . Se presta muy bien para funcionar a tensin constante en los casos en que la carga no est alejada de la mquina y por lo tanto no hay cada de tensin en la lnea. Puede emplearse, por ejemplo, para cargar bateras, para calefaccin, excitacin de alternadores, etc. Generador de excitacin compuesta. Si un generador de tipo paralelo tiene

adems un inductor serie aditivo pueden lograrse caractersticas externas como las que se indican en la figura 9.

Fig. 9

Estos generadores, llamados compuestos (compound), son los ms empleados y son especialmente adecuados para circuitos que requieren tensin constante en las cargas. Por ejemplo, se emplean para alimentar motores, sistemas de iluminacin, etc. Generador de conexion serie. Por ofrecer su tensin la caracterstica de

variar con la corriente de carga slo se emplea para usos muy especiales.

INFORMACION TECNOLOGICA:
FUNCIONAMIENTO DEL ROTOR DE CONTINUA

REF.: HIT 151

1/5

A partir tre, los

de l a

energa

mecnica

p r o v e n i e n t e de un motor de suministran continua alterna energa

arras

generadores

elctricos

elctrica. dnamos. alternadores conti-

Las mquinas que generan c o r r i e n t e L a s mquinas que generan c o r r i e n t e Se e s t u d i a r nua a c o p l a d a

se l l a m a n se l l a m a n

el comportamiento de una mquina de c o r r i e n t e a un motor de rotor est estator, continua. arrastre.

Se supone que el

g i r a n d o a una v e l o c i d a d c o n s t a n t e inductors Se e s t a b l e c e del as

que el devanado del f u e n t e de c o r r i e n t e en el cual inducido. Si se c o n s i d e r a

ha s i d o c o n e c t a d o a una un campo m a g n t i c o rotor, devanado del

se d e s p l a z a n

los conductores

una de l a s b o b i n a s de d i c h o devanado se que c u m p l i r un c i c l o un par de polos. sea c o n t i n u a

generar la

en e l l a

una fem de t i p o a l t e r n a

cuando

bobina r e c o r r a Para l o g r a r l o cual

que l a c o r r i e n t e

se debe r e c t i f i car, para

puede e m p l e a r s e un par de 1, se muestra cmo se r e a l i z a

escobillas. elemental pa

En l a f i g u r a ra e x p l i c a r

una bobina y un c o l e c t o r la rectificacin.

\ \

Fig.

INFORMACION TECNOLOGICA:
FUNCIONAMIENTO DEL ROTOR DE CONTINUA

REF

* :HIT

151

2/5

Cada extremo de l a bobina e s t c o n e c t a d o a una d e l g a este caso t i e n e cobillas a las do f i j a


Devanado

(h) que en Las esllevan quedan B2).

una a m p l i t u d a n g u l a r en el exteriores

que no es l a r e a l . sobre l a s

fijas la

espacio, deslizan de cada una de l a s

delgas y (B1 y

conexiones

una c o r r i e n t e

unidireccional,

polaridad
inducido

escobillas

Ya se m o s t r un devanado e l e m e n t a l bina. En l a s mquinas formado reales

constituido

por una s o l a

bo-

se emplea el

llamado

i n d u c i d o de del

tambor,

por b o b i n a s

que se a l o j a n

en l a s

ranuras

rotor.

Las b o b i n a s , vas. conexin

conectadas tiene

e l c t r i c a m e n t e en s e r i e , dos o ms v a s

se agrupan en segn sea la

Una mquina elegida.

en p a r a l e l o

En l o que s i g u e , clusivamente En l a figura

por r a z o n e s

de s i m p l i c i d a d , imbricada.

se c o n s i d e r a r

ex-

la conexin llamada 2 se ve un c o r t e por r a n u r a .

de una mquina de c u a t r o ranuras, en l a cabezas de

polos las ba-

que m u e s t r a mada a dos bobinas jadas a las

los conductores haces

en l a s

d i s p o s i c i n 1 la

Se ven adems l a s corresponden

para i n d i c a r delgas

qu haces

a cada una y l a s

Fig.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: FUNCIONAMIENTO DE ROTOR DE CONTINUA

REF.: H IT

151

3/5

El devanado e s t d i s p u e s t o en 20 r a n u r a s numeradas y t i e n e d e l g a s en el colector. Lleva cuatro e s c o b i l l a s unidas mente de a p a r e s . En l a f i g u r a del rotor 3, se ve un d e s a r r o l l o de l a s u p e r f i c i e

20

elctrica

cilindrica esquelos

de l a mquina de l a f i g u r a

2. El devanado e s t

matizado a l a manera c o n v e n c i o n a l . cuatro polos.

Se i n d i c a n sombreados

El haz s i t u a d o en l a parte s u p e r i o r l l e n o y el

de l a r a n u r a se i n d i c a en punteado.

s i t u a d o en l a parte i n f e r i o r en

Fig. 3 Desarrollo de un devanado de 4 p o l o s , ranuras. ranuras para facilitar la dos haces por ranura,

i m b r i c a d o , 20

Se emplea l a misma numeracin de l a s compren s i n. Como e j e m p l o , se h a r r e f e r e n c i a inferior superior delgas. de la

a l a bobina 1 - 6 que t i e n e un parte parte a las

l a d o en l a p a r t e s u p e r i o r de l a r a n u r a 1 y el o t r o en l a por lo t a n t o dos c a b e z a s . una de l a s La bobina En l a F i g u r a 3, se i n d i c a en l a l a s bajadas 1 y 2. delgas

r a n u r a 6. E s t a bobina t i e n e ms de una v u e l t a y cabezas y en l a i n f e r i o r

1 - 6 e s t conectada a l a s

INFORMACION TECNOLOGICA:
FUNCIONAMIENTO DE ROTOR DE CONTINUA

REF. : HIT 151

4/5

En l a

figura

se muestra

una b o b i n a completa con s u s c o n e x i o - " caso de dos v u e l t a s y el como el que le la i n d i c a d o en

n e s , el

esquema e l c t r i c o en el

correspondera

en un esquema c o n v e n c i o n a l

paralelo las

a travs

de l a s e s c o b i l l a s relativa vas las son:

conectadas 1-6, 2-7,

de a p a r e s . de l a f i g u r a 5-10. 3, 3-8, 4-9, van

Para l a p o s i c i n bobinas

de r o t o r y e s c o b i l l a s

de una de l a s devanado g i r a , relativa bobinas polos. r o t o r con el

Dado que el que t o d a s

bobinas

de una v a

cambiando Se observa

con l a p o s i c i n las mi smo par de Al g u i a r el del

del

rotor y las

escobillas.

de una v a e s t n , en e s t e

c a s o , b a j o el

campo c o n e c t a d o

a una f u e n t e de continua, del

se genera a cada l a d o de b o b i n a una fem cuyo s e n t i d o depende sentido Su v a l o r s i d a d del do de l a otro polo campo y de l a v e l o c i d a d de a la velocidad Esta sentido rotacin. de r o t a c i n y a l a

es p r o p o r c i o n a l

inten* la-

campo m a g n t i c o B. b o b i n a , que t i e n e (ver, por e j e m p l o ,

fem se suma a l a del contrario 3).

otro

por e s t a r d e b a j o de

b o b i n a 4 - 9 en l a f i g u r a

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: FUNCIONAMIENTO DE ROTOR DE CONTINUA

RFF.: HIT

151 5/5

Cada b o b i n a e s t conectada en s e r i e con todas v a y se suman l a s Se o b t i e n e le: E = A n < f > donde: A es voluciones as fems de todas. una fem en bornes del

las

de l a misma va-

devanado i n d u c i d o que

una c o n s t a n t e que depende de l a mquina y en de cada v a , n es el por minuto y < j > es el B(H) de l o s

parti

c u l a r del nmero de v u e l t a s la corriente ractersticas

nmero de re ca

f l u j o m a g n t i c o que depende de

de e x c i t a c i n de l a mquina de acuerdo con l a s hierros. por l a

En un motor de c o r r i e n t e de l o s conductores en el v a l o r se c a l c u l a

c o n t i n u a , se produce, campo, una fuerza

rotacin cuyo

electromotriz

como l a fem de l o s

generadores.

^ -

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF

* : HIT 152

1/3

PROTECCIONES CONTRA

SOBRECORRIENTES

Todas l a s diciones

instalaciones normales de

elctricas

estn dimensionadas

para con un v a comma-

funcionamiento. a intensidades de c o r r i e n t e , e x i s t e instalacin indefini

En l o que se r e f i e r e l o r nominal patibles teriales

que puede s e r s o p o r t a d o por l a

damente, p r o d u c i e n d o en l a misma e l e v a c i o n e s con una v i d a razonablemente que l a componen. puede t e n e r s o b r e c o r r i e n tes a continuacin.

de temperatura distintos

l a r g a de l o s

Toda i n s t a l a c i n las 1.Estas

importantes

por

c a u s a s que se a n a l i z a r n Si la i n s t a l a c i n

comprende, por e j e m p l o , m o t o r e s , orden de 2 a 5 veces l a s funcionamiento

las de l a

co-

rrientes

de a r r a n q u e son del

nominales.

s o b r e c o r r i e n tes son i n h e r e n t e s a l como c a r a c t e r s t i c a

i n s t a l a c i n y tienen d u r a c i n. 2.tes Por c o n d i c i o n e s

un tiempo muy breve de

extraordinarias

de f u n c i o n a m i e n t o , Estas

puede

haber s o b r e c o r r i e n t e s

durante b r e v e s l a p s o s . 30% aproximadamente.

sobrecorrien*

pueden s e r de h a s t a

Cuanto mayor sea l a s o b r e c o r r i e n t e sultar 3.daado el

t a n t o menor es e l sin

tiempo que re-

puede s e r a d m i t i d a en l a i n s t a l a c i n

comprometerla n i corriente.

a p a r a t o que consume e x c e s i v a

Por i n c o r r e c t o rpidamente

f u n c i o n a m i e n t o o por c o r t o c i r c u i t o muy i m p o r t a n t e s poniendo f u e r a de s e r v i c i o la

pueden inteapa-

aparecer sobrecorrientes rrumpir ratos para e v i t a r el riesgo

que es n e c e s a r i o de l o s

instalacin

de i n c e n d i o , o l a d e s t r u c c i n

afectados.
contra las sobrecorrientes

Proteccin

Todas l a s que l a s las

instalaciones

deben e s t a r p r o v i s t a s o las de

de

dispositivos sea

p r o t e j a n automticamente

de l a s s o b r e c o r r i e n t e s , ya cortocircuito.

de bajo v a l o r p o r c e n t u a l

INFORMACION TECNOLOGICA: PROTECCIONES CONTRA SOBRECORRIENTES

R E F

'

H I T150900

/6

Esta proteccin una modesta Desde l u e g o ,

se i n s t a l a lnea

en todo t i p o de i n s t a l a c i n , o distribucin domiciliaria. o

tanto

en una i m p o r t a n t e

de t r a s m i s i n industrial

como en

instalacin los

dispositivos

u s a d o s son muy d i v e r s o s ; importancia a de c o r r i e n t e s interrupcin

son ins-

t a n t o ms e l a b o r a d o s t a l a c i n y los En e l del

c u a n t o mayor es l a probables la

de l a

valores

interrumpir.

c a s o de c o r t o c i r c u i t o s , En c o r r i e n t e ciclos.

debe l o g r a r s e mu)

rpidamente.

alterna,

por e j e m p l o , ese tiempo es

orden de a l g u n o s valor el

Dado que el pecialmente corriente

de l a c o r r i e n t e l a nominal

a i n t e r r u m p i r es del

orden esla

de unas 50 veces

en b a j a t e n s i n , del

debe c u i d a r s e

poder de r u p t u r a

a p a r a t o empleado o sea previstos


las redes

que es capaz de i n t e r r u m p i r los


en

con s e g u r i d a d s i n que se al disearlo.


tensin

p r o d u z c a n daos en el mismo, s a l v o
Proteccin contra sobrecorrientes

de baja

En una i n s t a l a c i n sea e x c l u s i v a m e n t e

domiciliaria contra

es h a b i t u a l mediante

que l a o fusibles.

proteccin

los c o r t o c i r c u i t o s

sobreintensida-

des muy i m p o r t a n t e s y se r e a l i c e En l a s instalaciones incorporar

industriales, la p r o t e c c i n Esto

que i n c l u y e n m o t o r e s , contra sobrecorrientes

es a los

habitual

contactores conectar los

o interruptores circuitos. llevan

que se emplean para c o n e c t a r o des se hace aun en l a s ms para l a s sencillas de

i n s t a l a c i ones. Los contactores protectores Estas A veces sobrecorrientes son de a c c i n bajo v a l o r p o r c e n t u a l . da de tiempo i n v e r s o . instantnea para protecciones llevan, diferi

adems, una

proteccin

cortocircuitos. que l a p r o t e c c i n fusibles contra c o r t o c i r c u i t o s con l o s se con-

Es muy f r e c u e n t e realice mediante tactores .

que se c o l o c a n en s e r i e

INFORMACION TECNOLOGICA: PROTECCIONES CONTRA SOBRECORRIENTES

REF' : H I T150901

/6

Froteccin

de

los

semiconductores

En l a s

instalaciones

en que e x i s t e n

semiconductores, de d u r a c i n

la

protec Una so destruir

cin contra brecorriente

sobrecorriente

es p a r t i c u l a r m e n t e

difcil. puede

de e s c a s o s m i l i s e g u n d o s

un s e m i c o n d u c t o r , Para l a p r o t e c c i n tes 1.principales: Elegir

a n t e s de que a c t e una p r o t e c c i n de l o s semiconductores

convencional varian-

se emplean t r e s

l o s semiconductores posibles los en e l

de modo que puedan s o p o r t a r circuito. a un e s t u d i o muy casos.

las

sobrecorrientes sobredimensionar de l o s regmenes una p r o t e c c i n 2.-

E s t e camino conduce a cuidadoso y puede no s u m i n i s t r a r

semiconductores, los

de t r a b a j o en t r a n s i t o r i o

adecuada en t o d o s

Emplear f u s i b l e s u o t r o t i p o de
para proteger

interruptores

especialmente

fabricados

semiconductores.

3.-

Emplear una proteccin el riesgo principal. casos,

electrnica

que d e t e c t e

la

sobreco-

r r i e n t e y a c t e a gran v e l o c i d a d evitar

(en m i c r o s e g u n d o s )

de modo de

En c u a l q u i e r a

de l o s

la proteccin

de s e m i c o n d u c t o r e s costo total de un

es

c a r a y puede s e r e q u i p o o de una

un elemento d e c i s i v o en el instalacin.

CINTERFOR Ir.

INFORMACION TECNOLOGICA: DESCRIPCION DE F U S I B L E S

REF.: HIT

153

Edicin

1/3

< O a: i o
LU >-

Los f u s i b l e s tomticamente elevadas.

c o n s t i t u y e n e l medio ms s i m p l e de i n t e r r u m p i r un c i r c u i t o bajo c o r t o c i r c u i t o o

au-

sobrecorrientes

O < o II o tI
OH

Son c o n d u c t o r e s o, o a l e a c i o n e s corriente En l o s tituido serie

de metal e s p e c i a l diversas) un c i e r t o

(plomo, a l u m i n i o , p l a t a , nominal y funden cuando

estasin la

calibrados valor.

de manera que s o p o r t a n

O tu
LU

calentamiento notable la corriente alcanza

c a s o s de c o r r i e n t e nominal

pequea, el

f u s i b l e est

cons-

simplemente por un alambre de plomo o de e s t a o instalacin. 1 se ven t r e s fusibles

(o una

a l e a c i n de ambos) que se f i j a en un s o p o r t e y e s t conectado en con l a

En l a f i g u r a rrientes del

para 500 V y d i s t i n t a s 2.

co-

nominales

que se c o l o c a n , por e j e m p l o , en l a s

cabezas

t i p o de l a que se ve en l a f i g u r a

100 A

Fig. En l a f i g u r a

1 3 se ven l a s bases sobre l a s

Fig. 2 que se atornillan.

F i g . 903

INFORMACION TECNOLOGICA: DESCRIPCION DE FUSIBLES

REF. H I T

153

2/3

Este t i p o

de f u s i b l e

se emplea, por e j e m p l o , en

instalaciones

domi c i 1 i a r i a s , Para i n t e n s i d a d e s en l a f i g u r a 4a. con una f a s e y se f i j a lminas colocadas mediante mayores se emplean l m i n a s como la que se ve

Cada l m i n a se c o l o c a en s e r i e torni los. A veces se emplean dos o t r e s entre s i en

superpuestas,

conectadas Si

paralelo. intermedios se puede t a l l a r 4b. ligeramente la

se desean c a l i b r e s central,

parte

como se ve en l a f i g u r a

TJ)
Fig. 4a

v. Fig. 4b

O t r a c o n s t r u c c i n muy empleada para cartucho nominal fusible. 320 A. En l a f i g u r a

intensidades

mayores es el corriente

5 se m u e s t r a

uno para

Fig. 5 El fusible propiamente dicho est constituido por v a r i o s alamden-

bres

en p a r a l e l o

soportados

en m a t e r i a l

aislante,encerrados pulverulento a r c o que se

t r o de un c a r t u c h o f a b r i c a d o La cmara e s t puede s e r al rellena el

de m a t e r i a l c e r m i c o , p o r inerte del

ejemplo. que forma

de un m a t e r i a l

arena y que ayuda a l a e x t i n c i n circuito.

interrumpirse

INFORMACION TECNOLOGICA:
DESCRIPCIN DE FUSIBLES

REF.: H I T

153 3/3

Estos cartuchos se ve un h i l o el fusible ha

t i e n e n en g e n e r a l

una pequea v e n t a n a

por l a que si

de p l a t a , 1 1 amado t e s t i g o * que p e r m i t e actuado.

comprobar

Todas e s t a s indican j a r l o al las

partes barras

pueden v e r s e en l a f i g u r a 5 donde, adems, de c o n e x i n con el circuito que p e r m i t e n

se fi-

zcalo. 6 se m u e s t r a un s o p o r t e y l u e g o con l o s cartuchos un cortocircuito en s o p o r t e s del

En l a f i g u r a a fusible mismo tipo.

trifsico

colocados

Fig. 6 Cuando el tuchos a veces fusible ha a c t u a d o t i e n e que s e r fabricante. reemplazado. Los car

son r e c a r g a b l e s

pero l a o p e r a c i n e x i g e mucho c u i d a d o y

s l o puede h a c e r l o el

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT

154 1/2

MEDIDA D LA TEMPERATURA DE UN DEVANADO

t O
x

o CtL f O
UJ

La medida directa e x i s t e n mtodos z a r l a medida La r e s i s t e n c i a En r a n g o s cia. R

de l a t e m p e r a t u r a de un devanado de una mquide r e a l i z a r . Por e s t a razn industriales, normalizados, que permiten reempla

na o de un t r a n s f o r m a d o r es d i f c i l directa.

>o o ai o
t
UJ

de un c o n d u c t o r es f u n c i n

de l a

temperatura. esa dependen-

de t e m p e r a t u r a de i n t e r s ,

se l i n e a l i z a

T "

<

-To>] T TQ TQ

don de

Ry Rq aQ

es l a

r e s i s t e n c i a a la temperatura a la temperatura de t e m p e r a t u r a a

es l a r e s i s t e n c i a es el coeficiente

El que

coeficiente se aplique

de t e m p e r a t u r a y se cumple:

depende

del

rango

de variacin

en

1 l/aQ Los v a l o r e s n e r a l ). Cuando se desea medir l a t e m p e r a t u r a de modo de e s t a b i l i z a r de l o s conductores. la r e s i s t e n c i a


) despus que
+

(T-T0) coeficiente de t e m p e r a t u r a a (en ge-

de r e s i s t i v i d a d y del

se dan s i e m p r e a una t e m p e r a t u r a de r e f e r e n c i a de 20C

de un d e v a n a d o , l u e g o de condiciones se usa e s t a de inters propiedad

un c i e r t o tiempo de f u n c i o n a m i e n t o en l a s las temperaturas,

Se mide como r e f e r e n c i a
temperatura ambiente (T

del
se

devanado

(RQ) a la
sin funcio-

ha dejado

nar
CVJ

un tiempo s u f i c i e n t e m e n t e con el ambiente.

largo

como para l o g r a r

equilibrio

trmico

INFORMACION TECNOLOGICA: MEDIDA DE LA TEMPERATURA DE UN DEVANADO

RFF

HIT

154

2/2

CINTERFOR

Ira. Edicin

Se mide l a r e s i s t e n c i a
T alcanzada
ra de

( R y ) que c o r r e s p o n d e
luego

a la

temperatura
la temperatu-

por el

devanado

de estabilizada

funcionamiento.

La f r m u l a normalizada

para devanados

de cobre o a l u m i n i o

es:

Rt/Rq = (234,5 + T)/(234,5 + Tq) Con e s t a Ejemplo: f r m u l a se c a l c u l a el v a l o r de T en C. de 42a a l a tempera resis-

Un devanado posee una r e s i s t e n c i a de 22C. Luego de t r a b a j a r entonces: 46 42 T: Se t i e n e

t u r a ambiente

dos h o r a s , su

t e n c i a es de 46a.

234 ,5 + T 2 3 4 , 5 + 22

De e s t a e c u a c i n se d e s p e j a d i r e c t a m e n t e 234,5 + T T = = 280,9 4 6 , 4 C

La medida de Ry y R Q como muestra e l e j e m p l o , debe s e r da con c i e r t a precisin. Se emplean i n s t r u m e n t o s a medir c a s o s , hmetros v a l o r de l a r e s i s t e n c i a

realizaal Se

adecuados puente.

(en g e n e r a l , es muy b a j a ) . de t i p o de

emplean con x i t o , en e s o s

El mtodo de medida de t e m p e r a t u r a por v a r i a c i n


da una medida global de la temperatura.

resistencia

En muchos c a s o s , l a s normas de e n s a y o l o i n d i c a n todo de medida.

como n i c o m-

INFORMACION TECNOLOGICA: CEBADO DE LOS GENERADORES AUTOEXCITADOS

REF' : H I T150909

/6

Una mquina que t i e n e que s u m i n i s t r a r generar ral debe c u m p l i r el flujo un flujo con c i e r t a s residual za a g i r a r existe fuera nulo,esto a una c o r r i e n t e

su p r o p i a e x c i t a c i n Si cuando no s e r a posible.

para

condiciones.

comienEn genela

que permite g e n e r a r una pequea de e x c i t a c i n r e f u e r z a el v a l o r de i que, s i f l u j o y l a mf

fem. E s t a da o r i g e n mquina g i r a en el quina Si El

sentido apropiado, a l c a n z a r el

aumenta su fem h a s t a

trabajo. sentido del de giro

l a mquina no se c e b a r a , las conexiones

se debe cambiar el devanado

o invertir inductor.

del

inductor. total circuito

cebado tambin depende de l a r e s i s t e n c i a

Eo

Fig. En l a f i g u r a sistencia bada, ser


Si la

1 en v a c o de de rece-

1, se r e p r e s e n t a Rj.

la caracterizacin del

una mquina y l a r e c t a R^ i total E0.


es superior

caracterstica

inductor

La fem en v a c o de esa m q u i n a , una vez

resistencia

a un valor

crtico

(por

ejemplo

vale R 2 )

la

mquina no se

ceba. problema es similar. de continua o dna-

En un g e n e r a d o r de a l t e r n a e l En e s t o s casos la figura

1 representa

la tensin

que e n t r e g a el mo a u x i l i a r .

dispositivo

de e x c i t a c i n :

rectificador

INFORMACION TECNOLOGICA:
CONMUTACIN EN MAQUINAS DE CONTINUA

REF.: H I T

156

1/2

Sea una b o b i n a por l a que c i r c u l a la bobina l l e g a cortocircuitada bobinas a la posicin por l a e s c o b i l l a .

una c o r r i e n t e

ia.

Cuando es las 1,

en l a cual

va a cambiar de v a

En e f e c t o , en l a f i g u r a cortocircuitadas.

1-6, 6-11,

11-16 y 16-1 estn

17

11 8 | )9 | 20 1 |

| 3 1 41 S | 6I7| 8|

1 1 0\I I1 21> 3 1 4 j 1 5 | 1 6 Fig. 1

Una vez que l a d e l g a para de l a e s c o b i l l a ,

a l a cual

e s t conectada

l a b o b i n a se en l a

se-i

la corriente

en l a b o b i n a pasa a v a l e r

o sea que se p r o d u j o un s a l t o de a m p l i t u d 2 i a E s t e cambio y t o d o s nombre de los fenmenos

corriente. el

que l o acompaan, r e c i b e n

conmutacin. se m u e s t r a un esquema de l a b o b i n a , corrientes. las delgas

En l a f i g u r a 2

y 1 a escobilia. Se i n d i c a n l o s s e n t i d o s

de l a s

" r i r'1 f

*2i r " r -V

A, ^ 2 ?/////////////. a bA////
Tc-t

Fig.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:HIT 156

2/2

CONMUTACION EN MAQUINAS DE CONTINUA

CINTERFOR Ira. Edicin

En l a f i g u r a

se r e p r e s e n t a tiempo.

la c o r r i e n t e que c i r c u l a

por una

bobina en f u n c i n del

Fig. El v a l o r billas Al

3 cortocircui-

i de l a c o r r i e n t e en l a b o b i n a durante el estator, etc.

to v a r a segn el

d i s e o de l a mquina, l a p o s i c i n de l a s esco

con r e s p e c t o al

separarse

l a delga 1 ( v e r f i g u r a 2) de l a e s c o b i l l a , Estas chispas

pueden en la peli-

producirse grosas

c h i s p a s ; e s t o depende del colector.

v a l o r de l a c o r r i e n t e pueden l l e g a r a s e r

bobina c o r t o c i r c u i t a d a . para el

Para m e j o r a r l a conmutacin que l l e v a n el devanado inducido.

se emplean h a b i t u a l m e n t e

interpolos con

un devanado de pocas v u e l t a s , conectado en s e r i e

Fig.

En la f i g u r a 4 los interpolos laridades

se ve un c o r t e

de l a mquina en el devanados.

que

aparecen las po-

con su f l u j o y l o s

Se i n d i c a n

de p o l o s e i n t e r p o l o s .

INFORMACION TECNOLOGICA: DETECTOR DE AMPLITUD

REF' : HIT 150

1/6

Un rectificador ideal, con un f i l t r o de capacitor, da como resultado un voltaje de continua igual al mximo del voltaje alterno de entrada. Se puede emplear este circuito para medir el valor de pico de una forma de onda. En un caso real, el voltaje de salida no es rigurosamente constante. Cae entre un c i c l o y otro del voltaje de entrada (Fig. 1).

Fig. 1 Consideramos una sinusoide cuya amplitud vara lentamente en comparacin con la frecuencia de la sinusoide (figura 2).

Fig. 2 Esta sinusoide est modulada en amplitud.Se reconocen dos frecuencias en esta forma de onda: la frecuencia de la seal de alterna, y la frecuencia de variacin llamada portadora, de la amplitud, mucho menor que aqulla.

Si con esta seal se alimenta un rectificador con f i l t r o de capacitor (Fig. 3) se tendr como voltaje de salida una rplica de la variacin lenta de la amplitud (Fig. 4).

INFORMACION TECNOLOGICA:
DETECTOR DE AMPLITUD

REF.: H I T . 157 2/2

Fig. 3

Fig. 4

El proceso descrito se llama detencin o demodulacin y tiene gran a p l i c a cin en los radiocomunicaciones. En un caso t p i c o , la frecuencia de la portadora es del orden del MHz y su amplitud vara de acuerdo con el sonido a trasmitir (una frecuencia de audio). En el receptor, la onda modulada en amplitud enviada por la estacin trasmisora se detecta, extrayndose de ella la seal de audio para su ulterior procesamiento.

INFORMACION TECNOLOGICA:
MATERIALES AISLANTES

REF. : HIT 158

1/4

Las normas tcnicas de cada pas c l a s i f i c a n los aislantes en varias clases de temperatura, segn los calentamientos que soportan. Entre las principales clases encontramos: En la oase A, que corresponde a los de uso general, se hallan los a i s l a n tes de origen orgnico: algodn, seda, fibras de acetato de celulosa, papel, madera, impregnados en barnices a base de resinas naturales y aceites, filmes de acetato de celulosa, telas o papeles barnizados. La clase B est constituida por fibras de v i d r i o , amianto, mica con aglo-

merantes tales como barnices a base de resinas sintticas y de aceite, goma laca,compuestos a s f l t i c o s o bituminosos, resinas s i n t t i c a s . Para la Impregnacin se emplea a s f a l t o , resinas poliester y epoxy , etc.
Vida de los aislantes

Estos materiales se hallan sometidos a diversos factores que determinan su deterioro, tales como temperatura, esfuerzos mecnicos, vibraciones, s o l i c i t a c i o n e s elctricas, humedad, polvos, aceite en los aparatos que trabajan sumergidos en l y hasta gases corrosivos. El efecto de la temperatura y el tiempo que se hallen sometidos a e l l a , resultan factores decisivos en la vida de los aislantes. Por ejemplo, a la temperatura constante de!05Cun aislante clase A tiene una vida de 7 aos. Un aumento de 8 o C disminuye esa vida a la mitad.
Elevacin de la temperatura limite

Las normas de los distintos pases establecen las elevaciones de temperatura admisibles en servicio continuo de acuerdo con una temperatura mxima del medio r e f r i g e r a n t e s la entrada de 40C si es gaseoso y de 25C s i es lquido y una temperatura mxima de 105C para los de clase A. La vida de un devanado puede resultar superior a la que le correspondera por la temperatura mxima, ya que el medio ambiente en muchos pases puede considerarse ms f r o y adems el rgimen de carga de un devanado rara vez es un servicio continuo a plena carga.

INFORMACION TECNOLOGICA:
MATERIALES AISLANTES

R E F . : HIT 158

2/4

CINTERFO Ira. Edicil

En la Tabla I

se dan los valores de elevacin de temperatura admisibles en

rgimen de devanados para mquinas aislantes con clase A fijados por las distintas normas, as como el mtodo de medida del calentamiento.
El mtodo Res es el de variacin de resistencia del devanado. El mtodo Ter

(por termmetros), realiza medidas de temperatura locales; pueden emplearse, por ejemplo, pares termoelctricos o detectores por variacin de resistencia
TABLA I Elevacin de temperatura lmite para elctricas

devanados clase

A de mquinas

Norma VDE C 530 7/55

Elevacin 60

Mtodo de Medida Ter y Res

Observaciones Corresponde al mayor valor medio por los dos mtodos

ASA C 50.2/1955

40 50

Ter Res

Estos valores correspon den a motores de uso general.

55 65 UTE C 51 100 1965 60 50

Ter Res Res Ter

Motores blindados

Cuando se realiza slo por termmetros

Para devanados pertenecientes a transformadores de potencia de tipo seco (no sumergidos en aceite), la norma CEI No. 76 fija las elevaciones de temperatura lmites para las distintas clases de aislantes que se muestra en la tabla I I . El mtodo de medida es por variacin de resistencia.

INFORMACION TECNOLOGICA:
MATERIALES AISLANTES

REF.:

HIT 158

3/4

TABLA I I

- Elevaciones

de temperatura secos

lmites

para devanados de natural o

transformadores forzado

enfriados

por aire

Clase

Elevacin de temperatura C

A E B F H

60 75 80 100 125

Clases

de

servicio

Un devanado que forma parte de un aparato elctrico est sometido a un c i e r to s e r v i c i o . Las normas f i j a n ciertas clases de servicio convencionales que l o s representan con buena aproximacin.
Los ms c o r r i e n t e m e n t e usados s o n : el servicio peridico y el temporal. continuo el intermitente

El servicio

continuo es un servicio permanente a rgimen constante. Se supo-

ne que la tensin, corriente y frecuencia en el devanado permanecen constantes. Se logra una elevacin de temperatura de rgimen que permanece constante. El servicio intermitente peridico es una sucesin de ciclos idnticos que

comprenden cada uno un tiempo de funcionamiento a rgimen constante y un tiempo de reposo. Estos tiempos son insuficientes para lograr el e q u i l i b r i o trmico ya sea en el perodo de calentamiento o en el de enfriamiento. Reposo s i g n i f i c a supresin de todo movimiento y de toda alimentacin elctrica. Servicio temporal es un servicio a rgimen constante durante un tiempo deter

minado menor que el requerido para lograr el equilibrio trmico en servicio permanente a ese rgimen, seguido de un reposo de duracin suficiente como para restablecer la igualdad de temperatura con el medio refrigerante.

INFORMACION TECNOLOGICA: MATERIALES AISLANTES

REF' :

HIT 150

4/6

Entre los servicios temporales se encuentra el unihorario, en el que el tiempo de funcionamiento en rgimen constante es de una hora.
Rgimen nominal

Las mquinas, los transformadores o cualquier otro aparato elctrico tienen una placa en la cual se indican los valores nominales de las magnitudes elctricas o mecnicas (corriente, tensin, frecuencia, velocidad de rotacin, etc.) que corresponden al servicio nominal que se ha fijado y que tambin se indica. Por ejemplo, s i se trata de un servicio continuo, el aparato debe poder funcionar en rgimen constante bajo los valores nominales especificados. La elevacin de temperatura en rgimen debe ser igual o i n f e r i o r a los l mites que f i j a n las normas para esos aparatos de acuerdo con la clase de temperatura a que pertenezcan.
Ensayos de calentamiento

Los devanados se hacen funcionar bajo los valores nominales establecidos en la placa con el servicio nominal y se mide el calentamiento. Si el servicio es continuo, debe esperarse a que se establezca el rgimen trmico. Se miden en el aparato temperaturas locales donde sea posible y se releva

la curva de calentamiento. Se supone que se ha alcanzado el rgimen cuando el calentamiento no aumenta en ms de 3C por hora. Teniendo en cuenta que se cumple una ley exponencial, debe emplearse un mtodo adecuado para determinar la temperatura de rgimen. La elevacin de temperatura de los devanados se mide por variacin de resistencia efectuando las medidas inmediatamente despus de cortar la alimentacin o, sin interrumpirla, usando corriente continua superpuesta a la a l i mentacin cuando sea posible. En este ultimo caso, se puede relevar la curva de calentamiento.

INFORMACION TECNOLOGICA: DESCRIPCION DE CAPACITORES

REF.:

HIT 159

1/6

En electrotcnica se emplean diversos tipos de capacitores. Todos e l l o s responden la construccin de la Fig. 1: dos placas conductoras (metlicas) separadas por un medio aislante llamado dielctrico.

Fig. 1

Segn las distintas tecnologas de fabricacin y los dielctricos empleados se tienen las diversas clases de capacitores. La capacidad aumenta al aumentar el rea de las placas enfrentadas y al disminuir su separacin. Depende adems del material dielctrico usado. Si entre las dos placas conductoras se aplica un voltaje, al llegar a c i e r to valor del mismo se produce la descarga o ruptura. La tensin de ruptura depende de la rigidez dielctrica del material aislante.

Para aumentar la capacidad de un capacitor ser preciso emplear reas metl i c a s grandes y separaciones pequeas. La rigidez dielctrica del aislante pondr un lmite al voltaje mximo a aplicar. El lmite de voltaje se especifica por el mximo voltaje que se puede a p l i -

car a la unidad. Est determinado por la rigidez dielctrica del aislante. Depende adems del tiempo de aplicacin del voltaje. Se distingue un voltaje continuo mximo y otro valor, mayor, para picos breves de voltaje. La v i da del capacitor se prolonga s i se trabaja a voltajes menores que el lmite. El dielctrico empleado determina, adems, otras propiedades del capacitor: prdidas; efectos de humedad, temperatura y frecuencia; estabilidad del valor de la capacidad, etc. El efecto de la temperatura es muy variable en los distintos tipos de capacitores. La variacin de la capacidad con la temperatura se mide en partes
por milln por grado centgrado (ppm/C) y puede ser de signo positivo (lo

usual) o negativo (en algunos capacitores de cermica).

INFORMACION TECNOLOGICA: DESCRIPCION DE CAPACITORES

REF' :

HIT 150 920/6

Ejemplo: Un capacitor tiene un coeficiente de temperatura negativo de 1000 ppm/C entre 25C y 75C, la disminucin de capacidad ser: (75 - 25) X 1000 x 10~ 6 = 0,05 = 5% Midiendo entre terminales la resistencia del dielctrico se tiene un valor muy grande, del orden de miles de Mfi, llamado resistencia de aislacin. La resistencia de aislacin caracteriza la conducta del capacitor con relacin a las fugas de corriente. Su valor disminuye al aumentar la temperatura. La resistencia de aislacin es un parmetro muy importante en los capacitores empleados para a i s l a r o bloquear la corriente continua. Muchos capacitores, a efectos de disminuir su tamao, se enrollan en forma muy compacta. bina. Esto hace que se comporten, en alta frecuencia, como una boSe agrega a este hecho que los bornes de conexin de un capacitor po-

seen inductancia. Para cada capacitor se tiene una frecuencia de resonancia, cuyo valor depen-

de del tipo de capacitor y de su conexionado. En circuitos de alta frecuencia es necesario elegir capacitor de alta frecuencia de resonancia y cuidar su conexin usando bornes cortos. Aun a frecuencias bastante menores que la de resonancia el efecto inductivo altera el comportamiento de la componente. Veamos algunos de los tipos de capacitores empleados en c i r c u i t o s . Las tecnologas de fabricacin estn en permanente evolucin, por lo que continuamente surgen nuevos tipos o variantes perfeccionadas de los existentes. Los capacitores se fabrican con valores de capacidad segn series estndar similares a las empleadas en los resistores. A diferencia de stos, no e x i s te un nico cdigo de colores para representar valor y tolerancia de la capacidad.

INFORMACION TECNOLOGICA:
DESCRIPCIN DE CAPACITORES

REF.:

HIT 159

3/6

La tendencia actual de los fabricantes es dar el valor de la capacidad direc tamente escrito sobre la componente, indicando adems el lmite de voltaje (Fig. 2).

(ZJ
Fig. 2

Segn el dielctrico empleado, se tienen diversos tipos de capacitores.


Aire

Como el aire tiene constante dielctrica baja, da lugar a capacitores voluminosos . Tienen las ventajas de poseer muy bajas prdidas y prestarse fcilmente para implementar capacidades variables. Girando un eje se vara el rea enfrentada entre placas (Fig. 3). Para lograr valores de capacidad mayores se conectan en paralelo muchos juegos de placas.

Fig. 3 Los capacitores de aire se emplean en alta frecuencia. yen de valores superiores a 1000 pF.
Mica

Rara vez se constru-

Son capacitores de bajas prdidas, buena estabilidad y lmite alto de voltaje.

Se usan, sobre todo, en c i r c u i t o s de radio frecuencia.

INFORMACION TECNOLOGICA: DESCRIPCIN DE CAPACITORES

**

RFF

'

HIT 159

4/6

CINTERFO Ira. Edicii

Los capacitores de mica-iplata se construyen aplicando una sobre la superficie de mica ( s i l v e r mica). estbilidad.
Papel y plsticos

pelcula de plata

Se caracterizan por su excelente

Se fabrican enrollando dos hojas metlicas separadas por dos o tres hojas de aislante. La unidad a s formada se seca al vaco y se impregna. Es de fundamental importancia en la fabricacin eliminar la humedad y emplear aislantes de alta calidad para tener unidades de buena resistencia de a i s l a cin. Para evitar las pequeas e inevitables imperfecciones en el papel se usan var i a s hojas. La impregnacin del papel permite aumentar el voltaje de ruptura y la constante dielctrica. Segn el impregnante que se e l i j a se obtienen dis tinas caractersticas de tamao, factor de potencia, estabilidad, a i s l a c i n , etc. Por esta razn los capacitores de papel son muy v e r s t i l e s . La aplicacin de un voltaje excesivo o una imperfeccin del aislante da l u gar a la perforacin del dielctrico.Las dos placas quedan, generalmente, en cortocircuito, inutilizndose el capacitor. En algunos tipos (capacitores de papel metalizado), las placas metlicas son tan delgadas que s i se perfora el dielctrico la pelcula metlica se abre en ese punto y el capacitor puede seguir operando con un valor de capacidad algo menor. El desarrollo de los plsticos ha dado lugar a un permanente surgimiento y evolucin de diversos tipos de capacitores: polietileno,
terj etc.

poliestireno,

polies-

Cermica

Se construyen depositando plata sobre una pelcula de material cermico. Pueden tener distinta forma: tubulares, disco, etc. Como su dependencia con respecto a la temperatura es muy grande y se logran coeficientes negativoss se u t i l i s a n para compensar variaciones por temperatura de otras componentes.

INFORMACION TECNOLOGICA:
DESCRIPCIN DE CAPACITORES

R E E

' : HIT 159

5/6

Capacitores

electrolticos

Responden a un esquema de funcionamiento completamente distinto de todos los anteriores. Permiten obtener los mayores valores de capacidad a menor costo y en el menor espacio, pero presentan valores altos de prdidas. En la Fig. 3 vemos los distintos elementos que constituyen un capacitor elec troltico. El dielctrico est constituido por una delgada capa de xido situada sobre una de las superficies metlicas de aluminio o tantalio.

Oxido Metal

Electrolito
La pelcula de xido de capacitor.

Fig. 3

permite alcanzar espesores muy finos, lo cual da l u -

gar a los elevados valores de capacidad que se pueden obtener en este tipo

La juntura metal-xido tiene propiedades rectificadoras: en un sentido conduce fcilmente y en el otro poseee resistencia alta comportndose como un aislante o dielctrico. Esto muestra el carcter esencialmente polarizado del capacitor e l e c t r o l t i c o . Al conectar un capacitor e l e c t r o l t i c o en un circuito elctrico deber ponerse en el punto de voltaje ms alto el terminal del capacitor marcado con un signo +.

INFORMACION TECNOLOGICA: DESCRIPCIN DE CAPACITORES

REF

-:

HIT 159

6/6

CINTERFOR Ira. Edicin

El espesor del xido determina el lmite de voltaje. Operando muy por debajo de ese lmite, el valor de la capacidad disminuye por deformacin de la pelcula de xido. Cuando un capacitor e l e c t r o l t i c o no se usa por mucho tiempo, la pelcula se deteriora. Se puede, en general, recuperar al aplicar nuevamente voltaje. Si se invierte la polaridad puede producirse la ruptura de la pelcula de xido debido al pasaje de una corriente elevada (en ese sentido la juntura rectificadora conduce). Aunque no se produzca la ruptura, se forma una capa de xido en la otra placa, lo cual reduce el valor de la capacidad. Los capacitores electrolticos no polarizados (sin distincin de polaridad

entre bornes) poseen capas de xido iguales sobre ambas placas metlicas. Son dos capacitores polarizados, puestos en serie, con polaridades opuestas. En comparacin con los otros tipos de capacitores, los e l e c t r o l t i c o s permiten implementar unidades de valores mucho mayores de capacidad, pero tienen corrientes de fuga grandes que aumentan con la temperatura y el voltaje a p l i elevadas y deriva grande en el valor de la capacidad. cado: prdidas

Los capacitores de tantalio


l o s de aluminio.

poseen mejores propiedades de estabilidad que

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 160

1/5

SEMICONDUCTORES

< O '8 I O Q

Las propiedades elctricas de los semiconductores dan lugar a diversos d i s positivos de estado slido3 que encuentran numerosas aplicaciones en electrnica. Estos dispositivos han desplazado a los tubos de vacio y de gas frente a los cuales tienen amplias ventajas: - menor tamao y peso; - menor consumo de potencia (en particular, al no tener filamento, se ahorra potencia de calefaccin y se e l i mina la demora de encendido); - mayor confiabilidad. Actualmente, el material semiconductor preferido es el silicio, nmica que la de otros semiconductores. La conductividad de un semiconductor es intermedia entre la de metales y aisladores. Si la resistividad (inversa de la conductividad) de un conductor es del orden de 10'^ y la de un aislante es del orden de lO^ncm, la de un semiconductor est en el rango de decenas a miles de ncm. Esta propiedad elctrica es consecuencia de la naturaleza de la materia en estado slido. En un semiconductor, los tomos se organizan en estructuras c r i s t a l i n a s con redes f i j a s , en que los electrones estn firmemente asociados a su ncleo. Los electrones perifricos de los tomos (llamados electrones de valencia) son compartidos por los tomos vecinos de la red. Los tomos quedan asociados entre ellos por vnculos que llamamos enlaces. cia. Nucl0O Efe trdn ? Enlac 9 En la Fig. 1 se representa la estructura c r i s t a l i n a para el caso de cuatro electrones de valendebido a su

S tt
t(

O cu I o

buen comportamiento trmico y a que su tecnologa de fabricacin es ms eco

O
</J

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.1
- K->

- S-*

ir

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k:

33 Fig. 1

INFORMACION TECNOLOGICA:
SEMICONDUCTORES

W m :

HIT 160

2/5

CINTERFO: Ira. Edici

En esas condiciones, no hay prcticamente electrones l i b r e s , aptos para desplazarse bajo la accin de fuerzas elctricas. Eso explica la menor conductividad de estos elementos frente a los metales, que disponen de enormes can tidades de electrones aptos para la conduccin de corriente elctrica. Para obtener en un semiconductor un mayor nmero de electrones u t i l i z a b l e s como portadores de corriente, es preciso darles energa suficiente para romper los vnculos que los unen al ncleo. Esto puede hacerse de varias formas, segn la fuente de energa externa api i cada: calor, luz, campo elctrico, entre otras. Estas distintas fuentes de energa dan lugar a fenmenos y dispositivos de muy importantes aplicaciones. Los termistores son dispositivos semiconductores basados en la dependencia
y la conductividad.

e x i s t e n t e e n t r e l a temperatura

Los fotodiodosj

fotorre

sistore^

fototransistores3

en l o s que l a s

propiedades

electrnicas son controlados por el nivel de iluminacin, han originado un rea de aplicaciones llamada
Impurezas

optoelectrnica.

Hay una manera de alterar la estructura c r i s t a l i n a en forma controlada, de modo de aumentar el nmero de portadores de un semiconductor. Agregando al semiconductor puro, llamado intrnseco3 muy pequeas cantidades de otro elemento, llamado impureza, con distinta estructura atmica, se logra modificar las propiedades elctricas del semiconductor o r i g i n a l . La proporcin de impureza agregada es usualmente muy baja, del orden de una parte cada diez millones del semiconductor base. El semiconductor con impurezas se llama extrnseco de impurezas se llama envenenamiento [doping). y el proceso de agregado

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. :,

HIT 160

3/5

SEMICONDUCTORES

Debido a la baja proporcin de impurezas, la estructura c r i s t a l i n a est determinada por el semiconductor o r i g i n a l . En esa estructura se ubican los pocos tomos de impureza. Si estos tomos tienen el mismo nmero de electrones perifricos que el semiconductor intrnseco, las propiedades elctricas de ste no sufren modificaciones. Supongamos, en cambio, que los tomos de impureza tienen un electrn
adicional. Como la red de enlaces est determinada, ese electrn

exterior

queda prc-

ticamente libre.

Sin necesidad de que se le suministre energa exterior

(figura 2) el semiconductor ha adquirido un portador.

eitctrn libr

/
tomo Impureza

++ +
+ +

** * ,

Fig.2

3>

El material resultante se llama semiconductor extrnseco tipo n% ya que exis


te un exceso de e l e c t r o n e s d i s p o n i b l e s como portadores y tienen tiva. carga nega-

La impureza se llama donora pues aporta electrones en exceso. Obsrvese que se mantiene la neutralidad elctrica, ya que el ncleo de la impureza posee una carga positiva adicional. No obstante, sta es ujia carga positiva fia9 que no interviene en el proceso de conduccin.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 160

4/5

CINTERFOR Ira. Edicin

SEMICONDUCTORES

S i por el c o n t r a r i o , l a impureza posee un electrn

perifrico

menos que el

tomo del semiconductor intrnseco, al adaptarse el tomo de impureza a la estructura c r i s t a l i n a , uno de los enlaces interatmicos no estar completo. El tomo de impureza aporta tres electrones perifricos en una estructura que demanda cuatro (Fig. 3).

T ) 00M/ro L
tomo
d
- W .

jiiM
Ji/ Fig. 3

, / Impureza

Este hueco o agujero (ausencia de un electrn en la red) constituye un portador de carga positiva. Puede ser llenado por un electrn de un enlace vecino que, al moverse, da lugar a un movimiento del agujero en sentido contrario. De esa manera, el agujero puede desplazarse a travs de la estructura del material y convertirse en un portador de carga positiva. El semiconductor resultante se llama tipo p3 ya que los portadores disponibles para la corriente son cargas positivas (agujeros). Quedan ancladas en la estructura las cargas negativas f i j a s del ncelo de la impureza. el requerido por la red, puede captar electrones de sta. En el caso de un semiconductor intrnseco (Fig. 1), al subir la temperatura se aporta energa suficiente como para romper algn enlace. De esa manera se generan pares electrn-agujero. Se obtienen as portadores de ambos tipos en igual nmero. La impureza se llama aceptora, pues al aportar un nmero de electrones menor que

INFORMACION TECNOLOGICA: SEMICONDUCTORES

REF.:

HIT159160

/6

El proceso de generacin trmica de portadores se equilibra con el proceso de desaparicin de los mismos por recombinacin de una pareja electrn-agujero. Se llega a s , a cada temperatura, a una cierta cantidad de portadores de cada tipo. En un semiconductor extrnseco los portadores son predominantemente electrones o agujeros. Se les llama por eso portadores mayoritorios. electrones.

En un semiconductor tipo n3 los portadores mayoritartos son Tambin posee agujeros (portadores minoritarios)

generados trmicamente.

La situacin opuesta ocurre en los materiales tipo p.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF

- "-HIT 161

1/2

MICROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS El uso de las propiedades de conduccin elctrica de los semiconductores ha permitido construir distintos dispositivos de estado slido. En todos ellos se trata de controlar los parmetros que gobiernan el proceso de conduccin. En un semiconductor intrnseco, la conduccin est limitada por el escaso nmero de portadores disponibles. Este nmero puede aumentarse creando nuevos portadores, es decir 1 iberando electrones de sus enlaces interatmicos, con lo cual se generan parejas de portadores de signos contrarios: electrones y agujeros. Este proceso de generacin de portadores requiere un suministro de energa externo. El aumento de portadores puede aumentarse de otra manera en los semiconductores extrnsecos. Afectando al semiconductor original con una proporcin muy pequea de una sustancia adecuada (impureza) se aumenta el nmero de uno de los portadores elementales sobre el otro. Se obtienen as semiconductores
tipo p,

en que los portadores mayoritarios son agujeros,

y tipo n, en que los

mayoritarios son electrones. Cuando el nivel de impurezas es muy elevado, el semiconductor extrnseco adquiere propiedades de conductor. La proximidad de dos zonas extrnsecas opuestas de un mismo semiconductor da lugar a una estructura elemental de gran importancia: la juntura
p-n.

La interaccin de las estructuras atmicas vecinas produce di versos fenmenos.; La desigual concentracin de portadores libres de ambos lados de la juntura . provoca la difusin de los mismos de una a otra zona. Este movimiento de cargas deja cargas f i j a s no equilibradas en la juntura (zona de carga espacial, sin portadores). Estas cargas crean un campo elctrico que se opone a la difusin. Se llega a un equilibrio entre ambos procesos, la corriente
por una corriente de difusin de portadores mayoritarios es equilibrada de campo, de portadores minoritarios.

En la Fig. 1 se representa la juntura p-n, indicando el sentido de ambas corrientes para los portadores positivos.

INFORMACION TECNOLOGICA:

RFF.: HIT 161

2/6

MICROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

CINTERFOR Ira. Edicin

0 0 0


difu 8

ion

0
cam p o

"0 Fig. 1

O 0

La aplicacin de un voltaje exterior a la juntura modifica esta situaciade equilibrio.


Con polarizacin directa

se reduce el lmite del campo propio, permitiendo

la difusin de un gran nmero de portadores mayoritarios en sentido directo.


Con polarizacin inversa.,

se aumenta el efecto del campo propio, por lo que

la conduccin queda limitada a la corriente de campo, en sentido inverso. Esta corriente es normalmente muy pequea, pues es pequeo el nmero de portadores minoritarios
Micro estructuras

generados trmicamente.

semiconductoras.

La aplicacin tcnica de los semiconductores se basa en la creacin de estruc turas formadas por zonas de semiconductor n y zonas de semiconductor p, conve nientemente elegidas. Como las dimensiones de las zonas alcanza unas pocas
mieras3 se h a b l a de microestructruras.

El principio bsico de funcionamiento de una microestructura consiste en modificar la conduccin elctrica de una zona semiconductora mediante algn pro cedimiento adecuado. Los principales procedimientos empleados en las microestructuras son: 1. una juntura p-n; 2. la inyeccin de portadores a partir de una juntura prxima, polarizada directamente (efecto ra, etc.;
transistor);

3. la aplicacin de un campo elctrico, la elevacin de temperatu-

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF

*:HIT

161

3/6

MICROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

4. la generacin de portadores por avalancha en una juntura polarizada inversa, por ruptura de enlaces (efecto
Zener).

Los diferentes procedimientos se combinan, con una geometra adecuada, para formar una microestructura capaz de realizar una funcin compleja.
Tecnologas de fabricacin

El punto de partida es una oblea (wafer)


substrato

de s i l i c i o tipo p que constituye el

sobre el que se construir la microestructura. El espesor de este

substrato es del orden de 200 mieras. Sobre este substrato se desarrolla una capa muy delgada de s i l i c i o tipo n. Esta capa, llamada epitaxial, tiene espesor muy pequeo (20 mieras).

La estructura bsica se completa con una delgada capa superficial de xido que protege al s i l i c i o y que permite por posteriores procesos llegar a obtener microestructuras muy complejas. En la Fig. 2 se representa esa estructura bsica. Oxido Copo epit axial tipo n

Substrato

tipo p Fig. 2

La capa protectora de xido puede quitarse parcialmente formando huecos o ventanas. Esto se lleva a cabo por medio de un proceso fotogrfico: se cubre la oblea con un material fotosensible. Se dibuja la disposicin de las aberturas deseadas y se reduce a un negativo fotogrfico de las dimensiones de la oblea. Se coloca esta mscara sobre la emulsin fotosensible y se expone, generalmente, a la radiacin ultravioleta (Fig. 3).

INFORMACION TECNOLOGICA:

HIT 161

4/6

CINTERFOR Ira. Edicin

MICROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS La exposicin al ultravioleta produce una polimerizacin de la emulsin en las zonas expuestas (no protegidas por la mscara). Quitando la mscara y so metiendo la oblea al ataque de agentes qumicos adecuados, las zonas no expuestas de la emulsin son quitadas, mientras las zonas expuestas son f i j a das (Fig. 4). Ultravioleta

J
Mascara Emulsin Oxido

IJ i J J i i i 1 i

Fig. 3

Fig. 4

Un ataque del xido por agentes corrosivos destruye las reas no protegidas. Se obtiene la disposicin de ventanas, en el xido, prevista en el dibujo original (Fig. 5). Exponiendo esta estructura a una atmsfera enriquecida de impurezas, a elevada temperatura y por un perodo de tiempo adecuado, se consigue que esas impurezas difundan en la oblea semiconductora a travs de las ventanas de la pelcula de xido protector. Difundiendo impurezas tipo p hasta alcanzar el substrato, se llega a una estructura como la representada en la figura 6.

E7Z3
p
4

W777*
P*

P+
P

Substrato

Fig. 5

Fig. 6

INFORMACION TECNOLOGICA:

HIT

161

5/6

MICROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

Quedan determinadas as zonas n, aisladas, formando nodos. Dentro de cada nodo podr construirse un dispositivo distinto. La estructura construida ase gura la aislacin elctrica entre los distintos dispositivos de una misma
t

oblea.En efecto, basta colocar el sustrato p a una tensin negativa


a todos los nodos n, para que todas las junturas smente y aislen elctricamente los nodos entre s.

respecio inoer

pin, estn polarizadas

La aislacin elctrica entre nodos es ms segura si los canales abiertos por la difusin, tienen fuerte proporcin de impurezas (representados como p+ en la figura 6). De esta manera es posible construir muchos dispositivos distintos en una misma oblea. Se crean as circuitos
integrados.

Dentro de cada nodo se reiteran los procesos de difusin ya descritos. Nada impide recubrir la superficie con xido y atacarlo segn una nueva dis posicin de ventanas. Existe, sin embargo, un lmite para el nmero de procesos a realizar, dado por la precisin de las mscaras y por la capacidad de controlar la penetracin de impurezas. Finalmente, procedimientos fotoqumicos similares permiten completar la es tructura con conexiones metlicas para conectar los dispositivos entre s y con terminales de salida. Existen actualmente otros procedimientos tecnolgicos adems de los descritos. En el sistema v i s t o , la aislacin entre nodos que da el substrato polarizado implica la presencia de una capacidad de juntura que limita la velocidad de los dispositivos. Por esta razn, tambin se emplea un substrato pasivo: xido o material cermico que a i s l a los nodos entre s , f s i c a y elctricamente. La difusin de impurezas puede hacerse de otras formas. Por ejemplo, se emplea el procedimiento de implantacin inica, bombardeando la superficie no protegida con iones de impureza convenientemente acelerados.

INFORMACION TECNOLOGICA:

HIT 161

6/6

CINTERFOR Ira. Edicin

MICROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

Limitacin

de las micro estructuras

Por combinacin adecuada de junturas semiconductoras en una microestructura, se logra una enorme cantidad de dispositivos diferentes. A su vez, cada uno de estos dispositivos puede encerrarse en una cpsula con terminales o puede formar parte de una microestructura mayor como parte de un circuito
integrad.

Por limitaciones de fabricacin, a medida que aumenta el nmero de capas de semiconductor en una microestructura o a medida que aumenta el nmero de d i s positivos que posee, es cada vez ms d i f c i l lograr xito. Las variaciones, fuera de control de la temperatura, la concentracin de impurezas o la posicin de las mscaras impide, desde el punto de vista industrial, fabricar dis positivos de complejidad muy grande. Sin embargo, los lmites de complejidad de los circuitos, aumentan a medida que evolucionan las tecnologas de fabricacin.En el momento actual, se logra fabricar microestructuras, en forma comercial, con decenas de miles de dispositivos interconectados.-

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF,:

HIT 162

1/2

RESISTOR Y CAPACITOR INTEGRADO

En su aplicacin ms sencilla, una barra de semiconductor se puede usar como resistor. En la figura 1, se tiene una barra cuya resistencia es: R =
p 1

e a

>
Fig. 1 La resistencia de la barra se puede expresar con auxilio de R c :
Rc c =

e
l

Rc

Los valores de resistividad y espesor tpicos dan valores de Re de 10 a lOOft, Para obtener los valores de resistencia deseados debe elegirse el largo y ancho de la barra. Estas variables estn limitadas. No puede estrecharse el ancho ms all del lmite puesto por la precisin del dibujo de la mscara y del proceso de difusin. El rango de resistencias obtenidas con estos resistores de difusin va de decenas de ohms a decenas de miles de ohms. Las tolerancias son bastante pobres (de alrededor de + 30%). En cambio, la
relacin entre resistencias

de dos resistores de difusin, construidos en la


de resistencias

misma p a s t i l l a , es muy precisa, porque depende solamente de relaciones entre


dibujos.

El diseo de circuitos se apoya en relaciones


absolutos.

ms

que en s u s valores

En la Fig. 2 se representa el esquema de un resistor integrado.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT 162

2/2

RESISTOR Y CAPACITOR INTEGRADO

difusin p nodo de aislacin n Substrato p Fig. 2 Como puede apreciarse, un resistor es una componente compleja debido a la zona n de aislacin que se debe construir.
Capacitor

P/M resistor

Y//////A

La juntura p-n polarizada inversamente produce un ensanchamiento de la zona de carga espacial. La existencia de cargas f i j a s separadas, de signo opuesto, da lugar a una capacidad llamada capacidad de transicin o de carga especial. Este efecto puede aprovecharse para implementar capacitores de junturas en un circuito integrado. Se obtienen valores de capacidad de decenas de picofaradios. El efecto de variacin de la capacidad de la juntura con la polarizacin se u t i l i z a en varactores, diodos de capacidad variable. Se puede construir capacitores integrados empleando la capa de xido como dielctrico. Como placas la pelcula metlica superior y la zona n+ de alta concentracin de impurezas en el nodo n (Fig. 3).

BUbstrato

p Fig. 3

La estructura recibe el nombre de MOS (Metal-Oxido-Semiconductor).

INFORMACION TECNOLOGICA: TERMISTORES

HIT 163

1/5

Los termistores son resistores


cia es funcin

trmicos,

es decir, componentes cuya

resisten-

de la temperatura.

Estn constituidos por materiales semicon-

ductores. Se emplea principalmente mezclas de xidos de nquel y manganeso. El s i l i c i o no se emplea, pues sus caractersticas como termistor son demasiado sensibles a la presencia de impurezas. La dependencia de la conductividad con la temperatura presenta caractersticas distintas en metales y semiconductores. En un metal, en general, la conductividad disminuye al aumentar la temperatura,

alrededor de 0,4% por cada


conducti-

grado centgrado. En un semiconductor la variacin es opuesta: la


vidad aumenta junto con la temperatura

y en una proporcin ms alta, (aire

dedor de 8% por cada grado centgrado). La variacin en un semiconductor se explica por la creacin de portadores. Al aumentar la temperatura se entrega energa que permite a algunos electrones romper los enlaces interatmicos. Se genera asi parejas de portadores (electrones y agujeros) disponibles para la conduccin de corriente. efecto aumenta cuando la temperatura se eleva. En un metal la situacin es distinta. A temperatura ambiente, ya existe enorme cantidad de portadores disponibles y al elevar la temperatura se introduce una agitacin en la nube de electrones que dificulta el movimiento de los mismos en respuesta a la aplicacin de un campo elctrico. Por eso, en un me-, tal la conductividad disminuye al aumentar la temperatura. Un semiconductor fuertemente dopado puede adquirir propiedades de conductor. En ese caso, el termistor tiene un coeficiente (NTC).
variacin positivo de temperatura trmico

Este

(PTC).

En el caso ms usual, se tienen termistores de coeficiente


de resistencia.

negativo

En ambas situaciones, el signo del coeficiente hace referencia a la

Curvas de un

termistor

Las caractersticas de cada termistor se dan por medio de distintos tipos de curvas. Estas curvas pueden ser datos del fabricante, o bien pueden determinarse experimental mente.

INFORMACION TECNOLOGICA:

RFF.HIT

163

2/5

CINTERFO: Ira. Edici

TERMISTORES

Curva Resistencia

- Temperatura

La relacin ms importante de un termistor es la curva Resistencia en funcin de la temperatura (Fig. 1).

10.000

I.OOO

too

50

100

150

200

250

300

Fig. 1 Se observa en la curva la fuerte variacin de la resistencia, que de 25C a 200C pasa de 200(to a solamente 25ft. Hay un valor mximo para la temperatura que el termistor puede soportar (para el termistor de la Fig. 1 es de 300C) La informacin de esta curva debe manejarse con cuidado. En cada punto se supone que la temperatura es la del termistor y no la del ambiente. Si se disipa potencia elctrica en el termistor, ste adquiere una temperatura superior a la ambiente.

La curva supone disipacin nula de potencia en el

termistor.

INFORMACION TECNOLOGICA: TERMI. STORES

'

HIT 163

3/5

Curva

Voltaje-Corriente

Si se aplica a un termistor un voltaje pequeo, de tal manera que la corrien te que circula sea tambin pequea y la potencia disipada sea despreciable, el termistor no se calentar por encima de la temperatura ambiente. En esas condiciones, la curva voltaje-corriente sigue la ley de Ohm. En la Fig. 2, corresponde a la zona recta para pequeos voltajes. 10

1.0

ai

ai

ro

H O

Fig. 2

Para voltajes mayores, la corriente que circula por el termistor eleva su temperatura sobre la ambiente. La resistencia del termistor disminuye y aumenta ms la corriente. A niveles mayores de voltaje, este efecto predomina a tal punto que nuevos incrementos de corriente disminuyen tan fuertemente la resistencia que el
voltaje necesario disminuye.

Eso explica el mximo que se observa en la cur-

va Voltaje-Corriente y la zona de pendiente negativa que le sigue. En esa zona el termistor presenta una resistencia
{incremental) negativa:un

aumento de corriente corresponde a una disminucin de voltaje aplicado. Al dar la caracterstica V-I en un diagrama doblemente logartmico (Fig.2) tanto la resistencia como la potencia disipada (producto V.I) se representan por rectas. A veces, en lugar de la curva V-I se da como dato la constante de disipacin, que da, a una cierta temperatura ambiente, la relacin entre la potencia d i sipada y la elevacin de temperatura resultante.

INFORMACION TECNOLOGICA: TERMISTORES

REF. : HIT 163

4/5

Aplicacin

El circuito de la Fig. 3 puede emplearse para medir temperaturas

*T

-r

Fig. 3 Colocando el termistor Ry en el punto cuya temperatura se desea medir, la corriente que circula ser funcin de esa temperatura. La lectura en el ampermetro indicar la temperatura correspondiente. El instrumento podr calibrarse directamente en temperatura. Supongamos que el termistor posee la curva Ro (T) de la Fig. 1 y su constante de disipacin es 0,4 mw/C. R no debe ser demasiado grande frente a Ry porque el instrumento no tendra sensibilidad. Sea R = 100n. E se elige de modo que el termistor no disipe una potencia que eleve su temperatura demasiado. Sea E = 0,4 V. En la tabla siguiente, se dan los valores de corriente y potencia disipada en el termistor, que corresponden a diversas temperaturas: T 25C 50 100 150 200 Ry 2000ft 810 185 59 25 i E R + Ry 0,19 mA 0,44 1,40 2,52 3,20 V = Ry i 0,38 V 0,365 0,26 0,14 0,08 W = Vi 0,07 m W 0,16 0,36 0,37 0,26

En la Fig. 4 se representa la curva de calibracin i(T). Se observa que no es 1ineal.


CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. : HIT 163

5/5

TERMISTORES

o
2

Fig. 4 Se obtiene mejor linealidad recurriendo a configuraciones en puente con el

termistor en una de sus ramas. En el rango de funcionamiento, la mxima potencia disipada es de


tamiento elctrico3

0,37 mW.

Como la constante de disipacin es 0,4 mW/C, el termistor, debido al calenelevar su temperatura menos de I o C con respecto a T.

INFORMACION TECNOLOGICA: DIODO SEMICONDUCTOR (JUNTURA P - N )

REF-

H I T 164

1/7

Juntura P-N

La presencia de dos materiales semiconductores adyacentes, tipos p y n, da lugar a una interaccin entre ambos que otorga al sistema las caractersticas de un rectificador o diodo. Las propiedades de esa juntura son fundamentales para comprender el funcionamiento de una gran cantidad de dispositivos de estado slido. En la Fig. 1 se representa una juntura p-n. Tal estructura resulta de introducir impurezas donoras y aceptoras en zonas opuestas de un mismo semiconductor. .

o o o o

1 1 1

a s i *
!

S i i

i i i

Fig. 1

Del lado p, se representan los ncleos con sus cargas ancladas negativas y los portadores positivos (agujeros). Del lado n, las cargas ancladas son positivas y los portadores libres son electrones. Se observa que los portadores libres de cada tipo abundan de un lado de la juntura. Los agujeros son numerosos en el lado p por lo que son atrados hacia el lado n, donde se recombinan con algunos electrones. Anlogamente, los electrones abundantes del lado n son atrados hacia el lado p. Como consecuencia de este proceso de difusin, la zona de la juntura (puntea-

da en la Fig. 1) queda desprovista de portadores libres, por lo que las cargas f i j a s de los ncleos no estn a l l equilibradas por portadores de s i g no contrario. Por esa razn, se llama a esa zona, regin de carga
espacial.

INFORMACION TECNOLOGICA:

RE

- : HIT 164

2/7

DIODO SEMICONDUCTOR (JUNTURA P-N) Tambin se la conoce como zona vaciada de portadores (depletion layer). Al quedar cargas f i j a s no equilibradas (positivas del lado n, negativas del lado p), dan lugar a un campo elctrico que se opone al proceso de difusin. Un agujero del lado p es atrado por los electrones del lado n y es rechazado por las cargas positivas f i j a s del lado n. Se llega a un equilibrio entre dos procesos opuestos: la corriente
sin, de difu-

debida a la desigual concentracin de portadores de ambos lados de la


de campo (drift), debida a las cargas f i j a s .

juntura, y la corriente

Para los agujeros, que en el lado p son portadores mayoritarios, la corriente de difusin se dirige de p a n. En el lado n, los agujeros son portadores minoritarios (generados trmicamente). Sobre ellos acta el campo de las cargas f i j a s dando lugar a una corriente de campo que se dirige de la zona n a la zona p. El equilibrio entre ambos procesos trae como consecuencia que la corriente neta sea nula. La corriente de difusin de mayoritarios iguala a la corriente de campo de minoritarios. De lo contrario, se producira una acumulacin i l i mitada de portadores en un extremo del semiconductor, situacin fsicamente inadmisible.
Polarizacin de la juntura

Supongamos que la juntura p-n se conecta a una batera con la polaridad indicada en la Fig. 2 (polarizacin
inversa).

Fig. 2

INFORMACION TECNOLOGICA:

HIT 164

3/7

DIODO SEMICONDUCTOR (JUNTURA P-N)

El sentido de la tensin aplicada es tal que contribuye


dores de la zona de transicin.

a extraer

los

porta-

El polo negativo de la batera atrae a los

agujeros de la zona p y el polo positivo atrae los electrones de la zona n. Como consecuencia, la zona de transicin se extiende ms que en el caso de la juntura no polarizada. Existe una mayor carga f i j a no balanceada, por lo que el efecto de campo predomina sobre el de difusin. Por esta causa, circula una corriente de campo, de portadores en sentido inverso, de zona n a zona p. Esta corriente
es muy pequea, pues est limitada por el escaso nmero de minoritarios,

portadores minoritarios disponibles, y no vara al aumentar el voltaje a p l i cado, ya que este no tiene mayor efecto sobre la cantidad de portadores d i s ponibles. Como los escasos portadores minoritarios son generados trmicamente, esta corriente inversa depende de la temperatura de la juntura. Supongamos ahora que la juntura se polariza en el sentido indicado en la f i gura 3 (polarizacin
directa).

Fig. 3 El campo aplicado por la batera tiene sentido contrario al creado por las cargas f i j a s . Disminuye ahora el campo elctrico en la juntura. Al reducirse el lmite puesto al proceso de difusin, la corriente de portadores mayoritarios predomina. Circula una importante corriente erj el sentido de zona p a zona n (corriente directa) de portadores mayoritarios.

Esta corriente aumenta fuertemente al aumentar el voltaje aplicado, pues esto f a c i l i t a la difusin de portadores mayoritarios.

INFORMACION TECNOLOGICA: DIODO SEMICONDUCTOR (JUNTURA P - N )

REF.:

HIT 164

4/7

CINTERFOR Ira. Edicin

La descripcin anterior muestra el carcter de diodo que posee la juntura semiconductora p - n frente a un voltaje aplicado desde el exterior, al permitir el paso fcil de corriente en un sentido y restringirlo fuertemente en el sentido opuesto. En la Fig. 4 se representa el smbolo del diodo correspondiente a esa juntura. p

Fig. 4 La caracterstica V - I de una juntura p - n tiene el aspecto indicado en la figura 5.

Fig. 5 En la zona de polarizacin inversa (V negativo) la corriente inversa, lo, es muy pequea y no vara con el voltaje. En la zona de polarizacin directa (V positivo) la corriente crece fuertemente al aumentar el voltaje aplicado. En la Fig. 5 se ha exagerado la magnitud de la corriente inversa. Normalmente la relacin de corrientes es mucho mayor que lo representado en la figura Por su parte, la corriente inversa lo es de distinto valor en distintas junturas (es mucho ms pequea en diodos de s i l i c i o que en diodos de germanio). En un dispositivo real, adems, a la corriente inversa de portadores minor i t a r i o s se agrega una corriente de fugas, que aumenta con el voltaje inverso aplicado.


ONTERFOR Ir. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA: DIODO SEMICONDUCTOR (JUNTURA P - N )

RFF- '-HIT 164

5/7

En la Fig. 6 se dan las caractersticas de diodos tpicos de germanio y s i l i cio, en anlogos limites de corriente, para la conduccin directa.

Fig. 6 Se observa la existencia de un voltaje de arranque o umbral crece rpidamente. Este voltaje es del orden de 0,2 V 1 icio.
Efecto Zener

(cut-in),

que separa una zona de corriente muy pequea de la zona en que la corriente

para el germanio y de 0,6 V para el s i -

En la Fig. 7 se ve la curva V - I de la juntura, completada con la zona de voltajes negativos. Se observa que para voltajes inversos suficientemente grandes, la corriente inversa aumenta bruscamente.

>
V
Fig. 7 Este fenmeno de ruptura (breakdown) es debido a que un gran voltaje aplica do consigue arrancar algunos electrones de sus enlaces y genera portadores nuevos.

INFORMACION TECNOLOGICA: DIODO SEMICONDUCTOR (JUNTURA P - N )

R F F . : H I T 164

6/7

CINTERFOB Ira. Edicin

A su vez, los portadores son energizados por el fuerte campo existente, a tal punto que por colisin pueden romper otros enlaces y generar nuevos portadores . Este efecto de multiplicacin
por avalancha

suministra, a determinado volta-

je inverso Vz, los portadores que generan la alta corriente inversa. Esa corriente se desarrolla a un voltaje prcticamente constante y da lugar a una gran disipacin de potencia que puede provocar la destruccin de la juntura. La tensin Vz de avalancha o de efecto Zener, limita la tensin de trabajo del diodo semiconductor. Si el dispositivo se ha diseado con capacidad de disipacin adecuada, podr operar en la zona de ruptura sin destruirse. La aplicacin natural de ese diodo de ruptura, llamado diodo Zener\ es la generacin de voltajes constantes.

Juntura p + n

Si uno de los lados de la juntura posee un nivel de impurezas mucho mayor que el otro, la zona de carga espacial no se extiende por igual en ambos lados. Una juntura en que la zona p est mucho ms fuertemente dopada que la n (se
la designa como

p+) est representada en la figura 7.

<s>

Fig. 7

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF '

' HIT 164

7/7

DIODO SEMICONDUCTOR (JUNTURA P-N)

La alta concentracin de agujeros en la zona p+ los hace difundir ms profundamente en la zona n. Para que haya neutralidad elctrica, las cargas f i j a s de signos opuestos deben equilibrarse y en la zona p+ estn ms concentradas que en la n. Hace falta una mayor extensin en la zona n para lograr el equi1ibrio. Cuando la juntura se polariza en sentido directo3 la conduccin tiene lugar

por difusin de agujeros de p+ a n y de electrones en sentido contrario, pero las desiguales concentraciones de ambos tipos de portadores hacen que la corriente preponderante sea de agujeros. Este tipo de juntura tiene aplicacin en algunos dispositivos semiconductores.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 165

1/3

ESTRUCTURA DE TRANSISTOR La microestructura formada por tres capas semiconductoras es, sin duda, uno de los grandes xitos de la aplicacin de los semiconductores. La estructura de tres capas, el transistor, cuando se la construye con dimensiones adecuadas, posee un efecto que la diferencia de la simple conexin de dos diodos en oposicin: el efecto de transferencia de portadores. A partir de esta estructura se han construido una enorme cantidad de dispositivos (dispositivos bipolares) y de circuitos integrados.
Transistor

Supongamos que en un mismo semiconductor se tienen tres zonas extrnsecas ternadas. En la Fig. 1 se representa una estructura tipo PNP.

al-

E o-

T
8
Fig. 1

-OC

Queda n determinadas dos junturas. Si el espesor de la capa central Las tres zonas reciben el nombre de emisor E, base B y colector C.

n es pe-

queo, las junturas no son totalmente independientes por ser muy prximas.

Sin conexin externa, se establece en cada juntura un equilibrio entre los procesos de difusin y campo. Supongamos que se conectan las terminales a fuentes de voltaje de modo de pol a r i z a r directamente la juntura base-emisor e inversamente la base-colector

(figura 2).

Fig. 2

INFORMACION TECNOLOGICA: ESTRUCTURA DE TRANSISTOR

REF.:

HIT 165

2/3

En la juntura base-emisor, el equilibrio se altera y eso posibilita que un gran nmero de agujeros del emisor difundan a la base (tambin difunden elec trones de la base al emisor pero en proporcin mucho menor, s i el doping del emisor es mucho ms fuerte que el de la base). Obsrvese que los agujeros que difundieron a la base
tadores minoritarios. son} en la base, por-

La juntura base-colector est polarizada inversamente. La corriente que la atraviesa es una corriente de campo, de portadores minoritarios. Esta corriente, que en una juntura aislada es pequea pues hay pocos portadores noritariosj puede ser mucho ms grande en el esquema visto. En efecto, la base dispone de portadores minoritarios p, inyectados desde
el emisor3 mi-

en una proporcin regulada por la corriente de la juntura base-

emisor. Estos portadores atraviesan la base y son recolectados por el colector (de ah su nombre). En la medida en que la base sea estrecha, la mayor parte de los agujeros inyectados la recorren y llegan al colector. biman con electrones, que son mayoritarios en la base. Si la base fuera muy ancha, todos los portadores se recombinaran y no exist i r a transferencia de agujeros. La corriente desarrollada por un pequeo voltaje directo (base-emisor) es recogida contra un mayor voltaje inverso (base-colector). Se obtiene as una ganancia de potencia apreciable: con la misma corriente, se logra un voltaje de salida grande a partir de un voltaje de entrada pequeo. Dicho de otra manera, una resistencia de entrada pequea da lugar a una resistencia de salida grande. De ah el nombre de transistor (transfer-resistor) dado al dispositivo. Algunos se recom-

Existen dos tipos de transistores, segn sean las capas semiconductoras empleadas: NPN y PNP. En ambos casos, las letras designan las tres zonas de la estructura transistor correspondiente.

INFORMACION TECNOLOGICA: ESTRUCTURA DE TRANSISTOR

REF.:

HIT 165

3/3

Transistores

integrados

Hay muy variadas tecnologas de fabricacin de transistores. En la Fig. 3 se representa el esquema de un transistor plano, de difusin NPN. S

Fig. 3

Cuando el transistor es parte de un circuito integrado, el esquema cambia por la necesidad de a i s l a r el colector del substrato y la necesidad de una conexin del lado superior (figura 4).

p L i J n Substrato p Fig.4

Un transistor PNP exigira todava una capa ms, de a l l que sean algo ms caros que los NPN. En un circuito integrado, los diodos no se implementan como tales.

Resulta ms econmico partir de la estructura bsica del transistor y emplear una juntura como diodo, dejando el tercer terminal abierto. En los hechos, el colector es la capa que aisla el diodo base-emisor del sustrato (ver figura 4).


CINTERFOR 1 . Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF :

* H I T 166

1/3

ESTRUCTURAS DE EFECTO DE CAMPO

< O tai o o

Con el nombre de estructuras de efecto de campo se conocen un conjunto de dispositivos que se caracterizan por un mismo esquema de funcionamiento. En estos dispositivos, una barra de material semiconductor N o P es sometida a la accin de un campo elctrico.
bia la conduccin de la barra

Como resultado de esta accin, cam-

semiconductora.

o <
II

t<

o o

Con este efecto se logra construir dispositivos denominados FET (Field Effect; Transistor) que poseen un electrodo de control, Gate, capaz de alterar un ca nal de conduccin tipo P o tipo N. Estos dispositivos pueden cumplir la mayora de las funciones de los transistores convencionales, en muchos casos con grandes ventajas. Debido a que los dispositivos de efecto de campo, por razones histricas tam bien se llaman transistores3
nar a l o s transistores

ai

se suele emplear la palabra bipolar


convencionales.

para desig-

de juntura

Las principales ventajas de los FETs se encuentra en que: a) el electrodo de control prcticamente no consume corriente; b) se pueden construir con menos capas que la estructura de transistor convencional y de a l l que se puedan fabricar microestructuras mucho ms complejas. Los FETs presentan, en cambio, una menor velocidad de respuesta que los transistores bipolares, s i bien esta diferencia tiende a disminuir a medida que mejoran las tecnologas de diseo y fabricacin.

FET de juntura

Sea una barra de material semiconductor tipo N (figura 1).

DD

Fig. 1

INFORMACION TECNOLOGICA: ESTRUCTURAS DE EFECTO DE CAMPO

^ H I T

166

2/3

Bajo la accin de un voltaje aplicado V ^ , circula corriente de portadores mayoritarios (electrones). La barra acta como un resistor. Se llama Fuente S (Souroe) al terminal por donde entran a la barra los portadores mayoritaal terminal por el que salen. rios y Drenador D (Drain)

Supongamos que sobre ambos lados de la barra se forman dos capas de semicon ductores p+, fuertemente dopados, constituyendo un tercer terminal llamado
Gate G. Quedan as determinadas dos junturas p-n que polarizamos inversamen

te (figura 2).
<3 - H P V<J0 n P + p+

Fig. 2 De esa manera, se crea en ambas junturas una zona de carga espacial, desprovista de portadores. Se estrecha el canal N de que disponen los portadores para circular. Si superponemos la accin de las dos fuentes de voltaje (Fig. 3), los portadores mayoritarios (electrones, en el ejemplo) atraviesan la barra de S a D.

Fig. 3 A lo largo de la barra se produce una cada de voltaje. Como consecuencia, la tensin de la barra en el extremo D es ms alta que en el S. La juntura Canal-Gate est ms fuertemente cortada (polarizada inversamente) en el extremo D. La zona de carga espacial se ensancha cerca de D y se estrecha el canal donde existen portadores libres para conducir. La aplicacin de polarizacin inversa a la juntura GS limita la corriente que atraviesa la barra, por el mecanismo de quitar portadores en la zona

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 170

3/6

ESTRUCTURAS DE EFECTO DE CAMPO de carga espacial.La corriente es controlada por el campo asociado a la juntura polarizada inversamente. Este dispositivo se llama transistor Effect Transistor o FET) de untura.
MOS - FET de efecto de campo

(Field

El tipo de estructura MOS permite implementar FETs que han tenido un desarrol l o mucho mayor que el de los FETs de juntura. En la Fig. 4 se representa un Mosfet canal P.

+ + +

p+ Substrato n

p+

Fig. 4 Sobre un sustrato n se difunden dos zonas p+ que funcionarn como S y D. Sobre el xido, una pelcula metlica constituye el terminal G. Aplicando un voltaje negativo a G, se desarrolla un campo elctrico en el dielctrico que atrae cargas positivas en el semiconductor. De esa manera se induce un canal P que conecta S con D permitiendo el flujo de portadores. Cuanto mayor sea el voltaje negativo aplicado a G, mayor ser la corriente que circula. La capa aislante de xido otorga a este dispositivo muy elevada resistencia de entrada.

INFORMACION TECNOLOGICA:

R E F . : HIT 167

1/3

ESTRUCTURAS

PNPN

Diodo de cuatro capas

Sea la estructura de cuatro capas P-N-P-N de la figura 1,

Anodo

o.

Ctodo

0/

D2

D3

Fig. 1

En correspondencia, se representa en la figura los diodos de las distintas junturas. Con este esquema, parece que el dispositivo no puede conducir jams. Aplicando un v o l t a j e inverso (nodo negativo respecto al ctodo), el

dispositivo

est cortado (Dj y Dg lo estn). Aumentando el voltaje inverso,

puede llegarse a la conduccin por ruptura (breakdown) de las junturas D^ y '3Aplicando un voltaje directo (nodo positivo respecto al ctodo), las junturas D 1 y Dg estn polarizadas directamente pero D 2 lo est inversamente, por lo que el dispositivo est tambin cortado. Aumentando el voltaje directo, se llega a un punto en que la juntura D 2 entra a conducir por efecto avalancha (breakover) y todo el dispositivo conduce. En esta condicin la corriente sube abruptamente y debe ser limitada Una vez en conduccin, esta situacin se mantiene
de mante-

por el circuito exterior.


nimiento (holding o

mientras la corriente sea superior a un cierto valor, la corriente


latching).

Modificando la estructura de cuatro capas de modo de construir dos estructuras iguales y opuestas (Fig. 2), se consiguen dispositivos bilaterales, cuya conducta es
simtrica.

"lo p

p, |n

Fig. 2

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 167

2/3

CINTERFOf Ira. Edicii

ESTRUCTURAS PNPN

Diac

El diodo de cuatro capas posee una curva de conduccin dada por la figura 3. A partir de la tensin V^ el dispositivo entra en conduccin.

* La estructura simtrica3 I denominada diac,

Fig. 3 puede conducir en ambas direccio-

nes, a partir de la tensin V A , (figura 4).

Fig. 4

Tiristor

o SCR (Silicon Controlled Rectifier). es una estructura PNPN en la que se tiene una conexin externa

El tiristor

para la tercera capa: el Gate G (figura 5).

A -

Fig. 5 Si no se emplea el terminal G, la curva de conduccin es la indicada en la figura 3.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 167

3/3

ESTRUCTURAS PNPN

La inyeccin de una pequea seal en el terminal G altera la situacin y


permite encender a menor voltaje nodo-ctodo.

De esta manera, el dispoinferior

s i t i v o es capaz de entrar en conduccin a una tensin cualquiera,


a V A'

Una pequea seal de disparo permite controlar el instante en que el t i r i s tor entra en conduccin. El dispositivo conduce hasta que la corriente extrada por el circuito sea inferior a la corriente
de mantenimiento.

Por esta manera de trabajar, se les denomina rectificadores


Triac

controlados

(SCR)

Con una estructura PNPN de tipo bilateral, con electrodo de control, se obtienen dispositivos que controlan corrientes en ambos sentidos mediante las seales aplicadas a un terminal G. Este dispositivo se llama triac y se emplea para controlar corrientes alternas mediante la eleccin del momento en que entra en conduccin.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 168

1/2

ACOPLAMIENTO MAGNETICO

Supongamos que se tienen dos inductores prximos (Fig. 1). + 7T -

Fig. 1

El primero es recorrido por una corriente i y el segundo est abierto. Parte del flujo creado por la corriente i atraviesa el segundo inductor. Se dice, en este caso, que ambos inductores estn acoplados, o que existen

entre ambos inductancia mutua, adems de la inductancia de cada uno. Si la corriente i se modifica, cambia el flujo en ambos inductores, en el

primero por su inductancia propia, en el segundo por el acoplamiento. Se tendr entonces un voltaje inducido en el segundo por la variacin del flujo del primero. Ejemplo: En el circuito de la Fig. 2 se supone que en estado de rgimen se abre la llave S.

Fig. 2 Se indica con M el acoplamiento mutuo de los dos inductores. Como el inductor L2 est abierto, no circula corriente entre sus bornes. Al abrir la llave, la corriente en L l , que vala:

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF '

"

HIT 168

2/2

CINTERFOR Ira.

ACOPLAMIENTO MAGNETICO

e^^q

E R no puede cambiar bruscamente y evoluciona con continuidad. A partir de ese valor caer a cero con constante de tiempo Ll/Rl (Fig. 3).

Parte del flujo que esta corriente produce atraviesa al inductor L2, induciendo un voltaje. Inicialmente ese flujo tiene una variacin grande, luego se va atenuando. Observando en el osciloscopio la tensin en bornes de L2 se puede apreciar una forma de onda como la indicada en la figura 4.

En general, la variacin de corriente en L1 inducir una tensin en L2. Si L1 es recorrido por una corriente alterna, se genera en L2 una tensin alterna de la misma frecuencia.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 169

1/4

INDUCTORES ACOPLADOS

<c
o

Cuando dos inductores acoplados estn recorridos por corrientes i^ e i^ el flujo en cada inductor resulta de la superposicin de los flujos creados por cada corriente (figura 1).

Q C

o
H-I

O o

II

cc
LU _J LU

Fig. 1 Los razonamientos que permiten analizar el comportamiento de un inductor en circuitos pueden generalizarse para el caso de los circuitos con mutuas. Para cada inductor se tiene una relacin lineal entre el flujo y la corriente que lo produce:
= L 1

3 o 1
* 2

8 i-*

1
2

Entre la corriente i^ del primer inductor y el flujo <>2 que atraviesa el segundo, existe una relacin de la misma forma: '2
= Mi

l
de inductancia mutua3 o simplemente l a mutua.

El f a c t o r M es el coeficiente

Se mide, como la inductancia, en Henrios. El coeficiente de mutua es nico. El flujo que crea L2 en L^ est dado por: l " C V J
Se l l a m a coeficiente
M 1

2
k a la relacin:

de acoplamiento

k =

-INFORMACION

TECNOLOGICA:

REF.:

HIT

169

2/4

CINTERFOR Ira. Edicin

INDUCTORES ACOPLADOS

Este parmetro es siempre menor que 1. Su valor es tanto ms prximo a 1


cuanto mayor sea la parte de cada flujo que atraviesa el otro inductor, es

decir, cuanto mayor sea el acoplamiento. Si se aplica corriente a ambos inductores, los flujos se obtienen por superposicin. Los flujos respectivos sern:

L1

n'l +

Mi2

< J > 2= Las expresiones de ^ y ^


de sentidos opuestos.

^'l

son ambiguas. En cada inductor el flujo total re-

sulta de la superposicin de dos flujos que pueden ser del mismo sentido o

F sicamente esto depender del sentido de las corrientes,


de los inductores y de su posicin relativa.

de la

configuracin

(En particular, es importante

el sentido en que estn bobinados los inductores). Desde el punto de vista del a n l i s i s de circuitos, esta ambigedad se levanta completando la informacin con una pareja de puntos, en bornes de ambos inductores, en el esquema de 1 osr mismos (figura 2).

u
l-i Fig.2

Con arreglo a esta convencin, cuando los sentidos adoptados para las corrien tes son tales que ellas entran en cada inductor por el terminal marcado, los flujos se suman. Cuando el sentido de referencia de una corriente cambia, los flujos se restan. En las figuras 3 y 4 se analizan dos casos posibles:

I' I


CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT

169

3/4

INDUCTORES ACOPLADOS

i u

U -2 1 . 2

= Lj i j + Mi 2 >2 = \~2 i 2
+

Fig. 3

i i

! -lu

'

= L

1 h

Mi

^2

Fig. 4

Estas convenciones se aplican en las expresiones que vinculan voltaje y corriente. Tal es el caso del a n l i s i s de circuitos en rgimen de alterna. de las tensiones inducidas. Nuevamente es preciso definir sin ambigedad las relaciones voltaje-corriente. La convencin adoptada es la indicada en la figura 5.
corriente

El vector voltaje en cada inductor ser la suma de dos vectores,

Fig. 5

Si los voltajes se toman con referencia a los terminales marcados y las corrientes entran por esos terminales, valen las expresiones siguientes: = LjWj l 1 + Mwj I 2 V 2 = Mwj I j + L 2 wj I 2

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 169

4/4

qnterfoi

Ira. Edicii

INDUCTORES ACOPLADOS Al cambiar el sentido de algunos de los voltajes o corrientes con respecto al convencional, cambiar su signo en la expresin correspondiente. Las figuras 6, 7 y 8 ilustran algunos casos:

T i " Vi L,

'
l2
v* .

V 1 = L^wj I j - Mwj I 2

Jl
Fig. 6 M ' " T K L,
i \

y2 = Mwj I j - L 2 wj I 2

T -2

"

L WJ,I

VJ

V 2 = Mwjlj + L 2 wjl 2

Fig. 7 M

* ir
Vi
L

i \

-2 V*

= L

1WJU1 "

MwjI

'

Vg = - Mwjlj + LgWj^

Fig. 8

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 170

11/6

ENERGIA ALMACENADA EN UN INDUCTOR Un inductor es un dispositivo capaz de almacenar energa, bajo forma ma.gnti ca. Las caractersticas energticas de un inductor permiten interpretar algunas de las propiedades circuitales de esta componente.
Energa almacenada en un inductor

Supongamos que el inductor de la Fig. 1 est inicialmente sin corriente u OO'O'OTT^i

Fig. 1 Si alimentamos el inductor con una corriente i se crear un flujo: c f ) = Li Si aplicamos una corriente adicional i , con lo que la corriente total pasa a valer 2 i , el flujo pasa a ser 2<j>. La variacin del flujo desarrollar un voltaje inducido que se opone al
aiQnento de corriente. aumentar la corriente:

Por esta razn, es necesario suministrar

energa para

Esta energa es igual al producto de la corriente por

la variacin del flujo: F = i< | > La secuencia descrita puede continuarse. Cada aumento de corriente igual

a i aumenta el flujo en < p y es necesario comunicar ms energa. Despus de un nmero N de pasos, la corriente por el inductor es: I = Ni

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT 170

2/6

CINTERFOR

ENERGA ALMACENADA EN UN INDUCTOR

Ira. Edicin

La energa que se suministra en todo el proceso ser entonces: E = i<f> + 2i.<> + ... + Ni4> = i<f. (1 + 2 + ...+N) = i<j>

Si el nmero de pasos N es muy grande y la corriente i muy pequea, se puede tomar: t r

N2i<j>
2

L N2i2
2

L 12 2
bajo

Esta energa queda disponible como energa almacenada en el inductor


forma magntica.

Puede ser recuperada nuevamente en forma elctrica.

Un inductor recorrido por una corriente almacena una energa de valor: E = li2 L 2 en que I es el valor de la corriente. Ejemplo: Supongamos un inductor de 100 mHy recorrido por una corriente 100 mA. La energa almacenada es: E =
L

de

100 x 1 0 - ^ x 104 x l O ' 6

mJou1e

Para tener idea del valor de esa energa, se puede ver que es la energa que se disipa en un resistor de 1 Kn recorrido por una corriente de ImA durante medio segundo: E = R I 2 t = 103 x 10" 6 x \ = \ mJoule

En rgimen de corriente

alterna,

al variar la corriente instantnea, la

energa almacenada tambin vara. Si la corriente que circula es: i = I eos wt = \2 Ief eos wt

INFORMACION TECNOLOGICA: ENERGA ALMACENADA EN UN INDUCTOR

REF-'-HIT 170

[3/6

la energa almacenada ser:


e

= ti! = Ll!

cos^wt - 4

(lc^wt)

Ll ef
2

(l+cos2wt)

Se observa que la energa almacenada es pulsante, con valor medio Llef y con frecuencia de variacin doble que la corriente (Fig. 2).

Fig. 2

Perdidas

de energa

En un inductor real, hay prdidas de energa debidas a distintos tipos de disipacin. El alambre del devanado posee resistencia, por lo que el inductor real, ade ms del almacenar energa en forma magntica, disipa energa por efecto
mico. h-

Esta observacin conduce, en forma natural, a la representacin del inductor real indicada en la figura 3 , con la resistencia del devanado represen tada por un resistor

INFORMACION TECNOLOGICA: ENERGA ALMACENADA EN UN INDUCTOR

HIT 170

14/6

L 'WOOO*i

Fig. 3

Hay ademas otras posibles prdidas de energa: a) prdidas dielctricas en el soporte de la bobina; b) prdidas por corrientes parsitas inducidas en los alambres y masas metlicas prximas (corrientes de
Fouoault).

En el caso de inductores bobinados sobre ncleos magnticos,

se producen pr-

didas de energa adicionales en la masa del ncleo que se manifiestan en el calentamiento del mismo. Se distinguen dos fenmenos principales: c) la tendencia del material de oponerse a un cambio de la magnetizacin, l l a mada histresis. Al producirse campos magnticos alternos, este fenmeno da lugar a prdidas de energa que son proporcionales a la frecuencia. d) la existencia de un flujo variable en la masa del ncleo induce a voltajes. Circulan entonces corrientes, llamadas corrientes
de Foucault

(eddy currents),

que producen una prdida de energa de tipo hmico en el ncleo. Para minimizar estas prdidas se adoptan medidas tales como disponer el ncleo en forma de lminas para impedir que se establezca una corriente inducida importante. Las prdidas de Foucault son proporcionales al cuadrado de la frecuencia. Las prdidas de energa en el ncleo (histresis y Foucault) se expresan, usualmente, a travs de un resistor equivalente paralelo mientras que las pr didas en el devanado se representan por un resistor serie (figura 4).

INFORMACION TECNOLOGICA: ENERGA ALMACENADA EN UN INDUCTOR

REF.:

HIT 170

5/6

*S
rm*

L
oooot)

Fig. 4
MN-

Rp

Factor de calidad de un inductor

La manera ms usual de expresar las prdidas de un inductor es a travs del llamado factor de calidad del inductor. Se define como relacin de la reactancia Lw a la resistencia serie R s ( f i gura 3). Q= Lw Rs

Su valor ser tanto mayor cuanto ms se aproxime el inductor real a uno


ideal sin prdidas.

Si el valor de Q es inferior

a 10, el inductor no se ase-

meja a uno ideal. Con valores superiores


res de 300.

a 100 ya se pueden considerar como

inductores de alta calidad. Es muy d i f c i l construir inductores con Q mayo-

El factor de calidad Q vara con la frecuencia.


cin de la reactancia Lw y a l a variacin

Esto es debido a la

variaRs.

de la resistencia

de prdidas

La resistencia

del devanado vara con la frecuencia

por efecto

pelicular

(skin): la resistencia aumenta como la raz cuadrada de la frecuencia. cer como la raz cuadrada de la frecuencia.

Si

consideramos solamente la prdida hmica del devanado, el Q del inductor ere

Por otra parte, las prdidas del ncleo y las prdidas por corrientes parsitas en el devanado crecen con la frecuencia. Por estas causas, disminuye
el factor Q.

Se diferencian tres zonas en la conducta de un inductor:

INFORMACION TECNOLOGICA: ENERGA ALMACENADA EN UN INDUCTOR

H I T 170

6/6

CINTERFOI Ira. Edicif

a) cuando predomina R^, Q aumenta con la

frecuencia;

b) una zona en el cual el factor Q permanece constante; c) cuando predomina el ncleo y disminuye con la
Ejemplo: frecuencia.

Un inductor de L = 1 Hy y f = 5 Hz

= 10a. El factor Q vale: Q= 3,14

f = 50 Hz f =500 Hz

Q = 31,4 Q = 314

Es posible que en 500 Hz dominen las prdidas del ncleo y el valor real sea menor que el calculado con Rs.
Ejemplo:

Sea un inductor de valor L = 100yHy, con Q = 100 a f = 1MHz.

La resistencia equivalente serie de prdidas es:

do - lw
Rs

1 0 " 4 x 2ttx 1 0 6 _ ,

100

628fi

9o

Es preferible caracterizar el inductor, en esta frecuencia, por su resistencia de prdidas.

por su Q que


CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 171

1/6

EL INDUCTOR EN CIRCUITOS

< o

La Fig. 1 muestra el smbolo empleado para representar un inductor L en el dibujo de un circuito elctrico. L -nnnRRPLa unidad de inductancia es el Henrio (Hy). A partir de la relacin fundamental entre flujo
corriente: magntico, inductancia y

L >-

O < O
o
l-H

Fig. 1

I O
L _J

&L
UJ

< J > = Li resulta la relacin entre unidades

8
O
nj

weber 1 = 1 Henrio x 1 Amperio m En las aplicaciones tcnicas se usan submltiplos 1 mil ihenrio (mHy) = 10~3 Hy 1 microhenrio (yHy) = 10"
El transitorio de un inductor c

Hy

Si en el circuito de la Fig. 2 cerramos la llave S y observamos en el osciloscopio el voltaje en bornes del inductor L, se tendr una forma de onda de transitorio como la dibujada en la figura 3.

Fig. 2

Fig. 3

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 171

2/6

QNTERFOf

EL INDUCTOR EN CIRCUITOS

Ira. Edicin

La variacin de la corriente con el tiempo puede observarse en el o s c i l o s copio como el voltaje en bornes del resistor R (que es proporcional a esa corriente). Se tiene la forma de onda representada en la figura 4.

Fig. 4 A partir de un instante (tal como T) el voltaje en bornes del inductor es prcticamente cero y el inductor acta como un cortocircuito. La corriente que lo recorre est determinada por el resistor R. Esta observacin es de carcter general. y s u s t i t u i r l o s por cortocircuitos. Ejemplo: En el circuito de la Fig. 5 al cerrar la llave S tendr lugar un trar si torio. Una vez finalizado, L^ y L 2 se comportan como cortocircuitos. El c i r cuito resultante es el de la figura 6. En el a n l i s i s de circuitos
de con-

tinua, pasado el transitorio, podemos ignorar la presencia de los inductores

Fig. 5
Constante de tiempo de un circuito con inductor

Fig. 6

La observacin de las formas de onda de voltaje y corriente en el circuito de la figura 2 permite extraer conclusiones sobre la conducta elctrica del inductor en un
transitorio.

INFORMACION TECNOLOGICA:

R E F . : HIT 171

3/6

EL INDUCTOR EN CIRCUITOS

Se observa que al cerrar la llave S, el voltaje experimenta un salto (de 0 a E) pero la corriente no. Antes de cerrar la llave la corriente es cero y con tina cero en el instante siguiente. Crece luego, con continuidad, hasta a l canzar su valor de rgimen. Podemos expresar este resultado diciendo que el
inductor se comporta en el instante inicial como un circuito abierto. En el cortocirestado final cuito.

(es decir, pasado el transitorio), se comporta como un

Durante el transitorio, voltaje y corriente evolucionan entre los valores correspondientes a ambos estados. Esa evolucin se caracteriza por medio de la
constante de tiempo , cuyo valor mide la rapidez de la misma.

Para el circuito de la Fig. 2 la constante de tiempo es T = Con: L R

E = 10V R = lKn L = ImHy T = 10~3 10 3 = lyseg

En la Fig. 7 se representa la forma de onda de la corriente.-

lOmA -

Fig. 7 Su valor final es: i =


10

T l/{seg = 10 mA

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 171

4/6

EL INDUCTOR EN CIRCUITOS

En un tiempo igual a una constante de tiempo, se llega al 63 % del valor


nal de la corriente.

fi

En el ejemplo, para T = lyseg. La corriente ser 6,3mA.


final.

En dos veces la constante de tiempo, se llega al 86% del valor


El inductor en alterna

Supongamos que un inductor se alimenta con una corriente variable con el tiem po (figura 8).

Fig.8

En una zona como la A o C, en que la corriente se mantiene esencialmente constante, el flujo


magntico no vara

y por lo tanto no hay voltaje

inducido

en-

tre los bornes del inductor. En una zona como D, en la que la corriente
fuerte variacin de flujo est creciendo rpidamente, la

que eso implica se traduce en un voltaje en bornes

del inductor tanto mayor cuanto ms rpida sea la variacin de corriente. En una zona como B, el voltaje tambin es grande pero de sentido contrario, pues corresponde a una variacin de flujo en sentido inverso. En el caso de aplicar una corriente sinusoidal (Fig. 9) el voltaje resulta tambin sinusoidal. De acuerdo a lo observado, los ceros del voltaje coinciden con los mximos y mnimos de la corriente. Los mximos de voltaje coinciden con los ceros en un sentido de la corriente. Los mnimos de voltaje corresponden a los ceros de sentido contrario de la corriente.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 171 ML

E L INDUCTOR EN CIRCUITOS

Fig.9 Esta relacin de voltaje y corriente se traduce en la representacin vectorial en un defasaje de 90 en los vectores correspondientes: el vector volta je V est 90 adelantado al vector corriente I (figura 10).
or

Fig. 10

Para relacionar las amplitudes de corriente y voltaje, debemos tener en cuenta: 1) El voltaje es la variacin de flujo en la unidad de tiempo. Siendo el flujo proporcional a la inductancia L y a la corriente I , tambin lo ser el voltaje.2 ) Considerando corrientes sinusoidales de igual amplitud pero distintas frecuencias (Fig. 11). Entre los mismos valores, ^ e 2 la variacin de la corriente ser ms rpida en el caso de mayor frecuencia. Una variacin de corriente ms rpida implica un voltaje inducido ms grande. El tiempo que se emplea en pasar de a I 2 es inversamente proporcional a la frecuencia

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT

i n

6/6

CINTERFOR Ira. Edicin

EL INDUCTOR EN CIRCUITOS de la corriente. Por tanto, la amplitud del


proporcional a la frecuencia. voltaje sobre el inductor es

En resumen: s i la forma de onda de la corriente aplicada a un inductor es sinusoidal, tambin lo es la del voltaje y sus amplitudes cumplen las relaciones:
V = L . 2 Trf.I

A la relacin de amplitudes se le llama reactancia inductiva

X^:

XL = L.2 7rf

Ejemplo:

Una inductancia L = ImHy a la frecuencia f = 100 Hz representa una

reactancia:
X L = 1 0 ~ 3 x 2ttx 100 = 0 , 6 2 8 n

La misma inductancia, a la frecuencia de 1 M Hz,posee una reactancia de 6,28 Kn.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. : * HIT 172

1/6

ESTABILIDAD DE SISTEMAS REALIMENTADOS

El empleo de realimentacin en un sistema est directamente asociado con su estabilidad. Dependiendo del tipo de realimentacin usado, la estabilidad del sistema puede mejorar o empeorar. Ajustando los parmetros de la r e a l i mentacin, puede lograrse una conducta oscilante. Para i l u s t r a r las d i s t i n tas situaciones posibles, vamos a analizar el sistema realimentado de la figura 1.

Fig. 1 El sistema consta de un amplificador ideal de ganancia A. La realimentacin se realiza a travs de un bloque que introduce un retardo (delay) T en el tiempo entre'la entrada y la salida. En la Fig. 2 se representa la seal de salida Xo que el bloque T entrega a partir de una seal de entrada Xi.

Fig. 2

INFORMACION TECNOLOGICA: E S T A B I L I D A D DE SISTEMAS REALIMENTADOS

M F

H I T 172

2/6

En la Fig. 1, la seal que entrega el circuito de retardo se suma a la seal existente en el terminal de entrada al sistema (E) para generar la seal que se aplica a la entrada ( I ) del amplificador. Supongamos que en el sistema de la Fig. 1 se aplica inicialmente una seal constante de 1 V en la entrada E. Esta seal aparece amplificada por A a la salida del sistema. Cumplido un intervalo de tiempo T, el bloque de realimentacin lo entrega nuevamente a la entrada del amplificador. Esta nueva seal es procesada por el amplificador y nuevamente entregada a la entrada por el circuito de retardo. Se establece asi una secuencia que puede dar lugar a situaciones muy d i s t i n tas. Veamos los diversos casos.
Ganancia A = 1

Al aplicar a la entrada E del sistema una seal de valor 1, aparece en la salida S una seal 1. Transcurrido un intervalo T, se agrega 1 a la entrada del amplificador, dando lugar a una seal de valor 2 en I . Aparece a la salida S una seal igual y se repite asi la secuencia de hechos que se analiza en la tabla siguiente: Tiempo 0 T 2T 3T 4T 1 1 1 1 1 I 1 2 3 4 5 1 2 3 4 5

En la < F i g . 3 se representa la evolucin de la salida del sistema a partir de la seal de 1 V aplicada en la entrada.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 172

3/6

ESTABILIDAD DE SISTEMAS REALIMENTADOS

Fig. 3

Se tiene

un sistema inestable.

La aplicacin de una tensin constante a la

entrada trae aparejada, a travs de la realimentacin, una serie de saltos en la salida que la hacen crecer sin limite. Naturalmente, en un caso real, esta salida est limitada por las fuentes que alimentan el circuito y por las limitaciones de amplitud del amplificador.
Ganancia A = - 2

Al aplicar una seal de 1 V en la entrada E, se tiene una seal en S de - 2 V . Esta salida, luego de pasar por el retardo, se convierte en una entrada I = l - 2 = - l V . Reiterando el anlisis anterior con este otro valor la respuesta del s i s t e ma es la indicada en la tabla siguiente, y representada en la figura 4. Tiempo 0 T 2T 3T 4T E 1 1 1 1 1 I 1 -1 3 -5 11 S -2 2 -6 10 -22

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. :

HIT 172

4/6.

CINTERFOR Ira. Edicin

ESTABILIDAD DE SISTEMAS REALIMENTADOS


10

<D
-2

Fig. 4 -6
El sistema es inestable.

La aplicacin de una seal constante en la entrada


de amplitud creciente.

da 1 ugar a una salida de tipo oscilatorio,


Ganancia A = - 1/2

Con este valor de la ganancia del amplificador, los valores de la salida se calculan en la tabla y se representan en la figura 5. Tiempo 0 T 2T 3T 4T 1 1 1 1 1 I 1 1/2 3/4 5/8 11/16 -1/2 -1/4 -3/8 -5/16 -11/32

< D

F i g .2Fig.3

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 172

5/6

ESTABILIDAD DE SISTEMAS REALIMENTADOS

La realimentacin ha tenido por consecuencia estabilizar

el sistema.

El a -

partamiento del equilibrio, seal de salida nula, producido por la seal de entrada, es seguido por una sucesin de corrimientos que tienden a retornar la salida a su valor original.
ocurre exactamente lo mismo. Si la seal es de cualquier otro valor,

Ganancia A = - 1

Con esta ganancia, la Tiempo 0 T 2T 3T 4T E 10 1 1 1 1

secuencia de valores de la salida es la siguiente: I 1 0 1 0 1 S - 1 0 - 1 0 - 1

La F i g . 6 ilustra la evolucin de la salida.

< E >

F ig. 6 Se ha logrado a s un oscilador. La salida es pulsante de amplitud


constante.

En un caso real, esta situacin no es fcil de conseguir. Un pequeo apartamiento de la ganancia del valor A = - 1 traer un cambio en la respuesta del sistema. Ser del tipo oscilante con amplitudes crecientes que - 1.
Conclusiones

(similares

al caso A = - 2) o amortiguada segn que el valor de A sea menor o mayor

El a n l i s i s anterior muestra que una misma configuracin


de un s i s t e m a puede dar lugar a respuestas distintas.-

de

realimentacin

INFORMACION TECNOLOGICA: E S T A B I L I D A D DE S I S T E M A S REALIMENTADOS

REF. :

HIT 172

6/6

CINTERFOR Ira. Edicin

En el caso analizado, la respuesta depende del valor y el signo de la ganancia del amplificador.En general, en un sistema realimentado, se puede realizar un anlisis simil a r . Supongamos que el sistema se puede representar segn el diagrama de bloques de la F i g . 7.

Fig. 7 El lazo de realimentacin se abre en el punto P y se aplica una seal X (figura 8).

ABX

Fig.8

Recorriendo el lazo la seal X sufre diversos procesos: una amplificacin de valor A, una transferencia B y un cambio de signo. Aparece nuevamente en P como - ABX.
La relacin entre lazo. los valores (seal obtenida a seal aplicada) se llama ganancia del

En el caso de la F i g . 7 esa ganancia es AB.


de un sistema realimentado po-

En general, puede afirmarse que la estabilidad


depende del valor de la ganancia del

lazo y del signo que esta ganancia

see.

Segn sea el caso, el sistema oscilar., crecer sin limites o

estabi-

lizar .

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

HIT 173

1/3

REALIMENTACION Y SISTEMAS DE CONTROL

Se habla de sistemas de control


o

cuando interesa regular el valor de una cier

ta variable. Supongamos que se trata de mantener la temperatura de una habitacin en 45C. Se dispone de una estufa como fuente de calor y de un termmetro que mide la temperatura ambiente. Una primera solucin al problema consiste en emplear un dispositivo automtico que conecte y desconecte la estufa a intervalos regulares de tiempo. Por ejemplo, puede conectarse la estufa por cinco minutos y desconectarse por diez. Se hace necesario en este caso un procedimiento de calibracin, que asegure que el sistema lleve la temperatura de la habitacin a 45C. Esta solucin es mala. La variacin de la temperatura externa a la pieza, o el cambio de rendimiento de la estufa harn perder validez a la calibracin y la temperatura resultante se apartar del valor deseado. En la figura 1 se muestra el diagrama de bloques de la solucin analizada.

I-

cc
C_)

L _J LU >-

O c o
o

I I)

ENCENDIDO AUTOMATICO

LLAVE

ESTUFA

TEMP.

DELA

HABI TAC ION Fig. 1 En una segunda solucin, un operador puede conectar o desconectar la estufa
segn que la temperatura ambiente est por debajo o por encima de 45C.

Esta solucin presenta dos diferencias con la anterior: a) Exige un operador, no es automtica. b) Es un sistema de control: aunque vare la temperatura externa o el ren-

dimiento de la estufa, la temperatura de la habitacin continuar en 45C. La segunda solucin se i l u s t r a en la figura 2.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

H I T 173

2/3

RE AL MENTACIN Y SISTEMAS DE CONTROL

Fig. 2 El operador realiza una doble tarea: compara la temperatura de la habitacin


con l a temperatura deseada y acta sobre la llave segn sea el resultado de

la comparacin. En el diagrama de bloques se advierte la presencia de un lazo o camino cerrado, caracterstico


de un sistema de control.

En una tercera solucin, la temperatura de la habitacin se detecta


procesa en un circuito de control

mediante

un transductor (por ejemplo un termistor) y la seal elctrica obtenida se que regula la potencia entregada por la estufa.En este esquema, que es automtico, la accin de control resulta de la diferencia entre seal de salida (la temperatura ambiente) y la seal de
refe-

rencia (la temperatura de 45C). En la figura 3 se ilustra esta nueva solucin.

TEMP DE REFERENCIA

ERROR

CIRCUITO DE CONTROL

ESTUFA

TEMR DE LA HABITACION

Fig.


CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF

- : HIT 173

3/3

REALMENTACION Y SISTEMAS DE CONTROL

En esta figura se representa por un pequeo crculo la operacin de sustraccin entre la temperatura de referencia y la temperatura ambiente.
A partir de esta diferencia.,

llamada error,

se comanda el sistema de

control

La seal de comando se obtiene de una comparacin entre la entrada y la sal i da y no de una calibracin como en la primera solucin sealada. Los ejemplos analizados muestran que los sistemas de control poseen, en su diagrama de bloques, un lazo cerrado (closed loop). En otros procesadores de seal, se tiene un sistema de lazo abierto (open loop). La existencia del lazo cerrado crea una realimentacin
la seal de salida

(feedback). Parte de
realimenta.

del procesador regresa a la entrada3 se

Si se ha diseado adecuadamente, el sistema realimentado tiende a corregir todo apartamiento de la salida del valor deseado, independientemente de la calibracin y de la variacin de parmetros externos o internos. Esta propiedad resulta porque la variable de salida del sistema se compara con la entrada para generar la seal que se aplica al sistema de control. De esta manera, el control obliga al sistema a tener error cero, a igualar la
da con la entrada. sali-

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

B3SB 1

'

HIT 174

1/3

ESTABILIDAD Un sistema f s i c o cualquiera posee situaciones que son denominadas de equilibrio.

<

O ii

En estas posiciones el sistema -al menos en teora- puede permaneen reposo, sin moverse ni cambiar.

ai

cer indefinidamente

Consideremos como el ejemplo ms sencillo, una esfera apoyada sobre una su-

s
it II

o
o

perficie. Un punto de equilibrio para la esfera, es un punto en el cual la superficie posee tangente horizontal. En la figura 1 se ilustran tres casos diferentes de equilibrio, todos en una superficie con tangente horizontal.

ai

o Ul

Fig. 1 La figura muestra tres situaciones diferentes de equilibrio. mera la esfera se puede apartar de la situacin ocurra nada. sicin. En el segundo caso, el menor apartamiento que se produzca determinar que la esfera abandone la posicin y se aleje
librio. cada vez ms de la situacin de equide equilibrio

En la p r i sin que

Luego de algunas oscilaciones, la esfera regresar a su po

En el tercer caso se tiene una situacin intermedia. s i es posible apartar el sistema Esta es la

Una posicin de equilibrio se llama estable situacin del primer caso presentado.

algo de su estado de reposo y el sistema regresa al equilibrio.

Por el contrario, se denomina equilibrio inestable


apartarse cada vez ms de la posicin de equilibrio.

o no estable,

si

existe

algn tipo de apartamiento del estado del reposo que obliga

al sistema a

Los dos ltimos ejem-

plos de la figura 1 ilustran la situacin de inestabilidad.

INFORMACION TECNOLOGICA: ESTABILIDAD

REF.

HIT 174

2/3

Sistemas

multiestables esta-

Un sistema puede tener muchos estados estables. En general, entre dos


dos estables existe un estado inestable.

La figura 2 ilustra este concepto

en el caso de una esfera apoyada en una superficie: entre dos mnimos (estados de equilibrio estable), existe un mximo (estado de equilibrio inestable).

Fig. 2 Esta situacin puede ilustrarse con ejemplos:


Ejemplo: Un i n t e r r u p t o r es un distema biestable: posee dos estados estables

que corresponden a las dos posiciones de un interruptor. Este sistema mecnico posee una situacin intermedia de equilibrio inestable a partir de la cual el interruptor salta a cualquiera de las situaciones estables.Ejemplo: Una llave de cambio posee varias situaciones estables. En particul a r , un selector de canales de televisin posee, generalmente, doce
nes estables. posicio-

- Entre dos posiciones estables existe una posicin inestable,


inestables.

en la cual la llave puede d i r i g i r s e hacia una u otra de las situaciones prximas. En este caso, la llave posee adems, doce posiciones
del equilibrio estable.

Movimiento alrededor

Un sistema que posee un punto de equilibrio estable, regresa a este punto si es apartado de la posicin de reposo. Bsicamente existen dos conductas diferentes para el sistema: el regreso oscilante y el regreso
asintnico.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT

170

3/6

ESTABILIDAD En el regreso oscilante el sistema oscila alrededor del equilibrio, con amplitud decreciente. Una esfera en un mnimo de una superK'cie tiene regreso oscilante a la posicin de equilibrio y su conducta semejante a un pndulo es bien conocida. Un sistema que posea algn tipo de friccin o de prdida de movimiento, regresa al punto de equilibrio sin oscilar. El caso tpico de sistema asinttico lo constituye la suspensin de un automvil . En este caso el amortiguador (cuando est en condiciones adecuadas) se encarga de evitar que el sistema oscile y permite que el automvil regrese rpidamente a su situacin de equilibrio.
Comportamiento de los sistemas inestables oscilante

Los sistemas inestables poseen dos conductas tpicas: la conducta

y la conducta asinttica. Alrededor de una posicin inestable ocurren las dos situaciones que suceden en las posiciones estables. En el primer caso, el sistema oscila alrededor del punto de equilibrio inestable, con amplitud creciente.
una direccin;

En el segundo caso, el sistema se dirige permanentemente en

en general, hacia otro punto de equilibrio estable.

La conducta asinttica es la ms frecuente en los puntos inestables, espe- i cialmente cuando poseen en sus proximidades, puntos estables que pueden capturar el movimiento asintnico.


CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF :

- H I T 175

1/2

FUSIBLES

Los fusibles son conductores de metal3 calibrados

de manera de soportar la

corriente nominal de trabajo pero de fundirse a una cierta corriente. En un fusible de accin lenta se define la corriente lmite de fusin como la que produce la fusin del fusible en un lapso comprendido entre una y
seis horas3 segn la intensidad nominal del

fusible.

En un fusible de accin rpida, se dispone de curvas que vinculan el tiempo de fusin con la corriente que se aplica. En un alambre tendido en el aire, la corriente limite de fusin depende del

dimetro D (en milmetros) y del tipo de material empleado. Entre estos valores existe la relacin:

8
o 1-1 o
O

D = 25.4 (

) '

2/3

donde a es una constante que depende del material e I es la corriente lmite s w H w Q de fusin en amperios. En la tabla adjunta se indican valores de a para d i ferentes materiales y el dimetro para cada corriente limite. I (A) 1 5 10 50 100 Cobre a=10244 0,053 0,157 0,249 0,730 1,16 D(mm) Aluminio Plata a=7585 0,066 0,193 0,305 0,894 1,42 a=5320 0,084 0,246 0,391 1,143 1,82 Estao a=1642 0,182 0,533 0,848 2,48 3,93 Aleacin estao-plomo a=1318 0,211 0,617 0,980 2,87 4,55 Plomo a=1379 0,206 0,599 0,952 2,78 4,42

Ejemplo: Un fusible de plomo, con corriente lmite de fusin de 10A, tiene un dimetro de 0,952 mm. El mismo fusible exige, en cobre, solamente 0,249 mm.

INFORMACION TECNOLOGICA: FUSIBLES

R E F . : H I T 175

2/2

CINTERFOR

Ira. E ^ ^ n

Las especificaciones de un fusible comprenden un juego de curvas que vinculan tiempo, de fusin con corriente.En la figura 1, se dan las curvas de fusin de un tipo de fusibles.

1QCDO CORRIENTE (A)

Para cada calibre, se tiene el tiempo de fusin que corresponde a los d i s t i n tos valores de la corriente. La fusin se produce tanto mas rpidamente cuanto mayor es la corriente. Cuando se interrumpe el circuito se produce un arco que debe ser extinguido. El poder de ruptura de los fusibles es la mxima corriente que puede interrum pir con seguridad. Cuanto mayor sea el poder de ruptura, ms elaborada debe ser la construccin del cortacircuito a fusibles. Deben incorporarse elementos que ayuden a la extincin del arco y se subdividen los conductores fusibles separndolos lo ms posible entre s .

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF

*:HIT

16

1 3/6

CALENTAMIENTO DE COMPONENTES

El calentamiento de un devanado, un semiconductor o, en general, una componente elctrica cualquiera fija ta componente. En todos los casos se trata de un cuerpo que recibe una cierta potencia de
prdidas los lmites de trabajo y la vida til

de es-

que eleva su temperatura.

El calentamiento de un cuerpo puede ser estudiado en forma muy simple, por analoga a los fenmenos de carga y descarga de capacitores. Para esto es necesario pasar revista a las leyes f s i c a s que regulan el proceso de calentamiento y enfriamiento de un cuerpo.
Leyes del calentamiento de un cuerpo

El cambio de temperatura de un cuerpo se vincula a dos fenmenos bsicos que ocurren: la trasmisin de calor al medio arrbiente y la acumulacin de energa al elevarse la temperatura del cuerpo. Toda la energa comunicada al cuerpo homogneo tiene dos destinos finales: es trasmitida al ambiente o ele
va la temperatura del cuerpo.

Las dos leyes bsicas son lineales. dio ambiente es


turas entre proporcional

El calor trasmitido por el cuerpo al mede tempera-

(aproximadamente) a la diferencia

el cuerpo y el ambiente.

Si T es la temperatura del cuerpo y trasmi-

Ta es la temperatura ambiente (en grados centgrados), la potencia tida al ambiente es:

H (I donde H es el coeficiente de aire o de otro fluido

y
al ambiente.

de trasmisin

Este coeficiente depen-

de de la forma del cuerpo, de su posicin, de la existencia de circulacin que altere la conduccin del calor, etc.

La segunda ley bsica vincula la elevacin de temperatura de un cuerpo con la energa que se le ha comunicado. Si un cuerpo ha elevado su temperatura desde el ambi ente hasta la temperatura T, se le ha comunicado una energa. C (T - T a ) donde C es la llamada capacidad calorfica
del cuerpo.

Este coeficiente de

pende de la masa del cuerpo y del material de que est formado.

INFORMACION TECNOLOGICA: CALENTAMIENTO DE COMPONENTES

REF

-:HIT

176

2/3

Analoga

del proceso

de

calentamiento

Para comprender el mecanismo de calentamiento de un cuerpo, es conveniente introducir una analoga con la carga de un capacitor. tendrn como papeles r e l a t i v o s : la energa es el anlogo de la carga elctrica En esta analoga se

la temperatura es el anlogo del potencial elctrico Con estas dos reglas de conversin, la potencia es el anlogo de la
de calor corrien-

te. La ecuacin de trasmisin

al ambiente vincula la "corriente",

con la diferencia de

"potencial". Esta ecuacin lineal es el anlogo de la

l e y de Ohm, donde H es la conductividad al ambiente. La ecuacin de elevacin de temperatura vincula "carga" con diferencia de "potencial", es el

anlogo de la ecuacin fundamental del capacitor. La capacidad calorfica convierte Con en capacidad elctrica.

se

esta analoga, la figura 1 muestra el circuito equivalente de un proce-

so de calentamiento: una fuente de "corriente" W suministra la potencia al cuerpo y acta sobre un circuito RC.

(CUERPO)

H(T-To)

(AMBIENTE)

Con este c i r c u i t o , puede deducirse que la elevacin de temperatura de un cuer po sigue una ley exponencial, igual a la carga de un capacitor. Por esta razn puede asegurarse que el proceso de calentamiento sigue una exponencial.


CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 176

3/3

CALENTAMIENTO DE COMPONENTES

0,T4 AT r

Fig. 2 En esta figura se llama: AT = T - Ta La temperatura f i n a l , de rgimen, est dada (ver f i g . 1) por: H(T r - Ta) = W AT = r H La constante de tiempo de la exponencial es: C H
Curva de enfriamiento.

Si quita circuito

la potencia W, el cuerpo inicia un proceso de enfriamiento. En el de la figura 1 es equivalente a eliminar la fuente W. Se tiene ver figura 3.

entonces un proceso de descarga de un capacitor,

F i g .2Fig.3

INFORMACION TECNOLOGICA: FUENTES REGULADAS

REF ' ' HIT 177

1/6

Muchos circuitos requieren, para funcionar correctamente, una tensin de alimentacin constante. La tensin suministrada por una fuente de poder vara debido a distintas causas: 1) Al aumentar la carga, es decir la corriente entregada por la fuente, su voltaje disminuye. Este efecto est representado por la existencia de una impedancia de salida Rs en el circuito equivalente Thvenin de la fuente (figura 1). i
Vi CS

AW

+
Vl

Fig. 1 2) Las variaciones del voltaje


de la lnea

que alimenta a la fuente de poder

se traducen en una variacin de la tensin continua que sta genera. En el circuito equivalente de la Fig. 1, este aspecto afecta el valor de la fuente

VI.
3) Las variaciones de temperatura afectan la conducta de los semiconductores lo cual puede traducirse tambin en una variacin del voltaje de la fuente. Representando la tensin V^ por la fuente de poder en funcin de la corriente de carga 1^, se tendr la curva de la figura 2. Para un valor f i j o de la tensin de la red (caso a) se tendr una cada l i neal del voltaje de la fuente. En vaco ( I L = 0) se tendr VL = Vi, y en carga la tensin VL disminuye l i nealmente. La pendiente de esa recta corresponde a la impedancia de salida de la fuente.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT

1 7 ?

2/6

CINTERFOR Ira. Edicin

FUENTES REGULADAS

v A

Fig. 2 Para un valor menor de la tensin de la red (caso b), se tiene un corrimiento hacia abajo de la caracterstica anterior. Entre las condiciones extremas de funcionamiento, representadas por los puntos 1 (vaco y red mxima) y 2 (mxima carga y red mnima) puede voltaje entregado por la voltaje.
Reguladores de voltaje

tenerse una apreciable diferencia en el

fuente. Cuando esta diferencia no es admisible pa-

ra el correcto funcionamiento de los circuitos, se recurre a un regulador de

El sistema bsico de un regulador de voltaje serie se representa en la figu ra 3.

V no regulado

Elemento serie de control

V regulado

Fig.

INFORMACION

TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 170

3/6

^TES REGULADAS

A partir de un voltaje obtiene el voltaje

regulado,

sustancialmente mayor que el deseado, se El elemento de con-

regulado

con un elemento de control.

trol compara un voltaje f i j o de referencia con el que interesa estabilizar. En la figura 3, el amplificador diferencial A, a travs de la realimentacin intenta igualar con:

Rj + R 2 Cualquier diferencia genera una seal de error que modifica la tensin que cae en el elemento regulador. De esta manera se tiene una salida:

V = V REF

Ro

Hay diversos circuitos reguladores

de voltaje,

de distinto grado de comple-

jidad. La calidad de los mismos se medir por la regulacin del voltaje fren te a variaciones de la red, de la carga y de la temperatura.
Referencias y reguladores sencillos

En la Fig. 4 se representa un circuito muy sencillo, con un diodo Zener en


paralelo

con la carga. Rs MW V

RL o Fig. 4

Con un diodo Zener ideal, el voltaje de salida sera el impuesto por el Zener. La regulacin sera perfecta y la salida, constante. En un caso real no es a s . Rz (figura 5). recorre. El Zener posee una cierta resistencia propia

El voltaje en sus bornes depende de la corriente que lo

INFORMACION TECNOLOGICA:

: HIT 177

4/6

FUENTES REGULADAS

Rs

V RL

o
Fig. 5 La impedancia de salida de la fuente regulada es el paralelo de Rz y Rs. Cuanto menor sea este valor mejor ser la regulacin obtenida respecto de la carga.

La tensin en bornes del Zener vara no solamente con la corriente que lo recorre sino tambin con la temperatura. Existen maneras de compensar en temperatura los diodos Zener. Estos circuitos con diodos Zener se emplean con reguladores fuentes de referencia para un regulador
Reguladores realimentados realimentado. sencillos

o como

En la Fig. 6 se presenta el circuito de un regulador realimentado sencillo. o O

Fig. 6 La operacin del regulador puede comprenderse de la descripcin cualitativa. La base del transistor serie Q est a la tensin Vz de referencia. Una elevacin en el voltaje de lnea produce un aumento en Vi que hace subir Vo. El transistor Q, que tiene su base f i j a , reduce su voltaje base-emisor,

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF :

- H I T 177

5/6

FUENTES REGULADAS

conduce menos y aumenta la cada de voltaje entre colector y emisor. De esa manera Vo disminuye. Se compensa as la variacin opuesta de Vo: crecimiento debido al aumento de VI y disminucin debida a la accin del regulador. Anlogamente el regulador estabiliza el voltaje respecto a variaciones de la carga. Un aumento de la corriente extrada a la fuente tiende a disminuir el voltaje Vo. Se modifica la polarizacin de Q y conduce ms. taje colector-emisor disminuye y se compensa la cada de Vo. En cualquier caso, las variaciones del voltaje regulado Vo son mucho menores que las de Vi. Este regulador responde al esquema de la figura 3. Zener acta como
cia. referentensin

La cada de vol

La seal de error se forma directamente como diferencia

de la

de base y emisor de Q.

Si la variacin del voltaje de salida se amplifica antes de aplicarse al transistor serie, se puede obtener una mejor estabilizacin. La Fig. 7 muestra el esquema de una fuente regulada basada en esa realimentacin. O

En este circuito, Qj acta como amplificador de error de la diferencia de la tensin del Zener y del divisor Rl y R^ En lo dems, acta como el regulador de la figura 6.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.:

HIT 177

CINTERFOR Ira. Edicin

FUENTES REGULADAS

Reguladores

integrados

El circuito de la figura 3 se presta muy bien a su implementacin en un circuito integrado. En estos casos se implementa la referencia.,
tor Q ( F i g . 6 y 7) como regulador parte del circuito exterior. serie. el amplificador Los resistores A y el transis?7 y R forman JL

Se tienen as reguladores integrados monolticos, con las siguientes ventajas: - el amplificador diferencial integrado posee excelentes condiciones de ganancia, balance de voltaje y equilibrio trmico; - la referencia de voltaje puede compensarse en temperatura mucho mejor que en un circuito discreto; - el pequeo tamao y bajo costo del integrado permite en equipos grandes descentralizar la regulacin de la fuente e incluir un regulador en cada pa queta. Se evitan as los problemas que tiene el empleo de una fuente regulada nica que alimenta todos los circuitos. Se regulan adems las cadas en los contactos, importantes cuando se trabaja con voltajes bajos y corrientes altas. Las hojas de datos incluyen las configuraciones tpicas para distintos casos de regulacin y las componentes a conectar externamente: resistores
fijar el valor de la tensin regulada y transistores serie externos para en el

caso en que sean necesarios para aumentar la corriente del regulador. Adems se deben conectar capacitores
de compensacin en los terminales

indi-

cados. El empleo de amplificadores realimentados implica el riesgo de o s c i l a ciones que se evitan con un capacitor adecuado de compensacin. Algunos reguladores integrados permiten proteger al regulador en caso de cortocircuito a la salida por limitacin de la corriente de salida a un valor que no exceda la disipacin admisible.

CINTERFOR Ira. Edicin

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF

* * HIT 178

1/2

REGULADORES INTEGRADOS DE VOLTAJE FIJO

<

Existen reguladores integrados que suministran un voltaje f i j o . Poseen tres terminales: entrada no regulada, salida regulada y Poseen el formato de un transistor de potencia. En la Fig. 1 se da el esquema sencillo de un regulador de este tipo:
tierra.

o >

& oc
UJ >g
M

V/

fe UJ

Fig. 1 Estos reguladores pueden emplearse en otros usos, con un adecuado circuito externo.

8
o

Regulador de

corriente

En la Fig. 2 se da el circuito de una fuente de corriente gulador de voltaje.

armada con un re-

U)

8 Q
8<

Fig. 2

Por la carga Z^ circula una corriente:

La corriente I R es f i j a , pues est determinada por el voltaje regulado:


A

C\J

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF. : H I T 178

2/2

CINTERFO la. Edici

REGULADORES INTEGRADOS DE VOLTAJE FIJO

La corriente Ig es la parte de la corriente de entrada al regulador que no es entregada a su carga. Es, en general, muy pequea y pude despreciarse. Se tiene entonces:

I,

ajo R
variable

Regulado? de tensin

En la Fig. 3 se representa un regulador de voltaje variable implementado a partir de uno f i j o .

Fig. 3 Esta configuracin coincide con la fuente de corriente de la figura 2. El voltaje de salida es la suma de Vo y la cada en R^:

Vs = Vo + R x

+ iQ)

ONTERFOR

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT 179

1/2

U^Edicin

DESCRIPCIN DE UN REGULADOR INTEGRADO

C O b
cu

En la figura 1 se representa el diagrama de bloques del regulador integrado 723. r H h u MU


QcompQ toe

s II
o
O

t CtL

Vret Vo R s c
Rl R

v.reg

01

rm

/vf ? N 7 C V

X C

8
-J

V/

Fig. 1

La referencia de voltaje, Vref, se establece a partir de un Zener, compensado en temperatura, alimentado por una fuente de corriente. Un amplificador separador entrega el voltaje Vref, cuyo valor tpico es 7,15 V. Como consecuencia de la buena compensacin trmica de la referencia (y de todo el integrado) el voltaje regulado tiene una variacin con la temperatura menor de 0,015 %/C. El amplificador de error A, y el transistor Q amplifican la diferencia entre el voltaje de salida y una tensin de referencia Vo que determina el voltaje regulado: Vo = Vref. 2

C V J

Un capacitor en el terminal de compensacin permite reducir la ganancia del amplificador en alta frecuencia y evitar el riesgo de oscilaciones.

INFORMACION TECNOLOGICA:

REF.: HIT 179

2/2

CINTERFOR Ira. Edicin

DESCRIPCIN DE UN REGULADOR INTEGRADO

El transistor Q^ acta como limitador de corriente

del regulador.

Sobre el resistor Rsc, la corriente de salida desarrolla un voltaje tal que al exceder 0,6 V (aproximadamente) hace conducir al transistor Qp normalmente polarizado al corte. De esa manera Qj extrae corriente
de base del transis

tor Q y limita la corriente que puede entregar el regulador. Para aumentar la corriente entregada por el regulador, se puede emplear un transistor externo en conexin Darlington con el transistor integrado Q. En ese caso, el emisor de Q (terminal Vo del integrado) alimenta la base del transistor externo, el colector se conecta a voltaje no regulado y el emisor ser el terminal de salida del regulador.