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INFORME No.

2-LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGA II-UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA Ral Esteban Acero Bolaos Natalia Silva Tengon 20111101833 20111100613

PRACTICA No 2 Polarizacin y estabilizacin de los transistores de efecto de campo (FET) 06 Mayo 2013

OBJETIVOS:
El objetivo fundamental es desarrollar en el estudiante habilidades en el diseo, montaje, funcionamiento y empleo de la polarizacin y estabilizacin trmica de transistor de efecto de campo y bipolar, determinado en la prctica mediante mediciones sus parmetros fundamentales.
Determinar los puntos de trabajo o de operacin (Punto Q) de un FET en tres tipos distintos de polarizacin.

MARCO TEORICO
2.1 Circuito de polarizacin fija para el FET: Sea el circuito de la Fig. 1.

Figura 1 Donde (3) es la recta de carga de salida. Adicionalmente se tiene la ecuacin de Shockley: iD=IDSS (1-VGS / Vp )^2 Donde Vpes la tensin de estrangulacin del canal, tambin llamado VGS(OFF) e IDSS la corriente de saturacin, datos provistos por el fabricante.

Figura 2

Para un punto Q dado (IDSQ; VDSQ), se determina RD de (2), como RD =VDD VDSQ /IDQ(5) De (4), se determina VGS, luego de (1) se obtiene VGG. 2.2 Auto polarizacin para el JFET: Un JFET se auto polariza usando un resistor en la fuente, de acuerdo a la Fig.3. Para la malla de entrada. iGRG+ VGS+ RSiD= 0 (6) iD= -Vgs/RS(7)

Figura 3 Para la malla de salida VDD = vDS+ (RD + RS)iD(8) As la recta de carga de salida ser iD= VDD/ (RD + RS) vDS/(RD + RS)(9) Para un punto Q, (IDQ; VDSQ) de (9), se obtiene RD+RS: Usando la relacin (7), se obtiene VGS y luego RS: Se puede observar que la recta dada por (7) intercepta la curva de la ecuacin de Shockley y define el punto de operacin como se muestra la Fig. 4.

Figura 4

2.3 Polarizacin por divisor de voltaje:

Figura 5 Para simplificar el anlisis en la malla de compuerta encontraremos el circuito equivalente de thvenin para facilitar.

Figura 6 Esta ecuacin representa la ecuacin de la recta de polarizacin. ( )

Figura 7

SIMULACION:
VDD 20V

+ -

1.357m

ID

RD 2k

Q2
+ -

VDS
17.280
V

RG 1M V1 -0.5 V

VGS
+ -

-0.455

Circuito 1.
VDD 20V

+ -

0.686m

ID

R1 3.3k

Q2
+ -

VDS
17.059
V

R3 1M

VGS
+ -

-0.612

R2 1.0k

Circuito 2.

VDD 20V

+ -

1.773m

ID

R2 2.1M

RD 2.4k

Q2
+ -

VDS
13.072
V

R1 270k

VGS
+ -

-0.377

RS 1.5k

Circuito 3. Polarizacin fija VGS(v) VDS(v) ID(mA) -0.455 17.28 1.357 Auto-polarizacin -0.612 17.059 0.686 Divisor de voltaje -0.377 13.072 1.773

PROCESAMIENTO:
TIPO CIRCUITO ECUACIONES PERTINENTES

JFET Con polarizacin fija

VGSQ =- VGG VDS = VDD - IDRS iD=IDSS (1-VGS / Vp )^2 VGSQ =- 0.5 Reemplazamos Idss, Vp y VGS en la ecuacin de Shockley. ID=1.149mA VDSQ=17.7 v

JFET Con auto-polarizacin

VGSQ =-IDRS VDS =VDD - ID(RD + RS) iD=IDSS (1-VGS / Vp )^2 Reemplazamos Idss(4.5985mA), Vp(0.5v) e Id por
/

en la ecuacin de Shockley. Despejamos VGS

JFET Con polarizacin mediante divisor de voltaje

VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VTH - IDRS VDS =VDD - ID(RD + RS) Reemplazamos Idss(4.5985mA), Vp(0.5v) e Id por
=( )/

en la ecuacin de Shockley Despejamos: VGS

PROCEDIMIENTO:
1. Polarizacin fija - Realizar el montaje del circuito propuesto en las guas de laboratorio, polarizarlo con los datos de la prctica anterior (Vp=-1V y Idss=4.5985mA) Usamos un VGS de -0.5 voltios, para asegurar una corriente Id. Medimos el voltaje VDS, VGS y la corriente Id. - Observar y anotar las lecturas inciales. Apagar la fuente y encenderla de nuevo: anotar las lecturas inciales y las transcurridas durante 30 segundos. Apagar de nuevo, observar las lecturas y anotarlas.

2. Auto polarizacin Repetir el procedimiento anterior.

3. Polarizacin por divisor de voltaje Repetir el procedimiento, anotar lecturas y analizar diferencias.

ANALISIS DE RESULTADOS:
Durante la prctica estuvimos a la expectativa de encontrar algn indicio de cambio en la temperatura del dispositivo para las diferentes configuraciones de polarizacin, sin embargo no se present, se mantuvo a temperatura ambiente; lo que indica que no se forz el punto de trabajo del transistor a un lmite que pudiera ocasionar esto. Las corrientes medidas por los ampermetros introducidos fueron muy pequeas, del orden de los microamperios (Amp). Se hace evidente en los dos primeros casos que la corriente de compuerta es inferior a la de dren a pesar de mantenerse en la misma escala, de hecho la corriente de gate es cero (0) en la auto polarizacin; esto corrobora lo que se conoce en teora, que IG es muy pequea, tendiente a cero, haciendo de esta forma que la cada de tensin sobre RG tambin tienda al mismo valor. El cambio de temperatura no se evidenci en el FET, ya que no se forz su punto de trabajo al lmite en que esto se hiciera posible. Los puntos Q encontrados guardan una muy estrecha cercana con los valores de las fuentes de polarizacin debido a las bajas corrientes encontradas. Por otra parte, a pesar de utilizar en las simulaciones un transistor distinto al usado en la prctica, nos dimos cuenta que los valores medidos no son muy diferentes a los simulados y a los calculados. Polarizacin fija
Simulados Medidos Calculados

Auto-polarizacin
Simulados Medidos Calculados

Divisor de voltaje
Simulados Medidos Calculados

VGS(v) VDS(v) ID(mA)

-0.455 17.28 1.357

-0.39 17.51 1.29

-0.5 17.7 1.149

-0.612 17.059 0.686

-0.49 17.42 0.61

-0.629 17.29 0.629

-0.377 13.072 1.773

-0.38 10.24 1.50

-0.428 10.15 1.5005

Adems del pequeo error obtenido entre los datos calculados, medidos y simulados; logramos darnos cuenta que para mejor estabilidad es necesario usar la polarizacin por divisor de voltaje. CUESTIONARIO: 1. Por qu es inestable la polarizacin fija?

De la figura se observa la gran inestabilidad que puede experimentar el punto de operacin para el caso de los posibles cambios en los parmetros que puede presentar un FET an cuando tratndose del mismo tipo ya que las tcnicas de fabricacin no son tan perfectas como para que IDSS y VGS off sean constantes de un dispositivo a otro. Este tipo de polarizacin es la peor forma de polarizar a un JFET ya que el punto de operacin (IDSQ, VDSQ) es bastante es inestable. 2. Cul es la ventaja de la auto-polarizacin? Rta/: Para la Auto-polarizacin es necesario tener en cuenta que si RS es pequea se
obtiene un valor de gm mayor que genera una buena ganancia de corriente; no obstante, la estabilidad ser menor. Si RS es grande, se da el caso contrario: menor ganancia de corriente aunque mayor estabilidad del punto Q.

La recta

representa una RS pequea y proporciona un elevado valor de g m , ideal para una

buena ganancia de corriente, la desventaja es la inestabilidad debido a los cambios en los parmetros del JFET, como puede observarse. La recta ofrece las mejores condiciones tales que no compromete la inestabilidad y los valores de transconductancia, es decir, no se sacrifican una u otra. La recta produce buena estabilidad del punto de operacin, sin embargo produce valores de

g m bajos que se traducen en una baja ganancia de corriente.


3. Qu ventajas encuentra usted en la polarizacin por divisor de voltaje?

Rta/: De la figura puede observarse que este tipo de polarizacin es mejor que las dos anteriores

debido a que I DSQ es menor, sin embargo para conseguir esto es necesario aplicar valores elevados de V DD para que VGG sea lo ms grande posible y as el punto de operacin sea ms estable.

CONCLUSIONES
Los circuitos de polarizacin fija y Auto polarizacin del JFET pueden ser analizados o diseados mediante el planteamiento de la malla de entrada y salida, en conjunto con la ecuacin de Scockley, la cual requiere como datos la corriente de saturacin IDSS y el voltaje de estrangulamiento Vp. La polarizacin fija es la menos recomendable, pues al disear y establecer un punto de operacin, con dicho circuito este punto de polarizacin que establezca el diseador no se mantendr, sino por el contrario cambiar drsticamente con cambios de temperatura. Se puede observar que la polarizacin por divisor de voltaje es mejor que las otras dos polarizaciones debido a que IDSQ es menor, sin embargo para conseguir esto es necesario aplicar valores elevados de VDD para que VGG sea lo ms grande posible y as el punto de

operacin sea ms estable. Tambin el valor de las resistencias RG1 y RG2 juega un importante papel ya que idealmente deberan ser altas para ayudar a estabilizar el punto Q.