INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA UNIDAD PROFESIONAL ESIME ZACATENCO COMUNICACIONES Y ELECTRONICA ACADEMIA

DE CIRCUITOS UNIDAD DE APRENDIZAJE: DISPOSITIVOS PROFESORA: REVALO GONZLEZ ELIZABETH GRUPO: 5CV4 ALUMNOS: TORRES ROJAS GUSTAVO IVAN ROJAS TORRES SAGRARIO PRACTICA N 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS DEL DIOSO CON SEAL DE CD N DE MESA: LABORATORIO: FECHA DE REALIZACION: 21 DE AGOSTO DEL 2012

P PRCTICA 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS DEL DIODO CON SEAL DE CD OBJETIVO: El alumno armar los circuitos que permitan obtener las caractersticas elctricas de diodos de Si (silicio), LED, como voltajes, corrientes, resistencia interna y potencia de consumo, e interpretar las mediciones realizadas con el multmetro y/u osciloscopio. Tambin reportar los resultados medidos en tablas y/o grficas segn lo indique el desarrollo.

MATERIAL: Fuente variable de 5v de corriente directa (CD) Ampermetro (CD Voltmetro (CD) Protoboard Resistencia de 100 Resistencia de 56 Diodo 1N4006 (con su respectiva hoja de especificaciones) Diodo LED rojo (con su respectiva hoja de especificaciones)

TAREA PREVIA. CARACTERISTICAS DE FUNCIONAMIENTO DEL DIODO DE SILICIO La forma de funcionamiento de un diodo comn de silicio se puede apreciar observando la curva caracterstica que se crea cuando se polariza, bien de forma directa, o bien de forma inversa. En ambos casos la curva grfica muestra la relacin existente entre la corriente y el voltaje que se aplicada a las terminales del diodo. La grafica corresponde a la curva caracterstica de un diodo de silicio, se puede observar un eje horizontal x y otro vertical y que se intersectan en el centro. En ese punto el valor del voltaje y de la intensidad de la corriente es igual a 0 volt. El eje vertical y muestra hacia arriba su parte positiva (+y) correspondiente al valor que puede alcanzar la intensidad de la corriente (ID) que atraviesa al diodo cuando se polariza directamente, mientras que hacia abajo su parte negativa (-y) muestra cul ser su comportamiento cuando se polariza de forma inversa (II). El eje horizontal x muestra hacia la derecha, en su parte positiva (+x), el incremento del valor del voltaje que se aplicada al diodo en polarizacin directa (VD). Hacia la izquierda del propio eje se encuentra la parte negativa (x),

P PRCTICA 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS DEL DIODO CON SEAL DE CD correspondiente al incremento tambin del valor del voltaje, polarizacin inversa (VI).

pero

en

Si a un diodo comn de silicio le aplicamos un voltaje (Vd) para polarizarlo directamente, partiendo de 0 volt (punto de interseccin de los ejes de las coordenadas), se puede observar en el grfico que hasta tanto no se alcanzan los 0,7 volt sobre el eje +x, el valor de la corriente (Id) no indica ninguna variacin debido a la resistencia que, por debajo de ese voltaje, ofrece la barrera de potencial al flujo de los electrones en el punto de unin "p-n". Sin embargo, a partir de los 0,7 volt un pequeo incremento en el valor de el voltaje, originar un enorme flujo de intensidad de corriente, tal como se puede apreciar en la grfica, representado por la curva de color verde (paralela al eje +y), en la parte correspondiente a la regin de polarizacin directa del diodo. (Como ya se mencion anteriormente, a diferencia del diodo de silicio (Si), un diodo de germanio (Ge) slo requiere 0,3 volt de polarizacin directa para que comience a conducir la corriente). Si el diodo se polariza de forma inversa aplicndole un voltaje inverso a partir de 0 volt y siguiendo el eje x, vemos que aunque incrementemos el valor de esa tensin, la corriente (Ii) no muestra variacin alguna, excepto en un punto donde se produce una pequesima corriente de fuga de unos pocos microampers. A partir de ese momento si continuamos incrementando el valor del voltaje se llega al punto de ruptura inversa, (codo de la curva de color verde), donde el aislamiento de la unin "p-n" se rompe originndose un flujo de corriente, de valor tan alto, que destruye el diodo y lo hace inservible. LIMITACIONES DEL DIODO DE SILICIO Las limitaciones que se pueden presentar en un diodo de silicio, son las que nos proporciona el fabricante, ubicadas en las hojas de especificaciones La serie de diodos del 1N4001 al 1N4007 son diodos que tienen las mismas caractersticas con polarizacin directa, pero en polarizacin inversa sus caractersticas son distintas Primeramente analizaremos las "Limitaciones mximas":

Estos tres valores especifican la ruptura en ciertas condiciones de funcionamiento. Lo importante es saber que el voltaje de ruptura para el diodo es de 50 V, independientemente de cmo se use el diodo. Esta ruptura se produce por la avalancha y en el 1N4001 esta ruptura es normalmente destructiva.

P PRCTICA 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS DEL DIODO CON SEAL DE CD Un dato interesante es la corriente media con polarizacin directa, que aparece as en la hoja de caractersticas:

Indica que el diodo puede soportar hasta 1 A con polarizacin directa cuando se le emplea como rectificador. Esto es, 1 A es el nivel de corriente con polarizacin directa para el cual el diodo se quema debido a una disipacin excesiva de potencia. Un diseo fiable, con factor de seguridad 1, debe garantizar que la corriente con polarizacin directa sea menor de 0,5 A. Los estudios de las averas de los dispositivos muestran que la vida de stos es tanto ms corta, cuanto ms cerca trabajen de las limitaciones mximas. Por esta razn, algunos diseadores emplean factores de seguridad hasta de 10:1, para la serie 1N4001-1N4007 ser de 0,1 A o menos. Otro dato importante es la cada de voltaje con polarizacin directa:

Estos valores estn medidos en alterna, y por ello aparece la palabra instantneo en la especificacin. El 1N4001 tiene una cada de tensin tpica con polarizacin directa de 0,93 V cuando la corriente es de 1 A y la temperatura de la unin es de 25 C. Corriente inversa mxima En esta tabla esta la corriente con polarizacin inversa a la tensin continua indicada (50 V para un 1N4001).

Esta corriente inversa incluye la corriente producida trmicamente y la corriente de fugas superficial. De esto deducimos que la temperatura puede ser

P PRCTICA 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS DEL DIODO CON SEAL DE CD importante a la hora del diseo, ya que un diseo basado en una corriente inversa de 0,05 mA trabajar muy bien a 25 C con un 1N4001 tpico, pero puede fallar si tiene que funcionar en medios donde la temperatura de la unin alcance los 100 C.

FUNCIONAMIENTO FISICO DEL DIODO LED El funcionamiento fsico consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrn al pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta energa perdida se puede manifestar en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase aleatoria. El que esa energa se manifieste en (calor por ejemplo) va a depender principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando Al polarizar directamente un diodo LED conseguimos que por la unin PN sean inyectados huecos en el material tipo N y electrones en el material tipo P; O sea los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p, producindose por consiguiente, una inyeccin de portadores minoritarios. Ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse, es decir, los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel energtico superior a otro inferior ms estable Cuando estos portadores se recombinan, se produce la liberacin de una cantidad de energa proporcional al salto de banda de energa del material semiconductor. Una parte de esta energa se libera en forma de luz, mientras que la parte restante lo hace en forma de calor, estando determinadas las proporciones por la mezcla de los procesos de recombinacin que se producen. La energa contenida en un fotn de luz es proporcional a su frecuencia, es decir, su color. Cuanto mayor sea el salto de banda de energa del material semiconductor que forma el LED, ms elevada ser la frecuencia de la luz emitida.

ALGUNAS LIMITACIONES Si la corriente aplicada es suficiente para que entre en conduccin el diodo emitir una cierta cantidad de luz que depender de la cantidad de corriente y la temperatura del Led.

P PRCTICA 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS DEL DIODO CON SEAL DE CD La luminosidad aumentar segn aumentemos la intensidad pero habr que tener en cuenta la mxima intensidad que soporta el Led. Antes de insertar un diodo en un montaje tendremos que tener el color del diodo para saber la cada de tensin parmetro necesario para los clculos posteriores: Color Cada de tensin ( VLED ) V 1.6 2.4 2.4 1.7 Intensidad mxima ( ILED ) mA 20 20 20 20 Intensidad media ( ILED )mA 5 10 5 10 5 10 5 10

Rojo Verde Amarill o Naranj a

SIMULACIN CON DIODO 1N4006. 1.

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P PRCTICA 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS DEL DIODO CON SEAL DE CD 9.

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SIMULACIN CON LED 1.-

P PRCTICA 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS DEL DIODO CON SEAL DE CD 2.

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4.-

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P PRCTICA 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS DEL DIODO CON SEAL DE CD 5.

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P PRCTICA 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS DEL DIODO CON SEAL DE CD

9.

10.

TABLA REALIZADA CON VALORES OBTENIDOS DE LA SIMULACION. D (Si) VS

0 v

LED ID
0A

VD
0A

VLED
0A

ILED
0 A

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P PRCTICA 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS DEL DIODO CON SEAL DE CD

0.2 v 0.4 v 0.6 v 0.8 v 1 v 2 v 3 v 4 v 5 v 198.45 mV 373.42m V 471.59m V 520.22 mV 549.95m V 620.24m V 653.77m V 675.92m V 692.49m V 15.46 A 265 .68A 1.28m A 280 mA 4.50m A 13.79 mA 23.46m A 33.23m A 42.05m A 200.00m V 400.00m V 599.82m V 763.07m V 864.08m V 1.29 V 1.71 V 2.12 V 2.53 v 0A 0A 1.18 A 246.20 A 906.09 A 4.70m A 8.61m A 12.54m A 16.48m A

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P PRCTICA 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS DEL DIODO CON SEAL DE CD DESARROLLO: 1. Proponer el dispositivo (diodos de Si comercial y valores de resistencias comerciales) que se deseen emplear en la prctica, y consultar las hojas de especificaciones del diodo (de Si y LED) que se utilizar para el desarrollo de la prctica. Preferentemente que los diodos y resistencias sean de I/2W ms Watts.

CIRCUITO DEL DIODO LED

CIRCUITO DEL DIODO 1N4006

2. Reportar el valor comercial de la resistencia a emplear, as como la serie del diodo y las caractersticas del LED rojo. Diodo 1N4006 Resistencia de 150 Resistencia de 100 Diodo LED Caractersticas del LED (Fabricante)

Vledmin
1.8v

Vlednominal
2.1v

Vledmax
2.4v

Iledmin
10mA

Ilednominal (IF)
20mA

Iledmax
50mA

Caractersticas del LED (Simulacin)

Vledmin
1.29v

Vlednominal
2.12v

Vledmax
2.53v

Iledmin
4.70mA

Ilednominal (IF)
12.54mA

Iledmax
16.48mA

Caractersticas del LED (VALORES PRACTICOS)

Vledmin
v

Vlednominal
v

Vledmax
v

Iledmin
m A

Ilednominal (IF)
mA

Iledmax
mA

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P PRCTICA 1: CARACTERSTICAS ELECTRICAS DEL DIODO CON SEAL DE CD

3. Armar el circuito como se muestra en la fig. 1; realizar y registrar las mediciones, como se indica en la tabla. Realizarlo con el Diodo de Si y LED rojo. Tabla 1 mediciones D (Si) LED VD ID VLED ILED

VS 0v 0.2v 0.4v 0.6v Fig. 1 Circuito de prueba 0.8v 1v 2v 3v 4v 5v

3.1 Graficar en papel milimtrico, los datos de la tabla 1, considerando el eje vertical para I (corriente) y el eje horizontal para V (voltaje), tanto para el diodo de silicio, como para el LED rojo. A Partir de la grfica realizada en papel milimtrico, efectuar los clculos correspondientes para obtener la resistencia esttica (RD), resistencia dinmica (rD) y potencia de consumo del diodo PD. Anexar los clculos realizados. Trazar la recta y punto de operacin en la grfica que se obtuvo con los datos de la tabla. 3.2 Anotar comentarios, observaciones y conclusiones.

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