TABLA:RESUMEN DE ECUACIONES IMPORTANTES PARA LA OPERACIÓN DE UNIONES

p-n
Valores de constantes y parámetros
Cantidad Relación
(para Si intrínseco a T = 300 K
EG = 1,12 eV
Concentración de portadores en
silicio intrínseco (/cm3)
ni = 3,88.1016T 3/2e-7000/T cm-3 k = 8,62.10-5 eV/K, ni =
1,5.1010/cm3
Densidad de corriente de difusión dp dn q = 1,6.10-19 Coulomb
J p  qD p , J n  qDn
(A/cm2) dx dx Dp = 12 cm2/s, Dn = 34 cm2/s
Densidad de corriente de deriva p = 480 cm2/Vs, n = 1350
(A/cm2) Jderiva = q(pp + nn)E
cm2/Vs
p y n decrecen con el aumento en
Resistividad (cm)  = 1/ q(pp + nn) concentración de dopaje
Relación de Einstein entre movilidad Dn  D p  V
VT = kT/q  25 mV a 25 °C
y difusividad n T
p
Concentración de portadores en nno  ND mayoritarios
ND  1017/cm3
silicio tipo n (/cm3) pno  ni2 /ND minoritarios
Concentración de portadores en ppo  NA mayoritarios
NA  1016/cm3
silicio tipo p (/cm3) npo  ni2 /NA minoritarios
Voltaje integral de unión o barrera N N 
Vo  VT ln  A 2 D 
de potencial (V)  ni 
xn N A
 Wagot  xn  x p
x ND s = 11,7o
Ancho de la región de agotamiento o p
o = 8,85.10-12 F/m = 8,85.10-14
carga espacial (cm) 2 s  1 1 
Wagot    Vo  V R  F/cm
q  NA ND 
N AND
Carga almacenada en la región de qj  q AWagot
agotamiento (Coulomb) N A  ND
s A s A
Cj  , C jo 
Wagot Wagot |VR 0
Coefic. de distribución m = 1/3 a ½
Capacitancia de agotamiento o m
 VR  según la forma de transición de la
transición (F) C j  C jo 1  
región p a la n
 Vo 
C j  2C jo (para polarización directa)

Corriente en sentido directo (A) I = Ip + In ; I p  Aqn i2

Dp
e V / VT

1 , I n  Aqni2
Dn
Ln N A
 
eV / VT  1
Lp N D
 Dp Dn 
Corriente de saturación (A) I S  Aqni2  
L N 
 p D Ln N A 
Lp, Ln = 1 a 100 m
Duración de portadores minoritarios
(s) p = Lp2/Dp, n = Ln2/Dn p, n = 1 a 104 ns (T = 12 ns
1N4148)
Qp = pIp Qn = nIn
Almacenamiento de carga de
portadores minoritarios (Coulomb) Q = Qp + Qn = TI

 
Capacitancia de difusión (F) Cd   T  I Cd >> Cj
 VT 
Densidad del Si:  = 2,34 g/cm3. Masa molecular: M = 28,086 g/mol. Número de Avogadro: NA =
6,022.1023moléculas/mol

Dispositivos Electrónicos – Mag. De Pasquale