Energía fotovoltaica. Antecedentes. Fundamento teórico.

Células de Si. Curva característica I-V.

Antecedentes. La primera observación de la posibilidad de que la luz solar generase electricidad fue realizada por
Becquerel en 1839, al descubrir que al iluminar una batería formada por dos electrodos de Ag , aumentaba la
diferencia de potencial observada.

La primera célula solar la patentó Fritts en 1884, basada en láminas delgadas de Se recubiertas de hilos de oro y
protegidas por vidrio. Esta célula era capaz de convertir el 1% de la luz solar en electricidad.

Estos avances fueron puramente empíricos, puesto que hasta que no se formuló la teoría cuántica de Planck, y el
Efecto fotoeléctrico de Einstein, no fue posible explicar teóricamente lo que estaba sucediendo.

Las células fotovoltaicas de Si fueron diseñadas por primera vez en USA en los laboratorios Bell por tres físicos,
Chapin, Fuller y Pearson en el año 1954. Y ya en el año 1958, fueron incorporadas al satélite Vanguard I lanzado por
la NASA. A partir de ahí, su desarrollo fue vertiginoso. Las células de Si triunfaron y son la base de los parques fotovol
taicos existentes en todo el mundo.

En el año 2018, había instalado un total de 500 GW de energía fotovoltaica a nivel mundial. Y se espera que se doble
con otros 500 GW en 2022-2023. Asimismo, el coste de esta energía ha disminuido más de dos órdenes de magnitud
en los últimos 40 años y de hecho, ahora empieza a ser competitiva.
 LCOE: levelized cost of energy: suma de todos los costes producidos en
la vida de la instalación dividido entre toda la energía producida, ambos
actualizados al día de hoy.

Las mejoras tecnológicas del proceso de fabricación y la introducción

de la economía de escala han permitido bajar claramente el precio del
kWh de electricidad de origen fotovoltaica y dejarlo dentro del rango de
0,05 – 0,08 euros /kWh, dependiendo del proyecto e instalación concreta.

Junto con la energía eólica, es la tecnología renovable con más futuro

(y presente). Por poner un ejemplo, veamos el caso de Extremadura:

Ahora mismo, en 2020, en Extremadura se encuentran 11 plantas fotovoltaicas

en construcción,que suman 881 MW. Y la Junta de Extremadura ha fijado un
objetivo de instalar hasta el año 2030 una cifra de 10360 MW de energías limpias,
fundamentalmente fotovoltaica.
 Fundamento teórico.

Según la teoría de bandas, en función de sus propiedades conductoras, podemos distinguir tres tipos de materiales:
conductores, semiconductores y aislantes. En estos materiales, aparecen dos bandas: la de valencia y la de conducción.
La banda de valencia es el nivel energético más elevado ocupado por electrones mientras que la banda de conducción
corresponde al nivel energético vacío más bajo. La diferencia energética entre estas dos bandas (band gap) disminuye
al pasar de los aislantes hasta los materiales conductores, en donde se solapan formando un continuo:

Azul: B. Conducción
Rojo: B. Valencia
Energía

Aislante (plástico) Semiconductor (Si) Conductor (metal)

En el caso de los materiales semiconductores, la diferencia de energía se denomina band gap (E g), cuyo valor depende
del material y de la temperatura. En el caso del Si, el band gap es de 1,1 eV y por tanto, parte de la energía del espectro
solar puede provocar este salto. Así, cuando un fotón con una energía igual o superior a E g incide sobre el semiconductor,
transfiere su energía y un electrón salta de la banda de valencia a la de conducción. Así, un electrón llena la banda de
conducción (e-) y queda un hueco positivo (h+, hole) en la banda de valencia. Se ha producido separación de cargas en el
material semiconductor y hay por tanto la posibilidad de generar corriente eléctrica.

Energía

e- EF = Nivel de Fermi. Energía media de los portadores de

carga en el material
Fotón
Band gap (Eg )
EF

h+

En muchas ocasiones, de solo fracciones de segundo, los pares electrón y hueco se recombinan, y se desprende energía
en forma de calor, que aumentan la temperatura del material.
 Para poder generar corriente eléctrica, es necesario evitar la recombinación caótica y forzar que los electrones se muevan
en una dirección y los huecos positivos en la contraria. De esta manera, se produciría una corriente eléctrica. Para ello, es
necesario introducir en el material una diferencia de potencial que introduzca ese carácter direccional. Ello se consigue en
las células fotovoltaicas de Si mediante una unión p-n.

Un semiconductor silíceo de tipo p (positivo) es aquel que se ha dopado con unas concentraciones mínimas (alrededor de 1
átomo por cada millón de átomos de Si) de un elemento con un electrón menos (e.g. B). En cambio, un semiconductor silíceo
tipo n (negativo) es aquel que se ha dopado con unas concentraciones mínimas de un elemento con un electrón más (e.g. P).
La introducción de los elementos dopantes modifica la disposición de bandas del semiconductor apareciendo niveles extra
aceptores y donadores, asociados a los elementos introducidos en la red del Si.

BC BC

E EF
Nivel donador extra (P)
Nivel aceptor extra (B o Al)
EF

BV BV

Semiconductor Si tipo n Semiconductor Si tipo p

Células de Si.
En la célula de Si, la capa superior expuesta a la luz solar es una capa fina de Si tipo n (que tiene un número mayor de
electrones que una capa de Si puro), mientras que la capa inferior es de Si dopado tipo p (que tiene un número menor
de electrones que una capa de Si puro). . Al crear la unión p-n, los electrones del nivel donador n, al encontrarse más
altos en energía, pasan instantáneamente a la capa aceptora del Si p. De esta forma se crea en la unión una doble capa
eléctrica, al acumularse cargas positivas en región n y cargas negativas en la región p. Esto provoca un campo eléctrico y
una diferencia de potencial. Asimismo, convierte la célula en un diodo, que solo permite el paso de la corriente en una
dirección. Así, los electrones solamente puede pasar de la región p a la n, pero no al revés. Y los huecos positivos, solo pasan
de la n a la p. De esta forma, cuando en funcionamiento, un fotón genera el par electrón-hueco positivo, cada uno va en la
dirección opuesta gracias a esta diferencia de potencial provocada en la unión p-n.

Símbolo eléctrico del diodo

Célula fotovoltaica
Célula Fotovoltaica

Para recoger la corriente eléctrica generada,

se disponen los contactos eléctricos en forma
de enrejados metálicos sobre los electrodos,
situados sobre la capa superior e inferior de
la célula
Para comparar el rendimiento de las células fotovoltaicas, se realiza en unas condiciones estándares de temperatura
(25 ºC) e irradiancia G (1000 W/m2). El rendimiento de una célula fotovoltaica viene dada por el cociente:

𝐼 𝑀 ∗𝑉 𝑀
𝜂=
𝐺∗ 𝑆

Donde G es la irradiancia (W/m2), S la sección (m2), IM (intensidad máxima en A), y VM el voltaje máximo (V). El
rendimiento teórico máximo de una célula fotovoltaica de Si es del 29,1% (Barrera de Schottky). De ahí no se puede
pasar. Esto se debe al espectro solar:
IR Vis UV
Zona A: La energía de los fotones es demasiado pequeña
(W/m eV)
2
para saltar el band gap del Si (1,1 eV)

Zona B: Zona donde se obtiene electricidad

C
C Zona C: Los fotones tienen exceso de energía que se
convierte en energía térmica

A B

1,1 h 𝜈(𝑒𝑉 )
 𝑐 Si la energía del fotón es mayor que Eg,
Espectro solar 𝐸 =h 𝜈 =h
𝜆 entonces sucede que el electrón cae al
1,1 eV nivel energético inferior y elimina el exceso
como calor:

Q
BC

Fotón

Eg

BV
El rendimiento real de las células fotovoltaicas depende del proceso de fabricación y varía entre un 6-8% para las
células de Si amorfo, hasta el 22% de las de Si monocristalino. Un valor típico de rendimiento de las células comerciales
sería del 14-16%.

Las células solares de mayor rendimiento son las células multicapa de AsGa, que alcanzan el 30%, pero son muy caras.
Recientemente, han surgido las células de perovskitas, que permiten alcanzar mayores eficiencias que las de Si y son más
baratas de fabricar que las de Si. No obstante, de momento son poco estables, aunque han provocado toda una revolución
a su alrededor.

Una célula de Si típica de 10X10 cm suele tener una diferencia de potencial de 0,5 V y una intensidad proporcional a la luz
solar, y que alcanza un valor máximo entre 2,5 y 3 A. Las células solares en un panel primero se unen en serie formando
módulos y después en paralelo, para alcanzar valores óptimos de voltaje e intensidad. Es importante indicar que la corriente
que produce la célula es continua (DC) y que habrá que convertir a alterna (AC) mediante un inversor. (e.g. IGBT)
El circuito eléctrico equivalente de una célula fotovoltaica sería el siguiente: I

RS
IL ID Rp V
La ecuación representativa de ese circuito eléctrico equivalente sería:

𝑉 + 𝐼 ∗ 𝑅𝑠
𝐼 =𝐼 𝐿 − 𝐼 𝐷 −
𝑅𝑝

Donde IL es la corriente fotogenerada, ID la corriente de saturación inversa del diodo, Rp la resistencia en paralelo
generada por las imperfecciones del diodo y Rs la resistencia en serie puesta mediante una carga externa. El valor
de la la corriente ID es:

m = factor de idealidad del diodo

( (
𝐼 𝐷 = 𝐼 0 𝑒𝑥𝑝
𝑉 + 𝐼 ∗ 𝑅𝑠
𝑚 𝜈𝑡 ) )
−1
𝜈𝑡 =𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑡 é 𝑟𝑚𝑖𝑐𝑜=
𝐾𝑇
𝑒

K= constante de Botlzman
T= temperatura absoluta (K)
e = carga de un electrón
 Curva característica I-V

Es la representación de la ecuación anterior para valores del voltaje desde V= 0 hasta el voltaje máximo. Para ello,
se modifica la resistencia en serie Rs desde 0 hasta infinito. En ella aparecen una serie de puntos clave:

𝑅 𝑠 =0 Isc (sc, short circuit): Intensidad de cortocircuito: Es la

máxima corriente que producirá el dispositivo y se
Corresponde con IL.. Aquí el V = 0 y Rs = 0 .

VOC (voltaje de circuito abierto). Es el máximo voltaje

que dará la célula para una intensidad de corriente
nula. Se corresponde con Rs = infinito.

Puntos de máxima potencia: existe un par de valores de

I y V donde la potencia es máxima (potencia pico). Este
par de valores se llamam IM y VM. La célula lleva unos
𝑅 𝑠 =∞ dispositivos que modifican Rs para detectarlo y operar
en él (MPPT, Maximizing power point tracking)
 𝐼𝑀 ∗𝑉 𝑀
𝐹𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑙𝑙𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜 ( 𝑓𝑖𝑙𝑙𝑖𝑛𝑔 𝑓𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 ) =
𝐼 𝑠𝑐 ∗𝑉 𝑜𝑐

Un buen factor de llenado se sitúa por encima de 0,7, e indica que la célula opera bien. La curva característica I-V
depende claramente de la irradiancia G y de la T. Así, a más G, más intensidad de célula.

I (A) 1000 W/m2

3
𝐺𝑒𝑓𝑓
𝑃 𝑎𝑗𝑢𝑠𝑡𝑎𝑑𝑎 =𝑃 𝑆𝑇𝐷 ∗
2 𝐺 𝑆𝑇𝐷
500 W/m2
PSTD = Potencia en las condiciones standard (25 ºC)
GSTD = 1000 W/m2
1
Geff = Irradiancia efectiva

V
5 10 15 20
 En el caso de la temperatura, la potencia suele disminuir un 4% por cada 10ºC de aumento de temperatura.

I
↑𝑇

En la célula fotovoltaica se producen una serie de pérdidas, que serían las siguientes:

- Dispersión de parámetros entre los módulos de la célula, debido a la conexión en serie de alguna célula defectuosa.
- Temperatura de funcionamiento de los módulos.
- Tolerancia de potencia de los módulos respecto a sus características nominales.
- Pérdidas debidas a la acumulación de suciedad en los módulos.
- Pérdidas por sombras.
- Pérdidas por degradación de los módulos
- Pérdidas por reflectancia.
- Pérdidas eléctricas.
 Todas estas pérdidas se engloban en la denominada performance ratio (PR), cuyo valor típico sería 0,75. Por lo tanto, la
potencia real suministrada por la célula fotovoltaica sería:

𝑃 𝑟𝑒𝑎𝑙 =𝑃𝑅 ∗ 𝑃 𝑎𝑗𝑢𝑠𝑡𝑎𝑑𝑎

Por otro lado, el circuito utilizado para obtener la curva característica I-V del panel fotovoltaico es el siguiente:
Amperímetro
A

Célula fotovoltaica
V Voltímetro
Rs (resistencia en serie)

Todos los protocolos de medida y fabricación de las células fotovoltaicas están reglamentados según las normas IEC
(International Electrotechnical Commission)
Problema. Un módulo fotovoltaico formado por 50 células solares en serie se ha iluminado con tres intensidades de
Iluminación diferentes. Para cada caso, se han determinado los siguientes pares de valores de I M y VM :

a) 3 A y 18 V b) 2,5 A y 15 V c) 2,2 A y 12 V

Cálcúlese en cada caso los valores de la potencia pico y de la resistencia externa. Asimismo, determínese el
rendimiento de la célula si la irradia respectivamente 1000, 800 y 600 W/m 2 y su sección es 0,5 m2.

𝑉 𝑀 18
a) I = 3 A y V = 18 V 𝑃= 𝐼 𝑀 ∗𝑉 𝑀 =( 3 ) ∗ ( 18 )=54 𝑊 𝑅𝑠= = =6 Ω
𝐼𝑀 3
𝑉𝑀 15
b) I = 2,5 A y V = 15 V 𝑃= 𝐼 𝑀 ∗𝑉 𝑀 =( 2 , 5 ) ( 15 )=37 , 5 𝑊 𝑅𝑠= = =6 Ω
𝐼𝑀 2,5

𝑉 𝑀 12
c) I = 2,2 A y V = 12 V 𝑃= 𝐼 𝑀 ∗𝑉 𝑀 =( 2 , 2 ) ∗ ( 12 )=26 , 4 𝑊 𝑅𝑠= = =5 , 45 Ω
𝐼𝑀 2,2
(54)
𝜂𝑎 = ∗ ( 100 )=10 , 8 %
( 1000 ) ∗( 0 , 5)

(26 , 4) (37 ,5)

𝜂𝑐 = ∗ ( 100 )=8 ,8 % 𝜂𝑏 = ∗ ( 100 )=9 , 37 %
(600)( 0 ,5) ( 800)(0 , 5)
Problema. Determine el número de paneles solares de un campo fotovoltaico de 10 MW sabiendo que cada panel tiene
dimensiones de 3x2 m2, y que cada célula fotovoltaica de 10x10 cm2 tiene un VOC = 20 V, un ISC = 3,1 A y un factor de
llenado de 0,79 determinados en condiciones estándar de laboratorio. Por otro lado, la irradiancia efectiva es de 6
kWh/m2/día y suponga una performance ratio de 0,75, y que las células operan siempre en condiciones de máxima
potencia.

Pmp = Voc*ISC*FF=(20)*(3,1)*(0,79) = 48,98 W 2

100 𝑐𝑚 =0 , 01 𝑚
2

6
10 𝐽
(6 𝑘𝑊h )(3 , 6 ∗ )
𝑘𝑊h −2
𝐺 𝑒𝑓𝑓 = = 250 𝑊 𝑚
(
𝑚2 ∗ 24
h
𝑑𝑖𝑎 ) 𝑠
∗ 𝑑 í 𝑎 ∗(3600 )
h
Número células por panel = (6)/(0,01) = 600

𝑃 𝑝𝑎𝑛𝑒𝑙 =( 600 ) ( 9 , 18 ) =5510 , 25 𝑊

𝐺𝑒𝑓𝑓 ( 250 )
𝑃 𝑎𝑗𝑢𝑠𝑡𝑎𝑑𝑎 =𝑃 𝑚𝑝 ∗ =( 48 , 98 ) ∗ =12,245𝑊
𝐺𝑆𝑇𝐷 ( 1000 )

𝑃 𝑟𝑒𝑎𝑙 =𝑃𝑅 ∗ 𝑃 𝑎𝑗𝑢𝑠𝑡𝑎𝑑𝑎 =( 0 ,75 ) ∗ ( 12,245 ) =9 , 18 𝑊

7
(10 𝑊 )
𝑁 ú 𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝑝𝑎𝑛𝑒𝑙𝑒𝑠= =1815 𝑝𝑎𝑛𝑒𝑙𝑒𝑠
(5510 ,25 𝑊 )