Estructura y propiedades de los materiales

Semiconductores intrínsecos

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Breve recordatorio de
electrónica…

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Ejercicio

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Ejercicio

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Semiconductores extrínsecos

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Semiconductores tipo N

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Semiconductores tipo P

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En este apartado vamos a analizar de nuevo las propiedades de la conducción eléctrica
en los semiconductores pero desde un punto de vista energético. Para ello, habría que
analizar las energías de los e- pero no en el caso de un átomo aislado, sino cuando
estos átomos forman un sólido. El cálculo de estas energías así como el desglose de los
niveles energéticos de los átomos aislados en bandas de energía cuando estos átomos
forman un sólido, es competencia de la Mecánica Cuántica y se escapa del alcance de
este curso. A nosotros nos interesa el resultado final. Más concretamente, nos interesan
las energías de los e- de valencia, es decir de los e- más exteriores que serán los que se
vean afectados en gran medida por la proximidad de otros átomos (cuando estos
forman un sólido).

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Pues bien, resulta que en el caso de un semiconductor intrínseco, de un semiconductor puro,
a temperaturas muy bajas, es decir, cuando no hay prácticamente agitación térmica en el
cristal, o lo que es lo mismo, cuando todos los e- de valencia se encuentran ligados a sus
enlaces covalentes correspondientes, desde el punto de vista energético estos e- se encuentran
en una banda conocida como “banda de valencia” que se encuentra totalmente ocupada. La
banda superior de estados permitidos se conoce con el nombre de “banda de conducción”
que, en este caso, estará totalmente vacía ya que, de momento, no disponemos de portadores
libres que pueden moverse por el cristal. Entre ambas, existe una banda de estados no
permitidos denominada “banda prohibida” o “gap de energías” (Figura 1.8.).

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