 R: Es el conocimiento básico de la

estructura interna, las propiedades y la

elaboración de materiales.
 La mayoria de los materiales utilizados
en ingenieria se dividen en tres grupos
principales: materiales metalicos,
polimericos y ceramicos. Ademas de
otros dos, los materiales compuestos y
los materiales electronicos.
 Son sustancias inorgánicas compuestas por
uno o mas elementos metálicos y pueden
contener algunos elementos no metálicos,
pueden contener elementos no metálicos,
los metales tiene una estructura cristalina
en la que los atomos están dispuestos de
manera ordenada, son buenos
conductores térmicos y eléctricos. Muchos
metales son relativamente resistentes y
dúctiles ala temperatura ambiente y
presentan alta resistencia, incluso a altas
temperaturas.
 La mayoría de los materiales poliméricos constan de
largas cadenas o redes moleculares que
frecuentemente se basan en compuestos orgánicos,
desde un punto de vista estructural, la mayoría de los
materiales poliméricos no son cristalinos, pero
algunos constan de mezclas de regiones cristalinas y
no cristalinas. La resistencia y ductilidad de los
materiales poliméricos varía considerablemente.
Dada la naturaleza de su estructura interna, la
mayoría de los materiales poliméricos son malos
conductores de electricidad. Algunos de estos
materiales son buenos aislantes y se emplean como
aislantes eléctricos. Tienen bajas densidades y
temperaturas de ablandamiento o de
descomposición relativamente bajas.
 Son materiales inorgánicos formados por elementos
metálicos y no metálicos enlazados químicamente entre
si. Los materiales cerámicos pueden ser cristalinos, no
cristalinos o mezclas de ambos. La mayoría de los
materiales cerámicos tiene una gran dureza y resistencia
a las altas temperaturas pero tienden a ser frágiles.
Destacan entre las ventajas de los materiales cerámicos
para aplicaciones industriales su peso ligero, gran
resistencia y dureza, buena resistencia térmica al calor y
al desgaste, poca fricción y propiedades aislantes. Las
propiedades aislantes, junto con la alta resistencia al
calor al desgaste de muchos materiales cerámicos, los
vuelve útiles en revestimientos de hornos para
tratamientos térmicos y fusión de metales como el acero.
 Puede definirse como dos o mas materiales (fases o
constituyentes) integrados para formar un material nuevo. Los
constituyentes conservan sus propiedades y el nuevo
compuesto tendrá propiedades distintas a la de cada uno de
ellos. La mayoría de los materiales compuestos están formados
por un material compuesto están formados por un material
especifica de relleno que a su vez sirve de refuerzo, y una resina
aglomerante con objeto de lograr las características y
propiedades deseadas. Los componentes no suelen disolverse
entre si y pueden identificarse físicamente gracias a la interfaz
que existe entre ellos. Los materiales compuestos pueden ser de
muchos tipos. Lo que predominan son los fibrosos (compuestos o
fibras en una matriz) y los partículas (compuestos o partículas en
una matriz). Existen muchas combinaciones diferentes de
materiales de refuerzo y matrices que puede emplearse para
producir materiales compuestos.
 Tienen capacidad de detectar estímulos
ambientales externos (temperatura,
esfuerzo, luz, humedad y campos eléctricos
y magnéticos) y como respuesta a estos
modifican sus propiedades (mecánicas,
eléctricas o su aspecto), su estructura o sus
funciones, los materiales inteligentes o los
sistemas que los emplean están formados
por detectores y accionadores (o
actuadores. El componente detector
descubre un cambio en el ambiente y el
accionador realiza una función o emite
una respuesta especifica.
 Suelen definirse como aquellos que tienen una
escala de longitudes característica ( esto es,
diámetro de las partículas, tamaño de los granos, el
espesor de las capas, etc.) menor a 100 nm (1 nm=10
al -9m). Los nanomateriales pueden ser metálicos,
poliméricos, cerámicos, electrónicos o compuestos.
A esto respecto, los agregados de polvo cerámico
de tamaño menor a 100 nm, los metales a granel
con tamaños de grano menores de 100 nm, las
películas poliméricas delgadas de menos de 100 nm
de espesor, y los alambres electrónicos de diámetro
menor de 100 nm se consideran nanomateriales
nanoestructurados. En la nanoescala, las
propiedades del material no tienen escala molecular
o atómica, ni las del material a granel.
 La fuerza conductora detrás de la
formación de enlaces entre atomos es
que cada atomo busca estar en el
estado mas estable. Mediante el enlace
con otros atomos, la energía potencial
de cada atomo enlazado se reduce,
dando como resultado un estado mas
estable.
 Los enlaces secundarios se forman por la
atracción electroestática de los dipolos
eléctricos dentro de los atomos o
moléculas, son relativamente débiles en
relación con los primerio y tiene energias
de solo entre 4 y 42 kj/mol (1 A 10
kcal/mol). La fuerza motriz para la
formacion del enlace secundario es la
atracción de los dipolos eléctricos
contenidos en en los atomos o en la
moléculas.
 Suele observarse entre atomos con grandes diferencias
en sus electronegatividades, en resumen, el atomo pierde
un electron y forma un catión, en este proceso, el radio
disminuye, esta reducción en el tamaño ocurre debido a
que después de la ionización, el electron de la frontera ya
no esta el balance entre el nucleo positivo y la nube
electrónica negativa se pierde y en nucleo puede ejercer
una fuerza mas intensa sobre los electrones, atrayéndolos
consecuentemente hacia el. Es posible generalizar que
cuando un metal forma un catión su radio se reduce y
cuando un no metal forma un anion el radio aumenta.
Las fuerzas de atracción electrostática entre los dos iones
tenderán a mantener unidos los iones para formar un
enlace ionico.
 Los atomos de un metal se empacan firmemente en conjunto, de
manera organizada y repetitiva, para reducir su energía y alcanzar un
estado mas estable en la forma de un solido. En el proceso, todos los
atomos aportan sus electrones de valencia a un “mar de electrones” o
a la “nube de carga electrónica”. Estos electrones de valencia no
están confinados, mueven libremente en el mar de electrones y no
pertenecen a ningún atomo especifico. Por esta razón se llaman
electrones libres. Los nucleos y los restantes electrones del nucleo de los
atomos firmemente empaquetados forman un nucleo catiónico o
positivo (debido a que han perdido sus electrones de valencia) en
metales solidos, lo que mantiene al atomo unido es la fuerza de
atracción entre el nucleo ionico positivo (cationes del metal) y la nube
electronica negativa. El enlace metalico es tridimensional y no
direccional, similar al enlace ionico. Sin embargo, puesto que no hay
aniones implicados, no existen restricciones de neutralidad eléctrica.
Además, los cationes implicados, no existen restricciones de nuetralidad
eléctrica. Ademamos los catines metálicos no se mantienen ene l lugar
de manera tan rigida como ocurre en los solidos ionicos.
 Se observa por lo común entre atomos con pequeñas diferencias en
sus electronegatividades y sobre todo entre no metales. Los atomos de
estos últimos se enlazan al compartir de manera localizada los
electrones y el enlace covalente. El enlace covalente es la forma mas
común de enlace en la naturaleza, la cual vario del hidrogeno
diatomico a materiales biológicos y macromoléculas sintéticas. Este tipo
de enlace también es posible que se forme como un porcentaje de los
enlaces totales en los materiales ionico y metálicos. De manera similar a
los enlaces ionicos, los enlaces covalente también son muy resistentes.
Considere el enlace covalente entre dos atomos. Al principio, el nucleo
de un atomo atrae a la nube electronica del otro; los atomos se
acercan uno a otro. Al aproximarse, las dos nubes electrónicas
interactúan y ambos atomos empiezan a apropiarse de ambos grupos
de electrones (comparten electrones). Los atomos siguen
aproximándose hasta que alcanzan el punto de equilibrio en el cual los
dos atomos formaran un enlace compartiendo sus electrones,
completando ambos su estructura electrónica mas externa y
alcanzando el estado mas bajo de energía.
 Son dos tipos principales de enlaces
secundarios entre atomos o moleculas que
incluyen dipolos electricos: los dipolos
variables y los dipolos permanentes. Estas
fuerzas de enlace aparecen debido a la
distribucion asimetrica de las cargas
electricas en estos atomos, la cual crea
dipolos electricos. En algun instante existe
una alta probabilidad de que haya mas
carga electronica en un extremo del
atomo que en el otro.
 Una unidad de celda en el espacio que
se repite. Las longitudes axiales y los
ángulos axiales son las constantes de red
de la celda unitaria. Es el menor grupo
de atomos representativo de un
determinada estructura cristalina.
 Los siete sistemas cristalinos son cubicos con tres eje
iguales en angulos rectos (a=b=c,A=B=Y=90°),
tetragonal con tres ejes en angulos rectos, dos
iguales (a=b/=c,A=B=Y=90°), ortorrombico con tres
ejes distintos en angulos rectos (a/=b/=c,A=B=Y=90°),
romboedrico con tres ejes iguales, inclinados por
igual (a=b=c,A=B=Y/=90°), hexagonal con dos ejes
iguales a 120° y un tercero en angulo recto
(a=b/=c,A=B=90°), monoclinico con tres ejes distintos,
dos de ellos no forman angulo recto
(a/=b/=c,A=Y=90°/=B) y triclinico con tres ejes
desiguales con distinta inclinacion y ninguno en
angulo recto (a/=b/=c, A/=B/=Y/=90°).
 Y las 14 redes son:
 Cubico simple
 Cubico centrado en el cuerpo
 Cubico centrado en las caras
 Tetragonal simple
 Tetragonal centrado en el cuerpo
 Ortorrombico simple
 Ortorrombico centrado en el cuerpo
 Ortorrombico centrado en las bases
 Ortorrombico centrado en las caras
 Romboedrico simple
 Hexagonal simple
 Monoclinico simple
 Monoclinico centrado en las bases
 Triclinico simple
 Son 3 estructuras cristalinas compactas:
cubica centrada en el cuerpo (BCC),
cubica centrada en las caras (FCC) y
hexagonal compacta (HCP).
 Se definen como el reciproco de las
fracciones de intersección (con
fracciones simplificadas) que el plano
presenta con os ejes cristalográficos x, y
y z de las tres aristas no paralelas de la
celda unitaria cubica. Las aristas del
cubo en la celda unitaria representan
longitudes unitarias y las intersecciones
de los planos reticulares se miden con
base en estas longitudes unitarias.
 El polimorfismo es el fenómeno en el cual un solido
(metalico o no metalico) puede presentar mas de
una estructura cristalina dependiendo de la
temperatura y de la presión. La alotropía es la
propiedad que poseen determinados elementos
químicos de presentarse bajo estructuras
moleculares diferentes como el oxigeno que puede
presentase como oxigeno atmosferico (o2) y como
ozono (o3) o con características físicas distintas, la
diferencia aquí es a nivel microscópico el
polimorfismo solo presenta diferencia en su
estructura cristalina en la forma que en son
acomodadas sus moléculas pero sin que estas
presenten cambios mientras que la alotropía es mas
a nivel molecular.
 Considerese un haz de rayos x monocromático (una
sola longitud de onda) que incide en un cristal, para
simplificar, se sustituyen los planos cristalinos de los
centros atomicos de dispersion los planos cristalino
que actúan como espejo reflejándose el haz
incidente de rayos x, cuando un haz de rayos x
monocromático de longitud de onda incide en este
conjunto de planos con un angulo tal que las
trayectorias de las ondas que abandonan los
diferentes planos no están en fase, no se producirá
reforzamiento del haz. Asi, tiene lugar una
interferencia destructiva. Si las trayectorias de las
ondas reflejadas por los diferentes planos están en
fase, tiene lugar un reforzamiento del haz o bien se
da una interferencia constructiva.
 Solido formado por atomos, iones o
moléculas ordenadas según un patrón
que se repite en las tres dimensiones.
 Materiales que carecen de
ordenamiento de largo alcance en su
estructura atómica.
 Longitudes de los lados de las celdas
unitarias y los angulos entre los lados.
 La solidificación de un metal o aleación puede dividirse en las siguientes etapas:
 Formación de nucleo estable en la masa liquida (nucleación)
 El crecimiento de nucleos para formar cristales y la formación de una estructura granular
 Los dos mecanismos principales por los que tienen lugar la nucleación de partículas solidas en un
metal liquido, son: la nucleación homogénea y la nucleación heterogenea.
 Nucleación homogénea- se considera en primer lugar la nucleación homogénea porque es el caso
mas simple de nucleación. La nucleación homogenea tiene lugar en el liquido fundido cuando el
metal proporciona por si mismo los atomos que se requieren para formar los nucleos. Cuando un
metal liquido puro se enfria lo suficiente por debajo de su temperatura de equilibrio de solidificación,
se crean numeroso nucleos homogeneos mediante el movimiento lento de los atomos que se unen
entre si.
 Nucleación heterogenea- la nucleación heterogenea es la que tiene lugar en un liquido sobre la
superficie del recipiente que lo contiene, las impurezas insolubles y otros materiales estructurales
disminuyen la energía libre necesaria para formar un nucleo estable. Para que ocurra la nucleación
heterogenea, el agente de nucleación solido debe ser mojado por el metal liquido. También el
liquido debe solidificar fácilmente en el agente de nucleación.
 Después que se forman los nucleos estables en un metal en solidificacion crecen hasta formar
cristales. En cada cristal los atomos están ordenados en un modelo esencialmente regular, pero la
orientación de cada cristal varia. Cuando finalmente concluye la solidificación del metal, los cristales
se juntan unos con otros en diferentes orientacion y forman limites cristalinos en los que los cambios de
orientación tiene lugar en una distancia de pocos atomos.
 Solución solida en que los atomos de
soluto de un elemento pueden sustituir a
los atomos de disolvente de otro
elemento.
 Solución solida formada por atomos de
soluto que pueden entrar en los
intersticios o huecos de la red atómica
del disolvente.
 El defecto puntual mas sencillo es la vacancia, un sitio atomico en el que ha
desaparecido el atomo que lo ocupaba. Las vacancias pueden producirse durante la
solidificación como resultado de perturbaciones locales durante el crecimiento de los
cristales, o por las reordenaciones atomicas en un cristal ya existente debido a la
movilidad de los atomos. Algunas veces un atomo de un cristal puede ocupar un
hueco intersticial entre los atomos de su entorno que ocupan posiciones atomicas
normales. Este tipo de defectos puntuales se llama autointersticial o intersticialidad.
Estos defectos no ocurren generalmente de forma natural por la distorsion estructural
que provocan, peros se pueden introducir en la estructura por irradiación. En cristales
ionicos los defectos puntuales son mas complejos debido a la necesidad e mantener la
neutralidad eléctrica. Cuando dos iones de carga opuesta faltan en un cristal ionico,
se crea una divacancia anionica-cationica que se conoce como defecto de schottky.
Si un catión se mueve a un heuco intersticial del cristal ionico, se crea una vacancia
catiónica en la posicion inical del catión. Este par de defectos vacancia-intersticion se
llama defecto de frankel. La presencia de estos defectos en los cristales ionicos,
aumenta su conductividad eléctrica. Los atomos de impurezas de tipo sustitucional o
intersticial son tambien defectos puntuales y se pueden presentar en cristales con
enlaces metálicos o covalentes. Las impurezas ionicas son también defectos en
cristales ionicos.
 Un defecto cristalino en el que una distorsión
de la red se encuentra centrada alrededor de
una línea. La distancia de desplazamiento de
los atomos alrededor de la dislocación se
llama vector de deslizamiento o vector b de
burgers. Para una dislocación de borde, el
vector de deslizamiento es perpendicular a la
línea de dislocación, mientras que para una
dislocación helicoidal el vector de
deslizamiento es paralelo a la línea de
dislocación. Una dislocación mixta tiene
ambos componente de borde y helicoidales.
 Los defectos planares incluyen superficies externas, limites
de grano, maclas, bordes de angulo cerrado, bordes de
angulo abierto, torsiones y fallas de apilamiento. El limite
de grano es una región estrecha entre dos granos de
entre dos y cinco diámetros atomicos de ancho y es una
regio de atomos no alineados entre dos granos
adyacentes. El ordenamiento atomico en los limites de
grano es menor que en los granos debido a esta falta de
orden. Los limites de grano tienen también algunos
atomos en posiciones tensionadas, lo que provoca un
aumento de energía en la región del limite de grano. Las
maclas o bordes de maclas son otro ejemplo de un
defecto bidimensional. Una macla se define como una
región en la que existe una imagen de espejo de la
estructura a través de un plano o un borde.
 Las maclas se forman cuando un material se deforma
permanentemente o de manera plástica (macla de
deformación). Tembien pueden aparecer durante el
proceso de recristalización en el que los atomos se
vuelven a situar en un cristal deformado (macla de
templado. Cuando en un arreglo de dislocaciones de
borde estas se orientan en un cristal de manera tal que
dos regiones del cristal parecen desorientarse o inclinarse,
se forma un defecto bidimensional llamado limite de
inclinación en angulo agudo (o de bajo angulo). En
ocasiones, durante el crecimiento de un material
cristalino, en el colapso de un grupo de atomos vacante,
o en la interaccion de dislocaciones, pueden faltar uno o
mas planos de apilamiento, lo que da lugar a otro
defecto bidimensional llamado falla de apilamiento.
 Se forman cuando un grupo de atomos
o de defectos puntuales se unen para
forman un vacio tridimensional o poro.
De manera inversa, un grupo de atomos
de alguna impureza puede unirse para
formar un precipitado tridimensional.
 En esta tecnica, la superficie de una
pequeña muestra de material, se prepara
primero mediante un procedimiento
pormenorizado y mas bien prolongado. El
proceso de preparacion incluye numerosas
etapas de desbaste de la superficie que
quitan grandes rayones y capas delgadas
deformadas plasticamente. Las superficie
pulida se expone entonces a un ataque
quimico.
 El microscopio electrónico de barrido es una
herramienta muy importante en la ciencia de
materiales y en la ingeniería; se utiliza para medir las
características microscópicas, la clasificiacion de las
fracturas, los estudios de la microestructura, las
evaluaciones de los recubrimienntos de poco
espero, el examen de la contaminación de la
superficie y el análisis de fallas en los materiales. En
contraposición a la microscopia óptica en la cual la
superficie es expuesta a la luz visible incidente, el
microscopio electrónico de barrido (SEM) dirige un
haz de electrones enfocado a un punto de la
superficie de una muestra a analizar y recoge y
muestra las señales electrónicas emitidas por la
muestra.
 Es una importante técnica para estudiar
defectos y precipitados en materiales.
Gran parte de lo que se sabe ahora
sobre defectos seria teoría especulativa
y jamas se habría verificado sin la
aplicación de la TEM que resuleve
características a escala de nanómetros.
 El TEM se produce un haz de electrones
mediante un filamento de tungsteno
calentado que se encuentra en la parte
superior de una columna con alto voltaje.
Se usan serpentines electromagneticos
para condensar el haz de electrones, que
luego se hace pasar a través de la muestra
delgada colocada en el soporte para
muestras. A medida que los electrones
pasan a a traves de la muestra, algunos se
absorben y otros se dispersan de tal suerte
que cambian de dirección.
 El ensayo de tension se utiliza para evaluar
varias propiedades mecanicas de los
materiales que son importantes en el
diseño, dentro de las cuales se destaca la
resistencia, en particulas, de metales y
aleaciones, en este ensayo la muestra se
deforma usualmente hasta la fractura
incrementando gradualmente una tension
que se aplica uniaxialmente a lo largo del
eje longitudinal de la muestra.
 Las propiedades mecanicas que son de
importancia en ingenieria y que pueden
deducirse del ensayo de tension-
deformacion son las siguientes.
 1- modulo de elasticidad
 2- limite elastico esta la 0.2%
 3- resistencia maxima a la tension
 4- porcentaje de elongacion a la fractura
 5- porcentaje de reduccion en el area de
fractura
 Se utiliza para evaluar la resistencia de
metales y aleaciones. En este ensayo,
una muestra de metal se estria a
velocidad constante hasta la fractura
que se produce en tiempo
relativamente corto.
 Cuando se somete una pieza de metal a
una fuerza de tracción uniaxial se produce
la deformacion del metal. Si el metal
recupera sus dimensiones originales
cuando se elimina la fuerza, se considera
que el metal ha sufrido una deformación
elástica, si el metal se deforma tanto que
no puede recuperar completamente sus
dimensiones originales, se considera que ha
sufrido una deformación plástica.
 Tensión dividida por deformación en la
región elástica de un diagrama
esfuerzo-deformacion convencional de
un metal.
 El limite elástico es un valor muy importante para el diseño
estructural en ingeniería, pues es el nivel de tensión al que un
metal o aleación muestran una deformación plastica
significativa. Debido a que no hay un punto definido de la curva
tensión-deformacion donde acaba la deformación elástica y
empieza la deformación plastica, se determina el limite elástico
como el esfuerzo al que se produce una deformación elástica
definida. El limite elástico de 0.2 por ciento, también
denominado limite elástico convencional de 0.2%, se determina
a partir del diagrama convencional, primero se traza una linea
paralela a la zona elástica (lineal) del diagrama convencional a
una deformación de 0.002pulg/pulg (m/m), después se traza
una línea horizontal desde el punto de intersección entre la
línea anterior y la parte superior de la curva tensión-
deformacion hasta que alcance el eje de las tensiones. El limite
elástico de 0.2% es el valor de tensión donde la línea horizontal
interseca el eje de tension y en el caso de la curva de tensión-
deformacion el valor del limite elástico es 78000 psi.
 Es la máxima tensión que se alcanza en
la curva tensión-deformacion.
 El porcentaje de alargamiento que una
probeta a tracción soporta durante el
ensayo, la ductilidad de metales suele
expresarse como porcentaje de
alargamiento, usualmente determina en
probetas de 2 pulgadas. En general, a
mayor ductilidad del metal, mayor
porcentaje de deformación. El porcentaje
de alargamiento a fractura tiene
importantica no solo como mediad de la
ductilidad, sino también como índice de la
calidad del metal.
 La ductilidad de un metal o aleación, esta
magnitud normalmente se obtiene del
ensayo de tracción utilizando una probeta
de 0.50 pulgadas (12.7 mm) de diámetro.
Después del ensayo se determina el
diámetro de la sección transversal de la
zona de fractura, asi como el porcentaje
de alargamiento, es una medida de la
ductilidad del metal y un índice de su
calidad. El porcentaje de reducción en el
área se puede disminuir si existen defectos
como inclusiones y/o porosidad en la
muestra metalica.
 Se mide forzando la indentacion de un
penetrador en la superficie del metal. El
penetrador, que normalmente es una bola,
piramide o cono, esta fabricado con un
material mucho mas duro que el materia a
ensayar. La dureza de un metal se mide
según sea la facilidad con que puede ser
deformada plasticamente. Por tanto, se
puede determinar una relacion
experimental entre la dureza y la resistencia
para cada metal en particular.
 Utilizando un aparato que consiste en
colocar una probeta charpy con
muesca V de modo transversal a los
brazos paralelos de la maquina. A
continuacion, se suela el pendulo
pesado desde una altura determinada,
el cual golpea a la probeta, en su
trayectoria descendente, fracturandola.
 Puede sacar la tenacidad con este
ensayo
 La prueba de fatiga mas comunmente
utilizada a escla menor es la prueba de
fatiga por flexion alternante rotativa, en
el cual la probeta se somete a esfuerzos
alternos de tension y compresion de la
misma magnitud durante la rotacion. Se
puede obtener el limite de fatiga o
resistencia a la fatiga.
 Cuando un metal o aleación esta bajo una carga o esfuerzo
constante, puede sufrir una deformación plástica progresiva
después de un tiempo, muchas de las prueba de termofluencia
se llevan a cabo utilizando diferente niveles de esfuerzo a
temperatura constante o diferentes temperaturas a esfuerzo
constante y se dibujan las curvas correspondientes, la velocidad
minima de termofluencia o pendiente de la segunda etapa de
la termofluencia se mide en cada curva. El esfuerzo necesario
para producir la minima velocidad de termofluencia de 10-5%/h
a una temperatura determinada se utiliza para medir la
resistencia a la termofluencia. Considerese un experimento de
termofluencia en el cual se aplica sobre una probeta recocida
una carga constante de suficiente magnitud para cuasar una
deformación considerable debida a la termofluencia. Cuando
se representa la varacion de longitud de la probeta con
respecto al tiempo, se obtiene una cuerva, curva de
termofluencia.
 Es una medida de la resistencia de un
material a al deformación permanente
(plástica) en su superficie o sea la
resistencia que opone un material a ser
rayado o penetrado. La dureza de un
material se mide de varias formas dentro
de las cuales se pueden destacar las
durezas “mecánicas” y la dureza de
Mohs.
 Forzando la indentacion de un penetrador en
la superficie del metal. El penetrador, que
normalmente es una bola, pirámide o cono,
esta fabricado con un material mucho mas
duro que el material a ensayar. En la mayoría
de los ensayos de dureza normalizados se
aplica lentamente una carga conocida, que
presiona el penetrador contra superficie del
metal a ensayar y perpendicularmente a esta.
Después de producir la indentacion, se retira el
penetrador . se calcula o se lee en un dial un
numero empirico de dureza basado en el área
del corte transversal de la huella producida o
en su profundidad.
 En la dureza brinell, el indentador es una
bola de carburo de tungsteno o de acero
endurecido. Este indentador se presiona
sobre la superficie del material a medir
durante un tiempo estándar (10-15
segundos) bajo una carga estándar.
Después de remover la carga, la
indentacion circular se mide en dos
direcciones mutuamente perpendiculares,
sacando el promedio de las dos medidas.
 La dureza vickers, en este caso el identador
es una pirámide de base cuadrada con un
angulo incluido de 136° hecho de
diamante. Este indentado se diseño con el
fin de superar los problemas que se
presentan con el indentador esférico. La
dureza vickers es también función de la
carga aplicada sobre el indentador y el
tamaño de la impresión resultante en el
material que se esta probando.
 La dureza knoop, cuando se requiere
hallar la dureza de pequeñas laminas se
realiza preferiblemente el test de knoop
pues bajo la misma carga que la de
vickers su indentador de forma piramidal
rómbica de diamante, penetra menos
que el cuadrado del test de vickers.
 La dureza rockwell, el principio de esta,
se diferencia de los otros en que para
rockwell la profundidad de la impresión
esta relacionada con la dureza mas que
el diámetro o las diagonales de la
impresión. Esto agiliza la medida porque
la maquina que mide la dureza rockwell
esta diseñada para grabar la
profundidad de penetración del
indentador.
 Esta dureza se calcula mediante una
serie relativa de minerales donde cada
miembro es mas duro que los que están
detrás de el en la escala y mas blando
que los que están delante. El numero o
rango entre los cuales se encuentra la
dureza Mohs de un material, es una cifra
relativa.
 Son representaciones graficas de las
fases que están presentes en un sistema
de aleación (o cerámico) a diversas
temperaturas, presiones y
composiciones. Estos diagramas indican
que fases están presentes a diferentes
composiciones y temperaturas para
condiciones de enfriamiento o
calentamiento lentos que se acercan al
equilibrio.
 Regla que establece que en el equilibrio
el numero de fases mas los grados de
libertad es igual al numero de
componentes mas 2,p + f = c + 2. De
forma abreviada, con la presión 1=atm,
p + f c + 1.
 Los porcentajes en peso de las fases en
cualquier región de un diagrama de
sases binario se pueden calcular usando
esta regla si prevalecen las condiciones
de equilibrio.
 Fases terminales y fases intermedias.
 Puede definirse como el deterioro de un
material producido por el ataque
quimico de su ambiente. Puesto que la
corrosion es una reaccion quimica, la
velocidad a la cual ocurre dependera,
hasta cierto puento , de la temperatura
y de la concentracion de los reactivos y
productos.
 Se caracteriza por una reacción
electroquímica o química que procede
de manera uniforme sobre la superficie
completa del metal expuesto al
ambiente corrosivo. Con base en el
peso, la corrosión uniforme representa la
mayor destrucción de los metales, en
particular de los aceros.
 Cuando al juntar dos metales distintos
debido a que la diferencia en su
potencial electroquímico puede originar
la corrosión.
 Ataque de corrosión local que resulta de
la formación de pequeños ánodos en
una superficie metalica.
 Es una forma de corrosion
electroquimica localizada que puede
ocurrir en las hendiduras y bajo
superficies recubiertas donde sea
posible que existan soluciones
estancadas.
 Corrosión preferencial que ocurre en
fronteras de grano o en regiones
adyacentes a las fronteras de grano.
 Ataque corrosivo preferencial de un
metal expuesto a esfuerzo en un
ambiente corrosivo.
 Puede definirse como la aceleración en
la velocidad del ataque corrosivo a un
metal debido al movimiento relativo de
un fluido corrosivo y de la superficie
metalica.
 Resulta de la formación y el colapso de
las burbujas de aire o de las cavidades
llenas de vapor en un liquido cerca de
una superficie metalica. El daño por
cavitación ocurre en superficies
metálicas donde existen un flujo de
liquido de alta velocidad y cambios de
presión como los que se encuentran en
los impulsores de bombas y en las
hélices de barco.
 Ocurre en interfaces entre materiales
bajo carga expuestos a vibración y
deslizamiento, aparece como huecos o
picaduras rodeados por productos de
corrosión, en el caso de la corrosión por
desgaste de metales, los fragmentos
metálicos entre las superficies en
contacto se oxidan y algunas películas
de oxido se desprenden por la acción
de desgaste.
 Medida de la facilidad con la cual la
corriente eléctrica pasa a través de un
volumen unitario de material.
 El modelo clasico de la conduccion
electrica en solidos metalicos, los
electrones de valencia exteriores se
suponen completamente libres de
moverse entre los nucleos de iones
positivos (atomos sin electrones de
valencia) en la reticula metalica.
 El flujo de corriente eléctrica “i” es
proporcional al voltaje aplicado e
inversamente proporcional a la
resistencia del alambre.
 Son semiconductores puros cuya
conductividad eléctrica se determina
mediante sus propiedades conductivas
inherente.
 Son soluciones solidas sustitucionales
muy diluidas en las cuales los atomos de
impureza del soluto tienen diferentes
características de valencia respecto de
la red atómica del disolvente.
 Material solido capaz de conducir la
electricidad mejor que un aislante, pero
peor que un metal. A temperaturas muy
bajas, los semiconductores puros se
comportan como aislantes. Sometidos a
altas temperaturas, mezclados con
impurezas o en presencia de luz, la
conductividad de los semiconductores
puede aumentar de forma significativa y
llegar a alcanzar niveles cercanos a los de
los metales.
 Capacidad de incorporar gran numero
de elementos electronicos en chips de
silicio.
 Consisten en elementos como el M del
grupo III tales como Al, Ga e In
combinados con elementos X del grupo
V como P, As y Sb.
 1- la constante dielectrica, el cociente entre la capacitancia de
un capacitor utilizando un material entre sus placas comparado
con la del capacitor cuando hay vacio entre las placas.
 2- la resistencia a la ruptura dielectrica, el voltaje por longitud
unitaria (campo electrico) en el que un material dielectrico
permite la conduccion; esto es, el campo electrico maximo que
un dielectrico puede soportar sin ruptura electrica.
 3- el factor de perdida, si el voltaje que se utiliza para mantener
la carga en un capacitor es senoidal, como el que genera una
corriente electrica alterna, la corriente adelanta al voltaje por
90 grados cuando un dielectrico sin perdida esta entre las
placas de un capacitor. Sin embargo cuando se emplea un
dielectrico real en el capacitor, la corriente adelanta al voltaje
por 90°-d, donde el angulo d recibe el nombre de angulo de
perdida dielectrica, el producto de k y d se denomina el factor
de perdida.
 La fabricacion de dispositivos
electronicos con dimensiones de
nanometros.
 La luz visible es una forma de radiación
electromagnética, con longitudes de onda
que se extienden desde 0.40 a 0.75. la luz
visible contiene bandas de colores que van
del violeta hasta el rojo, como se muestra en la
escala aumentada. La región ultravioleta
cubre el intervalo desde casi 0.01 hasta
alrededor de 0.40 y la region infrarroja se
extiende desde mas o menos 0.75 hasta 1000.
La verdadera naturaleza de la luz
probablemente nunca se conosca, sin
embargo se considera que la luz forma ondas
y que esta compuesta por partículas llamadas
fotones.
 Cuando los fotones de luz se transmiten a
través de un material transparente, pierden
algo de energía y como resultado, la
velocidad de la luz se reduce y el haz
luminoso cambia de dirección. Esto quiere
decir que cuando la luz choca contra
algún objeto transparente por ejemplo la
luz de un foco con una botella de vidrio,
esta desvía la luz hacia otra dirección o
diferentes direcciones.
 Metales:
 Los metales reflejan y/o absorben intensamente la radiación incidente desde
longitudes de ondas largas (ondas de radio) hasta la mitad del intervalo ultravioleta.
Puesto que la banda de conduccion se traslapa con la banda de valencia en los
metales, la radiación incidente eleva con facilidad los electrones hasta los niveles de
energía mas altos. Luego de descender hasta los niveles de energia inferiores, las
energía de los fotones son bajas y sus longitudes de ondas largas. Este tipo de acción
produce haces luminosos intensamente reflejados desde una superficie lisa, como se
observa en muchos metales como el oro y la plata. La cantidad de energía absorbida
por los metales depende de la estructura electrónica de cada uno.
 Vidrios de silicato:
 Reflexión de la luz en una superficie de placa de vidrio, la proporción de la luz
incidente reflejada por una superficie de una placa de vidrio pulida es muy pequeña.
Esta cantidad depende principalmente del índice de refracción n del vidrio y del
angulo de incidencia de la luz en el vidrio.
 Absorción de la luz en una placa de vidrio, el vidrio absorbe energía de la luz que
transmite de manera que la intensidad luminosa disminuye cuando se incrementa la
trayectoria de la luz.
 Reflexión, absorción y transmitancia de luz en una placa de vidrio: la cantidad de luz
incidente que se transmite a través de una placa de vidrio se determina por medio de
la cantidad de luz reflejada en las superficies tanto superior como inferior, asi como por
la cantidad que se absorbe dentro de la placa.
 Platicos:
 Muchos plásticos no cristalinos como el poliestireno, el polimetil metacrilato y
policarbonato, tiene excelente transparencia. Sin embargo en algunos materiales
plásticos hay regiones cristalinas que tiene índices de refracción superiores a los de su
matriz no cristalina. Si estas regiones son de mayor tamaño que la ongitud de onda de
la luz incidente, las ondas luminosas se dispersaran por reflexión y refracción y, en
consecuencia, disminuye la transparencia del material.
 Semiconductores:
 En los semiconductores los fotones de luz pueden absorberse de varas maneras. En
semiconductores intrínsecos (puros), los fotones pueden absorberse para crear pares
electron-hueco y causar que los electrones salten la brecha de bandas de energía
desde la banda de valencia hasta la de conducción. En semiconductores que
contiene impurezas de donador y aceptor, se absorben fotones de mucho menor
energía (y, en consecuencia, mucho mayor longitud de onda) causando que los
electrones salten desde la banda de valencia en niveles de aceptor o desde niveles
de donador a la banda de conducción. Por tanto, los semiconductores son opacos a
fotones de luz de energía alta e intermedia (longitud de onda corta e intermedia) y
trasnparanete a fotones de longitud de onda muy larga y baja energía.
 Luminiscencia- puede definirse como el proceso
mediante el cual una sustancia absorbe energía y luego
emite espontáneamente radiación visible o cercana a la
visible. En este proceso la energía de entrada excita los
electrones de un material luminiscente desde la banda
de valencia hasta la banda de conducción.
 Fotoluminiscencia:
 La fotoluminiciencia convierte la radiación ultravioleta de
un arco de mercurio de baja presión en luz visible
utilizando un halofostfatoo de material fosforescente.
 Catodoluminiscencia:
 Este tipo de luminiscencia se produce mediante un
catodo energizado que genera un haz de electrones de
alta energía.
 1-campo magnetico, campo magnetico producido
por un campo magnetico aplicado externo o el
campo magnetico producido por una corriente que
pasa a traves de un alambre conductor o bobina de
alambre.
 2- induccion magnetica, la suma del campo
aplicado y la magnetizacion de vida a la insercion
de un material dado en el campo aplicado.
 3- permeabilidad magnetica, el cociente entre la
induccion magnetica y el campo magnetico
aplicado en un material.
 4-susceptibilidad magnetica, el cociente entre la
magnetizacion y el campo magnetico aplicado.
 Diamagnetismo, paramagnetismo,
ferromagnetismo, antiferromagnetismo,
ferrimagnetismo.
 Diamagnetismo, la reacción débil, negativa y repulsiva de un material a
un campo magnético aplicado; un material diamagnético tiene una
pequeña susceptibilidad magnética negativa.
 Paramagnetismo, reacción débil, positiva, atractiva de un material a un
campo magnético aplicado; un material paramagnético tiene una
pequeña susceptibilidad magnética positiva.
 Ferromagnetismo, la creación de una magnetización muy grande en
un material cuando se somete a un campo magnético aplicado.
Después de que se suprime el campo aplicado, el material
ferromagnético retiene mucho de la magnetización.
 Antiferromagnetismo, un tipo de magnetismo en el que los dipolos
magnéticos de atomos se alinean en direcciones opuestas por medio
de un campo magnético aplicado de manera que no hay
magnetización neta.
 Ferrimagnetismo, un tipo de magnetismo en el cual los momentos de
dipolo magnético de diferentes iones de un solido ligado iónicamente
se alinean por medio de un campo magnético en forma antiparalela
de manera que hay un momento magnético neto.
 Un material magnético con una alta
permeabilidad y baja fuerza coercitiva.
 Materiales magnéticos con alta fuerza
coercitiva y una alta inducción por
saturación.