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    Diapositiva Exposición IGBT

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    Ricardo Cevallos
    El documento presenta información sobre IGBTs (transistores bipolares de puerta aislada), su operación en serie y paralelo, y sus limitaciones debido a di/dt y dv/dt. También compara IGBTs con BJTs y MOSFETs, señalando que los BJTs tienen menores pérdidas de conducción pero tiempos de conmutación más largos, mientras que los MOSFETs tienen tiempos de conmutación más rápidos, especialmente a altas tensiones de bloqueo.

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    Descripción original:

    SEMICONDUCTORES EXPLICACION

    Título original

    Diapositiva exposición IGBT

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    de 5

    Universidad Politécnica

    Salesiana

    Ingeniería Electrónica
    Electrónica de Potencia
    GRUPO N.-5
    INTEGRANTES :
    • Ricardo David Cevallos Granja
    • Christian Fernando Quinte Caiza
    • Jorge Jahir Sánchez Pico
    TEMARIO
    • IGBT’S
    • Operación serie y paralelo
    • Limitaciones por 𝑑𝑖Τ𝑑𝑡 y por 𝑑𝑣Τ𝑑𝑡
    • Comparación de Transistores
    IGBT´S(Transistor Bipolar de Puerta Aislada)

    Figura N.-1 Estructura, Símbolo esquemático, modelo equivalente de IGBT


    Comparación entre Transistores
    • Los BJT tiene perdidas de conducción más bajas en estado activo,
    sobre todo en dispositivos con mayor tensión de bloqueo
    • Tiempos de conmutación más largos, en particular durante la
    desconexión.
    • Los MOSFET se encienden y apagan mucho más rápido,
    especialmente en dispositivos especificados para mayor tensión de
    bloqueo.

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