ELECTRÓNICA DE POTENCIA

APLICACIONES

• Demanda de control de energía eléctrica

• Con el control de voltajes variables de CD para motores

• Se ha revolucionado el control de potencia.- conversión

de energía y manejo de motores.

• Se combina la potencia (equipo estático y rotatorio para

generación, transmisión y distribución ), la electrónica y
el control (lazo cerrado).
 APLICACIONES
La Electrónica de Potencia se puede definir como las
aplicaciones de la electrónica de estado sólido para el
control y la conversión de energía.

• Se basa en la conmutación de dispositivos semiconductores

de potencia.

• Con el tiempo se han mejorado los tiempos de conmutación

y capacidades de manejo de potencia
 APLICACIONES
• El desarrollo de los microprocesadores y
microcomputadoras ha mejorado el control y sintetización
del control de los dispositivos de potencia.

Semiconductores de potencia → Músculo

Microelectrónica → Cerebro

Control Analógico /
Digital

Electrónica
Equipo de Pot.
Dispositivos /
Estático / Rotativo
Circuitos Electrónica
 APLICACIONES
• Actualmente se utiliza la electrónica de potencia en:

• control de temperatura,
• control de iluminación,
• control de motores,
• fuentes de poder,
• sistemas de impulsión de vehículos
• sistemas de CD de HV…….
 HISTORIA
• 1900: Rectificador de arco de mercurio

• Luego se introdujeron rectificador de tanque metálico y el

de tubo a vacío controlado con rejilla, el ignitrón, el
fanotrón y el tiratrón hasta 1950.

• En 1948 se inventa el transistor de silicio (Bell Tellephone

Laboratories)

• En 1956 se inventa el transistor de disparo PNPN (Bell

Tellephone Laboratories) denominado tiristor ó SCR
 HISTORIA
• 1958: Se desarrolla el tiristor comercialmente (General
Electric Company)

• Arranca la introducción de nuevos semiconductores y

técnicas de conversión

• Cada vez se pueden controlar mayores cantidades de

potencia.
• En unos 30 años conformará y acondicionará la electricidad
en algún punto de la transmisión entre la generación y
todos los usuarios.
 DISPOSITIVOS DE POTENCIA
• Tres clases:
• Diodos de potencia
• Transistores
• Tiristores

• Se dividen en 5 tipos:
• Diodos de potencia
• Tiristores
• Transistores de unión bipolar (BJT)
• Transistores de efecto de campo de óxido de metal
semiconductor (MOSFET)
• Transistores bipolares de compuerta aislada IGBT
 DISPOSITIVOS DE POTENCIA
• DIODOS DE POTENCIA (Dos terminales A, K)

• Propósito general: 6000 V y 4500 A

• Recuperación rápida: 6000 V y 1100 A, Trec.: 0,1 y 5 us.
• Diodos Schottky: bajo voltaje de estado acivo y Trec muy
bajo en nanosegundos.
 DISPOSITIVOS DE POTENCIA
• DIODOS DE POTENCIA

• Si el voltaje del cátodo es mayor al del ánodo el diodo

está en modo de bloqueo.
• En polarización directa la caída de tensión de 0,5 a 1,2
V.
• Hay de dos tipos borne o montado en borne o en clavija
y tipo disco, prensado o puck.
 DISPOSITIVOS DE POTENCIA
• TIRISTORES

• Tiene tres terminales: un ánodo, un cátodo y una

compuerta.
• Al hacer circular una corriente pequeña por el terminal
de la compuerta hacia el cátodo el tiristor conduce,
siempre que el ánodo tenga mayor tensión que el
cátodo.
 DISPOSITIVOS DE POTENCIA
• TIRISTORES

• Se dividen en once tipos:

• Tiristor conmutado forzado
• Tiristor conmutado por línea
• Tiristor de abertura de compuerta (GTO)
• Tiristor de conducción inversa (RCT)
• Tiristor de inducción estática (SITH)
• Tiristor de abertura de compuerta asistida (GATT)
• Rectificador fotoactivado controlado de silicio
(LASCR)
• Tiristor abierto por MOS (MTO)
• Tiristor abierto por emisor (ETO)
• Tiristor conmutado por compuerta integrada (IGCT)
 DISPOSITIVOS DE POTENCIA
• TIRISTORES

• Se dividen en once tipos:

• Tiristores controlados por MOS (MCT)

• Cuando el tiristor está en conducción la compuerta ya

no tiene control.
• Un tiristor en conducción tiene una caída de voltaje
pequeño (0,5 a 2 V).
• Para que el tiristor deje de conducir es necesario que el
potencial del ánodo sea menor o igual al cátodo.
(Tiristores conmutados por línea)
 DISPOSITIVOS DE POTENCIA
• TIRISTORES

• Tiristores conmutados por línea 6000 V, 4500 A

• Tiempos de abertura y bloqueo inverso, ejm.: 10 a 20 us
en un tiristor de 3000 V y 3600 A
• Los RCT y GATT se usan en conmutación de alta
velocidad. RCT 4000 V y 2000 A (800 A en conducción
inversa) con un tiempo de conmutación de 40us. GATT
1200 V y 400 A, velocidad de conmut. de 8 us.
• Los LASCR de hasta 6000 V y 1500 A, veloc. Conm. 200 a
400 us, aplicaciones de alto voltaje.
• Los TRIAC son usados en aplicaciones de baja potencia.
 DISPOSITIVOS DE POTENCIA
• TIRISTORES

• Los GTO (6000 V y 6000 A) y los SITH (1200 V y 300 A)

son tiristores de autoabertura. Se activan con un pulso
positivo a las compuertas y se apaga aplicando un pulso
negativo.
• Los GTO se usan en conmutación forzada de
convertidores.
 DISPOSITIVOS DE POTENCIA
• TRANSISTORES DE POTENCIA.- 4 clases

• BJT (10khz, 1200V y 400 A).

• MOSFET de potencia (1000V y 100 A)
• IGBT (20 khz, 1700 V y 2400 A)
• SIT (tiempos de conmutación cortos 20 us, 100khz, 1200
V y 300 A)

Tiene tres terminales base, emisor y colector

 DISPOSITIVOS DE POTENCIA
• TRANSISTORES DE POTENCIA