Fsica de Semiconductores

UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO

Facultad de Ingeniera en Sistemas,

Electrnica e Industrial
Carrera de Ingeniera en Electrnica y
Comunicaciones

Tema: El experimento de Haynes-Shockley y la densidad de

estados en un semiconductor

Integrantes: Daniel Pachar

Hugo Rueda Fecha: 20/01/2017

Fsica de Semiconductores INGENIERA ELECTRNICA Y COMUNICACIONES

 Experimento de Haynes-Schockley

Un experimento clsico en la fsica de los semiconductores y que

permite la demostracin de los fenmenos de arrastre y difusin
de los portadores minoritarios, fue realizado por J.R. Haynes y W.
Shockley en 1951.
 El experimento de Haynes-Schocley

(a) Montaje experimental.

 El experimento de Haynes-Schocley

(b) Distribucin de portadores en ausencia de campo

elctrico.

donde N es el nmero de electrones o huecos generados por unidad de rea. Fig. 35.b muestra en
ausencia de campo elctrico como los portadores se van difundiendo cada vez ms all del punto de
inyeccin y como se recombinan.
 El experimento de Haynes-Schocley

(c) Distribucin de portadores con un campo elctrico aplicado

Si un campo elctrico es aplicado ( 0 >V ) a la muestra (Fig. 35.c), la ecuacin para pn(x,t) es
anloga a la anterior salvo que debe sustituirse x por x-pt. Puede observarse como el exceso
de portadores se desplaza hacia el extremo ms negativo del semiconductor con una velocidad de
arrastre p, y al mismo tiempo los portadores se difunden hacia afuera y se recombinan de la
misma manera que en el caso de ausencia de campo elctrico .
 El experimento de Haynes-Schocley

- En una barra de semiconductor de tipo N se tienen tres contactos.

- Dos de dichos contactos son utilizados para conectar la barra a un generador (V).

- La funcin de este generador es establecer un campo elctrico que cause el

arrastre en la barra, con los huecos movindose de izquierda a derecha.

- El tercer contacto A nos permite visualizar la variacin que experimenta la

concentracin de portadores minoritarios.

- Se hacen incidir pulsos luminosos dirigidos a una zona de la barra semiconductora

(x=0). Despus de un pulso, la ecuacin de continuidad para pn (portadores
minoritarios) es:
 El experimento de Haynes-Schocley

donde GL = 0 (despus del pulso) y se ha considerado un campo elctrico

aplicado constante a lo largo de la barra semiconductora

Si no se aplica campo elctrico en el semiconductor (V = 0), la solucin para la

distribucin espacio-temporal de los portadores minoritarios viene dada por:
 El experimento de Haynes-Schocley

El pulso de desplaza a lo largo de la barra como resultado del arrastre, su

amplitud decrece y el pulso se ensancha debido a la difusin de los huecos tanto
a la derecha como a la izquierda del centro del pulso y el rea del pulso se
reduce debido a la recombinacin.

La magnitud del campo elctrico aplicado puede determinarse a partir del valor
de V. Es posible medir en el osciloscopio el tiempo que tarda el pulso en recorrer
la distancia L, de manera que es posible calcular la velocidad de arrastre
promedio y calcular, por tanto, la movilidad p. Otros resultados del
experimento permitieron a Haynes y Shockley calcular la difusividad o
coeficiente de difusin Dp y el tiempo de vida medio p.
 El experimento de Haynes-Schocley

ANEXO: Densidad de estados en

un semiconductor.
La energa cintica de un electrn libre E viene dada por:

2
=
2.

donde p es el momento de la partcula y es la masa del

electrn libre.
 El experimento de Haynes-Schocley

La relacin energa-momento en un electrn en la banda de

conduccin del semiconductor puede escribirse de la forma:

2
=
2.

donde p es el momento del electrn en la banda de conduccin

del cristal y Mn es la masa efectiva del electrn (el subndice n
hace referencia a la carga negativa del electrn).
 El experimento de Haynes-Schocley

La longitud de onda de dicha oscilacin est relacionada

con la longitud L del semiconductor por:

donde es un nmero entero. La cantidad entera define

el estado energtico del electrn, de forma que un aumento
en una unidad en el valor de supone el cambio de un
estado energtico a otro inmediatamente superior.
 El experimento de Haynes-Schocley

Por otra parte, la longitud de onda de la onda estacionaria

asociada al electrn puede relacionarse con el momento de
dicho electrn en este caso unidimensional en el eje de las x, .

siendo h la constante de Planck.

 El experimento de Haynes-Schocley

A partir de ambas expresiones se puede obtener:

El momento incremental producido al incrementar en una

unidad (salto de un nivel energtico al inmediatamente
superior):

Si ahora se considera un cubo de semiconductor de arista L, al

incrementarse el nmero cuntico principal n en una unidad, se
tendr la relacin:
 El experimento de Haynes-Schocley

Si consideramos el cubo de arista unidad (L = 1) para

normalizar:

Esta expresin indica que el incremento de volumen en el espacio de los

momentos al cambiar en una unidad el nmero cuntico n es igual a 3 . El
cambio del nmero cuntico n en una unidad supone cambiar el estado
energtico del electrn de un nivel de energa al siguiente. De esta forma
tambin puede interpretarse la cantidad 3 como el volumen en el espacio
de los momentos por incremento de nivel energtico.
 El experimento de Haynes-Schocley

El volumen dV entre dos esferas concntricas de radios

e en el espacio de los momentos viene dado por la
expresin:

El nmero de estados energticos contenidos en el

elemento de volumen dV ser el nmero de estados de
energa permitida por unidad de volumen comprendidos en
el intervalo energtico dE en torno a E, es decir, la cantidad
N(E)dE.
 El experimento de Haynes-Schocley

Y, por tanto, la densidad de estados permitidos de energa

por unidad de volumen y por unidad de energa N(E):

Teniendo en cuenta que el nivel energtico ms bajo que

posee un electrn en la banda de conduccin es Ec. En
consecuencia, tomando como origen de energas el nivel
Ec a efectos de movilidad la densidad de estados Nn (E)
en la banda de conduccin es:
 El experimento de Haynes-Schocley

Anlogamente un incremento de energa de un hueco en la

banda de valencia corresponde a un movimiento hacia abajo
dentro de la banda de valencia. La densidad de estados de los
huecos en la banda de valencia puede escribirse cambiando la
variable E por

Se observa en estas expresiones que son las nicas variables

que hacen referencia al tipo de sustancia que se trate. Adems
a medida que aumenten su valor, mayor es la densidad de
estados.
Polarizacin Inversa

Gracias