Tema1 Semiconductores

Dr.
Federico Rivero Palacio

Jhonny Garca 1 20/05/2014
CONTENIDO
Definicin
Propiedades elctricas de los slidos
Estructura atmica de los semiconductores
Conduccin intrnseca
Bandas de energa
Semiconductores extrnsecos
Semiconducores tipo N y P
La unin PN polarizada

ELECTRNICA
semiconductores
Dr. Federico Rivero Palacio
Definicin: campo de la ingeniera y de la fsica
aplicada relativo al diseo y aplicacin de dispositivos
para la generacin, transmisin, recepcin y
almacenamiento de informacin. Esta informacin
puede consistir en voz o msica en un receptor de
radio, en una imagen en una pantalla de televisin, en
nmeros u otros datos en una computadora,
mquinas, cervomecanismos, etc.
ELECTRNICA
semiconductores
Estructura de la materia
Las propiedades elctricas de los materiales se explica por la
conformacin de su estructura atomica. El fsico dans Niels Bohr
desarroll en 1913 una hiptesis conocida como teora atmica de Bohr,
supuso que cada tomo est formado por un ncleo denso y con carga
positiva, rodeado por electrones cargados negativamente que giran en
torno al ncleo como los planetas alrededor del Sol
Bohr supuso que los electrones estn dispuestos en capas definidas, o
niveles cunticos (fotones de energa), a una distancia considerable del
ncleo. La disposicin de los electrones se denomina configuracin
electrnica. El nmero de electrnes que posee un tomo viene dado por
su nmero atmico.
Los electrones estn presentes en todos los tomos y cuando son
arrancados del tomo se llaman electrones libres. El ncleo est formado
por protones y neutrones. En cualquier tomo, el nmero de protones es
igual al nmero de electrones, es electricamente neutro.

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semiconductores
Estructura de la materia
Las capas electrnicas (c) se superponen de forma regular hasta un mximo de
siete (c=7), y cada una de ellas puede albergar un determinado nmero de
electrones.
La primera capa est completa cuando contiene dos electrones, en la segunda
caben un mximo de ocho, y las capas sucesivas pueden contener cantidades
cada vez mayores (2c
2
).
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semiconductores
El nmero de electrnes de un atmo
viene dado por su nmero atmico.
As el nmero de capas lo define el
nmero atmico
Los protones y neutrones son los
componentes bsicos de los ncleos
atmicos, que en combinacin con los
electrones forman los tomos.
Conductores, aislante y semiconductores
La ltima capa o capa incompleta de electrones es la ms importante del tomo, y
la que le proporciona tanto sus propiedades fsicas como qumicas; se le llama
tambin capa de valencia.
Conductores: Aquellos elementos que en la capa de valencia posean uno, dos o
tres electrones, tienen tendencia a perderlos. Estos elementos sern buenos
conductores de electricidad y calor; la mayor parte de los metales pertenece a esta
categora. Tal es el caso del Cobre, de smbolo Cu. su nmero atmico es 29, la
plata Ag n atmico 47, Oro Au n atmico 79.
Aislantes: Los elementos con cinco, seis o siete electrones en su ltima capa
tienen tendencia a captar electrones para completar la capa. Estos elementos
sern malos conductores. Por ejemplo la ceramica y el dimante. Tambien, los
elementos que tienen la ltima capa completa no dan lugar prcticamente a
reacciones qumicas, dichos elementos son tambin aislantes; por ejemplo, el helio
o el neon.
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semiconductores
Semiconductores: Los elementos que tienen en su ltima capa cuatro electrones se
caracterizan por una cierta indiferencia para perder o ganar electrones. Estos elementos son:
carbono, silicio, germanio y estao. Son conocidos como semiconductores.
El Germanio, de smbolo Ge, es un elemento semimetlico cristalino, duro, brillante, de color
blanco grisceo, su nmero atmico es el 32, se encuentra en pequeas cantidades en
yacimientos de plata, cobre y cinc.
El silicio, de smbolo Si, es un elemento semimetlico, el segundo elemento ms comn en la
Tierra despus del oxgeno su nmero atmico es 14. El silicio constituye un 28% de la
corteza terrestre. No existe en estado libre, sino que se encuentra en forma de
dixido de silicio y de silicatos complejos. Los minerales que contienen silicio
constituyen cerca del 40% de todos los minerales comunes, incluyendo ms del
90% de los minerales que forman rocas volcnicas.
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semiconductores
En el modelo de conductor, los ncleos de los tomos junto con los electrones de
las capas completas se distribuyen en una estructura cristalina rgida, mientras
que los electrones exteriores de la capa incompleta estn compartidos por todos
los tomos del material, tal como muestra el esquema de la figura.
Dichos electrones pueden moverse
libremente a travs de todo el material. Bajo
la accin de un campo elctrico, estos
electrones se mueven en sentido contrario al
campo, dando lugar a la conduccin
elctrica.
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semiconductores

En el modelo de aislante slido, la estructura es tal que para una amplia gama de
temperaturas casi todos los electrones permanecen ligados a sus tomos. Al aplicarle un
campo elctrico no demasiado intenso, no se dispondr de muchas cargas que se muevan a
travs de l; la conductividad es muy pequea.
En los aislantes se presenta el fenmeno de polarizacin. Los tomos del material se
transforman, bajo la accin del campo elctrico, en pequeos dipolos que tienden a orientarse
en la direccin y sentido del campo elctrico exterior. La polarizacin se cuantifica a travs de
la constante dielctrica relativa del material, e
r
.
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Estructura atmica de los semiconductores
Las propiedades elctricas de un material semiconductor vienen determinadas por su
estructura atmica.
En un cristal puro de germanio o de silicio, los tomos estn unidos entre s en disposicin
peridica, formando una rejilla cbica tipo diamante perfectamente regular.
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Estructura cristalina en 3D de un
semiconductor
Cada tomo del cristal tiene cuatro electrones de
valencia, cada uno de los cuales interacta con el electrn
del tomo vecino formando un enlace covalente.
Al no tener los electrones libertad de movimiento, a bajas
temperaturas y en estado cristalino puro, el material acta
como un aislante.
Conduccin intrnseca (generacin de pares electrn-hueco)
El silicio y el germanio puros, es decir, en ausencia de tomos extraos, se le conoce como
semiconductores intrnsecos. En realidad un semiconductor 100% intrnseco no es posible,
sin embargo mediante la tecnologa actual se han alcanzado niveles de pureza de 1 parte por
10
9
(un electrn libre por cada 10
9
tomos).
Es importante tener en cuenta la estructura cristalina de estos materiales para explicar su
comportamiento elctrico, ya que este comportamiento depende del grado de pureza del
semiconductor.
ELECTRNICA
semiconductores
Estructura cristalina en 3D de un
semiconductor
Los semiconductores presentan una estructura
cristalina en su estructura atmica.
Cada tomo est rodeado de cuatro tomos
vecinos, y con cada uno de ellos comparte dos
electrones, uno del propio tomo y otro del tomo
vecino.
Esta disposicin de los pares de electrones
compartidos recibe el nombre de enlace covalente.
Estos enlaces son los responsables de la cohesin
entre los tomos del cristal.
Conduccin intrnseca: generacin de pares electrn-hueco
La distribucin espacial de los atomos en un semiconductor puede simplificarse
pasando a la distribucin en dos dimensiones, donde las circunferencias
representan los ncleos juntos con las capas completas de los electrones, y los dos
puntos entre las barras representan los electrones compartidos por los dos
tomos.
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Estructura cristalina en 2D de un semiconductor
Esta estructura corresponde a un
cristal perfectamente puro, sin
elementos extraos, y a
temperaturas muy bajas, cercanas al
cero absoluto de temperatura (300
K o -237,15C); todos los electrones
de valencia se encuentran ligados a
sus respectivos tomos y el material
es aislante.
Si la temperatura aumenta, estos electrones ligados pueden poseer suficiente energa como
para romper el enlace y convertirse en electrones libres, dentro del slido.
A una temperatura de 300
K, por ejemplo, existe un electrn libre por cada 10

9
tomos de
germanio, y en el silicio por cada 10
12
tomos.
La energa necesaria para romper un enlace se llama energa de ionizacin y es de 0,7 eV
para el germanio y 1,1 eV para el silicio (Un electronvoltio es la energa adquirida por un
electrn al atravesar una diferencia de potencial de 1 voltio)..
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semiconductores
Generacin de pares electrn-hueco
Mediante este modelo es posible explicar por qu al
aumentar la temperatura, al iluminar o mediante presin
mecnica del semiconductor, aumenta la conductividad.
Al proporcionar alguna forma de energa al
semiconductor estamos permitiendo a un mayor nmero
de electrones ligados que se conviertan en electrones
libres, contribuyendo a los procesos de conduccin.
A esta conductividad que aparece por ruptura de enlaces
debido a un aumento de energa de los electrones se le
denomina conductividad intrnseca.
Cuando un electrn abandona el enlace con su atmo, se produce en l una vacante, ya que
en cada enlace caben dos electrones. Esta ausencia de electrn se denomina hueco.
A la ruptura de un enlace se le denomina proceso de generacin de pares electrn hueco.
Un electrn libre en su movimiento puede "encontrarse" con un hueco volviendo a convertirse
en un electrn ligado, formador de un enlace; desaparecen entonces tanto el electrn como el
hueco; a este proceso se le denomina recombinacin.
El estudio realizado corresponde a semiconductores puros (intrnseco). En estos materiales
existen dos tipos de portadores de carga: electrones (carga negativa) y huecos (carga
positiva). El nmero de electrones coincide con el nmero de huecos, siendo de 10
13
electrones/cm3 a temperatura ambiente (27C).
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Bandas de energa
En la teora atmica se explican las propiedades elctricas de los elementos por el concepto
de las bandas de energa, las cuales existen entre las diferentes capas de la estructura
atmica.
Para que tenga lugar la conduccin, ha de haber un movimiento de electrones. En los
aislantes, la distancia entre la banda de valencia y la de conduccin es muy grande, se debe
tener presente que las bandas de energa no son posiciones en el espacio sino valores de la
energa; cuando decimos que la distancia entre bandas es grande queremos indicar que
debemos aportarle una energa muy grande a los electrones para que cambien de estado, de
libre a enlasado o viceversa.
ELECTRNICA
semiconductores
La banda de valencia contien electrones unidos
en enlaces covalentes
La banda de conduccin contiene electrones
que no estan unidos y son libres de moverse en
el cristal.
Si las dos bandas estn superpuestas, el
fenmeno de conduccin se da siempre, no
siendo necesario ningn aporte adicional de
energa para que exista conduccin. Es el caso
de los conductores.
Paso de electrones de la banda de valencia a la de
conduccin
E
v
E
g
E
c
Bandas de energa
Si la distancia entre las dos bandas es pequea significa que aportndole al material una
pequea energa, habr electrones que podrn pasar de la banda de valencia a la de
conduccin, o lo que es lo mismo, dejan de estar ligados a sus respectivos ncleos y pueden
contribuir a la conduccin.
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semiconductores
Diagrama de bandas de energa de a) un aislante, b)
semiconductor y c) conductor
Si: 1,1 eV
Ge: 0,66 eV
Esta situacin es la que presentan los
semiconductores.
La separacin entre las bandas de valencia y
conduccin en el germanio es de 0,7 eV y en
el silicio de 1,1 eV. El aporte adicional de
energa puede conseguirse aumentando su
temperatura, iluminando el material o
aplicando un campo elctrico, inclusive
mediante presin mecnica
Bandas de energa
En esta situacin no slo los electrones que han pasado a la banda de conduccin
contribuyen a sta, ya que al pasar a la banda de conduccin han dejado un hueco en la
banda de valencia, es decir, existe un valor de energa libre en la banda de valencia que
puede ser ocupado por otro electrn.
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Paso de electrones de la banda de valencia a la de conduccin
Semiconductores extrnsecos (dopado)
Dopado es la capacidad de modificar las caractersticas conductoras de
electricidad de un material mediante el agragado de tomos de impurezas.
Las impurezas de fsforo, antimonio o arsnico se denominan impurezas
donantes porque aportan un exceso de electrones al semiconductor.
Este grupo de elementos tiene cinco electrones de valencia, de los cuales slo
cuatro establecen enlaces con los tomos de germanio o silicio. Por lo tanto,
cuando se aplica un campo elctrico, los electrones restantes de las impurezas
donantes quedan libres para desplazarse a travs del material cristalino
Las impurezas de galio y de indio disponen de slo tres electrones de valencia, es
decir, les falta uno para completar la estructura de enlaces interatmicos con el
cristal del semiconductor.
Estas impurezas se conocen como impurezas receptoras, porque aceptan
electrones de tomos vecinos en el semiconductor. A su vez, las deficiencias
resultantes, o huecos, en la estructura de los tomos vecinos se rellenan con otros
electrones y as sucesivamente. Estos huecos se comportan como cargas
positivas, como si se movieran en direccin opuesta a la de los electrones cuando
se les aplica un voltaje.

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semiconductores
Semiconductores tipos N y P
Un cristal de germanio o de silicio que contenga tomos de impurezas donantes
(pentavalentes) se llama semiconductor negativo, o tipo N, para indicar la
presencia de un exceso de electrones cargados negativamente.
El uso de una impureza receptora (trivalentes) producir un semiconductor
positivo, o tipo P, llamado as por la presencia de huecos cargados positivamente.
Un cristal sencillo que contenga dos regiones, una tipo n y otra tipo p, se puede
preparar introduciendo las impurezas donantes y receptoras en germanio o silicio
fundido en un crisol en diferentes fases de formacin del cristal.
El cristal resultante presentar dos regiones diferenciadas de materiales tipo N y
tipo P. La franja de contacto entre ambas reas se conoce como unin PN.
Los trminos "tipo n" y "tipo p" se refieren a materiales semiconductores que han
sido dopados, es decir, cuyas propiedades elctricas han sido alteradas mediante
la adicin controlada de pequesimas concentraciones de impurezas como boro o
fsforo.
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srmiconductores
REGIN CAPITAL
Densidad o concentracin de portadores en un semiconductor
El estado de pureza de un semiconductor se mide por la concentracin de carga, la
cual se mide por el nmero de portadores de carga, negativa (electrones n) o
positiva (huecos: p), por unidad de volumen
En un estado 100% puro (intrnseco) un semiconductor es electricamente neutro,
es decir que la concentracin de carga negativa (portadores) es igual a la positiva.
n=p=n
i
entonces n*p=n
i
2

es la concentracin intrnseca de portadores de carga en
un semiconductor intrnseco.
n
i
2

depende de la temperatura y del tipo de semiconductor:
n
i
= BT
3/2
e
-Eg/2KT
Con B = 1,46 10
21
m
-3
/K
3/2
para el germanio a temperatura ambiente (27 C)
B = 5,71 10
21
m
--3
/K
3/2
para el silicio a temperatura ambiente (27 C)
T: es la temperatura en K
Eg: es la banda de energa prohibida . A temperatura ambiente vale 0,661 eV para
el germanio y 1,124 eV para el silicio.
K: es la constante de Boltzman = 1,38 10
-23
Joul/K (1 eV= 1,6 10
-19
J)
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Tabla de Eg en funcin de la temperatura y Eg/2K en funcin de la temperatura:

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Material Eg (0K) Eg (20C) Eg (27 C) Eg/2K (0K) Eg /2K (20 C) Eg /2K (27 C)
Germanio 0,782 0,668 eV 0,661 eV 4533 K 3871 K 3855 K
Silicio 1,2 eV 1,118 eV 1,124 eV 6957 K 6481 K 6470 K
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Para un semiconductor extrnseco la concentracin de carga depender del tipo y
cantidad de tomos de impureza agregados .
En un semiconductor extrnseco n difiere de p. Sin embargo independietemente del
tipo de impureza agregada, sus tomos son electricamente neutros.
De modo que en cualquier parte del semiconductor extrnseco debe mantenerse la
neutralidad de las cargas.
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Si se viola la neutralidad de las cargas se desarrollar un campo elctrico que
movilizar las cargas hasta el equilibrio.
La concentracin total de cargas en un semiconductor extrnseco vendr dada por
la combinacin de concentracin del material intrnseco y concentracin de carga de
la impureza aadida.
Si la impureza es aceptora tendremos una concentracin de huecos en exceso en el
semiconductor (N
A
).
Si la impureza es donadora tendremos una concentracin de electrones en exceso
en el semiconductor (N
D
).
En le semiconductor extrnseco, la condicin de neutralidad de cargas establece:
p+N
D
= n+N
A

Se sigue cumpliendo que:
(n.p)
1/2
=n
i
= BT
3/2
e
-Eg/2KT
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Corriente de desplazamiento (corrimiento) en semiconductores
En un semiconductor el flujo de corriente tiene su origen en los huecos y los
electrnes.
A este tipo de corriente se le conoce como corriente de desplazamiento.
Consideremos un bloque de material semiconductor de longitud L, sometido a un
voltaje V, el cual provoca un campo elctrico E que moviliza los portadores de carga
dentro del semiconductor.
Por definicin sabemos que la corriente viene dada por la cantidad de carga total
(Q) que atraviesa una asuperficie S en la unidad de tiempo t: I = Q/t
Conocida la concentracin de carga (portadores) n (electrnes/m
3
), la carga total
Q=n.volumen.q
e
=n.S.L. q
e
, siendo q
e
la carga del electrn=1,6.10
-19
Coulomb
I= n.S.L.q
e
/t . Se define L/t como la velocidad promedio con que se mueven los
electrones=V
p
y es funcin directa del campo elctrico V
p
=m
e
E, siendo m
e
la constante
de movilidad de elctrnes libres. Que depende del tipo de semiconductor.
Tabla de movilidad para el Ge y el Si a 300 K:
Material m
e
m
h
Germanio 0,39 0,19
Silicio 0,19 0,05
MOVILIDAD A 300 K EN m
2
/Volt-sg
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semiconductores
Corriente de desplazamiento (corrimiento) en semiconductores
I= n.m.q
e
.E, J=I/S es la densidad de corriente (Amp/m
2
), I= s E
n.m.q
e
=s (Mho-m)es la conductividad del material, r = 1/s (Ohm/m) es la
resistividad
R= r J es la resistencia del semiconductor.
En un semiconductor estn presentes tanto electrones como huecos, de modo que
tendremos corrientes de desplazamiento originadas por electrnes como por huecos.
I = I
e
+ I
h

Y una densidad de corriente J = J
e
+ J
h

J
e
= n.m
e
.q
e
.E y J
h
= p.m
h
.q
e
.E
La movilidad de los huecos (m
h
) difiere de la movilidad de lectrones (m
e
) porque los
huecos y los electrones tienen masas efectivas distintas.
Portadores mayoritarios y minoritarios
En un semiconductor tipo N al electrn se le llama portador mayoritario y al hueco
es el portador minoritario. Y en un semiconductor tipo P el hueco es el portador
mayoritario y el electrn es el portador minoritario.
Los semiconductores tipo N y P representan los elementos de cosntruccin bsicos
en los dispositivos de la electrnica moderna
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semiconductores
El diodo semiconductor (unin PN): Al
poner en contacto un semiconductor
tipo P con un semiconductor tipo N los
electrones y los huecos se combinan en
la unin creando una barrera de
potencial que detiene esta
combinacin, conformandose una
regin de agotamiento en dicha unin.h

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Federico Rivero Palacio

K, por ejemplo, existe un electrn libre por cada 10

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