Memoria

programable de solo
lectura

Este ar tíc ulo o sec c ión nec esita referenc ias que aparez c an en una public ac ión
ac reditada.

La memoria programable de solo lectura o

PROM (del inglés programmable read-only
memory) es una memoria digital donde el
valor de cada bit depende del estado de
un fusible (o antifusible), que puede ser
quemado una sola vez. Por esto la
memoria puede ser programada (pueden
ser escritos los datos) una sola vez a
través de un dispositivo especial, un
programador PROM. Estas memorias son
utilizadas para grabar datos permanentes
en cantidades menores a las ROM, o
cuando los datos deben cambiar en
muchos o todos los casos.

PROM D23128C en la placa base de

una Sinclair ZX Spectrum.

Pequeñas PROM han venido utilizándose

como generadores de funciones,
normalmente en conjunción con un
multiplexor. A veces se preferían a las
ROM porque son bipolares, habitualmente
Schottky, consiguiendo mayores
velocidades.

Programación
Una PROM común se encuentra con todos
los bits en valor 1 como valor por defecto
de las fábricas; el quemado de cada
fusible, cambia el valor del
correspondiente bit a 0. La programación
se realiza aplicando pulsos de altos
voltajes que no se encuentran durante
operaciones normales (12 a 21 voltios). El
término read-only (solo lectura) se refiere a
que, a diferencia de otras memorias, los
datos no pueden ser cambiados (al menos
por el usuario final).

Historia
La memoria PROM fue inventada en 1956
por Wen Tsing Chow, trabajando para la
«División Arma», de la American Bosch
Arma Corporation en Garden City, Nueva
York. La invención fue concebida a
petición de la Fuerza aérea de los Estados
Unidos, para conseguir una forma más
segura y flexible para almacenar las
constantes de los objetivos en la
computadora digital del MBI Atlas E/F.
La patente y la tecnología asociadas
fueron mantenidas bajo secreto por varios
años mientras el Atlas E/F era el principal
misil de Estados Unidos. El término
«quemar», refiriéndose al proceso de
grabar una PROM, se encuentra también
en la patente original, porque como parte
de la implementación original debía
quemarse literalmente los diodos internos
con un exceso de corriente para producir
la discontinuidad del circuito. Las primeras
máquinas de programación de PROMs
también fueron desarrolladas por
ingenieros de la División Arma bajo la
dirección del Sr. Chow y fueron ubicados el
laboratorio Arma de Garden City, y en la
jefatura del Comando estratégico aéreo de
las Fuerzas Aéreas.

EPROM y EEPROM
Wen Tsing Chow y otros ingenieros de la
División Armada continuaron con este
suceso diseñando la primera «memoria de
solo lectura no destruible» (non-destructive
read-only memory', NDROM) para aplicarlo
a misiles guiados, fundamentado en una
base de doble abertura magnética. Estas
memorias, diseñadas originalmente para
mantener constantes de objetivos, fueron
utilizadas para sistemas de armas de
misiles balísticos intercontinentales y de
rango medio móvil.
La principal motivación para este invento
fue que la Fuerza Aérea Estadounidense
necesitaba reducir los costes de la
fabricación de plaquetas de objetivos
basadas en PROMs que necesitaban
cambios constantes a medida que llegaba
nueva información sobre objetivos del
bloque de naciones comunistas. Como
estas memorias son borrables,
programables y re-programables,
constituyen la primera implementación de
una producción de memorias EPROM y
EEPROM, de fabricación anterior al 1963.

Debe observarse que los términos

modernos de estos dispositivos, PROM,
EPROM y EEPROM, no fueron creados
hasta un tiempo después de que las
aplicaciones de misiles nucleares guiados
hayan estado operacionales. Las
implementaciones originales de Arma se
refieren a las PROMs como "matriz de
almacenamiento de constantes"; y a las
EPROMsy EEPROM simplemente eran
denominadas «memorias NDRO».

Las modernas implementaciones

comerciales de las PROM, EPROM y
EEPROM basadas en circuitos integrados,
borrado por luz ultravioleta, y varias
propiedades de los transistores, aparecen
unos diez años después. Hasta que esas
nuevas implementaciones fueron
desarrolladas, fuera de aplicaciones
militares, era más barato fabricar
memorias ROM que utilizar una de las
nuevas caras tecnologías desarrolladas y
fabricados por los contratistas de misiles
de las fuerzas aéreas.

De todas formas, en misiles, naves

espaciales, satélites y otras aplicaciones
de mucha confiabilidad, siguen en uso
muchos de los métodos de la
implementación original de los años 1950.

Véase también
Memoria EPROM
 Memoria EAROM
Memoria EEPROM

Datos: Q381364
Multimedia: Programmable read-only
memory (https://commons.wikimedia.o
rg/wiki/Category:Programmable_read-o
nly_memory) / Q381364 (https://comm
ons.wikimedia.org/wiki/Special:MediaS
earch?type=image&search=%22Q38136
4%22)

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=120159282»
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