Trabajo de Investigación

Últimas tecnologías de las memorias de Intel

Facultad de Ingeniería de Producción y Servicios

Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

Curso:
Arquitectura de Computadoras
Docente:
Dr. Jesus Talavera Suarez
Integrantes:
-Medina Chilo Nicolás
-Martínez Cahua Axel

Arequipa - Perú
2018
Introducción
Las memorias son una parte fundamental en la arquitectura de un computador, tanto las
memorias RAM como las de almacenamiento fijo; gran parte de las prestaciones de un
computador depende de estas, ya que son necesarias para la lectura y escritura de datos con
los que trabajará el computador.
Las prestaciones de un computador se basan mayormente en las de las memorias, ¿A qué se
debe esto?, la respuesta está en que, mientras las prestaciones de los procesadores, buses de
interconexión, y otras arquitecturas del computador avanzan aceleradamente, las de las
memorias no; debido a esto el proceso en su totalidad se ve limitado por las prestaciones de
las memorias del computador.
Es por esta razón, que en el presente trabajo se hará un estudio y análisis de las últimas
tecnologías de memorias que encontramos en el mercado, veremos su funcionamiento,
precio, tecnologías que usan, y prestaciones en general.
En este trabajo en específico, nos avocaremos al estudio de las últimas tecnologías de las
memorias Intel, esto se debe a que Intel es una de las marcas de mayor renombre y
extensión en el mercado, tanto es así, que la mayoría de memorias se adapta a poder
trabajar con la tecnología de Intel; es conveniente pues, dedicarnos al estudio de estas
tecnologías.
1. Memorias en un Computador

Primeramente, veremos las funciones y diferencias entre las principales memorias

de un computador, y en las cuales, intervienen más las últimas tecnologías como
Optane 3DXPoint.
De manera general organizamos las memorias de los computadores en:

- Memorias RAM (Random Access Memory)

- Memorias ROM (Read Only Memory)
- Memorias SRAM (Static Random Access Memory)
- Memorias Virtuales o Swap
1.1 Memoras RAM
La memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory, RAM) se utiliza como
memoria de trabajo de computadoras y otros dispositivos para el sistema operativo,
los programas y la mayor parte del software. En la RAM se cargan todas las
instrucciones que ejecuta la unidad central de procesamiento (procesador) y otras
unidades del computador, además de contener los datos que manipulan los distintos
programas.
Se denominan «de acceso aleatorio» porque se puede leer o escribir en una posición
de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo
necesario seguir un orden para acceder (acceso secuencial) a la información de la
manera más rápida posible.

1.2 Memorias ROM

Como su nombre lo indica, una memoria de sólo lectura (ROM) es una unidad de
memoria que sólo ejecuta la operación de lectura; no tiene la posibilidad de
escritura. Esto implica que la información binaria almacenada en una ROM se hace
permanente durante la producción del hardware de la unidad y no puede alterarse
escribiendo diferentes palabras en ella.
Una ROM m x n es un arreglo de celdas binarias organizadas en m palabras de n
bits cada una. Una ROM tiene k lineas de entrada de dirección para seleccionar una
de 2k = m palabras de memoria, y n líneas de salida, una para cada bit de la palabra.
La ROM no necesita una línea de control de lectura, porque en cualquier momento
las líneas de salida proporcionan en forma automática los n bits de la palabra
seleccionada por el valor de dirección. Además, una vez que se establece la función
entre las entradas y las salidas, esta permanece dentro de la unidad, aún cuando la
corriente se apague y se encienda de nuevo.
 1.3 Memorias SRAM
Static Random Access Memory (SRAM) O Memoria Estática de Acceso Aleatorio
es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la Memorias
DRAM, es capaz de mantener los datos (mientras esté alimentada) sin necesidad de
circuito de refresco (no se descargan). Sin embargo, sí son memorias volátiles, es
decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.
Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la
memoria pueden ser escritas o leídas en cualquier orden, independientemente de
cual fuera la última posición de memoria leída o escrita. Cada bit en una SRAM se
almacena en cuatro transistores, que forman un biestable.
Estas memorias son utilizadas para la cache del sistema, es decir, aquí se guardan
los datos e instrucciones mas usadas por los programas en ejecución, para que estos
puedan ejecutarse de manera mas efectiva y rápida.
1.4 Memorias Virtuales o Swap
En informática, la memoria virtual es una técnica de gestión de la memoria que
permite que el sistema operativo disponga, tanto para el software de usuario como
para sí mismo, de mayor cantidad de memoria que esté disponible físicamente. La
mayoría de los ordenadores tienen cuatro tipos de memoria: registros en la CPU, la
memoria caché (tanto dentro como fuera del CPU), la memoria RAM y el disco
duro. En ese orden, van de menor capacidad y mayor velocidad a mayor capacidad
y menor velocidad.
Muchas aplicaciones requieren acceso a más información (código y datos) que la
que se puede mantener en memoria física. Esto es así sobre todo cuando el sistema
operativo permite múltiples procesos y aplicaciones ejecutándose simultáneamente.
Una solución al problema de necesitar mayor cantidad de memoria de la que se
posee consiste en que las aplicaciones mantengan parte de su información en disco,
moviéndola a la memoria principal cuando sea necesario.
2. Historia de las Memorias Intel
Para entender de mejor manera a las últimas tecnologías que trataremos más
adelante, veremos la evolución de las memorias desde sus inicios hasta los últimos
años.

4 de Enero, 1843, Memoria de sólo lectura en forma de tarjetas perforadas;

Charles Babbage empieza a construir su "máquina analítica", precursora de la
computadora. Utiliza memoria de sólo lectura en forma de tarjetas perforadas.
4 de Noviembre,1932, Memoria de Tambor en Austria, Gustav Tauschek inventa
memoria de tambor en Austria.

7 de Setiembre, 1936, Konrad Zuse solicita una patente para su memoria

mecánica que se utilizará en su equipo. Konrad Zuse solicita una patente para su
memoria mecánica que se utilizará en su equipo. Esta memoria de la computadora
se basa en las partes metálicas de deslizamiento.

7 de Diciembre, 1939, Helmut Schreyer inventa una memoria prototipo utilizando

las lámparas de neón.

6 de Febrero, 1942, El ordenador Atanasoff-Berry, El ordenador Atanasoff-

Berry tiene 60 palabras de 50 bits de la memoria en forma de condensadores
montado sobre dos tambores giratorios. Para la memoria secundaria que utiliza
tarjetas perforadas

30 de Septiembre, 1947, Frederick Viehe de Los Angeles, solicita una patente

para una invención que utiliza la memoria de núcleos magnéticos. Memoria de
tambor magnético es independiente inventado por varias personas. An Wang An
Wang, An Wang inventó el dispositivo de control de impulsos magnéticos, el
principio sobre el que se basa la memoria.

19 de Febrero, 1949, Jay Forrester concibe la idea de memoria de núcleos, Jay

Forrester concibe la idea de memoria de núcleos magnéticos, ya que es llegar a ser
de uso común, con una red de cables utilizados para hacer frente a los núcleos. La
primera forma práctica se manifiesta en los años 1952-53 y convierte en letra
muerta los anteriores tipos de memoria de la computadora.

7 de Febrero, 1950, Ferranti Ltd. finaliza la primera computadora comercial con

256 palabras de 40 bits de memoria principal y 16K palabras de memoria de
tambor.

7 de Diciembre de 1951, Jay Forrester presenta una patente para la memoria de

núcleo matriz.

26 de Diciembre de 1952, Un módulo de memoria de base se añade a la ENIAC

ordenador. El ordenador EDVAC se completa con 1.024 palabras de 44 bits de
memoria ultrasónica. Un módulo de memoria de base se añade a la ENIAC
ordenador.

6 de Diciembre de 1955, An Wang fue emitido patente de EE.UU. 2.708.722 # 34

con las reclamaciones de núcleo de la memoria magnética.
4 de Noviembre de 1966, Hewlett-Packard lanza su HP2116A computadora en
tiempo real con 8K de memoria. El recién formado Intel comienza a vender un
chip semiconductor con 2000 bits de memoria.

4 de Noviembre de 1970 , Intel lanza el chip de 1103 , el chip DRAM primero la

memoria disponible en general.

26 de Marzo de 1984, Apple Computers lanza los computadores personales

Macintosh. Es la primera computadora que viene con 128 KB de memoria.

28 de Septiembre de 1990, FPM-RAM Aparece actualmente con dos velocidades

de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las más lentas. Para
sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz
(procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60
nanosegundos para no generar estados de espera de la cpu.
La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de
memoria va a ser en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en
ese caso

24 de Febrero, 1994, EDO –RAM Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la

Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están
saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o
menos). Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó
50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de
DIMMs de 168. Velocidad de transferencia: 320 MB/s

6 de Julio 1997, SDR SDRAM Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de

tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este
tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de
leer o escribir a un ciclo de
reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria
incluye tecnología
InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la
otra mitad está terminando el anterior.

7 de Diciembre,1998, PC100 Fecha de introducción:1 9 9 8 Velocidad de

transferencia La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8
ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s.

4 de Noviembre de 2003, PC2100 -D D R266 PC2100 -D D R266 Fecha de A

mediados del 2003 Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR
 que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa
de transferencia máxima de 2.7 GB/s.

25 de Marzo, 2004, PC3200 ±D D R400, Velocidad de transferencia Esta

tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un
bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.

4 de Diciembre 2007, Memoria Corsair Dominator, Aparición de memorias

dedicadas para procesamiento de imágenes, memorias Gamer

7 de Septiembre 2008, D DR3 ± 2000 Fecha de introducción: Marzo de 2008

(pruebas) Velocidad de transferencia 16.0 GB/s @ 2000 MHz.

3. Tecnología 3D XPoint

En Julio del Año 2015 Intel y Micron anunciaron la Tecnología de Memoria 3D

XPoint o “3D Crosspoint” una Tecnología de Memoria no Volátil que carece de
transistores y cuya velocidad de lectura y escritura es 1000 veces más rápida que la
actual memoria flash que encontramos en todas las unidades de estado sólido. Esta
es tan rápida que puede usarse como memoria (DRAM) o para almacenar datos.

Intel y Micron describen a 3D XPoint como una nueva Tecnología que viene a
llenar el espacio que hay entre DRAM y NAND flash y es el Primer Cambio
Tecnológico Real en décadas de almacenamiento.
En la siguiente gráfica podemos ver las características de las diferentes memorias
que competirían contra 3D XPoint
 Como vemos en la siguiente imagen han pasado décadas desde el uso de transistores
y capacitores para almacenar datos. Intel 3D XPoint PCM (Phase Change Memory)
viene a revolucionar el mundo y por primera vez sin el uso de transistores. Esta
avanzada tecnología utiliza las propiedades de los materiales en la celda de memoria
para almacenar el dato y puede acceder a un bit de la misma o a una palabra (varios
bits) mediante cables y selectores colocados en su estructura 3D.

4. ¿Cómo funciona 3D XPoint?

Con 3D nos referimos a una nueva forma de localizar un dato en una memoria,
generalmente las memorias se organizan en filas y columnas, es decir, un eje x y un
eje y, con la tecnología 3D XPoint se pretende ingresar una nueva dimensión, de
esta forma podemos multiplicar las prestaciones de la memoria..

Con 3D XPoint y su revolucionario diseño, se puede ir aún más adentro en la escala

de integración para lograr no solo más capacidad de almacenamiento sino
velocidades de transferencia nunca antes vistas.

3D XPoint tiene una arquitectura diferente al resto de los productos basados en

NAND flash. Se basa en la tecnología PCM (Phase Change Memory) de “Cambio
de Fase de Memoria”, sin transistores y con una arquitectura de puntos que cruzan y
posicionan selectores y celdas de memorias en las intersecciones perpendiculares
(ver figura superior). Dichas celdas de memoria son construidas en base a un
material no especificado y pueden ser accedidas por una corriente en el tope y la
base de los cables (circuitos microscópicos que actúan como tal) y que tocan cada
celda. Para mejorar la capacidad de almacenamiento o densidad, las celdas 3D
XPoint son apiladas en un vector vertical
 En la imagen vemos las celdas organizadas dentro de la memoria con tecnología
3DXPoint

5. Memorias Optane
Intel Optane es el nombre comercial de la nueva tecnología de memoria 3D Xpoint
creada por Intel con la intención de dejar obsoleta la NAND usada en los actuales
discos SSD. Optane promete alcanza runas velocidades muy superiores y unas
latencias muy inferiores respecto a la NAND. Su primera versión comercial es el
Intel Optane 32 GB que, como su nombre indica, nos ofrece 32 GB de este tipo de
memoria para funcionar a modo de caché y acelerar en gran medida la velocidad del
sistema.
Algunas características técnicas de Optane de 32 GB
La presentación de la memoria Optane:

Intel Optane 32 GB se presenta con un aspecto muy similar al de los discos SSD
basados en la interfaz M.2, de hecho podría pasar por uno de estos sin problemas, la
diferencia radica en el uso de la memoria 3D Xpoint, un tipo de memoria no volatil
que promete cerrar la brecha entre la RAM y el almacenamiento ya que su gran
velocidad y su baja latencia hacen que pueda funcionar tanto como almacenamiento
como a modo de RAM aunque para lo segundo aún tendremos que esperar bastante.

Optane pretende obtener mejores prestaciones que una DRAM convencional y

mejores latencias que las NAND SSD
El Intel Optane 32 GB funciona como una caché de alta velocidad para acelerar
nuestro sistema. De hecho cuando ponemos uno de estos módulos Optane en
nuestro PC aparece como una sola unidad de almacenamiento junto al disco que
contiene el sistema. Por si fuera poco Optane también tiene la ventaja de ser mucho
más durable que la memoria NAND por lo que es más indicada para entornos en los
que se haga un uso de escritura muy intensivo.

La mayor ventaja de Optane es que cuenta con una velocidad de lectura aleatoria y
unas latencias mucho mejores que en el caso de la NAND, esto hace que sea mucho
más rápido al manejar una gran cantidad de archivos de tamaño muy reducido. En
cambios las velocidades de lectura y escritura secuencial no difieren mucho de los
actuales SSD NVMe que llegan a ser incluso superiores. Sobre el papel Optane
puede llegar a ser 1000 veces más rápido que la NAND aunque el bus será un gran
limitante por lo que ni de lejos vamos a ver cifras tan abultadas.

A continuación una gráfica donde vemos la velocidad de lectura que puede llegar a
alcanzar un computador utilizando diferentes memorias, en verde, las memorias
Optane con tecnología 3D XPoint
 Intel Optane 32 GB usa un factor de forma M.2 y funciona mediante la interfaz PCI
Express al igual que los discos NVMe, destacamos que esta tecnología solo es
compatible con la actual plataforma Intel 200 y Kaby Lake por lo que si tienes un
procesador de generaciones anteriores, incluso Skylake, ya te puedes ir olvidando
de Optane a menos que actualices. La razón de esta reducida compatibilidad es que
se tendrían que haber invertido muchos recursos para validar Optane en plataformas
anteriores como Intel 100 y Skylake.

6. Prueba de Prestaciones de Optane (Benckmark)

A continuación, se presentan algunas pruebas realizadas por el grupo “Professional

Review”, se utilizaron el siguiente software:

-Crystal Disk Mark

-AS SSD Benchmark
-Atto Benchmark
-Anvil’s Storage

Las pruebas se realizaron con las siguientes especificaciones:

Los resultados obtenidos: