Ciencia y Tecnología de los materiales
FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍA
CARRERA DE INGENIERIA INDUSTRIAL
CICLO 2021-01-MÓDULO B
CIENCIA Y TECNOLOGÍA DE LOS MATERIALES
LABORATORIO N° 1
INTEGRANTES:
JUNIO 2021
Ciencia y Tecnología de los materiales
RESUMEN
Los microchips, también conocidos como chips, se fabrican colocando capas delgadas
de un material que puede ser, principalmente, silicio o germanio en forma de un
pastel, es decir, una sobre otra. Para su fabricación se utilizan distintas tecnologías
como, por ejemplo, TTL (Lógica de transistor a transistor) o CMOS (Semiconductor de
óxido metálico complementario). El proceso de fabricación, en términos generales,
consiste en colocar sobre unas barras de silicio, capas de láminas muy delgadas en las
cuales se graba el circuito eléctrico que, por lo general, se realiza utilizando fotografía a
grandes distancias (fotolitografía). Se colocan las capas necesarias y se sellan con una
carcasa protectora que contiene contactos metálicos, que permitirán introducir dichos
chips en circuitos impresos.
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1. Introducción (1 punto)
Un circuito integrado (CI), también conocido como chip o microchip, es
una estructura de pequeñas dimensiones de material semiconductor,
normalmente silicio, de algunos milímetros cuadrados de superficie (área), sobre la
que se fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía y que
está protegida dentro de un encapsulado plástico o de cerámica. El encapsulado
posee conductores metálicos apropiados para hacer conexión entre el circuito
integrado y un circuito impreso.
Los CI se hicieron posibles gracias a descubrimientos experimentales que
mostraban que artefactos semiconductores podían realizar las funciones de
los tubos de vacío, así como a los avances científicos de la fabricación de
semiconductores a mediados del siglo XX. La integración de grandes cantidades de
pequeños transistores dentro de un pequeño espacio fue un gran avance en la
elaboración manual de circuitos utilizando componentes electrónicos discretos. La
capacidad de producción masiva de los circuitos integrados, así como la fiabilidad y
acercamiento a la construcción de un diagrama a bloques en circuitos, aseguraba la
rápida adopción de los circuitos integrados estandarizados en lugar de diseños
utilizando transistores discretos.
Los CI o microchips tienen dos principales ventajas sobre los circuitos discretos:
costo y rendimiento. El bajo costo es debido a los chips; ya que posee todos sus
componentes impresos en una unidad de fotolitografía en lugar de ser construidos
un transistor a la vez. Más aún, los CI empaquetados usan mucho menos material
que los circuitos discretos. El rendimiento es alto ya que los componentes de los CI
cambian rápidamente y consumen poca potencia (comparado sus contrapartes
discretas) como resultado de su pequeño tamaño y proximidad de todos sus
componentes. Desde 2012, el intervalo de área de chips típicos es desde unos
pocos milímetros cuadrados a alrededor de 450 mm2, con hasta 9 millones de
transistores por mm2.
Los circuitos integrados son usados en prácticamente todos los equipos
electrónicos hoy en día, y han revolucionado el mundo de
la electrónica. Computadoras, teléfonos móviles, y otros dispositivos electrónicos
que son parte indispensable de las sociedades modernas, son posibles gracias a
los bajos costos de los circuitos integrados.
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2. Objetivo puntos)
Estudiar el microchip para poder identificar los materiales que se utilizan y los
procesos de obtención de dichos materiales para la producción de un circuito
integrado o microchip.
3. Metodología2 puntos)
3.1 ¿Cómo se fabrica un microchip?
El circuito integrado o microchip, es uno de los dispositivos que más ha
influido en nuestra vida cotidiana. Aparatos tales como el teléfono móvil, la
computadora, la navegación por Internet, incluso los automóviles actuales,
serían impensables sin el circuito integrado. Fabricar uno de ellos es un
procedimiento extraordinariamente complejo y delicado, en el que confluyen
un elevado número de procesos, de materiales diferentes, de reglas de
diseño, etc. La tecnología microelectrónica que lo hace posible debe
entenderse como el conjunto de reglas de diseño, materiales y procesos
tecnológicos que, aplicados en una secuencia determinada, permiten obtener
uno de tales dispositivos. Dependiendo de la aplicación concreta a la que se
vaya a destinar, el número de pasos tecnológicos que hay que llevar a cabo
para su fabricación puede superar ampliamente el número de 500. A
continuación, describimos los requisitos que debe reunir el entorno de
fabricación y los principales procesos involucrados en la fabricación del
microchip.
3.2 El entorno: la “sala limpia”
Lo primero que destaca en el proceso de obtención de un CI es el requisito de
limpieza del ambiente en donde se fabrican, extraordinariamente restrictivo.
Ese entorno se denomina "sala limpia" y las condiciones que hay en ella son
tales que, en comparación, la sala de un quirófano (un lugar de extraordinaria
asepsia), parece un lodazal. Para lograr esas condiciones de elevadísima
limpieza, la sala limpia debe ser un lugar parcialmente hermético, donde el
aire que entra a su interior es filtrado previamente para eliminar gran parte de
las partículas de polvo que se encuentran en suspensión en la atmósfera
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ordinaria. Junto a ese proceso de filtrado, los operarios encargados del
funcionamiento y trabajo en su interior, deben vestirse con unos trajes
especiales que impiden el contacto de la piel humana con el ambiente, debido
a que el cuerpo desprende continuamente células muertas de la piel,
cabellos, etc. Todas podrían contaminar el entorno de fabricación y hacer
inviable el CI.
La siguiente figura muestra un esquema y una imagen real de una sala limpia:
Las salas limpias se clasifican según el grado de limpieza del ambiente en
diversas clases seguidas de un número, que indica el número de partículas
que hay en suspensión en cada metro cúbico de aire; cuanto menor es la
clase, menor es el número de partículas y, por consiguiente, mayor el grado
de pureza del ambiente de fabricación. En la sala limpia se sitúan todas las
máquinas necesarias para la fabricación del CI, cuyo proceso describimos
muy esquemáticamente a continuación.
3.3 Dentro de la sala limpia: los procesos
El conjunto de tecnologías, materiales, reglas de diseño, etc. que están
involucradas en la fabricación del CI es de una complejidad extraordinaria. La
figura muestra un esquema de la secuencia de fabricación de uno de tales
dispositivos:
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(Diagrama esquemático de las diversas fases de fabricación de un CI, desde el diseño, pasando por la
fabricación, el encapsulado y la prueba final del mismo. Todos los procesos que están dentro del
rectángulo central de la imagen se realizan en el interior de la sala limpia)
En esencia un CI es un dispositivo que incorpora en una única pieza de un
semiconductor, (que en la gran mayoría de los CI comerciales es silicio), denominada
oblea ("wafer") multitud de elementos de un circuito electrónico: resistencias,
condensadores, transistores de diversos tipos, metales de interconexión, capas de
aislamiento entre elementos, etc. Para definir todos y cada uno de esos componentes, así
como sus interconexiones, es preciso realizar una serie de operaciones que, en esencia,
son las siguientes:
3.3.1 Dopado ("Implant")
Este proceso incorpora de manera selectiva a la oblea, átomos de elementos
diferentes al silicio, lo que permite modificar de manera controlada sus
propiedades eléctricas. Se realiza con implantadores iónicos, que es un método
que se utiliza para introducir átomos de impurezas en el cristal semiconductor. Un
implantador de iones produce iones del contaminante deseado, los acelera
mediante un campo eléctrico y les permite chocar contra la superficie del
semiconductor. La cantidad de iones que se implantan puede controlarse al variar
la corriente del haz (flujo de iones). Este proceso se utiliza normalmente cuando el
control preciso del perfil del dopaje es esencial para la operación del dispositivo .
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3.3.2 Fotolitografía de definición de componentes ("Photolitography")
Etimológicamente, "fotolitografía" significa grabar con luz (fotones) en la piedra,
es decir, en la oblea del semiconductor. Este es uno de los pasos más
críticos y esenciales de la fabricación del CI. Mediante la fotolitografía, se
trasladan a la superficie del semiconductor unos patrones geométricos que
permiten definir los elementos constitutivos, sus interconexiones y el
aislamiento eléctrico entre ellos. Los procesos fotolitográficos son el cuello de
botella de la tecnología microelectrónica y su desarrollo espectacular es el que
ha propiciado en gran medida, que los tamaños de los elementos integrantes
sean tan asombrosamente pequeños. En la siguiente imagen muestro unos
detalles de este proceso:
Esta técnica es utilizada para definir la geometría de la superficie de los
diversos componentes de un circuito integrado. Para lograr la fotolitografía,
primeramente, se debe recubrir la oblea con una capa fotosensible llamada
sustancia fotoendurecible que utiliza una técnica llamada “de giro”; después de
esto se utilizará una placa fotográfica con patrones dibujados para exponer de
forma selectiva la capa fotosensible a la iluminación ultravioleta. Las áreas
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opuestas se ablandarán y podrán ser removidas con un químico, y de esta
manera, producir con precisión geometrías de superficies muy finas. La capa
fotosensible puede utilizarse para proteger por debajo los materiales contra el
ataque químico en húmedo o contra el ataque químico de iones reactivos. Este
requerimiento impone restricciones mecánicas y ópticas muy críticas en el
equipo de fotolitografía.
3.3.3 Procesos de eliminación selectivos ("Etch")
Este proceso permite eliminar de manera controlada y en áreas del CI
predefinidas con antelación, capas de metales o aislantes de zonas no
deseadas.
3.3.4 Aislamiento ("Dielectric deposition")
Paso mediante el que se depositan capas muy delgadas de materiales
aislantes para evitar interconexiones no deseadas entre los elementos activos
del CI. Es crucial dado lo extraordinariamente juntos que se encuentran los
dispositivos.
3.3.5 Interconexiones ("Metallization")
Es un proceso similar al anterior, pero que se realiza con capas de materiales
conductoras, con objeto de interconectar los distintos elementos del CI. Los
procesos de aislamiento y metalización necesitan de técnicas de planarización
("Chemical-mechanical planarization (CMP)"), dado que, al haber diversas
capas de interconexión, es imprescindible garantizar la planitud de las
sucesivas etapas para no comprometer las siguientes. Además, estos
procesos, junto con los de dopado y fotolitografía deben realizarse con diversos
calentamientos ("Themal process") en atmósferas controladas para resultar
óptimos.
3.3.6 Encapsulado y prueba final ("Packaging" y "Test")
Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de circuitos o chips
terminados, cada chip puede contener de 10 o más transistores en un área
rectangular, típicamente entre 1 mm y 10 mm por lado. Después de haber
probado los circuitos eléctricamente se separan unos de otros (rebanándolos) y
los buenos (“pastillas”) se montan en cápsulas (“soportes”).
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Normalmente se utilizan alambres de oro para conectar las terminales del
paquete al patrón de metalización en la pastilla; por último, se sella el paquete
con plástico o resina epóxica al vacío o en una atmósfera inerte.
Todos los procesos descritos deben repetirse en numerosas ocasiones para fabricar el
CI. Para lograr como resultado final un dispositivo funcional y con especificaciones
prefijadas, es preciso realizar un proceso previo del diseño de cada uno de los pasos
de fabricación y de las máscaras que se utilizan en los procesos fotolitográficos que lo
hacen factible. El elevadísimo número de componentes que incorporan los CI actuales
es de tal magnitud, que para interconectar los transistores entre si es preciso definir
sucesivas capas de metalización, junto con las correspondientes capas de aislamiento
entre ellas, pues con una sola capa sería imposible conectar adecuadamente todos los
elementos. En las tecnologías de vanguardia, el número de capas o "pisos" puede
llegar a diez.
4. Componentes
4.1 Silicio
El silicio es el segundo componente más abundante en la corteza terrestre y se
encuentra en la naturaleza combinado con oxígeno en forma de cuarcita, que
es en un 90% óxido de silicio (SiO2); por ello, para su obtención, es preciso
someterlo a un proceso de reducción con carbono en un horno de arco
eléctrico a muy altas temperaturas. La secuencia de reacciones químicas que
se producen se puede resumir como sigue:
SiO2 +2C → Si+2 CO
Cuarzo+ Reductores → Silicio+ Monóxido de carbono
Materias primas:
CUARZO: Es la materia prima base y se extrae de yacimientos nacionales.
REDUCTORES: Se utilizan hulla, coque y madera troceada (biocarbono). El
carbono de estos agentes es capaz de unirse al oxígeno y liberar el silicio,
generando monóxido de carbono en el proceso que, posteriormente, puede
convertirse en CO2.
FUNDENTES: Se emplea fundamentalmente caliza. Su función principal es
ayudar a disminuir el punto de fusión de la mezcla, así como formar una
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escoria que recoja las impurezas, haciendo que esta sobrenade por encima del
material fundido y se pueda eliminar fácilmente. Además de las emisiones
procedentes de los agentes reductores y electrodos, la calcinación de la caliza
da lugar a CO2 por descarbonatación.
En el proceso Siemens, las barras de silicio de alta pureza se exponen a 1150 °C
al triclorosilano, gas que se descompone depositando silicio adicional en la barra
según la siguiente reacción:
2 HSiCl 3 → Si+2 HCl+ Si Cl 4
El silicio producido por este y otros métodos similares se
denomina silicio policristalino y típicamente tiene una fracción de impurezas de
0,001 ppm o menor.
El método Dupont consiste en hacer reaccionar tetracloruro de silicio a 950 °C
con vapores de cinc muy puros:
Si Cl 4 +2 Zn → Si+ 2 ZnCl 2
Este método está plagado de dificultades (el cloruro de cinc, sub producto de la
reacción, solidifica y obstruye las líneas), por lo que eventualmente se ha
abandonado en favor del proceso Siemens.
Una vez obtenido el silicio ultrapuro es necesario obtener un monocristal, para
lo que se utiliza el proceso Czochralski.
Los productos resultantes son:
SILICIO: Es el producto principal, se clasifica por calidades en función de su
contenido en impurezas, principalmente aluminio, calcio, hierro, fósforo y
titanio. Los destinos más importantes son las industrias del aluminio y la
química, para la obtención de aleaciones ligeras y siliconas, respectivamente.
SILICIO DE BAJA LEY: Es un subproducto generado en el proceso y está
constituido por cuarzo que alcanzó la fusión pero que no llegó a reaccionar en
los hornos. Por su composición y características tiene interés como aditivo para
otros procesos, como abrasivo o para producir refractarios especiales.
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HUMO DE SÍLICE O MICROSÍLICE: Es otro subproducto y se origina como
consecuencia de reacciones secundarias durante la obtención del silicio. Forma
parte mayoritaria de los humos que son captados en los filtros de mangas.
Contiene más de un 90% de sílice amorfa y se presenta en forma de finísimas
partículas esféricas submicrónicas. Es un material con marcado carácter
puzolánico, idóneo como adición para preparar morteros y hormigones de altas
prestaciones, ya que les confiere elevada resistencia mecánica, gran
impermeabilidad y resistencia a ataques químicos. También tiene aplicación en
la producción de fibrocementos, en la fabricación de refractarios y como
soporte en la producción de pigmentos.
4.2 Germanio
Es un semimetal, de color blanco grisáceo lustroso, quebradizo, que conserva
el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que
el diamante y resiste a los ácidos y álcalis.
Forma gran número de compuestos órganos metálicos y es un importante
material semiconductor utilizado en transistores y foto detectores. A diferencia
de la mayoría de semiconductores, el germanio tiene una pequeña banda
prohibida (band gap) por lo que responde de forma eficaz a la radiación
infrarroja y puede usarse en amplificadores de baja intensidad.
Obtención
Se obtiene de yacimientos de plata, zinc y cobre. Los
únicos minerales rentables para la extracción del germanio son
la germanita (69% de Ge) y garnierita (7-8% de Ge); además está presente en
el carbón, la argirodita y otros minerales. La mayor cantidad, en forma de óxido
(GeO2), se obtiene como subproducto de la obtención del zinc o de procesos
de combustión de carbón (en Rusia y China se encuentra el proceso en
desarrollo).
La purificación del germanio pasa por su tetracloruro que puede ser destilado y
luego es reducido al elemento con hidrógeno o con magnesio elemental.
Con pureza del 99,99%, para usos electrónicos se obtiene por refino mediante
fusión por zonas resultando cristales de 25 a 35 mm usados
en transistores y diodos; con esta técnica las impurezas se pueden reducir
hasta 0,0001 ppm.
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En 1926 se descubrió que el germanio era semiconductor, pero no se pudo
utilizar en la práctica hasta 1942, al obtenerlo a un precio competitivo. El
desarrollo de los transistores de germanio a partir de 1947 abrió la puerta a
numerosas aplicaciones electrónicas que hoy son cotidianas. Entre 1950 y a
principios de los 70, la electrónica constituyó el grueso de la creciente demanda
de germanio hasta que empezó a sustituirse por el silicio por su coste muy
inferior.3 Actualmente la gran parte del consumo se destina a fibra óptica
(cerca de la mitad), equipos de visión nocturna y catálisis en la polimerización
de plásticos, aunque se investiga su sustitución por catalizadores más
económicos. En el futuro es posible que se extiendan las aplicaciones
electrónicas de las aleaciones silicio-germanio en sustitución del arseniuro de
galio especialmente en las telecomunicaciones sin cable.
4.3 Componentes electrónicos más usados en el diseño de microchips
4.3.1 MOSFET
Se prefiere el MOSFET canal n al MOSFET canal p. La movilidad de la
superficie de electrones del dispositivo de canal n es de dos a cuatro veces
más alta a la de los huecos. Este transistor ofrece una corriente más alta y
una resistencia baja; así como una transconductancia más alta. Su diseño
se caracteriza por su voltaje de umbral y sus tamaños de dispositivos, en
general, los MOSFET (tipo n o p) se diseñan para que tengan voltajes de
umbral de magnitud similar para un proceso particular; por lo tanto, los
circuitos MOSFET son mucho más flexibles en su diseño.
4.3.2 Resistencias
Las regiones de distinta difusión tienen diferente resistencia. El pozo se
suele utilizar para resistencias de valor medio, mientras que las difusiones
n+ y p+ son útiles para resistencias de valor bajo. Cuando se diseña un
valor real de una resistencia se hace a través del cambio de la longitud y el
ancho de las regiones difundidas. Todas las resistencias difundidas están
autoaisladas por las uniones pn polarizadas a la inversa. Sin embargo una
desventaja es que están acompañadas por una sustancial capacitancia
parásita de unión que los hace no muy útiles en el uso de frecuencias
altas. Además, es posible que exista una variación en el valor real de la
resistencia cuando se aumenta el voltaje debido a un efecto llamado JFET.
Para obtener un valor más exacto, se recomienda que se fabrique con una
capa de polisilicio que se coloca encima del grueso campo de Óxido.
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4.3.3 Capacitores
Existen 2 tipos de estructura de condensador en los procesos CMOS,
condensadores MOS y de interpolador. La capacitación de compuerta MOS
es básicamente la capacitación de compuerta a fuente de un MOSFET, la
cual depende del área de dicha compuerta; este condensador exhibe una
gran dependencia del voltaje, para eliminar este problema, se requiere un
implante n+ adicional para formar la placa inferior de los condensadores.
Estos dos condensadores MOS están físicamente en contacto con el
sustrato, lo que produce una gran capacitación parásita en la unión pn en la
placa inferior. El condensador interpoli exhibe características casi ideales,
pero a expensas de incluir una segunda capa de polisilicio en el proceso
CMOS, donde los efectos parásitos se mantienen al mínimo. Para los 2 tipos
de condensadores anteriormente indicados (interpoli y MOS), los valores de
capacitancia pueden controlarse hasta un margen de error de 1%. Esta
propiedad es extremadamente útil para diseñar circuitos CMOS analógicos
de precisión.
4.3.4 Transistor pnp lateral
Cuando se utilizan este tipo de dispositivos electrónico, el pozo n sirve
como región de base n con difusiones p+ como emisor y colector. La
separación de entre las dos difusiones determina el ancho de la base.
Como el perfil de dopaje no está perfeccionado para las uniones base-
colector, y como el ancho de la base está limitado por la resolución de
fotolitográfica mínima, el desempeño de este dispositivo no es muy bueno.
4.3.5 Resistores de base p y de base estrecha
La difusión en la base p se puede utilizar para formar un resistor de base p
directo. Como la región de la base es, por lo general, de un nivel de dopaje
relativamente bajo y con una profundidad de unión moderada, es
adecuada para resistores de valor medio. Si se requiere un resistor de
valor grande, se puede utilizar el de base estrecha; ya que exhiben malos
coeficientes de tolerancia y temperatura, pero una coincidencia
relativamente buena.
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5. Conclusiones
El silicio es un metaloide, por lo que tiene algunas características metálicas
pero no es un verdadero metal como tal. Y aquí encontramos su relevancia
para la industria informática: es un buen semiconductor, por lo que permite el
paso de la electricidad pero, a diferencia de los metales, se puede controlar
fácilmente el flujo. Dicho de otra manera, un metal conduce los electrones por
naturaleza y no se puede (o es difícil) desactivar esa propiedad, mientras que
un material aislante como el plástico o la madera no permite que la electricidad
pase a través de ellos. Por su parte, un semiconductor como el silicio permite
que pase la electricidad mientras que hace las veces de aislante al mismo
tiempo.
Hasta aquí ya tenemos tres ventajas: es abundante, es barato y además actúa
como semiconductor de manera natural, por lo que no requiere grandes
técnicas para hacerlo funcionar como los seres humanos necesitamos (es muy
sencillo de purificar). También funciona bien en un amplio abanico de
temperaturas y se puede modificar químicamente para modificar sus
propiedades eléctricas. De esta manera, es capaz de abordar tanta electricidad
como se necesite.
El silicio ya tiene un lugar importante en la historia del avance tecnológico, pero
el desarrollo no se detiene y todo tiene sus limitaciones. Se están diseñando
procesadores de alto rendimiento en los que los electrones se mueven incluso
más rápido que en el silicio. Por otro lado, los transistores se hacen más
pequeños cada vez con el objetivo de que los chips sean más potentes y
eficientes, y el silicio seguirá siendo útil en la medida en la que lo permitan sus
propiedades físicas y químicas, pero como hemos dicho antes, todo tiene un
límite.
6. Bibliografía
https://blogs.publico.es/ignacio-martil/2017/04/21/como-se-fabrica-un-chip/
https://es.wikipedia.org/wiki/Silicio
https://www.miteco.gob.es/es/calidad-y-evaluacion-ambiental/temas/sistema-
espanol-de-inventario-sei-/040303-producc-silicio-proceso_tcm30-509728.pdf
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